JPS61291480A - 窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物 - Google Patents
窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物Info
- Publication number
- JPS61291480A JPS61291480A JP13157085A JP13157085A JPS61291480A JP S61291480 A JPS61291480 A JP S61291480A JP 13157085 A JP13157085 A JP 13157085A JP 13157085 A JP13157085 A JP 13157085A JP S61291480 A JPS61291480 A JP S61291480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- base material
- surface treatment
- parts
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、絶縁基板、ヒートシンク、レーザー用チュー
ブ等に高熱伝導性絶縁材料として使用される窒化アルミ
ニウム製基材の表面処理組成物に関するものであり、特
に、窒化アルミニウム製基材の焼結と表面処理が同時に
行なえる窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物に関
する。
ブ等に高熱伝導性絶縁材料として使用される窒化アルミ
ニウム製基材の表面処理組成物に関するものであり、特
に、窒化アルミニウム製基材の焼結と表面処理が同時に
行なえる窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物に関
する。
［従来の技術］
近年、電子機器の小形化や機能向上に対する要求は極め
て大きくなっており、それに伴って半導体は集積密度の
向上、多機能化、高速化、高出力化、高信頼化の方向に
急速に進展している。これらに対応して半導体から発生
する熱量はますます増加しており、従来のＡ１２０ｍ基
板にかわる放熱能力の大きい基板が要求されるようにな
っている。又、その他の分野、例えば各種の熱機関や産
業機器等においても高出力化が進んでおり、それに伴っ
て、より放熱能力の大きい材料が求められている。
て大きくなっており、それに伴って半導体は集積密度の
向上、多機能化、高速化、高出力化、高信頼化の方向に
急速に進展している。これらに対応して半導体から発生
する熱量はますます増加しており、従来のＡ１２０ｍ基
板にかわる放熱能力の大きい基板が要求されるようにな
っている。又、その他の分野、例えば各種の熱機関や産
業機器等においても高出力化が進んでおり、それに伴っ
て、より放熱能力の大きい材料が求められている。
この放熱能力の、大きい材料、即ち熱伝導性の高い材料
としては、ダイヤモンド、立方晶ＢＮ（窒化硼素）、５
ｉＣ（炭化硅素）、Ｂｅｄ（ベリリア）、ＡｉＮ（窒化
アルミニウム）、Ｓｔ等をあげることができる。しかし
、ダイヤモンド、立方晶ＢＮは上記のような用途に利用
できる大きさを製造することが困難であり、又、非常に
高価である。ＳｉＣは半導体であるために電気絶縁性、
誘電率等の電気特性が悪く、絶縁材料として使用できな
い。８ｅＯは電気特性が非常に優れているが、成形時、
研削加工時等に発生する粉末が毒性をもつために国内で
生産されず、海外から求める必要があるために供給が不
安定となる恐れがある。Ｓｉは電気特性が悪く、又、機
械的強度も小さいので、基板材料としても使用は限られ
る。ＡｉＮは高絶縁性、高絶縁耐圧、低誘電率などの優
れた電気特性に加えて、常圧焼結が適用できるが、所要
面に金属層を形成したり、又金属との接合が十分に出来
ないために、未だ高出力用の多層基板やレーザーチュー
ブ等は開発されていないのが実情である。
としては、ダイヤモンド、立方晶ＢＮ（窒化硼素）、５
ｉＣ（炭化硅素）、Ｂｅｄ（ベリリア）、ＡｉＮ（窒化
アルミニウム）、Ｓｔ等をあげることができる。しかし
、ダイヤモンド、立方晶ＢＮは上記のような用途に利用
できる大きさを製造することが困難であり、又、非常に
高価である。ＳｉＣは半導体であるために電気絶縁性、
誘電率等の電気特性が悪く、絶縁材料として使用できな
い。８ｅＯは電気特性が非常に優れているが、成形時、
研削加工時等に発生する粉末が毒性をもつために国内で
生産されず、海外から求める必要があるために供給が不
安定となる恐れがある。Ｓｉは電気特性が悪く、又、機
械的強度も小さいので、基板材料としても使用は限られ
る。ＡｉＮは高絶縁性、高絶縁耐圧、低誘電率などの優
れた電気特性に加えて、常圧焼結が適用できるが、所要
面に金属層を形成したり、又金属との接合が十分に出来
ないために、未だ高出力用の多層基板やレーザーチュー
ブ等は開発されていないのが実情である。
［発明の解決しようとする問題点］
