JP2563809B2 - 半導体用窒化アルミニウム基板 - Google Patents
半導体用窒化アルミニウム基板Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、窒化アルミニウム質焼結体に金属層を形成
した半導体素子用基板に関するものである。
した半導体素子用基板に関するものである。
（従来の技術及び発明が解決しようとする問題点） 従来絶縁性基体部品、例えば半導体用基板、IC基板、
各絶縁部品などには、一般的にはアルミナ磁器が用いら
れてきた。しかし、アルミナ基板は熱伝導性が十分でな
く、近年、さらに高い熱伝導性のセラミック基板が求め
られた結果、窒化アルミニウム質焼結体基板が注目され
てきた。
各絶縁部品などには、一般的にはアルミナ磁器が用いら
れてきた。しかし、アルミナ基板は熱伝導性が十分でな
く、近年、さらに高い熱伝導性のセラミック基板が求め
られた結果、窒化アルミニウム質焼結体基板が注目され
てきた。
窒化アルミニウムは、その熱伝導率がアルミナの約３
〜４倍以上で、熱膨張率がアルミナの約半分であり、強
度はアルミナ、ベリリアと大差ないことなどの優良な特
性を有するものである。
〜４倍以上で、熱膨張率がアルミナの約半分であり、強
度はアルミナ、ベリリアと大差ないことなどの優良な特
性を有するものである。
一般に半導体用基板、IC基板等はその一部表面を金属
化する必要があり、多くのメタライズ方法が提案されて
いる。
化する必要があり、多くのメタライズ方法が提案されて
いる。
従来、アルミナセラミック基板にメタライズする方法
は、モリブデン−マンガン法をはじめ多くの優れた方法
が開発されてきたが、非酸化物系セラミックのメタライ
ズ法は余り開発されていない。
は、モリブデン−マンガン法をはじめ多くの優れた方法
が開発されてきたが、非酸化物系セラミックのメタライ
ズ法は余り開発されていない。
特に、窒化アルミニウム焼結体は濡れ性が悪く、これ
に対する強固なメタライズ層の形成は困難であり、現在
種々の研究、技術開発が進められている。最近公知のも
のとして、例えばPb又はSiの少なくとも一種を含有する
厚膜ペーストにより回路を形成した窒化アルミニウム基
板が、特開昭61−84089号公報に提示されているが、
密着強度が2kg/mm2以下と低く、スクリーン印刷によ
る回路形成のため、ファインパターン化ができにくい等
の問題がある。
に対する強固なメタライズ層の形成は困難であり、現在
種々の研究、技術開発が進められている。最近公知のも
のとして、例えばPb又はSiの少なくとも一種を含有する
厚膜ペーストにより回路を形成した窒化アルミニウム基
板が、特開昭61−84089号公報に提示されているが、
密着強度が2kg/mm2以下と低く、スクリーン印刷によ
る回路形成のため、ファインパターン化ができにくい等
の問題がある。
また、蒸着法又はRFスパッタ法により窒化アルミニウ
ム表面をメタライズしてなる半導体装置が特開昭61−11
9051号公報に開示されているが、この場合は半導体素子
ペレットとヒートシンク間の接着力は2.5kg/mm2程度
で、充分に高いものではない。
ム表面をメタライズしてなる半導体装置が特開昭61−11
9051号公報に開示されているが、この場合は半導体素子
ペレットとヒートシンク間の接着力は2.5kg/mm2程度
で、充分に高いものではない。
（問題点を解決するための手段） 本発明者は上記事情に鑑み更に研究の結果、薄膜メタ
ライズ層の密着強度を更に向上させた半導体用窒化アル
ミニウム基板を開発した。
ライズ層の密着強度を更に向上させた半導体用窒化アル
ミニウム基板を開発した。
本発明はすなわち、AlNを主体とし、カルシウム及び
イットリウム化合物をCaO、Y2O3換算で、CaO:4重量％以
下、Y2O3:12重量％以下の範囲で含み、かつ焼結体中の
全酸素量が0.01〜10重量％の範囲にある窒化アルミニウ
ム質焼結体の表面に、Ti,Cr,Ni−Cr,TaN（窒化タンタ
ル）,Al,Mo,Wのうちの１種以上からなる金属薄膜層が形
成されたもので、かつ窒化アルミニウム質焼結体との密
着強度が2.5kg/mm2以上であることを特徴とする半導体
用窒化アルミニウム基板である。
イットリウム化合物をCaO、Y2O3換算で、CaO:4重量％以
下、Y2O3:12重量％以下の範囲で含み、かつ焼結体中の
全酸素量が0.01〜10重量％の範囲にある窒化アルミニウ
ム質焼結体の表面に、Ti,Cr,Ni−Cr,TaN（窒化タンタ
ル）,Al,Mo,Wのうちの１種以上からなる金属薄膜層が形
成されたもので、かつ窒化アルミニウム質焼結体との密
着強度が2.5kg/mm2以上であることを特徴とする半導体
用窒化アルミニウム基板である。
本発明によれば、窒化アルミニウム質焼結体表面のメ
タライズ金属の密着強度は2.5kg/mm2以上であって非常
