JPH0313190B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0313190B2 JPH0313190B2 JP60112330A JP11233085A JPH0313190B2 JP H0313190 B2 JPH0313190 B2 JP H0313190B2 JP 60112330 A JP60112330 A JP 60112330A JP 11233085 A JP11233085 A JP 11233085A JP H0313190 B2 JPH0313190 B2 JP H0313190B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- aluminum nitride
- thermally conductive
- producing
- highly thermally
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 49
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical group N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 claims description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000001272 pressureless sintering Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical group [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
[産業上の利用分野]
本発明は、絶縁基板、ヒートシンク等に使用さ
れる高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法
に関するものであり、特に、メタライズの容易な
高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法に関
する。 [従来の技術] 近年、電子機器の小形化や機械向上に対する要
求は極めて大きくなつており、それに伴つて半導
体は集積密度の向上、多機能化、高速化、高出力
化、高信頼化の方向に急速に進展している。これ
らに対応して半導体から発生する熱量はますます
増加しており、従来のAl2O3基板にかわる放熱能
力の大きい基板が要求されるようにつている。 この放熱能力の大きい基板材料、即ち熱伝導性
の高い材料としては、ダイヤモンド、立方晶BN
(窒化硼素)、SiC(炭化硅素)、BeO(ベリリア)、
AlN(窒化アルミニウム)、Si等をあげることがで
きる。しかし、ダイヤモンド、立方晶BNは基板
として利用できる大きさを製造することが困難で
あり、又、非常に高価である。SiCは半導体であ
るために電気絶縁性、誘電率等の電気特性が
Al2O3より劣り、Al2O3基板のかわりとして使用
できない。BeOは電気特性が非常に優ているが、
成形時、研削加工時等に発生する粉末が毒性をも
つために国内で生産されず、海外から求める必要
があるために供給が不安性となる恐れがある。Si
は電気特性が悪く、又、機械的強度も小さいの
で、基板材料として使用は限られる。AlNは高
絶縁性、高絶縁耐圧、低誘電率などの優れた電気
特性に加えて、常圧焼結が適用できる所要面に金
属層が形成出来ず、末だ高出力用の多層基板は開
発されていないのが実情である。 [発明の解決しようとする問題点] この様に、AlNは、金属との濡れ性が悪いた
めに、メタライズできず基板としての使用は困難
であつた。 又、例えば、特開昭50−75208や特開昭59−
40404のように、AlN基板表面を酸化させてから
メタライズしたり、特開昭53−102310のように、
先ず、AlN基板表面に金属酸化物を設け、その
後にメタライズする等の技術が知られているが、
いずれも焼結体表面にメタライズすることは出来
ても、多層化を目的とする同時焼成法には、適用
することが出来ず、又メタライズされた金属層と
AlN基板との間に比較的熱伝導率の低い層が介
在することになるために熱伝導率の低下はさけら
れないといつた欠点を有していた。 [問題点を解決するための手段] 本発明は上記問題点を解決するAlN基板を実
現するために次の手段を採用した。 本発明の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の
製造法は、 窒化アルミニウムを100重量部と、 周期律表の4a,5a,6a族元素の単体にそ
の化合物を加えた群から選ばれた1種又は2種以
上を上記元素単体に換算して0.1〜10重量部とか
らなる混合物を、 硼素及び/又は炭素の供給源を有する非酸化性