この様に、Ａ立Ｎは、金属との濡れ性が悪いために、メ
タライズできず上記材料としての使用は困難であった。
タライズできず上記材料としての使用は困難であった。
又、例えば、特開昭５０−７５２０８や特開昭５９−４
０４０４のように、Ａ立Ｎ基板表面を酸化させてからメ
タライズしたり、特開昭５３−１０２３１０のように、
先ず、ＡｉＮ基板表面に金属酸化物を設け、その後にメ
タライズする等の技術が知られているが、いずれも焼結
体表面にメタライズすることは出来ても、十分な接合強
度を得ることができなかった。又基板材料としても基板
の多層化を目的とする同時焼成法には適用することが出
来ないといった欠点を有していた。
０４０４のように、Ａ立Ｎ基板表面を酸化させてからメ
タライズしたり、特開昭５３−１０２３１０のように、
先ず、ＡｉＮ基板表面に金属酸化物を設け、その後にメ
タライズする等の技術が知られているが、いずれも焼結
体表面にメタライズすることは出来ても、十分な接合強
度を得ることができなかった。又基板材料としても基板
の多層化を目的とする同時焼成法には適用することが出
来ないといった欠点を有していた。
［問題点を解決するための手段］
本発明は上記問題点を解決するために次の手段を採用し
た。
た。
第１発明の窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物は
、 窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物であって、 Ｗ、Ｍｏ及びこれらの硼化物、炭化物から選ばれた１種
又は２種以上の１００重量部と、窒化アルミニウム又は
上記窒化アルミニウム基材と同成分の０．１〜５０重量
部と、 からなることを特徴とする。
、 窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物であって、 Ｗ、Ｍｏ及びこれらの硼化物、炭化物から選ばれた１種
又は２種以上の１００重量部と、窒化アルミニウム又は
上記窒化アルミニウム基材と同成分の０．１〜５０重量
部と、 からなることを特徴とする。
第２の発明の窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物
は、第１の発明の組成に加えて、Ｔｉ。
は、第１の発明の組成に加えて、Ｔｉ。
Ｚｒ 、Ｎｂ 、Ｖ、Ｍｎの水素化物、酸化物から選ば
れた１種又は２種以上を含むものである。即ち、第２の
発明の窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物は、 窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物であって、 Ｗ、Ｍｏ及びこれらの硼化物、炭化物から選ばれた１種
又は２Ｆ１以上の１００重量部と、窒化アルミニウム又
は上記窒化アルミニウム製基材と同成分の０．１〜５０
重量部と、Ｔｉ 、Ｚｒ 、Ｎｂ 、Ｖ、Ｍｎの水素化
物、酸化物から選ばれた１種又は２種以上の０．１〜１
０重量部と からなることを特徴とする。。
れた１種又は２種以上を含むものである。即ち、第２の
発明の窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物は、 窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物であって、 Ｗ、Ｍｏ及びこれらの硼化物、炭化物から選ばれた１種
又は２Ｆ１以上の１００重量部と、窒化アルミニウム又
は上記窒化アルミニウム製基材と同成分の０．１〜５０
重量部と、Ｔｉ 、Ｚｒ 、Ｎｂ 、Ｖ、Ｍｎの水素化
物、酸化物から選ばれた１種又は２種以上の０．１〜１
０重量部と からなることを特徴とする。。
第１の発明及び第２の発明において、窒化アルミニウム
（Ａ立Ｎ）又は表面処理されるＡ立Ｎ製基材と同成分が
、上記範囲より少ないと表面処理組成物によって形成さ
れる表面処理層とＡｉＮ製基材との結合が十分ではなく
なり、又、逆に上記範囲より多いと上記表面処理層の焼
結性が低下し、メタライズ性が十分ではなくなる。
（Ａ立Ｎ）又は表面処理されるＡ立Ｎ製基材と同成分が
、上記範囲より少ないと表面処理組成物によって形成さ
れる表面処理層とＡｉＮ製基材との結合が十分ではなく
なり、又、逆に上記範囲より多いと上記表面処理層の焼
結性が低下し、メタライズ性が十分ではなくなる。
さらに第２の発明において、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ。
Ｖ、Ｍｎの水素化物、酸化物から選ばれた１種又は２種
以上が、上記範囲より少ないとこれらの化合物の添加に
よる基材と表面処理層との結合の強化という効果がなく
、又逆にこの範囲より多いと基材と表面処理層との結合
は低下する。
以上が、上記範囲より少ないとこれらの化合物の添加に
よる基材と表面処理層との結合の強化という効果がなく
、又逆にこの範囲より多いと基材と表面処理層との結合
は低下する。