に強固であるため、メタライズ回路ファインパターンの
形成が可能となる。
タライズ金属の密着強度は2.5kg/mm2以上であって非常
に強固であるため、メタライズ回路ファインパターンの
形成が可能となる。
本発明は特に窒化アルミニウム質焼結体基板の組成に
特徴があり、イツトリウム、カルシウム及び酸素の含有
量に特徴がある。
特徴があり、イツトリウム、カルシウム及び酸素の含有
量に特徴がある。
すなわち、窒化アルミニウムを主体とし、カルシウム
及びイツトリウム化合物をCaO,Y2O3換算で、CaO:4重量
％以下、Y2O3:12重量％以下の範囲で含み、より好まし
くは0.01≦Y2O3≦12重量％,0.01≦CaO≦４重量％の範囲
で囲み、かつ焼結体中の全酸素量が0.01〜10重量％、よ
り好ましくは0.01〜7.0重量％を含む窒化アルミニウム
質焼結体基板を用いることが重要で、そして、該基板上
に通常のスパッタリング法、イオンプレーティング法、
真空蒸着法等により、薄膜メタライズを施すことによ
り、本発明は達成される。
及びイツトリウム化合物をCaO,Y2O3換算で、CaO:4重量
％以下、Y2O3:12重量％以下の範囲で含み、より好まし
くは0.01≦Y2O3≦12重量％,0.01≦CaO≦４重量％の範囲
で囲み、かつ焼結体中の全酸素量が0.01〜10重量％、よ
り好ましくは0.01〜7.0重量％を含む窒化アルミニウム
質焼結体基板を用いることが重要で、そして、該基板上
に通常のスパッタリング法、イオンプレーティング法、
真空蒸着法等により、薄膜メタライズを施すことによ
り、本発明は達成される。
こうした基板組成は、密着用金属としてのTi,Cr,Ni−
Cr,TaN（窒化タンタル）,Al,Mo,Wのうちの１種以上のメ
タライズ層との間に2.5kg/mm2以上の強固な接着力を確
保することができるものである。
Cr,TaN（窒化タンタル）,Al,Mo,Wのうちの１種以上のメ
タライズ層との間に2.5kg/mm2以上の強固な接着力を確
保することができるものである。
上記組成範囲外の窒化アルミニウム質焼結体基板で
は、上記金属との充分な密着性が得られない。
は、上記金属との充分な密着性が得られない。
充分な密着性を確保するには、特に酸素の存在は重要
であって、0.01重量％未満では良好な密着性が得られ
ず、7.0重量％より多いと密着性の向上が見られないば
かりか、基板の熱伝導率が低下して好ましくなくなる。
であって、0.01重量％未満では良好な密着性が得られ
ず、7.0重量％より多いと密着性の向上が見られないば
かりか、基板の熱伝導率が低下して好ましくなくなる。
カルシウム及び／又はイツトリウムの存在も密着性に
大きな影響を与える。これらカルシウム、イツトリウ
ム、酸素は焼結体中で主としてAlN結晶粒子間に第２相
を形成して存在しているが、この第２相が金属との密着
性の向上に寄与すると推定できる。すなわち、本来純粋
なAlNは金属との密着性に乏しいが、第２相中の酸素
（又は若干のAlN中への固溶酸素）と金属との結合で密
着力の向上が図られているものと推定できる。
大きな影響を与える。これらカルシウム、イツトリウ
ム、酸素は焼結体中で主としてAlN結晶粒子間に第２相
を形成して存在しているが、この第２相が金属との密着
性の向上に寄与すると推定できる。すなわち、本来純粋
なAlNは金属との密着性に乏しいが、第２相中の酸素
（又は若干のAlN中への固溶酸素）と金属との結合で密
着力の向上が図られているものと推定できる。
前記の薄膜メタライズ法としては、以下のような方法
が挙げられる。
が挙げられる。
スパッタリング法 （条件）Arガス：圧力 0.2〜2.0Pa ：流量 40〜80cc/min パワー:1〜3KW 基板温度：室温〜250℃ イオンプレーティング法 （条件）真空度:2×10-3Pa以下 イオン化電圧:20〜100V 基板印加電圧:500〜2000V 基板温度：室温〜250℃ 真空蒸着法 （条件）真空度:2×10-3Pa以下 基板温度：室温〜250℃ なお、メタライズ回路ファィンパターンの形成におい
ては、従来法と同様に、前記薄膜メタライズ層上に更に
導体層、例えばNi,Co,Cu,Au,Ag,Pd,Pt等が形成される。
ては、従来法と同様に、前記薄膜メタライズ層上に更に
導体層、例えばNi,Co,Cu,Au,Ag,Pd,Pt等が形成される。
（実施例） つぎに本発明を実施例によって説明する。
実施例1: 平均粒径1.4μｍのAlN粉末に、平均粒径0.8μｍのY2O
3粉末を５重量％添加し、ボールミルを用いて粉砕、混
合して原料調整した。
3粉末を５重量％添加し、ボールミルを用いて粉砕、混
合して原料調整した。
次ぎにこの原料にパラフィンワックス６重量％を添加
して造粒した後、1000kg/cm2の圧力でプレス成形し、45
