JPS62180980A - セラミツクヒ−タ - Google Patents
セラミツクヒ−タInfo
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- JPS62180980A JPS62180980A JP2072286A JP2072286A JPS62180980A JP S62180980 A JPS62180980 A JP S62180980A JP 2072286 A JP2072286 A JP 2072286A JP 2072286 A JP2072286 A JP 2072286A JP S62180980 A JPS62180980 A JP S62180980A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 21
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 19
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 18
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 17
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 15
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般家庭用、電子部品用、産業機器用及び自動
車用等の広汎に利用し得る耐熱衝撃性および高温強度に
優れたセラミックヒータに関するものである。
車用等の広汎に利用し得る耐熱衝撃性および高温強度に
優れたセラミックヒータに関するものである。
一般に、セラミックを基体とするヒータとしてはアルミ
ナ（ＡｈＯｉ）焼結体中にタングステン（Ｗ）やモリブ
デン（Ｍｏ）を主体とする抵抗体を施したヒータが主流
である。
ナ（ＡｈＯｉ）焼結体中にタングステン（Ｗ）やモリブ
デン（Ｍｏ）を主体とする抵抗体を施したヒータが主流
である。
この様なセラミックヒータは電気絶縁性、耐薬品性およ
び耐摩耗性に優れているという利点がある。しかしなが
ら、一方アルミナは水中投下急冷の耐熱衝撃温度差が２
００℃程度であり、また８００℃までにおける高温強度
（４点曲げ抗折強度）が３０Ｋｇ／ｍｍ２程度と、耐熱
衝撃性および高温強度が劣っている。
び耐摩耗性に優れているという利点がある。しかしなが
ら、一方アルミナは水中投下急冷の耐熱衝撃温度差が２
００℃程度であり、また８００℃までにおける高温強度
（４点曲げ抗折強度）が３０Ｋｇ／ｍｍ２程度と、耐熱
衝撃性および高温強度が劣っている。
そこで、この耐熱衝撃性及び高温強度が他めセラミック
よりも著しく優れた窒化けい素質焼結体をヒータの基板
として使用することが注目された。
よりも著しく優れた窒化けい素質焼結体をヒータの基板
として使用することが注目された。
この様な窒化けい素質焼結体の耐熱衝撃温度差は６００
℃程度、８００℃までの高温強度（４点曲げ抗折強度）
は６０Ｋｇ／ｍｍ”とアルミナに比べ著しく優位である
。
℃程度、８００℃までの高温強度（４点曲げ抗折強度）
は６０Ｋｇ／ｍｍ”とアルミナに比べ著しく優位である
。
このような窒化けい素質焼結体を基体とするセラミック
ヒータはアルミナ基板と同様、・一般にタングステン（
−）やモンブデン（Ｍｏ）の発熱抵抗金属線を基体中に
埋設するものが既に提供され、またこれらタングステン
（Ｗ）やモリブデン（ＭＯ）を主体とする発熱抵抗ペー
ストを窒化けい素質グリーンシート上に印刷配線し、こ
れを積層して一体焼成してなるものが特開昭５５−１２
６９８９号公報ｔこより提案されている。
ヒータはアルミナ基板と同様、・一般にタングステン（
−）やモンブデン（Ｍｏ）の発熱抵抗金属線を基体中に
埋設するものが既に提供され、またこれらタングステン
（Ｗ）やモリブデン（ＭＯ）を主体とする発熱抵抗ペー
ストを窒化けい素質グリーンシート上に印刷配線し、こ
れを積層して一体焼成してなるものが特開昭５５−１２
６９８９号公報ｔこより提案されている。
しかしながら、発熱抵抗体としてタングステン（Ｗ）や
モリブデン（ＭＯ）を使用すると高温焼成時や長時間の
昇降温繰り返し使用時にこれら発熱抵抗体周囲と窒化珪