又、第１の発明及び第２の発明は通常、セラミツク粉末
をペースト化するために用いる結合剤や溶剤を加えて使
用される。例えば結合剤としては、エチルセルロース、
ブチルカルピトール等をあげることができ、又、溶剤と
してはアセトン、メチルエチルケトン、トルエン、エス
テル等をあげることができる。。
をペースト化するために用いる結合剤や溶剤を加えて使
用される。例えば結合剤としては、エチルセルロース、
ブチルカルピトール等をあげることができ、又、溶剤と
してはアセトン、メチルエチルケトン、トルエン、エス
テル等をあげることができる。。
本発明によって表面処理されるＡＩＮ製基材は、ＡｉＮ
のみでも、又焼結性の向上等を目的として希土類酸化物
（例えばイツトリア）又はアルカリ土類酸化物（例えば
カルシア）等の、通常使用される焼結助剤を含んでもよ
い。
のみでも、又焼結性の向上等を目的として希土類酸化物
（例えばイツトリア）又はアルカリ土類酸化物（例えば
カルシア）等の、通常使用される焼結助剤を含んでもよ
い。
本発明の窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物は、
窒化アルミニウム製基材粉末の成形体上にスクリーン印
刷等で印刷され、上記基材と同時に非酸化性雰囲気中で
焼成する、あるいは、窒化アルミニウム製基材の焼結体
にスクリーン印刷等によって印刷したのち非酸化性雰囲
気中で焼成する等の方法によって前述の表面処理層を形
成する２尚、上記表面処理層の厚さは、基材との結合や
気密性が十分であるために、１μＩＩ以上であることが
好ましく、又、基材と表面処理層との熱膨張率差による
剥離等を防ぐために、５０μｍ以下であることが好まし
い。
窒化アルミニウム製基材粉末の成形体上にスクリーン印
刷等で印刷され、上記基材と同時に非酸化性雰囲気中で
焼成する、あるいは、窒化アルミニウム製基材の焼結体
にスクリーン印刷等によって印刷したのち非酸化性雰囲
気中で焼成する等の方法によって前述の表面処理層を形
成する２尚、上記表面処理層の厚さは、基材との結合や
気密性が十分であるために、１μＩＩ以上であることが
好ましく、又、基材と表面処理層との熱膨張率差による
剥離等を防ぐために、５０μｍ以下であることが好まし
い。
本発明の表面処理組成物は、前述の如く窒化アルミニウ
ム製基材上に表面処理層を形成する。その後、例えば表
面処理層にＮｉメッキを施してからロウ付けすることに
よって窒化アルミニウム製基材と金属とを接合すう。
ム製基材上に表面処理層を形成する。その後、例えば表
面処理層にＮｉメッキを施してからロウ付けすることに
よって窒化アルミニウム製基材と金属とを接合すう。
尚、本発明をＡＡＮ製多層基板の製造に用いる場合、Ｗ
若しくはＭｏの割合を組成の範囲内で多くすることによ
り、上記表面処理層の導電性を高め表面処理層自体を基
板の内部配線として利用できる。
若しくはＭｏの割合を組成の範囲内で多くすることによ
り、上記表面処理層の導電性を高め表面処理層自体を基
板の内部配線として利用できる。
［作用］
第１の発明及び第２の発明の組成物中のＡ立Ｎ、あるい
はメタライズされるＡｉＮ製基材と同成分は、前述の本
組成物によって形成される表面処理層とＡｉＮ製基材と
を結合する。又上記組成物中のＷ、Ｍｏあるいはこれら
の硼化物、炭化物は、表面処理層の金属との濡れ性を改
善して表面処理層と金属とを結合する。
はメタライズされるＡｉＮ製基材と同成分は、前述の本
組成物によって形成される表面処理層とＡｉＮ製基材と
を結合する。又上記組成物中のＷ、Ｍｏあるいはこれら
の硼化物、炭化物は、表面処理層の金属との濡れ性を改
善して表面処理層と金属とを結合する。
第２の発明は上述の作用に加えて、Ｔｉ、Ｚｒ。
Ｎｂ 、Ｖ、Ｍｎの水素化物、酸化物から選ばれた１種
又は２種以上を含むことにより、前述の表面処理層とＡ
ｉＮ製基材との結合をより強固にするものである。
又は２種以上を含むことにより、前述の表面処理層とＡ
ｉＮ製基材との結合をより強固にするものである。
Ｔｉ 、Ｚｒ 、Ｍｎの水素化物、酸化物は、焼成時に
窒化アルミニウム粒子表面に存在する酸素によって生成
するＡｉｚＯｓと反応して、スピネルを形成し、このス
ピネルによって窒化アルミニウム製基材と表面処理層と
の結合がより強固になる。
窒化アルミニウム粒子表面に存在する酸素によって生成
するＡｉｚＯｓと反応して、スピネルを形成し、このス
ピネルによって窒化アルミニウム製基材と表面処理層と
の結合がより強固になる。
又Ｎｂ、Ｖの水素化物、酸化物は、焼成時に上述のＡｊ
ＬｚＯａと反応して液相を生成し、この液相によって窒
化アルミニウム製基材と表面処理層との結合がより強固
になる。特に、窒化アルミニウム製基材が窒化アルミニ
ウム単味であると上記効果が大きい。
ＬｚＯａと反応して液相を生成し、この液相によって窒
化アルミニウム製基材と表面処理層との結合がより強固
になる。特に、窒化アルミニウム製基材が窒化アルミニ
ウム単味であると上記効果が大きい。
［発明の効果］
第１の発明の窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物