雰囲気中にて1500〜2000℃で常圧で焼結して、表
面に直接メタラズ可能な焼結体を形成することを
特徴とする。 周期律表の4a族元素は、Ti,
Zr,Hfのことであり、5a族元素は、V,Nb,
Taのことであり、6a族元素はCr,Mo,Wの
ことである。 周期律表の4a,5a,6a族元素の化合物と
しては、例えば、酸化物や加熱に際して金属又は
酸化物を生成する硫酸塩、アンモニウム塩、水酸
化物等を使用することができる。 窒化アルミニウム粉末と上記元素及び/又は化
合物は、ボールミル等によつて、均一に混合され
る。 この周期律表の4a,5a,6a族元素の単体
及び周期律表の4a,5a,6a族元素の化合物
から選ばれた1種又は2種以上が、金属元素に換
算して総量でAlN100重量部に対し、0.1重量部以
上10重量部以下であるのは、この範囲より少ない
とAlN焼結体の金属との濡れ性が改善されない
ためであり、逆にこの範囲より多いとAlN焼結
体の高熱伝導性が劣化し、又、焼結性が劣化する
ためである。 本発明は上記成分のみでも十分であるが、必要
に応じてY2O3やCaO等の焼結助剤をAlN100重量
部に対して5重量部をえない範囲で含んでもよ
い。 硼素の供給源としては、例えば雰囲気に添加す
るボラン、混合物に添加する硼酸、酸化硼素、離
型剤として用いる窒化硼素等を用いることができ
る。これらは、いずれも混合物に含まれる周期律
表の4a,5a,6a族元素及び/又はその化合
物が硼化するに十分な量供給されることが必要で
あるが、上記元素や化合物の含有量が少ないため
に、例えば、通常離型剤として用いる窒化硼素の
量程度でも十分である。従つて硼素の供給源とし
て上記窒化硼素を離型剤として使用すると、特に
硼素の供給源を必要としないので好ましい。 又、炭素の供給源としては、例えば混合物に添
加する炭素質化合物、カーボンブラツクや、焼結
時に使用するカーボンさや、発熱体として用いる
炭素等がある。この炭素の量も前述の硼素と同じ
く少量でよいためにさやや、発熱体として用いる
炭素から供給される量で十分である。従つて炭素
の供給源としてさやや、発熱体に炭素を使用する
と特に炭素の供給源を必要としないので好まし
い。 非酸化性雰囲気としては窒素、アルゴン、水素
及びアンモニア分解ガス等を使用できる。 焼成温度は1500〜2000℃であることが必要であ
るが、この範囲より温度が低いと焼結が不十分で
あり、又、この範囲より温度が高いと窒化アルミ
ニウムが分解しはじめる。 [作用] 混合物中の周期律表の4a,5a,6a族元素
の単体及び/又はその化合物は、硼素及び/又は
炭素の供給源を有する非酸化性雰囲気下で焼結す
ることにより、周期律表の4a,5a,6a族元
素の硼化物及び/又は炭化物となる。更に非酸化
性雰囲気が窒素ガスの場合は、周期律表の4a,
5a族元素の一部は窒化物となる。 この周期律表の4a,5a,6a族元素の硼化
物及び/又は周期律表の4a,5a,6a族元素
の炭化物、及び雰囲気が窒素ガスの場合はそれに
加えて周期律表の4a,5a,6a族元素の窒化
物、はAlN粒子中に固溶することなく、AlN粒
子間、即ち、粒界に存在して金属と結合するため
に、本発明による窒化アルミニウム焼結体は、
AlNの金属との濡れ性を改善すると思われる。 又、通常、粒界に添加物が存在すると熱伝導性
は低下するが、本発明は、本発明による窒化アル
ミニウム焼結体が前述の硼化物、炭化物又はそれ
に加えて窒化物がAlNの粒界に存在するにもか
かわらず、AlNの高熱伝導性を損わないことを
見出したものである。この理由は、これらの化合
物がAlNと反応して他の化合物を生成すること
がなく、又、AlN粒子全体を覆う様にして存在
しない為に、AlN粒子同士の結合は損なわれず、
AlN本来の特性を維持しながらAlNの金属との
濡れ性を改善出来るものと思われる。また、本願
発明のように、常圧で焼結することによつて、
AlNの粒子成長が妨げられることがない、よつ
て、熱伝導性が向上する。 [発明の効果] 本発明は表面に直接メタライズ可能な焼結体を
形成するために、接合強度、熱伝導性において優
れた性質をもつ高熱伝導性窒化アルミニウム焼結
体の製造法を提供するものである。 本発明により製造された表面に直接メタライズ
可能な焼結体である高熱伝導性窒化アルミニウム
焼結体は、メタライズ時に基板表面に酸化物等の
層を設けないために、メタライズした金属層と
AlN基板とを直接結合することが出来る。その
ため本発明をIC等の基板やヒートシンクなどの
製造法に利用することにより、放熱性に優れた電
子部品の多層基板を同時焼成法で容易に得ること
ができる。 [実施例] 本発明の一実施例について説明する。 本実施例は、平均粒径1.0μmのAlN粉末100重
量部に対して周期律表の4,5a,6a族元素の
単体又は酸化物を第1表に示す金属換算の所定量
混合し、エタノール中で4時間、湿式混合して原
料粉末をつくり、その後、該原料粉末を成形し、
