JPS61119051A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS61119051A JPS61119051A JP59241034A JP24103484A JPS61119051A JP S61119051 A JPS61119051 A JP S61119051A JP 59241034 A JP59241034 A JP 59241034A JP 24103484 A JP24103484 A JP 24103484A JP S61119051 A JPS61119051 A JP S61119051A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置に関し、とくに窒化アルミニウム焼
結体のようなセラミックスと金属との一体化構造を含む
半導体装置に関する。
結体のようなセラミックスと金属との一体化構造を含む
半導体装置に関する。
（従来の技術）
セラミックスと金属との一体化構造物を半導体装置に応
用した例としては、混成集積回路装置用絶縁基板や半導
体集積回路素子を塔載または収納するためのパッケージ
などが実用化されている〇従来から使用されているセラ
ミック材料は酸化アルミニウム、酸化ベリリウムなどが
一般的であるＯ このようなセラミックスと金属との一体化物と半導体素
子とは多くの場合、電気的には分離されるが、熱的には
結合されることが要求される。さらに機械的にも、強度
が大きいことが望まれている。例えば電力容量の大きな
混成集積回路装置の絶縁基板には、銅、アルミニウムな
どの金属からなる放熱支持板と半導体素子をはじめとす
る回路素子などを塔載する金属板との間に、酸化アルミ
ニウムや酸化ベリリウムのようなセラミック板を介する
一体化構造が一般に用いられている。
用した例としては、混成集積回路装置用絶縁基板や半導
体集積回路素子を塔載または収納するためのパッケージ
などが実用化されている〇従来から使用されているセラ
ミック材料は酸化アルミニウム、酸化ベリリウムなどが
一般的であるＯ このようなセラミックスと金属との一体化物と半導体素
子とは多くの場合、電気的には分離されるが、熱的には
結合されることが要求される。さらに機械的にも、強度
が大きいことが望まれている。例えば電力容量の大きな
混成集積回路装置の絶縁基板には、銅、アルミニウムな
どの金属からなる放熱支持板と半導体素子をはじめとす
る回路素子などを塔載する金属板との間に、酸化アルミ
ニウムや酸化ベリリウムのようなセラミック板を介する
一体化構造が一般に用いられている。
その際、前記一体化構造物には、
ｌ）金属板ないしは半導体素子と支持体間の電気絶縁が
良好になされていること ２）セラミックス板と金属板ないしは半導体素子または
支持体間の固着、一体化が強固になされていること ３）半導体素子をはじめとする回路素子から発生される
熱を効率よく支持体側へ伝達できることなどの性能が要
求される。そしてこれまで述べた一体化物はこれらの要
求をかなシの程度まで満している。
良好になされていること ２）セラミックス板と金属板ないしは半導体素子または
支持体間の固着、一体化が強固になされていること ３）半導体素子をはじめとする回路素子から発生される
熱を効率よく支持体側へ伝達できることなどの性能が要
求される。そしてこれまで述べた一体化物はこれらの要
求をかなシの程度まで満している。
しかしながら混成集積回路装置の大容量化、高出力化に
伴って、半導体素子から発生する熱放散の問題が極めて
重要になっている口 すなわち、半導体素子あるいは金属板と支持体間にあっ
て１両者を電気的に分離する酸化アルミニウムセラミッ
クスは２０ Ｗ／ｍ ｋの熱伝導率を有しているが、半
導体であるシリコンあるいは金属板や支持体として広く
用いられているアルミニウムや銅などに比らべると１桁
低い熱伝導率しかもたないため、熱抵抗を増大せしめ、
大容量化、高出力化をはかる障害となりている０ また、酸化ベリリウムセラミックスは２００Ｗ／ｍｋと
、アルミニウムと同程度の熱伝導率を有しているが、毒
性の問題があるため、その使用には安全性への配慮が必
要であり、使用が制限されている。
伴って、半導体素子から発生する熱放散の問題が極めて
重要になっている口 すなわち、半導体素子あるいは金属板と支持体間にあっ
て１両者を電気的に分離する酸化アルミニウムセラミッ
クスは２０ Ｗ／ｍ ｋの熱伝導率を有しているが、半