は、ＷｌＭｏ又はそれらの硼化物、炭化物と、Ａ立Ｎあ
るいはＡｉＮ製基材と同成分の組成を用いることにより
、窒化アルミニウム製基材と金属との強固な接合を可能
とした。そのため、従来困難だった熱伝導率、電気特性
に優れた性質を持つ窒化アルミニウム製基材を電子機器
や各種の産業機器部品に使用することが可能となった。
は、ＷｌＭｏ又はそれらの硼化物、炭化物と、Ａ立Ｎあ
るいはＡｉＮ製基材と同成分の組成を用いることにより
、窒化アルミニウム製基材と金属との強固な接合を可能
とした。そのため、従来困難だった熱伝導率、電気特性
に優れた性質を持つ窒化アルミニウム製基材を電子機器
や各種の産業機器部品に使用することが可能となった。
又、本発明を用いることにより、窒化アルミニウムの焼
結とメタライズを同時に行なうことができるものである
。そのため、従来困難であった窒化アルミニウム製基板
の多層化が可能となり、放熱能力の大きいこれからの電
子機器に必要とされる多層基板の製造が可能となった。
結とメタライズを同時に行なうことができるものである
。そのため、従来困難であった窒化アルミニウム製基板
の多層化が可能となり、放熱能力の大きいこれからの電
子機器に必要とされる多層基板の製造が可能となった。
第２の発明を用いることにより、第１の発明に加えて、
特に窒化アルミニウム製基材が窒化アルミニウム単味の
時により強固な金属とＡＩＮ製基材との接合が可能とな
った。
特に窒化アルミニウム製基材が窒化アルミニウム単味の
時により強固な金属とＡＩＮ製基材との接合が可能とな
った。
［実施例］
第１の発明の一実施例について第１表により説明する。
本実施例の窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物は
、第１表に示す第１成分１００重量部、第２成分Ｏ〜６
０重量部をアセトン中で湿式粉砕し、該粉砕物にエチル
セルロース５重量部、ブチルカルピトール３０重量部を
添加混合した後にアセトンを揮発して得られた。
、第１表に示す第１成分１００重量部、第２成分Ｏ〜６
０重量部をアセトン中で湿式粉砕し、該粉砕物にエチル
セルロース５重量部、ブチルカルピトール３０重量部を
添加混合した後にアセトンを揮発して得られた。
次いで該組成物を第１表に示す組成の基材のグリーンシ
ート上に２ Ｘ ２ ｍｍ、厚さ２０μｍにスクリーン
印刷し、乾燥し脱脂した後、窒素ガス中において１７０
０℃で１時間焼結して、試料とした。
ート上に２ Ｘ ２ ｍｍ、厚さ２０μｍにスクリーン
印刷し、乾燥し脱脂した後、窒素ガス中において１７０
０℃で１時間焼結して、試料とした。
次いで、該焼結体表面に電解ＮｉメッキによってＮｉ層
を２〜５μｍの厚さに形成し、８５０℃で１ｏ分間シン
ターした後に、共晶銀ローを用いて１×１１のコバール
（コバルトと鉄を含むニッケル合金）板を９３０℃、５
分間でロー付し、その接着強度をビール強度として測定
した。このビール強度は上記コバール板に接合されたリ
ード線を接着面に対して垂直方向に向ってＱ、５ｍｍ／
ｓｅＣの速度で引張り、上記コバール板が焼結体から剥
離したときの強度である。
を２〜５μｍの厚さに形成し、８５０℃で１ｏ分間シン
ターした後に、共晶銀ローを用いて１×１１のコバール
（コバルトと鉄を含むニッケル合金）板を９３０℃、５
分間でロー付し、その接着強度をビール強度として測定
した。このビール強度は上記コバール板に接合されたリ
ード線を接着面に対して垂直方向に向ってＱ、５ｍｍ／
ｓｅＣの速度で引張り、上記コバール板が焼結体から剥
離したときの強度である。
尚、第１表中において表面処理組成物の第１成分とは、
Ｗ、Ｍｏ及びその硼化物、炭化物を指し、第２成分とは
、Ａ立Ｎ及び基材と同一組成を指す。
Ｗ、Ｍｏ及びその硼化物、炭化物を指し、第２成分とは
、Ａ立Ｎ及び基材と同一組成を指す。
この第２成分の量は、第１成分１００重量部に対する重
量部である。
量部である。
第１表の結果から、表面処理組成物は、Ｗ、 Ｍｏある
いはそれらの硼化物、炭化物の他に、ＡｉＮあるいは基
材と同成分を０．１〜５０重量部含むことがビール強度
が大きいために必要であることがわかる。尚、第１表に
記載されなかった組合せについても同様に試験した所、
第１表の結果と同様に表面処理組成物は、Ｗ、Ｍｏある
いはそれらの硼化物、炭化物の他に、ＡｉＮあるいは基
材と同成分を０．１〜５０重農部含むことがビール強度
が大きいために必要であることが認められた。
いはそれらの硼化物、炭化物の他に、ＡｉＮあるいは基
材と同成分を０．１〜５０重量部含むことがビール強度
が大きいために必要であることがわかる。尚、第１表に
記載されなかった組合せについても同様に試験した所、
第１表の結果と同様に表面処理組成物は、Ｗ、Ｍｏある
いはそれらの硼化物、炭化物の他に、ＡｉＮあるいは基
材と同成分を０．１〜５０重農部含むことがビール強度
が大きいために必要であることが認められた。
第２の発明の一実施例について第２表により説明する。
本実施例は、第２表に示す表面処理組成物を第２表の所
定量で混合し、第１の発明の一実施例と同様にして表面
処理層を得た。
定量で混合し、第１の発明の一実施例と同様にして表面
処理層を得た。
次いで第１の発明の一実施例と同様にしてビール強度を
測定した。
測定した。
第２表の結果より、表面処理組成物は第１の発明の組成
に加えて、Ｔｉ 、 Ｚｒ 、Ｎｂ 、Ｖ、Ｍｎの水素
化物、酸化物を０．１〜１０重量部含むと第１の発明に
比べてよりビール強度が大きくなることがわかった。尚
、第２表に記載されなかった組合せについても同様の試
験を行なった所、第２表の結果と同様に、表面処理組成
物が第１の発明の組成に加えて、Ｔｉ 、Ｚｒ 、Ｎｂ
、Ｖ、Ｍｎの水素化物、酸化物を０．１〜１０重量部
含むと第１の発明に比べてよりビール強度が大きくなる
ことが認められた。
に加えて、Ｔｉ 、 Ｚｒ 、Ｎｂ 、Ｖ、Ｍｎの水素
化物、酸化物を０．１〜１０重量部含むと第１の発明に
比べてよりビール強度が大きくなることがわかった。尚
、第２表に記載されなかった組合せについても同様の試
験を行なった所、第２表の結果と同様に、表面処理組成
物が第１の発明の組成に加えて、Ｔｉ 、Ｚｒ 、Ｎｂ
、Ｖ、Ｍｎの水素化物、酸化物を０．１〜１０重量部
含むと第１の発明に比べてよりビール強度が大きくなる
ことが認められた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物であつて
、 Ｗ、Ｍｏ及びこれらの硼化物、炭化物から選ばれた１種
又は２種以上の１００重量部と、 窒化アルミニウム又は上記窒化アルミニウム基材と同成
分の０．１〜５０重量部と からなることを特徴とする窒化アルミニウム製基材の表
面処理組成物。 ２ 窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物であつて
、 Ｗ、Ｍｏ及びこれらの硼化物、炭化物から選ばれた１種
又は２種以上の１００重量部と、 窒化アルミニウム又は上記窒化アルミニウム製基材と同
成分の０．１〜５０重量部と、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｎの水素化物、酸化物から選
ばれた１種又は２種以上の０．１〜１０重量部と からなることを特徴とする窒化アルミニウム製基材の表
面処理組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13157085A JPS61291480A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物 |
| US06/869,792 US4695517A (en) | 1985-05-31 | 1986-06-02 | Composite layer aluminum nitride base sintered body |
| US07/050,388 US4800137A (en) | 1985-05-13 | 1987-05-18 | Composite layer aluminum nitride base sintered body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13157085A JPS61291480A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61291480A true JPS61291480A (ja) | 1986-12-22 |
| JPH0323512B2 JPH0323512B2 (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=15061147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13157085A Granted JPS61291480A (ja) | 1985-05-13 | 1985-06-17 | 窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61291480A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6265991A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-25 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性セラミツクス基板 |
| JPS62197377A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-09-01 | 株式会社東芝 | イグナイタ−用基板 |
| JPS62197379A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-09-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム基板 |