第1表に示す硼素及び/又は炭素の供給源を有す
る窒素雰囲気下で焼成することにより密度,熱伝
導率及び生成した化合物測定用の試料と、金属と
の濡れ性測定用の料とを得た。 密度及び熱伝導率の測定は、原料粉末を直径11
mm厚さ3mmに成形圧力1.5ton/cm2で成形した後、
1700℃の窒素雰囲気中で1時間常圧焼結を行つて
得た試料について行つた。密度は相対密度(理論
密度に対する見掛け比重比%)として測定し、
又、熱伝導率は、試料の厚みを2mmに平研加工し
た後にレーザーフラツシユ法を用いて測定した。 生成した化合物はこの試料をメノウ乳鉢にて粉
砕した後X線回析装置にかけることにより測定し
た。 金属との濡れ性は、メタライズの接着強度とし
て測定した。メタライズの接着強度は、原料粉末
を30×10×5mmに金型プレスで成形した後に、通
常メタライズに用いられるW粉末(平均粒径
1.0μm)を含むペーストを該成形体表面に2×2
mm厚さ約20μmに塗布し、乾燥して、1700℃窒素
雰囲気下で1時間常圧焼結し、次いで、該焼結体
表面に電解NiメツキによつてNi層を2〜5μm形
成し、850℃、10分間シンターした後に、共晶銀
ローを用いて1×1mmのコバール(コバルトと鉄
を含むニツケル合金)板を930℃、5分間でロー
付し、その接着強度をピール強度として測定し
た。このピール強度は上記コバール板に接合され
たリード線を接着面に対して垂直方向に向つて
0.5mm/secの速度で引張り、上記コバール板が試
料から剥離したときの強度である。 第1表に相対密度、熱伝導率、ピール強度の測
定結果を示す。又、第1表に示された組成以外は
全てAlNであり、組成の含有量の単位はAlN100
重量部に対する金属換算の重量部である。
れる高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法
に関するものであり、特に、メタライズの容易な
高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法に関
する。 [従来の技術] 近年、電子機器の小形化や機械向上に対する要
求は極めて大きくなつており、それに伴つて半導
体は集積密度の向上、多機能化、高速化、高出力
化、高信頼化の方向に急速に進展している。これ
らに対応して半導体から発生する熱量はますます
増加しており、従来のAl2O3基板にかわる放熱能
力の大きい基板が要求されるようにつている。 この放熱能力の大きい基板材料、即ち熱伝導性
の高い材料としては、ダイヤモンド、立方晶BN
(窒化硼素)、SiC(炭化硅素)、BeO(ベリリア)、
AlN(窒化アルミニウム)、Si等をあげることがで
きる。しかし、ダイヤモンド、立方晶BNは基板
として利用できる大きさを製造することが困難で
あり、又、非常に高価である。SiCは半導体であ
るために電気絶縁性、誘電率等の電気特性が
Al2O3より劣り、Al2O3基板のかわりとして使用
できない。BeOは電気特性が非常に優ているが、
成形時、研削加工時等に発生する粉末が毒性をも
つために国内で生産されず、海外から求める必要
があるために供給が不安性となる恐れがある。Si
は電気特性が悪く、又、機械的強度も小さいの
で、基板材料として使用は限られる。AlNは高
絶縁性、高絶縁耐圧、低誘電率などの優れた電気
特性に加えて、常圧焼結が適用できる所要面に金
属層が形成出来ず、末だ高出力用の多層基板は開
発されていないのが実情である。 [発明の解決しようとする問題点] この様に、AlNは、金属との濡れ性が悪いた
めに、メタライズできず基板としての使用は困難
であつた。 又、例えば、特開昭50−75208や特開昭59−
40404のように、AlN基板表面を酸化させてから
メタライズしたり、特開昭53−102310のように、
先ず、AlN基板表面に金属酸化物を設け、その
後にメタライズする等の技術が知られているが、
いずれも焼結体表面にメタライズすることは出来
ても、多層化を目的とする同時焼成法には、適用
することが出来ず、又メタライズされた金属層と
AlN基板との間に比較的熱伝導率の低い層が介
在することになるために熱伝導率の低下はさけら
れないといつた欠点を有していた。 [問題点を解決するための手段] 本発明は上記問題点を解決するAlN基板を実
現するために次の手段を採用した。 本発明の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の
製造法は、 窒化アルミニウムを100重量部と、 周期律表の4a,5a,6a族元素の単体にそ
の化合物を加えた群から選ばれた1種又は2種以
上を上記元素単体に換算して0.1〜10重量部とか
らなる混合物を、 硼素及び/又は炭素の供給源を有する非酸化性
雰囲気中にて1500〜2000℃で常圧で焼結して、表
面に直接メタラズ可能な焼結体を形成することを
特徴とする。 周期律表の4a族元素は、Ti,