導体であるシリコンあるいは金属板や支持体として広く
用いられているアルミニウムや銅などに比らべると１桁
低い熱伝導率しかもたないため、熱抵抗を増大せしめ、
大容量化、高出力化をはかる障害となりている０ また、酸化ベリリウムセラミックスは２００Ｗ／ｍｋと
、アルミニウムと同程度の熱伝導率を有しているが、毒
性の問題があるため、その使用には安全性への配慮が必
要であり、使用が制限されている。
また、最近シリコンカーバイド（８ｉＣ）ｌ（酸化ベリ
リウムを添加したセラミック基板が開発され、２７０
Ｗ／ｍｋとアルミニウムよシも優れた熱伝導率を示して
いる０ しかしながら、このセラミックスには酸化ベリリウムが
添加されているため依然として毒性の問題が残るととも
に、誘電率、誘電損失が大きいため、使用できる範囲が
限定されている０以上のような状況から従来のセラミッ
クス−金属一体化構造に代わる新らしいセラミックス−
金属一体化構造物が求められている。
リウムを添加したセラミック基板が開発され、２７０
Ｗ／ｍｋとアルミニウムよシも優れた熱伝導率を示して
いる０ しかしながら、このセラミックスには酸化ベリリウムが
添加されているため依然として毒性の問題が残るととも
に、誘電率、誘電損失が大きいため、使用できる範囲が
限定されている０以上のような状況から従来のセラミッ
クス−金属一体化構造に代わる新らしいセラミックス−
金属一体化構造物が求められている。
（発明の目的）
本発明の目的は、以上述べた従来技術の問題点を解決し
、熱伝導性に優れ、熱的には充分に結合し、しかも電気
的なＩ８縁は完全に行い１機械的な強度も優れ、しかも
使用上安全なセラミックス−金属一体化構造物を含んだ
半導体装置を提供することにある。
、熱伝導性に優れ、熱的には充分に結合し、しかも電気
的なＩ８縁は完全に行い１機械的な強度も優れ、しかも
使用上安全なセラミックス−金属一体化構造物を含んだ
半導体装置を提供することにある。
（発明の構成）
本発明における半導体装置は窒化アルミ−ラムと、窒化
アルミニウムの表面に設けられたチタニウム、クロム、
モリブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケルク
ロム、タンタル＊ 窒化／ ｙタルの群から選択された
少なくとも１ａ類の第１の層と、第１の層の上に設けら
れた銅、ニッケル。
アルミニウムの表面に設けられたチタニウム、クロム、
モリブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケルク
ロム、タンタル＊ 窒化／ ｙタルの群から選択された
少なくとも１ａ類の第１の層と、第１の層の上に設けら
れた銅、ニッケル。
パラジウム、白金の群から選択された少なくとも１種の
第２の金属層および昆２の金属層の上に設けられた金、
銀、パラジウム、白金の群から選択された少なくともｘ
ｍの第３の金属層の積層金属層を有するセラミックス−
金属一体化構造物を含んでいることを特徴とする。各金
属層に複数の材料を用いる場合はそれらは合金としてで
も、混合物としてで本よい。
第２の金属層および昆２の金属層の上に設けられた金、
銀、パラジウム、白金の群から選択された少なくともｘ
ｍの第３の金属層の積層金属層を有するセラミックス−
金属一体化構造物を含んでいることを特徴とする。各金
属層に複数の材料を用いる場合はそれらは合金としてで
も、混合物としてで本よい。
（構成の詳細な説明）
本発明は窒化アルミニウム（相対密度９６〜１００チ）
は曲げ強度５０００ｋｇ／ｍ 、ビッカース硬度１５０
０と機械的に強く、熱伝導率１６０ Ｗ／６１ ｋ
と高く、熱膨張係数も４．３Ｘ１０ ７℃とシリコンの
それに近い値を有し、電気的にも誘電率が８と小さく、
誘電損失も５×１０ と非常に小さい値を示し特に高周
波領域でも誘電損失が小さく、絶縁抵抗の値も５Ｘ１０
Ｑｔｍと良好な値を示すことを確認したことに基づ
く。さらに前記窒化アルミニウムと前記積層金属層とを
組み合せた一体化構造物が優れた電気絶縁性と熱伝導性
を有し、しかも強固な接着性を有することを実際に確認
してなされたものである。
は曲げ強度５０００ｋｇ／ｍ 、ビッカース硬度１５０
０と機械的に強く、熱伝導率１６０ Ｗ／６１ ｋ
と高く、熱膨張係数も４．３Ｘ１０ ７℃とシリコンの
それに近い値を有し、電気的にも誘電率が８と小さく、
誘電損失も５×１０ と非常に小さい値を示し特に高周
波領域でも誘電損失が小さく、絶縁抵抗の値も５Ｘ１０