| JPS63182282A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-27 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体 |
| JPS63195183A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-12 | 住友電気工業株式会社 | メタライズ面を有するＡｌＮ焼結体の製造方法 |
| JPS63206377A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-25 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS64788A (en) * | 1987-03-31 | 1989-01-05 | Toshiba Corp | Surface conductive ceramic substrate and manufacture of the same and metallizing compound for the same |
| JPH0834686A (ja) * | 1993-07-29 | 1996-02-06 | Toshiba Corp | 導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| JPH08109084A (ja) * | 1994-02-14 | 1996-04-30 | Toshiba Corp | 導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| JP2002080287A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-19 | Toshiba Electronic Engineering Corp | メタライズＡｌＮ基板 |
-
1985
- 1985-06-17 JP JP13157085A patent/JPS61291480A/ja active Granted
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0510310B2 (ja) * | 1985-09-13 | 1993-02-09 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS6265991A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-25 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性セラミツクス基板 |
| JPS62197377A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-09-01 | 株式会社東芝 | イグナイタ−用基板 |
| JPS62197379A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-09-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム基板 |
| JPH0516398B2 (ja) * | 1986-02-20 | 1993-03-04 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS63182282A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-27 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体 |
| JPH0511070B2 (ja) * | 1987-01-20 | 1993-02-12 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS63195183A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-12 | 住友電気工業株式会社 | メタライズ面を有するＡｌＮ焼結体の製造方法 |
| JPH0511069B2 (ja) * | 1987-02-06 | 1993-02-12 | Sumitomo Electric Industries | |
| JPS63206377A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-25 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPS64788A (en) * | 1987-03-31 | 1989-01-05 | Toshiba Corp | Surface conductive ceramic substrate and manufacture of the same and metallizing compound for the same |