Zr,Hfのことであり、5a族元素は、V,Nb,
Taのことであり、6a族元素はCr,Mo,Wの
ことである。 周期律表の4a,5a,6a族元素の化合物と
しては、例えば、酸化物や加熱に際して金属又は
酸化物を生成する硫酸塩、アンモニウム塩、水酸
化物等を使用することができる。 窒化アルミニウム粉末と上記元素及び/又は化
合物は、ボールミル等によつて、均一に混合され
る。 この周期律表の4a,5a,6a族元素の単体
及び周期律表の4a,5a,6a族元素の化合物
から選ばれた1種又は2種以上が、金属元素に換
算して総量でAlN100重量部に対し、0.1重量部以
上10重量部以下であるのは、この範囲より少ない
とAlN焼結体の金属との濡れ性が改善されない
ためであり、逆にこの範囲より多いとAlN焼結
体の高熱伝導性が劣化し、又、焼結性が劣化する
ためである。 本発明は上記成分のみでも十分であるが、必要
に応じてY2O3やCaO等の焼結助剤をAlN100重量
部に対して5重量部をえない範囲で含んでもよ
い。 硼素の供給源としては、例えば雰囲気に添加す
るボラン、混合物に添加する硼酸、酸化硼素、離
型剤として用いる窒化硼素等を用いることができ
る。これらは、いずれも混合物に含まれる周期律
表の4a,5a,6a族元素及び/又はその化合
物が硼化するに十分な量供給されることが必要で
あるが、上記元素や化合物の含有量が少ないため
に、例えば、通常離型剤として用いる窒化硼素の
量程度でも十分である。従つて硼素の供給源とし
て上記窒化硼素を離型剤として使用すると、特に
硼素の供給源を必要としないので好ましい。 又、炭素の供給源としては、例えば混合物に添
加する炭素質化合物、カーボンブラツクや、焼結
時に使用するカーボンさや、発熱体として用いる
炭素等がある。この炭素の量も前述の硼素と同じ
く少量でよいためにさやや、発熱体として用いる
炭素から供給される量で十分である。従つて炭素
の供給源としてさやや、発熱体に炭素を使用する
と特に炭素の供給源を必要としないので好まし
い。 非酸化性雰囲気としては窒素、アルゴン、水素
及びアンモニア分解ガス等を使用できる。 焼成温度は1500〜2000℃であることが必要であ
るが、この範囲より温度が低いと焼結が不十分で
あり、又、この範囲より温度が高いと窒化アルミ
ニウムが分解しはじめる。 [作用] 混合物中の周期律表の4a,5a,6a族元素
の単体及び/又はその化合物は、硼素及び/又は
炭素の供給源を有する非酸化性雰囲気下で焼結す
ることにより、周期律表の4a,5a,6a族元
素の硼化物及び/又は炭化物となる。更に非酸化
性雰囲気が窒素ガスの場合は、周期律表の4a,
5a族元素の一部は窒化物となる。 この周期律表の4a,5a,6a族元素の硼化
物及び/又は周期律表の4a,5a,6a族元素
の炭化物、及び雰囲気が窒素ガスの場合はそれに
加えて周期律表の4a,5a,6a族元素の窒化
物、はAlN粒子中に固溶することなく、AlN粒
子間、即ち、粒界に存在して金属と結合するため
に、本発明による窒化アルミニウム焼結体は、
AlNの金属との濡れ性を改善すると思われる。 又、通常、粒界に添加物が存在すると熱伝導性
は低下するが、本発明は、本発明による窒化アル
ミニウム焼結体が前述の硼化物、炭化物又はそれ
に加えて窒化物がAlNの粒界に存在するにもか
かわらず、AlNの高熱伝導性を損わないことを
見出したものである。この理由は、これらの化合
物がAlNと反応して他の化合物を生成すること
がなく、又、AlN粒子全体を覆う様にして存在
しない為に、AlN粒子同士の結合は損なわれず、
AlN本来の特性を維持しながらAlNの金属との
濡れ性を改善出来るものと思われる。また、本願
発明のように、常圧で焼結することによつて、
AlNの粒子成長が妨げられることがない、よつ
て、熱伝導性が向上する。 [発明の効果] 本発明は表面に直接メタライズ可能な焼結体を
形成するために、接合強度、熱伝導性において優
れた性質をもつ高熱伝導性窒化アルミニウム焼結
体の製造法を提供するものである。 本発明により製造された表面に直接メタライズ
可能な焼結体である高熱伝導性窒化アルミニウム
焼結体は、メタライズ時に基板表面に酸化物等の
層を設けないために、メタライズした金属層と
AlN基板とを直接結合することが出来る。その
ため本発明をIC等の基板やヒートシンクなどの
製造法に利用することにより、放熱性に優れた電
子部品の多層基板を同時焼成法で容易に得ること
ができる。 [実施例] 本発明の一実施例について説明する。 本実施例は、平均粒径1.0μmのAlN粉末100重
量部に対して周期律表の4,5a,6a族元素の
単体又は酸化物を第1表に示す金属換算の所定量
混合し、エタノール中で4時間、湿式混合して原
料粉末をつくり、その後、該原料粉末を成形し、
第1表に示す硼素及び/又は炭素の供給源を有す
る窒素雰囲気下で焼成することにより密度,熱伝
導率及び生成した化合物測定用の試料と、金属と