Ｑｔｍと良好な値を示すことを確認したことに基づ
く。さらに前記窒化アルミニウムと前記積層金属層とを
組み合せた一体化構造物が優れた電気絶縁性と熱伝導性
を有し、しかも強固な接着性を有することを実際に確認
してなされたものである。
ここで、窒化アルミニウムの表面に設ける前記積層金属
層は第１の層として、窒化アルミニウムと強固な接着性
を肩するチタニウム、クロム、モリブデン、タングステ
ン、ニッケルクロム、窒化タンタルの群の中から選択さ
れた少なくとも１種類の金属あるいは窒化物を、第２の
金属層として、鉛−錫系、金−シリコン系、金−錫系な
とのけんたあるいはロー材と前記第１の層との合金化反
応を抑制する作用のある銅、ニッケル、パラジウム。
層は第１の層として、窒化アルミニウムと強固な接着性
を肩するチタニウム、クロム、モリブデン、タングステ
ン、ニッケルクロム、窒化タンタルの群の中から選択さ
れた少なくとも１種類の金属あるいは窒化物を、第２の
金属層として、鉛−錫系、金−シリコン系、金−錫系な
とのけんたあるいはロー材と前記第１の層との合金化反
応を抑制する作用のある銅、ニッケル、パラジウム。
白金の群から選択された少なくとも１種の金属をさらに
第３の金属層として、前記第２の金属層の酸化を防止し
、併せて鉛−錫系、金−シリーン系。
第３の金属層として、前記第２の金属層の酸化を防止し
、併せて鉛−錫系、金−シリーン系。
金−錫系ハンダ、ロー材との良好なぬれ性を保持できる
金、銀、白金の鮮から選択された少なくとも１種類の金
属を順次積層して形成したものが好ましい。なおこれら
の金属の形成にあたっては、蒸着法やスパッタリング法
を用いるのが良好な結果が得られる。
金、銀、白金の鮮から選択された少なくとも１種類の金
属を順次積層して形成したものが好ましい。なおこれら
の金属の形成にあたっては、蒸着法やスパッタリング法
を用いるのが良好な結果が得られる。
以下実施例によシさらに詳細に説明する。
（実施例１）
本実施例は窒化アルミニウムー金属一体化構造物をヒー
トシンクとして用いた絶縁屋シリコンエピタキシャルト
ランジスタである０ 第１図（−は本実施例に用いた一体化構造物であシ、２
．０ｍｍＸ２．０ｍｍの面積で、厚さが０．５ｍｍの焼
結体窒化アルミニウム＆ｌの両面に１通常のＲＰスパッ
タリング法により第１の層として、８００人のチタニウ
ム層２． ２’、第２の金属層として２０００Ａの白金
層３．３′、および第３の金属層として６０００Ａの金
の層４，４′と順次積層して設けたものである。
トシンクとして用いた絶縁屋シリコンエピタキシャルト
ランジスタである０ 第１図（−は本実施例に用いた一体化構造物であシ、２
．０ｍｍＸ２．０ｍｍの面積で、厚さが０．５ｍｍの焼
結体窒化アルミニウム＆ｌの両面に１通常のＲＰスパッ
タリング法により第１の層として、８００人のチタニウ
ム層２． ２’、第２の金属層として２０００Ａの白金
層３．３′、および第３の金属層として６０００Ａの金
の層４，４′と順次積層して設けたものである。
を九第１図（ｂ）は前述した窒化アルミニウム−チタニ
ウム−白金−金積層金属層一体化構造物の上に金−シリ
コン系ロー材層と介して、シリコンエピタキシャルトラ
ンジスタベレット５およびステム８を固着し、同ペレッ
ト５のエミッタ、ベース。
ウム−白金−金積層金属層一体化構造物の上に金−シリ
コン系ロー材層と介して、シリコンエピタキシャルトラ
ンジスタベレット５およびステム８を固着し、同ペレッ
ト５のエミッタ、ベース。
コレクタ領域から電子端子を引き出し、ケースの中に収
納した絶縁盤シリコンエピタキシャルトランジスタであ
る。図の中の６は窒化アルミニウムを用いたヒートシン
ク、７はリードビン、８はステム、９はキャップである
。
納した絶縁盤シリコンエピタキシャルトランジスタであ
る。図の中の６は窒化アルミニウムを用いたヒートシン
ク、７はリードビン、８はステム、９はキャップである
。
し、ヒートシンクとして、９９．５％の酸化ベリリウム
管用いた場合の熱抵抗と同程度の値を示した。
管用いた場合の熱抵抗と同程度の値を示した。
なお、酸化アルミニウムをヒートシンクとして用いると
熱抵抗が７７℃／Ｗと２倍以上になシ、実用にならなく
なる・ またトランジスタペレットとヒートシンクの間の接着力
は２．５ｋｇ／ｍｍ と実用に充分な値を示した。
熱抵抗が７７℃／Ｗと２倍以上になシ、実用にならなく
なる・ またトランジスタペレットとヒートシンクの間の接着力
は２．５ｋｇ／ｍｍ と実用に充分な値を示した。
さらにこのトランジスタを２５９℃の高温放置試験を行
ったが１０００時間放置後も熱抵抗、直流電流剥得特性
に変化が生ずることなく、喪好な特性を示し九〇 このように、優れた電気絶縁性、放熱性、接着性を兼備
したシリコンエピタキシャルトランジスタが得られたの
は、電気抵抗が高く、シかも熱伝導率の高い窒化アルミ
ニウムセラミックスと熱伝導率ｊ喧もとよプ、窒化アル
ミニウムとの接着性にも優れたチタニウム−白金−全構
成の積層金属層とを一体化した構造物を用いたことによ
る０（実施例２） 本実施例では発光ダイオードに窒化アルミニウムー金属
層一体化構造物を適用した例を説明する。
ったが１０００時間放置後も熱抵抗、直流電流剥得特性
に変化が生ずることなく、喪好な特性を示し九〇 このように、優れた電気絶縁性、放熱性、接着性を兼備
したシリコンエピタキシャルトランジスタが得られたの
は、電気抵抗が高く、シかも熱伝導率の高い窒化アルミ
ニウムセラミックスと熱伝導率ｊ喧もとよプ、窒化アル
ミニウムとの接着性にも優れたチタニウム−白金−全構
成の積層金属層とを一体化した構造物を用いたことによ
る０（実施例２） 本実施例では発光ダイオードに窒化アルミニウムー金属
層一体化構造物を適用した例を説明する。
第２図（ａ）は本実施例に用いた窒化アルミニウムー金
属一体化構造物である０面積は１．３ ｍｍ Ｘ １．
３胴で厚さが０．３ｍｍの窒化アルミニウムセラミック
基板上の両面ｌＯとその両面に積層して設けた積層金属
層１１との一体化構造物を鉛−錫系ノ〜ンダ層を介して
一方はガリクムアルミニクムヒ素発光ダイオード半導体
チップに他方は鋼のステム板に固着し、一体化したもの
である。
属一体化構造物である０面積は１．３ ｍｍ Ｘ １．
３胴で厚さが０．３ｍｍの窒化アルミニウムセラミック
基板上の両面ｌＯとその両面に積層して設けた積層金属
層１１との一体化構造物を鉛−錫系ノ〜ンダ層を介して
一方はガリクムアルミニクムヒ素発光ダイオード半導体
チップに他方は鋼のステム板に固着し、一体化したもの
である。
ここで用いた一体化構造物は窒化アルミニウムセラ（ツ
ク板の上に第１金属層として、厚さ２０００人のニッケ
ルクロム層１２．１２’％第２層として厚さ１００ＯＡ
のパラジウム層１３．１３’、およびｔＣｒ、３層とし
て厚さ３０００Ａの金属１４．１４’を通常行われてい
る蒸着法によりて形成したものであるＯ また第２図（ｂ）は前述した窒化アルミニウム−ニッケ
ルクロｉ−パラジウム−全積層金属層一体化構造物の上
に鉛−錫系ハンダを介してガリウムアルミニウムヒ素発
元ダイオードペレットおよびステムを固着し、同ペレッ
トから電子端子と引き出し、ケースの中に収納した発光
ダイオードである。
ク板の上に第１金属層として、厚さ２０００人のニッケ
ルクロム層１２．１２’％第２層として厚さ１００ＯＡ
のパラジウム層１３．１３’、およびｔＣｒ、３層とし
て厚さ３０００Ａの金属１４．１４’を通常行われてい
る蒸着法によりて形成したものであるＯ また第２図（ｂ）は前述した窒化アルミニウム−ニッケ
ルクロｉ−パラジウム−全積層金属層一体化構造物の上
に鉛−錫系ハンダを介してガリウムアルミニウムヒ素発
元ダイオードペレットおよびステムを固着し、同ペレッ
トから電子端子と引き出し、ケースの中に収納した発光
ダイオードである。
図の中の１５は発光ダイオードペレット、１６は窒化ア
ルミニウム金属一体化物で構成したヒートシンク、１７
は引き出しリードＬ １８はステム、１９はレンズを示
す。
ルミニウム金属一体化物で構成したヒートシンク、１７
は引き出しリードＬ １８はステム、１９はレンズを示
す。
このようにして得られた発光ダイオードは熱抵抗として
、８６℃／Ｗの値を示し、一般に使用されているシリコ
ン単結晶を絶縁化処理した場合の９５℃／Ｗよりも良好
な値を示した。
、８６℃／Ｗの値を示し、一般に使用されているシリコ
ン単結晶を絶縁化処理した場合の９５℃／Ｗよりも良好
な値を示した。
さらにペレットとヒートシンクの間の接着力も２．５ｋ
ｇ／ｍｍ 以上あシ、実用に充分耐える値を示した。
ｇ／ｍｍ 以上あシ、実用に充分耐える値を示した。
さらＫこの発光ダイオードは、光出力として１．８ｍＷ
と良好な値を示したり このように本実施例窒化アぶミニクムー金属一体化物が
優れた電気絶縁性、放熱性、接着性を兼備し、電力容量
の大きい発光ダイオードとして良好なヒートシンク基板
にな夛得たのは、電気抵抗が高く、しかも熱伝導率の高
