JP4197951B2 - ニッケルの酸化特性を抑制する方法 - Google Patents
ニッケルの酸化特性を抑制する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4197951B2 JP4197951B2 JP2002575343A JP2002575343A JP4197951B2 JP 4197951 B2 JP4197951 B2 JP 4197951B2 JP 2002575343 A JP2002575343 A JP 2002575343A JP 2002575343 A JP2002575343 A JP 2002575343A JP 4197951 B2 JP4197951 B2 JP 4197951B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxidation
- alloy
- resinate
- suppressing
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 40
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 title description 19
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title description 19
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0433—Nickel- or cobalt-based alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/03—Alloys based on nickel or cobalt based on nickel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/02—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working in inert or controlled atmosphere or vacuum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
本発明はニッケルの酸化特性を抑制する方法に関する。
キャパシタ産業において空気焼成セラミックシステムでニッケル（Ｎｉ）を使用する場合の主要な問題の一つは、このシステムのセラミック成分が熟成して、キャパシタを形成するための伝導板としてのＮｉの交互層から成る多層キャパシタを形成する前に、この元素が酸化されることである。その結果生ずるこのＮｉ酸化は加熱サイクルの間にこのキャパシタに圧力をかけ、これがセラミック体の亀裂などの物理的欠陥を創りだす。これを克服するための一つの方法は、この産業で極めて良く知られるようになったものであるが、不活性の又は還元性の雰囲気下で焼成できるセラミックキャパシタシステムを使用することであり、こうして熱処理によるＮｉの酸化を不可能とするものである。不幸にも、これは、通常高価な高純度の酸化物及びカーボネートで調製される還元抵抗性のセラミック誘電体材料の使用を必要とする。さらに、この焼成プロセスは気流の極めて重大な制御を必要とする高価な焼成炉を必要とする。
白金（Ｐｔ）が種々の金属の酸化を抑制する能力を有することが様々な文献で知られてきた。Ｐｔはパラジウム（Ｐｄ）の酸化特性を抑制することも知られてきた。これまで、ＰｔはＮｉの酸化特性を抑制するために使用されたことはなかった。
記載なし。
記載なし。
従って、Ｐｔの使用によるＮｉの高温酸化耐性を抑制する方法を提供することが本発明の主要な目的である。
本発明のさらなる目的は、Ｎｉ粉末とＰｔレジネートの合金を製造する方法であって、これら二つの成分を５００℃とそれらそれぞれの融点の間の温度まで加熱してＮｉ／Ｐｔ合金を創出する工程を含む方法を提供することである。
これら及びその他の目的は当業者には明らかであろう。
Ｎｉ粉末を５％のＰｔレジネートと混合し、それを５００℃からＮｉ及びＰｔそれぞれの融点まで加熱してＮｉ／Ｐｔ合金を創出することにより、高温でのＮｉの酸化に対して抵抗性を与える方法が提供される。また、上記の成分を上記の温度範囲まで加熱することにより創出されるＮｉ／Ｐｔ合金を含む電極その他同種のものとして役立つ電気伝導性素子が提供される。
Ｎｉ粉末をＰｔレジネートで被覆して実験を行なった。１０ｇのＮｉ粉末と純粋の金属に換算した場合金属試料総重量の５％となるであろうＰｔレジネート（液体）とを、アルコール中ＺｒＯ2 培地と共にガラスジャー中で粉砕した。この試料を乾燥し、１００メッシュの篩を通してふるいにかけた。１ｇのＮｉ／Ｐｔ粉末と１ｇの電極媒質を混合してペーストとし、これをＡｌ2Ｏ3基体の上に塗布した。
Ｎｉ／Ｐｔ試料をその上に塗布したＡｌ2 Ｏ3 基体を、９００℃のピーク温度プロフィールを用い、この試料がこのサイクルの間に酸化しないように窒素雰囲気下で、窒素雰囲気厚膜焼成炉を通すことにより加熱処理した。得られたＮｉ／Ｐｔ合金を次に該基体から剥がし、その酸化耐性を測定するため、対照のＮｉ／Ｐｔ合金と共にＤＴＡ／ＴＧＡで試験した。対照のＮｉ／Ｐｔ合金の酸化特性とこの急速加熱処理合金のそれとの間に差異は見られなかった。
Ｐｔレジネート（液体）が使用されたことを理解すべきである。このＮｉ粉末／Ｐｔレジネートの幾つかの試料を上記のように調製し、このシステムがＰｔとＮｉを合金にするためにより多くの熱エネルギーを必要とするか否かを決定するため種々の異なる温度及び時間で加熱処理した。その加熱処理プロフィールは次の通りである。即ち、５００℃で４時間、１０００℃で６時間、そして１３００℃で６時間である。
試料をそれぞれ高温の窒素及びフォームガスを可能とする炉中で、形成ガス（１％水素、残りは窒素）の雰囲気下で加熱処理した。これらの試料を酸化特性についてＤＴＡ／ＴＧＡで試験した（図１を参照）。
５００℃で加熱処理した試料は、Ｎｉ粉末の酸化開始点が５００℃までシフトしたことを明瞭に示した。１０００℃熱処理試料の酸化点は７００℃と８００℃の間までさらにシフトした。１３００℃熱処理試料はさらに性能が上がり、その酸化開始点を１０００℃を超える点までシフトさせた。反復試料を調製し、１３００℃で熱処理した。それは先の実験と同様に機能した。
Ｎｉの酸化に対する抵抗は５００℃からＮｉとＰｔの融点（これはそれぞれ、ほぼ１４５３及び１７７２℃であった）まで順調であったことが明らかになった。
図１は、異なる温度で処理されたＮｉとＰｔの９５／５％混合物の酸化速度を示すグラフ上の５本の曲線を示す。重量の増加はＮｉの酸化により生ずるＮｉＯの重量の付加により惹き起こされる。
この結果は、５重量％でＮｉと混合されたＰｔレジネートが、適当に熱処理された場合、空気焼成可能電極として機能できるように、Ｎｉの酸化特性を抑制できることそしてそれが顕著な経費節減を伴うことを示した。（ＮｉとＰｔレジネートの混合物から得られる合金は、「レジネート」が加熱処理中に気化するので、ＮｉとＰｔから構成される。）
上記の多層セラミックキャパシタ伝導板又は電極としての能力ばかりでなく、Ｎｉ／Ｐｔ結合物を他の用途に使用することも可能である。即ち、素子回路をＳＭＴ（サーフィス・マウント・テクノロジー）社の生産物として広く搭載可能とするために金属化を必要とする電子素子のための空気焼成可能末端端末として、又は厚膜スクリーン・プリント可能・空気焼成可能なキャパシタ材料としての利用がある。Ｎｉ／Ｐｔ合金の製造は本発明の最も重要な側面である。
従って、本発明はその述べられた目的を達成することが分かる。
Claims (2)
- Ｎｉ／Ｐｔ合金を製造する方法であって、