の濡れ性測定用の料とを得た。 密度及び熱伝導率の測定は、原料粉末を直径11
mm厚さ3mmに成形圧力1.5ton/cm2で成形した後、
1700℃の窒素雰囲気中で1時間常圧焼結を行つて
得た試料について行つた。密度は相対密度(理論
密度に対する見掛け比重比%)として測定し、
又、熱伝導率は、試料の厚みを2mmに平研加工し
た後にレーザーフラツシユ法を用いて測定した。 生成した化合物はこの試料をメノウ乳鉢にて粉
砕した後X線回析装置にかけることにより測定し
た。 金属との濡れ性は、メタライズの接着強度とし
て測定した。メタライズの接着強度は、原料粉末
を30×10×5mmに金型プレスで成形した後に、通
常メタライズに用いられるW粉末(平均粒径
1.0μm)を含むペーストを該成形体表面に2×2
mm厚さ約20μmに塗布し、乾燥して、1700℃窒素
雰囲気下で1時間常圧焼結し、次いで、該焼結体
表面に電解NiメツキによつてNi層を2〜5μm形
成し、850℃、10分間シンターした後に、共晶銀
ローを用いて1×1mmのコバール(コバルトと鉄
を含むニツケル合金)板を930℃、5分間でロー
付し、その接着強度をピール強度として測定し
た。このピール強度は上記コバール板に接合され
たリード線を接着面に対して垂直方向に向つて
0.5mm/secの速度で引張り、上記コバール板が試
料から剥離したときの強度である。 第1表に相対密度、熱伝導率、ピール強度の測
定結果を示す。又、第1表に示された組成以外は
全てAlNであり、組成の含有量の単位はAlN100
重量部に対する金属換算の重量部である。
【表】
【表】
本実施例より、第1表に示す如く、周期律表の
4a,5a,6a族元素の単体及びその酸化物か
ら選ばれた1種又は2種以上をAlNに金属に換
算して0.1〜10重量部含有させた混合物を硼素又
は炭素の供給源を有する窒素雰囲気中で焼結する
ことにより、熱伝導率が高く、ピール強度の高
い、即ち、金属との濡れ性の良好な焼結体が得ら
れることが分かつた。 尚、従来のAlN焼結体(相対密度99%)の熱
伝導率は0.14〜0.24cal/cm.sec.℃でピール強度
は0.5Kg/mm2より小さい。又、Al2O3(相対密度99
%)の熱伝導率は0.04〜0.07cal/cm.sec.℃で、
ピール強度は2〜5Kg/mm2である。 尚、焼成温度が1500℃より低いと焼結が不十分
のため、強度が低く、熱伝導率も低かつた。逆に
焼成温度が2000℃を超えるとAlNが分解をはじ
めてしまつた。 又、第1表に示す以外の周期律表の4a,5
a,6a族元素の単体、とその化合物を用いて、
本実施例と同様にして実験した所、上述の元素単
体及び/又はその化合物をAlNに元素単体に換
算して0.1〜10重量部含有させることにより、熱
伝導率が高く、ピール強度の高い焼結体を得るこ
とができた。 さらに雰囲気をアンモニア分解ガスとした場合
も窒素ガス雰囲気と同様に、上述の元素単体及
び/又はその化合物をAlNに元素単体に換算し
て0.1〜10重量部含有させることが熱伝導率が高
く、ピール強度の高い焼結体を得る上で必要であ
ることがわかつた。 次に、熱伝導率の比較実験例について説明す
る。この実験例では比較例として、本実施例の試
料No.1〜9の組成の材料を使用して、ホツトプレ
ス(250Kg/cm2、1750℃、1時間)にて焼結を行
い、の熱伝導率を測定した。その結果を下記第2
表に示す。尚、本実施例の熱伝導率としては、第
1表の値を用いた。
4a,5a,6a族元素の単体及びその酸化物か
ら選ばれた1種又は2種以上をAlNに金属に換
算して0.1〜10重量部含有させた混合物を硼素又
は炭素の供給源を有する窒素雰囲気中で焼結する
ことにより、熱伝導率が高く、ピール強度の高
い、即ち、金属との濡れ性の良好な焼結体が得ら
れることが分かつた。 尚、従来のAlN焼結体(相対密度99%)の熱
伝導率は0.14〜0.24cal/cm.sec.℃でピール強度
は0.5Kg/mm2より小さい。又、Al2O3(相対密度99
%)の熱伝導率は0.04〜0.07cal/cm.sec.℃で、
ピール強度は2〜5Kg/mm2である。 尚、焼成温度が1500℃より低いと焼結が不十分
のため、強度が低く、熱伝導率も低かつた。逆に
焼成温度が2000℃を超えるとAlNが分解をはじ
めてしまつた。 又、第1表に示す以外の周期律表の4a,5
a,6a族元素の単体、とその化合物を用いて、
本実施例と同様にして実験した所、上述の元素単
体及び/又はその化合物をAlNに元素単体に換
算して0.1〜10重量部含有させることにより、熱
伝導率が高く、ピール強度の高い焼結体を得るこ
とができた。 さらに雰囲気をアンモニア分解ガスとした場合
も窒素ガス雰囲気と同様に、上述の元素単体及
び/又はその化合物をAlNに元素単体に換算し
て0.1〜10重量部含有させることが熱伝導率が高
く、ピール強度の高い焼結体を得る上で必要であ