い窒化アルミニウムセラミックスと熱伝導はもとよシ、
窒化アルミニウムとの接着性に優れた二、ケルクロム−
がラジウム−全積層金属層イ一体化した構造になってい
るためである〇 （実施例３） 本実施例ではレーザーダイオードに窒化アルミニウムー
金属層一体化構造物を適用した例を説明する。
と良好な値を示したり このように本実施例窒化アぶミニクムー金属一体化物が
優れた電気絶縁性、放熱性、接着性を兼備し、電力容量
の大きい発光ダイオードとして良好なヒートシンク基板
にな夛得たのは、電気抵抗が高く、しかも熱伝導率の高
い窒化アルミニウムセラミックスと熱伝導はもとよシ、
窒化アルミニウムとの接着性に優れた二、ケルクロム−
がラジウム−全積層金属層イ一体化した構造になってい
るためである〇 （実施例３） 本実施例ではレーザーダイオードに窒化アルミニウムー
金属層一体化構造物を適用した例を説明する。
８３図（ａ）は本実施例に用いた窒化アルミニウムー金
属一体化構造物である。面積は０．７５ｍｍＸ０．７５
ｒｒｗｎで厚さが０．３ｍｍ の窒化アルミニウムセ
ラミック上の両面２０とその両面に積層して設けた積層
金属層２１との一体化構造物を金−錫系ロー材層を介し
て一方はインジウムガリウムヒ素す／レーザーダイオー
ド半導体テップに、他方は銅のマウントステージに固着
し、一体化したものである。
属一体化構造物である。面積は０．７５ｍｍＸ０．７５
ｒｒｗｎで厚さが０．３ｍｍ の窒化アルミニウムセ
ラミック上の両面２０とその両面に積層して設けた積層
金属層２１との一体化構造物を金−錫系ロー材層を介し
て一方はインジウムガリウムヒ素す／レーザーダイオー
ド半導体テップに、他方は銅のマウントステージに固着
し、一体化したものである。
ここで用いた一体化構造物は窒化アルミニウムセラミッ
ク板の上に第１層としてニッケルクロム２２．２２’ｔ
−２００ＯＡ、第２層としてパラジウムを厚さ１０００
Ａ２３，２３’、第３層として金を厚さ６０００Ａ２４
．２４’にＢＰスパッタリング法によりて形成したもの
である口 また第３図（ｂ）は前述した窒化アルミニウム−ニッケ
ルクロム−パラジウム、全積層金属一体化構造物の上に
金−錫系ロー材を介して、インジウムガリウムヒ素リン
レーザーダイオ−トチ、プおよびスタッドを固着し、同
チップから電子端子を引き出し、ケースの中に収納した
レーザーダイオードである。
ク板の上に第１層としてニッケルクロム２２．２２’ｔ
−２００ＯＡ、第２層としてパラジウムを厚さ１０００
Ａ２３，２３’、第３層として金を厚さ６０００Ａ２４
．２４’にＢＰスパッタリング法によりて形成したもの
である口 また第３図（ｂ）は前述した窒化アルミニウム−ニッケ
ルクロム−パラジウム、全積層金属一体化構造物の上に
金−錫系ロー材を介して、インジウムガリウムヒ素リン
レーザーダイオ−トチ、プおよびスタッドを固着し、同
チップから電子端子を引き出し、ケースの中に収納した
レーザーダイオードである。
図中の２５はレーザーダイオードチップ、２６は窒化ア
ルミニウム金層一体化物で構成したヒートシンク、２７
は引き出しリード線、２８はマウントステージ、２９は
キャップを示す〇このようＫして得られたレーザーダイ
オードは熱抵抗として、８８℃／Ｗの値を示し、一般に
使用されているシリコン単結晶を絶縁化処理したヒート
シンクを用いた１０５℃／Ｗよシも良好な値を示した。
ルミニウム金層一体化物で構成したヒートシンク、２７
は引き出しリード線、２８はマウントステージ、２９は
キャップを示す〇このようＫして得られたレーザーダイ
オードは熱抵抗として、８８℃／Ｗの値を示し、一般に
使用されているシリコン単結晶を絶縁化処理したヒート
シンクを用いた１０５℃／Ｗよシも良好な値を示した。
さらにテップとヒートシンクの間の接着力も２．５ｋｇ
／ｍｍ 以上１）、充分実用に耐える値を示した。さ
らにこのレーザーダイオードは光出力として５ ｍＷと
良好な値を示した。
／ｍｍ 以上１）、充分実用に耐える値を示した。さ
らにこのレーザーダイオードは光出力として５ ｍＷと
良好な値を示した。
このように本実施例窒化アルミニウムー金属一体化物が
優れた電気絶縁性、放熱性、接着性を兼備し、電力容量
の大きいレーザーダイオードとして、良好なヒートシン
ク基板になシ得たのは、電気抵抗が高く、しかも熱伝導
率の高い窒化アルミニウムセラミックスと熱伝導はもと
よシ窒化アルミニウムとの接着性に優れたニッケルクロ
ム−パラジウム−全積層金属層とを一体化した構造にな