素との界面において、タングステン（Ｗ）やモリブデン
（ＭＯ）は窒化珪素（Ｓｉ、Ｎ４．）と反応してＷＳｉ
ｚ、Ｍｏ５ｉｚの層を生成し易く、また酸素と反応して
ＷＯ３，ＭｏｏｓＯ層を生成し易い。このように生成さ
れた反応層は物理的に脆弱であるため抵抗値の変化が生
じたり特に高抵抗ヒータの場合反応層生成界面に亀裂が
生じ易くなり、亀裂による発熱抵抗体の断線が生じる等
の欠点のために、特に発熱抵抗ペーストを使用する方式
については実用化に供されていないのが現状である。さ
らに、タングステン（−）やモリブデン（ＭＯ）から成
る発熱抵抗体はこれらの抵抗温度係数（Ｔ’ＣＲ）が比
較的高く、４〜５ Ｘｌ０−”程度（０〜Ｂｏｏ℃）で
ある。従って、既に実用化されているタングステン（讐
）やモリブデン（Ｍｏ）の発熱抵抗金属線を基体に埋設
する方式においても電圧印加時の突入電流が大きくなり
、電流容量の大きいヒータの通電側ｊ’Ｉｎ装置を必要
とするなどの欠点があった。
モリブデン（ＭＯ）を使用すると高温焼成時や長時間の
昇降温繰り返し使用時にこれら発熱抵抗体周囲と窒化珪
素との界面において、タングステン（Ｗ）やモリブデン
（ＭＯ）は窒化珪素（Ｓｉ、Ｎ４．）と反応してＷＳｉ
ｚ、Ｍｏ５ｉｚの層を生成し易く、また酸素と反応して
ＷＯ３，ＭｏｏｓＯ層を生成し易い。このように生成さ
れた反応層は物理的に脆弱であるため抵抗値の変化が生
じたり特に高抵抗ヒータの場合反応層生成界面に亀裂が
生じ易くなり、亀裂による発熱抵抗体の断線が生じる等
の欠点のために、特に発熱抵抗ペーストを使用する方式
については実用化に供されていないのが現状である。さ
らに、タングステン（−）やモリブデン（ＭＯ）から成
る発熱抵抗体はこれらの抵抗温度係数（Ｔ’ＣＲ）が比
較的高く、４〜５ Ｘｌ０−”程度（０〜Ｂｏｏ℃）で
ある。従って、既に実用化されているタングステン（讐
）やモリブデン（Ｍｏ）の発熱抵抗金属線を基体に埋設
する方式においても電圧印加時の突入電流が大きくなり
、電流容量の大きいヒータの通電側ｊ’Ｉｎ装置を必要
とするなどの欠点があった。
本発明においては発熱抵抗体の経時的抵抗値変化及び断
線を防止でき、また抵抗温度係数（ＴＣＩｉｌ）の比較
的小さいセラミックヒータを提供することを目自勺とす
４゜ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は上記問題点に鑑み鋭意研究の結果、窒化チ
タン（ＴｉＮ）を抵抗材料とした発熱抵抗体を用いるこ
とにより前記問題点を克服し得ることを知見した。
線を防止でき、また抵抗温度係数（ＴＣＩｉｌ）の比較
的小さいセラミックヒータを提供することを目自勺とす
４゜ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は上記問題点に鑑み鋭意研究の結果、窒化チ
タン（ＴｉＮ）を抵抗材料とした発熱抵抗体を用いるこ
とにより前記問題点を克服し得ることを知見した。
本発明によれば、窒化けい素質焼結体中もしくはその表
面にＴｉＮを含む発熱抵抗体を形成してなるセラミック
ヒータが提供される。
面にＴｉＮを含む発熱抵抗体を形成してなるセラミック
ヒータが提供される。
本発明セラミックヒータにおいて、発熱抵抗体として用
いられる窒化チタン（Ｔ ｉ Ｎ）はタングステン（讐
）やモリブデン（Ｍｏ）と比べ、高温において熱力学的
に安定であり、上記脆弱な反応層がほとんど生成されな
い。
いられる窒化チタン（Ｔ ｉ Ｎ）はタングステン（讐
）やモリブデン（Ｍｏ）と比べ、高温において熱力学的
に安定であり、上記脆弱な反応層がほとんど生成されな
い。
したがって焼結体の焼成時や長期の昇降温繰り返し使用
後の抵抗値変化が生じない。また、窒化チタン（ＴｉＮ
）は窒化珪素（ＳｉＪ＊）の焼結助剤となり得ることか
らＴｉＮとＳｉ：＋Ｌとは相互に強固に結合した発熱抵
抗体を形成する。
後の抵抗値変化が生じない。また、窒化チタン（ＴｉＮ
）は窒化珪素（ＳｉＪ＊）の焼結助剤となり得ることか
らＴｉＮとＳｉ：＋Ｌとは相互に強固に結合した発熱抵
抗体を形成する。
したがって脆弱な反応層の存在による抵抗体の弾性は略
完全に防止できる。
完全に防止できる。
さらに、ＴｉＮを含むペーストとＷ又はＭｏと比べ抵抗
温度係数（ＴＣＲ）が１〜２ Ｘｌ０−３（０〜８００