ることがわかつた。 次に、熱伝導率の比較実験例について説明す
る。この実験例では比較例として、本実施例の試
料No.1〜9の組成の材料を使用して、ホツトプレ
ス(250Kg/cm2、1750℃、1時間)にて焼結を行
い、の熱伝導率を測定した。その結果を下記第2
表に示す。尚、本実施例の熱伝導率としては、第
1表の値を用いた。
【表】
この第2表から明かな様に、本実施例では、常
圧焼結によつて、例えば半導体の絶縁基板として
必要な、0.2前後の高い熱伝導率を達成できるが、
比較例では、ホツトプレスを行つているので、最
大のものでも0.15程度の低い熱伝導率であり、半
導体の絶縁基板として好適ではない。 つまり、比較例のものは放熱性が低く、例えば
半導体の絶縁基板、特に発熱量が大きい高出力の
半導体の絶縁基板として好ましくない。
圧焼結によつて、例えば半導体の絶縁基板として
必要な、0.2前後の高い熱伝導率を達成できるが、
比較例では、ホツトプレスを行つているので、最
大のものでも0.15程度の低い熱伝導率であり、半
導体の絶縁基板として好適ではない。 つまり、比較例のものは放熱性が低く、例えば
半導体の絶縁基板、特に発熱量が大きい高出力の
半導体の絶縁基板として好ましくない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 窒化アルミニウムを100重量部と、 周期律表の4a,5a,6a族元素の単体にその
化合物を加えた群から選ばれた1種又は2種以上
を、上記元素単体に換算して0.1〜10重量部とか
らなる混合物を、 硼素及び/又は炭素の供給源を有する非酸化性
雰囲気中にて1500〜2000℃で常圧で焼結して、表
面に直接メタライズ可能な焼結体を形成すること
を特徴とする高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体
の製造法。 2 上記化合物が、酸化物である特許請求の範囲
第1項記載の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体
の製造法。 3 上記化合物が加熱に際して上記元素単体又は
酸化物を生成する化合物である特許請求の範囲第
1項記載の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の
製造法。 4 硼素の供給源が、焼結体に離形剤として用い
る窒化硼素である特許請求の範囲第1項ないし第
3項いずれか記載の高熱伝導性窒化アルミニウム
焼結体の製造法。 5 炭素の供給源が、焼結時にさや又は発熱体と
して用いる炭素である特許請求の範囲第1項ない
し第4項いずれか記載の高熱伝導性窒化アルミニ
ウム焼結体の製造法。 6 非酸化性雰囲気が窒素、アルゴン、水素及び
アンモニア分解ガスのいずれかである特許請求の
範囲第1項ないし第5項いずれか記載の高熱伝導
性窒化アルミニウム焼結体の製造法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60112330A JPS61270263A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法 |
US07/039,347 US4877760A (en) | 1985-05-22 | 1987-04-17 | Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same |
US07/405,872 US4961987A (en) | 1985-05-22 | 1989-09-11 | Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same |
US07/405,780 US4997798A (en) | 1985-05-22 | 1989-09-11 | Process for producing aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60112330A JPS61270263A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61270263A JPS61270263A (ja) | 1986-11-29 |
JPH0313190B2 true JPH0313190B2 (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=14583977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60112330A Granted JPS61270263A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-24 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61270263A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4843038A (en) * | 1986-11-13 | 1989-06-27 | Narumi China Corporation | Black sintered body of aluminum nitride and process for producing the same |
US4833108A (en) * | 1987-03-28 | 1989-05-23 | Narumi China Corporation | Sintered body of aluminum nitride |
JP2605045B2 (ja) * | 1987-06-23 | 1997-04-30 | 株式会社住友金属エレクトロデバイス | 窒化アルミニウム焼結体 |
JPS63310772A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 窒化アルミニウム焼結体 |
JP2949586B2 (ja) * | 1988-03-07 | 1999-09-13 | 株式会社日立製作所 | 電導材及びその製造法 |
KR102321415B1 (ko) * | 2019-12-18 | 2021-11-03 | 윤종만 | 질화알루미늄계 도가니 및 이의 제조방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50151704A (ja) * | 1974-05-28 | 1975-12-05 |
-
1985
- 1985-05-24 JP JP60112330A patent/JPS61270263A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50151704A (ja) * | 1974-05-28 | 1975-12-05 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61270263A (ja) | 1986-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4961987A (en) | Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same | |
US4571610A (en) | Semiconductor device having electrically insulating substrate of SiC | |
US6232657B1 (en) | Silicon nitride circuit board and semiconductor module | |
WO2000076940A1 (en) | Composite material and semiconductor device using the same | |
JPH054950B2 (ja) | ||
JP2698780B2 (ja) | 窒化けい素回路基板 | |
JP3408298B2 (ja) | 高熱伝導性窒化けい素メタライズ基板,その製造方法および窒化けい素モジュール | |
JPH0243700B2 (ja) | ||
JP3193305B2 (ja) | 複合回路基板 | |
JPH0313190B2 (ja) | ||
JP2772273B2 (ja) | 窒化けい素回路基板 | |
JP2939444B2 (ja) | 多層窒化けい素回路基板 | |
JPH022836B2 (ja) | ||
JPS61291480A (ja) | 窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物 | |
JP2772274B2 (ja) | 複合セラミックス基板 | |
JPH04949B2 (ja) | ||
JP2563809B2 (ja) | 半導体用窒化アルミニウム基板 | |
JPH0323511B2 (ja) | ||
JP3230861B2 (ja) | 窒化けい素メタライズ基板 | |
JPH04950B2 (ja) | ||
JP3180100B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JPH06166573A (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 | |
JPH0684265B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体 | |
JPS5815953B2 (ja) | 電気的装置用基板 | |
JPS5891059A (ja) | 複合セラミツクス焼結体及びその製造方法 |