mm×45×3mmの圧粉体とした。この圧粉体を窒素ガス雰
囲気中で、まず300℃まで加熱して脱脂した。
して造粒した後、1000kg/cm2の圧力でプレス成形し、45
mm×45×3mmの圧粉体とした。この圧粉体を窒素ガス雰
囲気中で、まず300℃まで加熱して脱脂した。
その後、前記脱脂済み圧粉体をカーボン型中に収納
し、窒素ガス雰囲気中、1800℃で0.5時間常圧焼結し
た。
し、窒素ガス雰囲気中、1800℃で0.5時間常圧焼結し
た。
得られた窒化アルミニウム質焼結体からなる基板は、
その組成が第１表、試料番号１に示すとおり、CaO（換
算量）:0.01重量％、Y2O3（換算量）5.0重量％、全酸素
量:2.8重量％のものであった。
その組成が第１表、試料番号１に示すとおり、CaO（換
算量）:0.01重量％、Y2O3（換算量）5.0重量％、全酸素
量:2.8重量％のものであった。
次いでこの基板の表面に、スパッタリング法により薄
膜Ti金属層を0.1μｍの厚さで形成した。
膜Ti金属層を0.1μｍの厚さで形成した。
試験の結果、この金属の密着強度は5.3kg/mm2であっ
て、非常に高い密着強度のものであることが判った。
て、非常に高い密着強度のものであることが判った。
実施例:2〜９ 実施例１と同様にして、Ca源として平均粒径1.8μｍ
の粉末を使用することにより、第１表に示す試験番号２
〜９の窒化アルミニウム質焼結体からなる基板を作成
し、それらの上に同表に示す各種金属薄膜を各種方法で
形成した。それらの厚み、密着強度等は第１表に示すと
おりであった。
の粉末を使用することにより、第１表に示す試験番号２
〜９の窒化アルミニウム質焼結体からなる基板を作成
し、それらの上に同表に示す各種金属薄膜を各種方法で
形成した。それらの厚み、密着強度等は第１表に示すと
おりであった。
比較例： 実施例１と同様にして、第１表に示す試料番号10〜15
の窒化アルミニウム質焼結体からなる基板を作成し、そ
れらの上に同表に記した各種金属薄膜を各種方法で形成
した。それらの厚み、密着強度は同表記載のとおりであ
った。
の窒化アルミニウム質焼結体からなる基板を作成し、そ
れらの上に同表に記した各種金属薄膜を各種方法で形成
した。それらの厚み、密着強度は同表記載のとおりであ
った。
以上の結果からみて、CaO量、Y2O3量及び全酸素量が
前記本発明の規定範囲内にある実施例１〜９の基板は、
その表面に形成された金属層の密着強度が2.9kg/mm2な
いし7.0kg/mm2であって、従来公知の窒化アルミニウム
質焼結体基板におけるものに比べて、非常に高い密着強
度を有していることが判る。
前記本発明の規定範囲内にある実施例１〜９の基板は、
その表面に形成された金属層の密着強度が2.9kg/mm2な
いし7.0kg/mm2であって、従来公知の窒化アルミニウム
質焼結体基板におけるものに比べて、非常に高い密着強
度を有していることが判る。
一方、本発明規定組成範囲外の比較例の試料番号10〜
15の基板の場合は、密着強度が1.7〜2.4であって、不充
分な値のものであった。
15の基板の場合は、密着強度が1.7〜2.4であって、不充
分な値のものであった。
なお、前記基板と薄膜金属間の密着強度の測定方法
は、基板上に1mm□のメタライズテストパターンを形成
し、これにハンダディッピングした後、ワイヤー付け
し、引張り試験により、密着力を判定することによって
行った。
は、基板上に1mm□のメタライズテストパターンを形成
し、これにハンダディッピングした後、ワイヤー付け
し、引張り試験により、密着力を判定することによって
行った。
上記試験とは別に、試料番号５と同一の基板材料に対
して、蒸着法によってAl金属膜を22μｍの厚みで形成し
たところ、密着強度は2.3kg/mm2と低いものであった
が、これは引張による破壊が接合面からではなくAl金属
層自体が破壊するものと見受けられた。これに対して、
膜厚20μｍ以下のものにあっては、金属層自体のみが破
壊されることはなく、密着強度も2.5kg/mm2を越えるも
のとなった。
して、蒸着法によってAl金属膜を22μｍの厚みで形成し
たところ、密着強度は2.3kg/mm2と低いものであった
が、これは引張による破壊が接合面からではなくAl金属
層自体が破壊するものと見受けられた。これに対して、
膜厚20μｍ以下のものにあっては、金属層自体のみが破
壊されることはなく、密着強度も2.5kg/mm2を越えるも
のとなった。
したがって、金属膜厚が余り厚いものはその金属自体
の強度が問題となるため、好ましくなく、メタライズ膜
厚は20μｍ以下とすることが好ましい。
の強度が問題となるため、好ましくなく、メタライズ膜
厚は20μｍ以下とすることが好ましい。
（発明の効果） 以上実施例等において述べたとおり、本発明の半導体
用窒化アルミニウム基板は、各種金属との密着強度が2.