℃）と小さい。
温度係数（ＴＣＲ）が１〜２ Ｘｌ０−３（０〜８００
℃）と小さい。
即ち、このことは第１図（ａ） 、（ｂ）に示す如く、
ＴｉＮを抵抗体とするものＲｏ、と、タングステン律）
又はモリブデン（Ｍｏ）を抵抗体とするものＲＯ□とを
同一ワット数のヒータとして作った場合（例えば８００
℃における抵抗値を各々同一とした場合−第１図（ａ）
参照）、タングステン（−）又はモリブデン（Ｍｏ）を
低風体とするものは常時抵抗が小さいので、第１図（ｂ
）に示す如（Ｖ＝ＩＩｌの一般式から電圧印加時の突入
電流が大きくなる。
ＴｉＮを抵抗体とするものＲｏ、と、タングステン律）
又はモリブデン（Ｍｏ）を抵抗体とするものＲＯ□とを
同一ワット数のヒータとして作った場合（例えば８００
℃における抵抗値を各々同一とした場合−第１図（ａ）
参照）、タングステン（−）又はモリブデン（Ｍｏ）を
低風体とするものは常時抵抗が小さいので、第１図（ｂ
）に示す如（Ｖ＝ＩＩｌの一般式から電圧印加時の突入
電流が大きくなる。
一方、ＴｉＮを抵抗体とするものは常温抵抗が大きいの
で電圧印加時の突入電流を小さくすることができ、該ヒ
ータの制御装置の電流容量が小さくて済む。さらに、こ
のような抵抗温度係数（ＴＣＰ）の小さいことは、使用
雰囲気によりヒータの温度分布が均一になる。
で電圧印加時の突入電流を小さくすることができ、該ヒ
ータの制御装置の電流容量が小さくて済む。さらに、こ
のような抵抗温度係数（ＴＣＰ）の小さいことは、使用
雰囲気によりヒータの温度分布が均一になる。
即ち、オームの法則によりＷ＝Ｉ”Ｒ（Ｉは一定）から
抵抗値に比例して発熱エネルギーが大きくなることは知
られている。したがって、抵抗温度係数（ＴＣＰ）′の
大きなヒータはその一部が局部的に冷却された場合、そ
の部分の抵抗体の抵抗値が大きく下がり、その部分の発
熱量が著しく減少する事となる。一方、抵抗温度係数（
ＴＣＩ？）の小さな本発明のヒータはその一部が局部的
に冷却されても、その部分の抵抗体の抵抗値があまり下
がらずその部分の発熱量の変化が少ない。即ち、ヒータ
の温度分布は外部影響を受けにくいということになる。
抵抗値に比例して発熱エネルギーが大きくなることは知
られている。したがって、抵抗温度係数（ＴＣＰ）′の
大きなヒータはその一部が局部的に冷却された場合、そ
の部分の抵抗体の抵抗値が大きく下がり、その部分の発
熱量が著しく減少する事となる。一方、抵抗温度係数（
ＴＣＩ？）の小さな本発明のヒータはその一部が局部的
に冷却されても、その部分の抵抗体の抵抗値があまり下
がらずその部分の発熱量の変化が少ない。即ち、ヒータ
の温度分布は外部影響を受けにくいということになる。
前記抵抗温度係数（ＴＣＰ）を小さくするもう一つの条
件としてＴｉＮの発熱抵抗体の厚みは３１以下であるこ
とが望まれる。
件としてＴｉＮの発熱抵抗体の厚みは３１以下であるこ
とが望まれる。
（実施例１）
窒化チタン（ＴｉＮ）に対し５ｉＪ４＋ＹｚＯｉ５Ｍｇ
Ｏ及びＡｌｚＯｉ等の添加物を、第１表に示す如き組成
に調合した。これにアセトン及びバインダーを添加して
振動ミルにて７２時間混合し、脱アセトン後混練して粘
度を調整してＴｉＮを含有した発熱抵抗体ペーストを作
成した。これら試料磁１〜１０の発熱抵抗体ペーストを
夫々プレス成形又はテープ成形された焼結体としては絶
縁性となる窒化けい素質の生成形体ｌａ上に第２図の如
くスクリーン印刷して抵抗回路２を形成し、これを積層
して常圧（ＰＬ）、ガス圧プレス（ＧＰＳ）又はホット
プレス（ＩＩＰ）により一体焼成した。これら焼結体１
ｂは研削又は表面処理により電極を露出させ、これに電
極取出金具３ををメタライズ層を介してロウ付けして第
３図に示す如き７０ Ｘ ５ Ｘ １．２ｍｍの板状セ
ラミックヒータを各々得た。
Ｏ及びＡｌｚＯｉ等の添加物を、第１表に示す如き組成
に調合した。これにアセトン及びバインダーを添加して
振動ミルにて７２時間混合し、脱アセトン後混練して粘
度を調整してＴｉＮを含有した発熱抵抗体ペーストを作
成した。これら試料磁１〜１０の発熱抵抗体ペーストを
夫々プレス成形又はテープ成形された焼結体としては絶
縁性となる窒化けい素質の生成形体ｌａ上に第２図の如
くスクリーン印刷して抵抗回路２を形成し、これを積層
して常圧（ＰＬ）、ガス圧プレス（ＧＰＳ）又はホット