っているためである。
優れた電気絶縁性、放熱性、接着性を兼備し、電力容量
の大きいレーザーダイオードとして、良好なヒートシン
ク基板になシ得たのは、電気抵抗が高く、しかも熱伝導
率の高い窒化アルミニウムセラミックスと熱伝導はもと
よシ窒化アルミニウムとの接着性に優れたニッケルクロ
ム−パラジウム−全積層金属層とを一体化した構造にな
っているためである。
（実施例４）
本実施例では、第１表に示すような組み合せで窒化アル
ミニウムセラミック板上に積層金属層を設け、前記実施
例１と同様に窒化アルミニクムー金Ｓ一体化構造物およ
びシリコンエピタキシャルトランジスタを得た◎ 以上の構成で得られたトランジスタは電気絶縁性、放熱
性、接着強度、高温放置試験などで実施例１と同等であ
った。
ミニウムセラミック板上に積層金属層を設け、前記実施
例１と同様に窒化アルミニクムー金Ｓ一体化構造物およ
びシリコンエピタキシャルトランジスタを得た◎ 以上の構成で得られたトランジスタは電気絶縁性、放熱
性、接着強度、高温放置試験などで実施例１と同等であ
った。
第１表
（発明の効果）
本発明の窒化アルミニウムー金属一体化構造物は電気絶
縁性、放熱性、接着性に優れているため、信頼性が高く
、しかも大容量、高出力の半導体装置を得ることができ
、その効果は大である０なお本発明は実施例に示したの
みに限定されるものではなく、電気絶縁性、熱伝導性９
機械的強度を要求される半導体装置全般に利用できるこ
とは言うまでもない〇 さらに、積層構造についても用途に応じて、第３金属層
を除去した２層構造、第３金属層の上にさらに第４金属
層を形成しても本発明の効果は減じるものではない。
縁性、放熱性、接着性に優れているため、信頼性が高く
、しかも大容量、高出力の半導体装置を得ることができ
、その効果は大である０なお本発明は実施例に示したの
みに限定されるものではなく、電気絶縁性、熱伝導性９
機械的強度を要求される半導体装置全般に利用できるこ
とは言うまでもない〇 さらに、積層構造についても用途に応じて、第３金属層
を除去した２層構造、第３金属層の上にさらに第４金属
層を形成しても本発明の効果は減じるものではない。
第１図（”ｉｔ （ｂ）、第２図ｔａｇ、 （ｂ）、お
よび第３図（ａ）。 （ｂ）はそれ上孔本発明の実施例を示す断面図である。 ｌ・・・窒化アルミニウムセラミック板２・・・第１層
３・・・第２層 ４・・・第３層５・・・半導体素子
６・・・ヒートシンク ７・・・リード８・・・ステ
ム又はマウントステージ ９・・・キャップ又はレンズ
よび第３図（ａ）。 （ｂ）はそれ上孔本発明の実施例を示す断面図である。 ｌ・・・窒化アルミニウムセラミック板２・・・第１層
３・・・第２層 ４・・・第３層５・・・半導体素子
６・・・ヒートシンク ７・・・リード８・・・ステ
ム又はマウントステージ ９・・・キャップ又はレンズ
Claims (1)
- 窒化アルミニウムと、該窒化アルミニウムの表面にチ
タニウム、クロム、モリブデン、タングステン、アルミ
ニウム、ニッケルクロム、タンタル、窒化タンタルの群
から選択された少なくとも１種よりなる第１の層、銅、
ニッケル、パラジウム、白金の群から選択された少なく
とも１種類よりなる第２の金属層、および金、銀、パラ
ジウム、白金の群から選択された少なくとも１種よりな
る第３の金属層を順次積層して形成された積層金属層と
、該積層金属層上に固着された半導体素子とを具備する
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59241034A JPS61119051A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59241034A JPS61119051A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61119051A true JPS61119051A (ja) | 1986-06-06 |
Family
ID=17068336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59241034A Pending JPS61119051A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61119051A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6317585A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Toshiba Corp | 半導体レーザー装置 |