5kg/cm2以上であって非常に高く、よって基板上に金属
導体パターン間のピッチが非常に狭いファインピッチな
かつ強固なメタライズ回路パターンを形成することがで
きる。
用窒化アルミニウム基板は、各種金属との密着強度が2.
5kg/cm2以上であって非常に高く、よって基板上に金属
導体パターン間のピッチが非常に狭いファインピッチな
かつ強固なメタライズ回路パターンを形成することがで
きる。
Claims (4)
- 【請求項１】AlNを主体とし、カルシウム及びイットリ
ウム化合物をCaO、Y2O3換算で、CaO:4重量％以下、Y
2O3:12重量％以下の範囲で含み、かつ焼結体中の全酸素
量が0.01〜10重量％の範囲にある窒化アルミニウム質焼
結体の表面に、Ti,Cr,Ni−Cr,TaN（窒化タンタル）,Al,
Mo,Wのうちの１種以上からなる金属薄膜層が形成された
もので、かつ窒化アルミニウム質焼結体と金属薄膜層間
の密着強度が2.5kg/mm2以上であることを特徴とする半
導体用窒化アルミニウム基板。 - 【請求項２】半導体用窒化アルミニウム基板が、その金
属薄膜層の上に導体層を有するものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体用窒化アルミニ
ウム基板。 - 【請求項３】金属薄膜層の厚みが、20μｍ以下であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載
の半導体用窒化アルミニウム基板。 - 【請求項４】導体層が、Ni,Co,Cu,Au,Ag,Pd,Ptのうちの
１種以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
ないし第３項のいずれかに記載の半導体用窒化アルミニ
ウム基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62240949A JP2563809B2 (ja) | 1987-09-28 | 1987-09-28 | 半導体用窒化アルミニウム基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62240949A JP2563809B2 (ja) | 1987-09-28 | 1987-09-28 | 半導体用窒化アルミニウム基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6484648A JPS6484648A (en) | 1989-03-29 |
| JP2563809B2 true JP2563809B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=17067050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62240949A Expired - Lifetime JP2563809B2 (ja) | 1987-09-28 | 1987-09-28 | 半導体用窒化アルミニウム基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2563809B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180017634A (ko) * | 2016-08-10 | 2018-02-21 | 주식회사 아모센스 | 고주파 기판과 그 제조 방법 |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0633207B2 (ja) * | 1988-05-31 | 1994-05-02 | 京セラ株式会社 | 半導体用窒化アルミニウム基板 |
| JP4716891B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2011-07-06 | 株式会社細川洋行 | 揮発性薬剤徐放積層体 |
| TW201601903A (zh) * | 2014-03-20 | 2016-01-16 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 積層體及其製造方法 |
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| JPS61117160A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-06-04 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS61119051A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-06 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS61197488A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-09-01 | ティーディーケイ株式会社 | 窒化アルミニウム上の銅電極形成法 |
| JPS61209959A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-18 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS6241766A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-23 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法 |
| JPS62176960A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-03 | ティーディーケイ株式会社 | 金属電極を有する窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-09-28 JP JP62240949A patent/JP2563809B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
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| KR20180017634A (ko) * | 2016-08-10 | 2018-02-21 | 주식회사 아모센스 | 고주파 기판과 그 제조 방법 |
| KR102378938B1 (ko) | 2016-08-10 | 2022-03-25 | 주식회사 아모센스 | 고주파 기판의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6484648A (en) | 1989-03-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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