プレス（ＩＩＰ）により一体焼成した。これら焼結体１
ｂは研削又は表面処理により電極を露出させ、これに電
極取出金具３ををメタライズ層を介してロウ付けして第
３図に示す如き７０ Ｘ ５ Ｘ １．２ｍｍの板状セ
ラミックヒータを各々得た。
得られた各使用Ｎｌｌ〜１０に相当する板状セラミック
ヒータを発熱体先端の温度が電圧印加５秒後句ミ
１ に９００度になる電圧（１００〜１２０Ｖ）を５秒間印
加し、その後１３秒間空気にて強制冷却する。
ヒータを発熱体先端の温度が電圧印加５秒後句ミ
１ に９００度になる電圧（１００〜１２０Ｖ）を５秒間印
加し、その後１３秒間空気にて強制冷却する。
これを、１サイクルとして２０．０００サイクル後の抵
抗値と初期抵抗値とを測定し、その抵抗変化率を調べた
。また、各セラミックヒータを第３図の＾−゛Ａで切断
し、露出した抵抗体を電子顕微鏡にて膜厚を測定した。
抗値と初期抵抗値とを測定し、その抵抗変化率を調べた
。また、各セラミックヒータを第３図の＾−゛Ａで切断
し、露出した抵抗体を電子顕微鏡にて膜厚を測定した。
これらの結果を第１表に示す。
また、同様に窒化けい素質生成体の表面に−又はＭｏの
抵抗ペーストを印刷して抵抗体回路を形成し、これを積
層して常圧により一体焼成して第３図と同様のセラミッ
クヒータを得た。これらにつき、前記と同様に２０，０
００サイクル後の抵抗値と初期抵抗とを比較しその変化
率を調べ第２表に示し＝を五 二ふミ 第１表及び第２表から理解されるように、讐又はＭｏを
使用した発熱抵抗体は電圧印加サイクルテストの２０．
０００サイクル後の抵抗値変化が大きく又□ は断線す
るという結果であったーに対し、本発明のＴ・ｉＮを含
有する発熱抵抗ペーストを焼成して得られたセラミック
ヒータは前記２０．０００サイクルの抵抗値変化が著し
く小さい。このような結果は即□ち前記したような脆弱
な反応層が抵抗体と窒化珪素との界面に形成されていな
いためと考えられる。
抵抗ペーストを印刷して抵抗体回路を形成し、これを積
層して常圧により一体焼成して第３図と同様のセラミッ
クヒータを得た。これらにつき、前記と同様に２０，０
００サイクル後の抵抗値と初期抵抗とを比較しその変化
率を調べ第２表に示し＝を五 二ふミ 第１表及び第２表から理解されるように、讐又はＭｏを
使用した発熱抵抗体は電圧印加サイクルテストの２０．
０００サイクル後の抵抗値変化が大きく又□ は断線す
るという結果であったーに対し、本発明のＴ・ｉＮを含
有する発熱抵抗ペーストを焼成して得られたセラミック
ヒータは前記２０．０００サイクルの抵抗値変化が著し
く小さい。このような結果は即□ち前記したような脆弱
な反応層が抵抗体と窒化珪素との界面に形成されていな
いためと考えられる。
また、第１表に示す発熱抵抗体ペーストの組成にづいて
理解される点はＴｉＮに対し５ｉＪ４や他の添加物（Ｙ
ｚＯｓ１ＭｇＯ５Ａｌｔ（ｈ）を添加量た試料！ｌｈｌ
〜７及び９のものは、５ｉｓＮａ及び他の添加物を添加
しな□い試料１１ｈｌＯのもめ及び他の添加物のみ添加
していない試料隘８のものと比べ抵抗の変化率が小さい
ことである。これはＴｉＮ抵抗体ペースト中のＳｉ３’
Ｎ４及び前記他の添加物は焼結時これらペーストの焼結
性やＳｉ、Ｎ４基体へ拡散による基体と抵抗体との接合
力を向上させるためと考えられる。 但し、他の添加物
（ＹＪｓ５ＭｇＱ、 ＡＩＪｓ）を試料７の如くあまり
多く添加すると逆に抵抗値変化率が大きくなる。したが
って、他の添加物の添加量は１〜２０重量％が適当であ
り、より好ましくは１〜１０重量％である。また、Ｔｉ
Ｎは試料９及び１０の如くあまり多く含有させると焼結
性が悪化するため８５重景気迄が適当であり、少な過ぎ
ると（例えば、４５重量％以下になると）第４図に示す
如（ＴｉＮ含有量に対する抵抗値の変化が大きすぎ抵抗
値を決定する場合のコントロールが困難となる。
理解される点はＴｉＮに対し５ｉＪ４や他の添加物（Ｙ
ｚＯｓ１ＭｇＯ５Ａｌｔ（ｈ）を添加量た試料！ｌｈｌ
〜７及び９のものは、５ｉｓＮａ及び他の添加物を添加
しな□い試料１１ｈｌＯのもめ及び他の添加物のみ添加
していない試料隘８のものと比べ抵抗の変化率が小さい
ことである。これはＴｉＮ抵抗体ペースト中のＳｉ３’
Ｎ４及び前記他の添加物は焼結時これらペーストの焼結
性やＳｉ、Ｎ４基体へ拡散による基体と抵抗体との接合
力を向上させるためと考えられる。 但し、他の添加物
（ＹＪｓ５ＭｇＱ、 ＡＩＪｓ）を試料７の如くあまり
多く添加すると逆に抵抗値変化率が大きくなる。したが
って、他の添加物の添加量は１〜２０重量％が適当であ
り、より好ましくは１〜１０重量％である。また、Ｔｉ
Ｎは試料９及び１０の如くあまり多く含有させると焼結
性が悪化するため８５重景気迄が適当であり、少な過ぎ
ると（例えば、４５重量％以下になると）第４図に示す
如（ＴｉＮ含有量に対する抵抗値の変化が大きすぎ抵抗
値を決定する場合のコントロールが困難となる。
Ｓｉ、Ｎ、の添加量については上記のＴｉＮ及び他の添
加物の量比からして０〜５４重憧％であり、より好まし
くは２０〜５４重景％で景気。
加物の量比からして０〜５４重憧％であり、より好まし
くは２０〜５４重景％で景気。
（実施例２）
前記第１表の試料隘２めもの（ｘ）とセラミック基板を
アルミナ（Ａ１ｚＯ＋）ζし発熱抵抗体をタングステン
（誓）ペーストを使用した以外は実施例１と同様に作成
されたもの（Ｙ）とを夫々ヒータの先端の温度を測定し
ながら電圧を変化させ、その時の温度と抵抗値の相関を
調べた。その抵抗値を常温での抵抗値との比を縦軸に、
また温度を横軸として第５図に示した。この図から明ら
かなように、抵抗温度係数（ＴＣＲ）がへ１２０３−臀
系（Ｘ）が４．４ Ｘｌ０−’であるのに対し、本発明
の３ｉＪ４−ＴｉＮ系（Ｙ）のものは１．Ｉ Ｘｌ０−
３と小さいことが理解される。このことは前述の如く突
入電流を小さくでき、さらにヒータの温度分布は外部雰
囲気に影響を受けにく（なる。なお、上記実施例Ｌ２に
おいては、窒化けい素質焼結体中にＴｉＮを含有する発
熱抵抗体を埋設したものについて述べたが、これに限ら
ず窒化けい素質焼結体表面に上記発熱抵抗体を配設し、
必要に応じてセラミック等から成る被覆層を被着せしめ
ることによってセラミックヒータを構成することも可能
である。
アルミナ（Ａ１ｚＯ＋）ζし発熱抵抗体をタングステン
（誓）ペーストを使用した以外は実施例１と同様に作成
されたもの（Ｙ）とを夫々ヒータの先端の温度を測定し
ながら電圧を変化させ、その時の温度と抵抗値の相関を
調べた。その抵抗値を常温での抵抗値との比を縦軸に、
また温度を横軸として第５図に示した。この図から明ら
かなように、抵抗温度係数（ＴＣＲ）がへ１２０３−臀
系（Ｘ）が４．４ Ｘｌ０−’であるのに対し、本発明
の３ｉＪ４−ＴｉＮ系（Ｙ）のものは１．Ｉ Ｘｌ０−
３と小さいことが理解される。このことは前述の如く突
入電流を小さくでき、さらにヒータの温度分布は外部雰
囲気に影響を受けにく（なる。なお、上記実施例Ｌ２に
おいては、窒化けい素質焼結体中にＴｉＮを含有する発
熱抵抗体を埋設したものについて述べたが、これに限ら
ず窒化けい素質焼結体表面に上記発熱抵抗体を配設し、
必要に応じてセラミック等から成る被覆層を被着せしめ
ることによってセラミックヒータを構成することも可能
である。
また、ＴｉＮでもって線状、板状に形成した発熱抵抗体
を窒化けい素質焼結体中に埋設することによってヒータ
を構成してもよく、この場合、発熱抵抗体の抵抗値は比
較的小さいものが得られるため低電圧で発熱容量の大き
いセラミックヒータを構成することができる。
を窒化けい素質焼結体中に埋設することによってヒータ
を構成してもよく、この場合、発熱抵抗体の抵抗値は比
較的小さいものが得られるため低電圧で発熱容量の大き
いセラミックヒータを構成することができる。
（発明の効果）
本発明は上述の如く窒化けい素質焼結体中もしくはその
表面にＴｉＮを含有する発熱抵抗体を形成したので、発
熱抵抗体の経時的抵抗値変化及び断線を防止でき、また
抵抗温度係数（ＴＣＰ）の小さい耐熱衝撃性及び高温強
度に優れたセラミックヒータを提供することができる。
表面にＴｉＮを含有する発熱抵抗体を形成したので、発
熱抵抗体の経時的抵抗値変化及び断線を防止でき、また
抵抗温度係数（ＴＣＰ）の小さい耐熱衝撃性及び高温強
度に優れたセラミックヒータを提供することができる。
第１図（ａ）はＴｉＮ抵抗体とタングステン（−）やモ
リブデン（Ｍｏ）抵抗体の温度に対する抵抗値変化を示
した図、第１図（ｂ）は前記ＴｉＮ抵抗体とタングステ
ン（―）やモリブデン（Ｍｏ）抵抗体との突入電流の特
性を示した図、第２図は窒化けい素質グリーンシート上