| JPS6484648A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Kyocera Corp | Aluminum nitride substrate for semiconductor device |
| JPH01301575A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-05 | Kyocera Corp | 半導体用窒化アルミニウム基板 |
| JPH02138785A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Sanyo Electric Co Ltd | ヒートシンク |
| US5770821A (en) * | 1995-07-18 | 1998-06-23 | Tokuyama Corporation | Submount |
| WO2005091351A1 (ja) * | 2004-03-24 | 2005-09-29 | Tokuyama Corporation | 素子接合用基板およびその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53102310A (en) * | 1977-02-18 | 1978-09-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | Heat conducting base plates |
| JPS56135948A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Insulated radiating substrate |
| JPS5715446A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS59101889A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-11-15 JP JP59241034A patent/JPS61119051A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53102310A (en) * | 1977-02-18 | 1978-09-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | Heat conducting base plates |
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| JP2563809B2 (ja) * | 1987-09-28 | 1996-12-18 | 京セラ株式会社 | 半導体用窒化アルミニウム基板 |
| JPH01301575A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-05 | Kyocera Corp | 半導体用窒化アルミニウム基板 |
| JPH02138785A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Sanyo Electric Co Ltd | ヒートシンク |
| US5770821A (en) * | 1995-07-18 | 1998-06-23 | Tokuyama Corporation | Submount |
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| CN100428432C (zh) * | 2004-03-24 | 2008-10-22 | 德山株式会社 | 元件接合用基板及其制造方法 |
| US7626264B2 (en) | 2004-03-24 | 2009-12-01 | Tokuyama Corporation | Substrate for device bonding and method for manufacturing same |
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