Ｎｉ粉末とＰｔレジネートとを、Ｎｉ９５％及びＰｔ５％からなる合金を形成する割合で混合する工程；
形成されたＮｉ／Ｐｔレジネート混合物を、還元性雰囲気下、５００℃からＮｉの融点までの間の温度まで加熱処理し、これによって、レジネートが気化し、Ｎｉ／Ｐｔ合金から放出される工程；
を本質的に含んでなる、Ｎｉ／Ｐｔ合金の製造方法。 - 還元性雰囲気が、水素約１％及び窒素約９９％の還元性雰囲気である、請求項１記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US27746501P | 2001-03-21 | 2001-03-21 | |
| US09/824,321 US20020139457A1 (en) | 2001-04-02 | 2001-04-02 | Method of suppressing the oxidation characteristics of nickel |
| PCT/US2001/010897 WO2002077306A1 (en) | 2001-03-21 | 2001-04-04 | Method of suppressing the oxidation characteristics of nickel |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005505096A JP2005505096A (ja) | 2005-02-17 |
| JP2005505096A5 JP2005505096A5 (ja) | 2008-03-21 |
| JP4197951B2 true JP4197951B2 (ja) | 2008-12-17 |
Family
ID=26958500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002575343A Expired - Fee Related JP4197951B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-04-04 | ニッケルの酸化特性を抑制する方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7208218B2 (ja) |
| EP (1) | EP1370701A1 (ja) |
| JP (1) | JP4197951B2 (ja) |
| WO (1) | WO2002077306A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4548392B2 (ja) * | 2003-02-05 | 2010-09-22 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品の内部電極層形成用合金粉、導電性粒子、導電性ペーストおよびそれを用いた電子部品の製造方法 |
| CN100550231C (zh) * | 2003-02-05 | 2009-10-14 | Tdk株式会社 | 电子器件及其制造方法 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3855612A (en) | 1972-01-03 | 1974-12-17 | Signetics Corp | Schottky barrier diode semiconductor structure and method |
| US3872360A (en) * | 1973-01-08 | 1975-03-18 | Du Pont | Capacitors with nickel containing electrodes |
| US3757177A (en) * | 1973-01-15 | 1973-09-04 | Johanson Mfg | Monolithic base metal electrode capacitor |
| GB1507031A (en) * | 1974-08-01 | 1978-04-12 | Standard Telephones Cables Ltd | Preparation of alloys |
| US4097911A (en) * | 1975-10-06 | 1978-06-27 | Erie Technological Products, Inc. | Base metal electrode capacitor and method of making the same |
| US4055850A (en) * | 1975-12-23 | 1977-10-25 | Union Carbide Corporation | Capacitor with electrode containing nickel |
| US4241378A (en) * | 1978-06-12 | 1980-12-23 | Erie Technological Products, Inc. | Base metal electrode capacitor and method of making the same |
| JPS57153253A (en) | 1981-03-17 | 1982-09-21 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Gas sensing element |
| US4604676A (en) * | 1984-10-02 | 1986-08-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic capacitor |
| JPS6333563A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-13 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパツタリング用Ｐｔ−Ｎｉ合金タ−ゲツトの製造方法 |
| JPH01210035A (ja) | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 白金触媒とその製造方法 |
| GB2242203A (en) * | 1990-03-21 | 1991-09-25 | Johnson Matthey Plc | Catalyst material comprising platinum alloy supported on carbon |
| JP2885886B2 (ja) * | 1990-06-07 | 1999-04-26 | 田中貴金属工業株式会社 | 耐熱基材への金属薄膜形成方法 |
| JPH06103285B2 (ja) * | 1992-01-16 | 1994-12-14 | 新コスモス電機株式会社 | 半導体ガス検出素子 |
| JPH08115851A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 薄膜コンデンサ付きセラミック基板および その製造方法 |
| US7625420B1 (en) | 1997-02-24 | 2009-12-01 | Cabot Corporation | Copper powders methods for producing powders and devices fabricated from same |
| JP3484983B2 (ja) | 1998-07-28 | 2004-01-06 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト及びガラス回路基板 |