にＴｉＮ抵抗体ペーストを印刷した状態を示す斜視図、
第３図は完成状態のセラミックヒータを示す斜視図、第
４図はＴｉＮの含有量と抵抗値との相関図及び第５図は
アルミナ基板にタングステン抵抗体を形成した比較用ヒ
ータと、本発明のヒータの抵抗温度係数（Ｔ（Ｊ）を示
したグラフである。 １ａ・・・生成形体 １ｂ・・・絶縁性焼結体
リブデン（Ｍｏ）抵抗体の温度に対する抵抗値変化を示
した図、第１図（ｂ）は前記ＴｉＮ抵抗体とタングステ
ン（―）やモリブデン（Ｍｏ）抵抗体との突入電流の特
性を示した図、第２図は窒化けい素質グリーンシート上
にＴｉＮ抵抗体ペーストを印刷した状態を示す斜視図、
第３図は完成状態のセラミックヒータを示す斜視図、第
４図はＴｉＮの含有量と抵抗値との相関図及び第５図は
アルミナ基板にタングステン抵抗体を形成した比較用ヒ
ータと、本発明のヒータの抵抗温度係数（Ｔ（Ｊ）を示
したグラフである。 １ａ・・・生成形体 １ｂ・・・絶縁性焼結体
Claims (1)
- 窒化けい素質焼結体中もしくはその表面にＴｉＮを含有
する白熱抵抗体を形成してなるセラミックヒータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2072286A JPS62180980A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | セラミツクヒ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2072286A JPS62180980A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | セラミツクヒ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62180980A true JPS62180980A (ja) | 1987-08-08 |
Family
ID=12035060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2072286A Pending JPS62180980A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | セラミツクヒ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62180980A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0467587A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-03 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒーター |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711488A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-21 | Ube Industries | Ceramic heater |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP2072286A patent/JPS62180980A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5711488A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-21 | Ube Industries | Ceramic heater |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0467587A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-03 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒーター |
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