| JPH0529315B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1993-04-30 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPH0834686A (ja) * | 1993-07-29 | 1996-02-06 | Toshiba Corp | 導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| JPH08109084A (ja) * | 1994-02-14 | 1996-04-30 | Toshiba Corp | 導電性メタライズ層を有する窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
| JP2002080287A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-19 | Toshiba Electronic Engineering Corp | メタライズＡｌＮ基板 |
| JP4649026B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2011-03-09 | 株式会社東芝 | メタライズＡｌＮ基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0323512B2 (ja) | 1991-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4695517A (en) | Composite layer aluminum nitride base sintered body | |
| US4961987A (en) | Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same | |
| JPS62207789A (ja) | 窒化アルミニウム製基材の表面構造及びその製造法 | |
| JPS61291480A (ja) | 窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物 | |
| JP3408298B2 (ja) | 高熱伝導性窒化けい素メタライズ基板，その製造方法および窒化けい素モジュール | |
| JPS61281089A (ja) | 窒化アルミニウム製基材の表面構造 | |
| JPH0243700B2 (ja) | ||
| JPS6077186A (ja) | 金属化表面を有するセラミツクス焼結体 | |
| JPS61270263A (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体の製造法 | |
| JP2563809B2 (ja) | 半導体用窒化アルミニウム基板 | |
| JPS61286287A (ja) | 窒化アルミニウム製基材の表面処理方法 | |
| JPS61281074A (ja) | メタライズ用高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 | |
| JP2620326B2 (ja) | 金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JP2784540B2 (ja) | メタライズ用組成物 | |
| JP2763516B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法 | |
| JPS61295275A (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 | |
| JP2867693B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPH01301575A (ja) | 半導体用窒化アルミニウム基板 | |
| JPS6386598A (ja) | 高熱伝導性回路基板の製法 | |
| JPH029764A (ja) | セラミックス基板 | |
| JPH03146487A (ja) | 金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JPH06166573A (ja) | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 | |
| JPS63115393A (ja) | 高熱伝導性回路基板 | |
| JPS62128991A (ja) | 窒化物セラミツク体のメタライズ組成物及びメタライズ方法 | |
| JPH0218371A (ja) | ＡｌＮ体のタングステンメタライズ構造 |