| JP4136113B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2008-08-20 | Ｔｄｋ株式会社 | チップ型積層電子部品 |
| WO2001033589A1 (fr) * | 1999-11-01 | 2001-05-10 | Tdk Corporation | Composant electronique ceramique multicouche |
| US20020139457A1 (en) | 2001-04-02 | 2002-10-03 | Coppola Vito A. | Method of suppressing the oxidation characteristics of nickel |
| TWI260657B (en) * | 2002-04-15 | 2006-08-21 | Avx Corp | Plated terminations |
| US7054137B1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-05-30 | Kemet Electronic Corporation | Refractory metal nickel electrodes for capacitors |
-
2001
- 2001-04-04 JP JP2002575343A patent/JP4197951B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-04 EP EP01924652A patent/EP1370701A1/en not_active Withdrawn
- 2001-04-04 WO PCT/US2001/010897 patent/WO2002077306A1/en not_active Application Discontinuation
-
2005
- 2005-09-06 US US11/219,792 patent/US7208218B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1370701A1 (en) | 2003-12-17 |
| JP2005505096A (ja) | 2005-02-17 |
| US7208218B2 (en) | 2007-04-24 |
| WO2002077306A1 (en) | 2002-10-03 |
| US20060039821A1 (en) | 2006-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6230638A (ja) | ガラス−セラミツク複合基板の製造方法 | |
| KR20200033167A (ko) | 금속산화물을 이용한 세라믹소자 및 이의 제조방법 | |
| US4965092A (en) | Process for the manufacture of copper thick-film conductors using an infrared furnace | |
| JP4197951B2 (ja) | ニッケルの酸化特性を抑制する方法 | |
| US6723280B2 (en) | Method of suppressing the oxidation characteristics of nickel | |
| WO2003047793A1 (fr) | Poudre d'alliage de cuivre pour pate electro-conductrice | |
| US3663276A (en) | Method of adjusting the resistivity of thick-film screen-printed resistors | |
| JP2005505096A5 (ja) | ||
| JPH02277282A (ja) | ハイブリッド回路基体上での厚フィルム電気部品の製造方法 | |
| JPH06268375A (ja) | 多層配線セラミック基板の製造方法 | |
| JPH0616489A (ja) | 多層セラミック物品を熱加工する方法 | |
| JP2000290077A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP3885265B2 (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JP2007013210A (ja) | セラミックス基板の製造方法 | |
| JPS62211890A (ja) | ヒータ素子の製造方法 | |
| JPS6381787A (ja) | セラミツクヒ−タ | |
| RU2064700C1 (ru) | Способ изготовления терморезистора | |
| JPH04180602A (ja) | チップ型サーミスタの製造方法 | |
| JP3098118B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
| JPH0719644B2 (ja) | セラミツクヒ−タの製造方法 | |
| JPH03228873A (ja) | 窒化アルミニウム質基板 | |
| JPS5873185A (ja) | 厚膜回路基板の製造方法 | |
| JPS6029240B2 (ja) | セラミック回路基板の製法 | |
| JPH0431339A (ja) | ガラス―セラミック複合体 | |
| JPH0321109B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070723 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070723 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070911 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070919 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070925 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071018 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071030 |
|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20080129 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080507 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080715 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080902 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080930 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111010 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121010 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131010 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |