JPS6024561B2 - 抵抗膜薄 - Google Patents
抵抗膜薄Info
- Publication number
- JPS6024561B2 JPS6024561B2 JP55080580A JP8058080A JPS6024561B2 JP S6024561 B2 JPS6024561 B2 JP S6024561B2 JP 55080580 A JP55080580 A JP 55080580A JP 8058080 A JP8058080 A JP 8058080A JP S6024561 B2 JPS6024561 B2 JP S6024561B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- temperature coefficient
- thin film
- resistive film
- film thin
- Prior art date
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- Expired
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子部品として使用される抵抗薄膜に関する
ものである。
ものである。
この種抵抗薄膜として具備すべき好ましい特性としては
、面積抵抗が比較的大きいこと、安定性すなわち抵抗値
の経時変化が小さいこと、抵抗温度係数が小さいこと、
また抵抗温度係数の経時変化が小さいこと、電流雑音が
小さいこと、非直線性（第３高調波）が大きいこと等の
種々にわたる特性が要求される。
、面積抵抗が比較的大きいこと、安定性すなわち抵抗値
の経時変化が小さいこと、抵抗温度係数が小さいこと、
また抵抗温度係数の経時変化が小さいこと、電流雑音が
小さいこと、非直線性（第３高調波）が大きいこと等の
種々にわたる特性が要求される。
さらに、近年はこの抵抗温度係数に対して中心値が０〜
２朝伽（Ｃといった小さいものの要求が市場からも強ま
ってきている。本発明はこれらの特性を満足し、かつ安
価にして安定的に抵抗薄膜を提供することを目的とする
。従釆、抵抗薄膜はスパッタリングや電子ビーム蒸着、
抵抗加熱蒸着等により、基体上に被着することにより作
られている。
２朝伽（Ｃといった小さいものの要求が市場からも強ま
ってきている。本発明はこれらの特性を満足し、かつ安
価にして安定的に抵抗薄膜を提供することを目的とする
。従釆、抵抗薄膜はスパッタリングや電子ビーム蒸着、
抵抗加熱蒸着等により、基体上に被着することにより作
られている。
そして、薄膜材料としては、窒化タンタル（ＴａＮ）、
室化チタン（ＴＩＮ）やニッケルークローム（Ｎｉ一Ｃ
ｒ）合金、ニッケルークロームーアルミニウム（Ｎｉ−
Ｃｒ一Ｎ）合金、ニッケルークロームーシリコン（Ｎｉ
一Ｃｒ−Ｓｉ）合金等が実用化されている。しかし、Ｔ
ＩＮやＴａＭま徽章のＮ２ガスを導入する反応性着膜を
必要とするため、制御が難かしく、再現性が得にくい。
また、Ｎｉ一Ｃｒは比抵抗が高く、その酸化皮膜は繊密
で耐熱性、耐薬品性とも優れてはいるが、その抵抗温度
係数は１００〜１５■地／ｑＣと大きい。さらに、Ｎｉ
一Ｃｒ−ＡＩ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉは繊密で耐熱性、耐薬
品性に富み、抵抗温度係数も小さいが、山もしくはＳｉ
量が最適条件から少しでも外れると抵抗温度係数は大き
くなるため、ＡＩもしくはＳｉの微妙な量の加減が必要
であり、小さい抵抗温度係数の抵抗薄膜を安定に継続し
て作るには高度の製造技術が必要である。本発明は上記
のような点に鑑みてなされたものであり、以下その実施
例について詳細に説明する。
室化チタン（ＴＩＮ）やニッケルークローム（Ｎｉ一Ｃ
ｒ）合金、ニッケルークロームーアルミニウム（Ｎｉ−
Ｃｒ一Ｎ）合金、ニッケルークロームーシリコン（Ｎｉ
一Ｃｒ−Ｓｉ）合金等が実用化されている。しかし、Ｔ
ＩＮやＴａＭま徽章のＮ２ガスを導入する反応性着膜を
必要とするため、制御が難かしく、再現性が得にくい。
また、Ｎｉ一Ｃｒは比抵抗が高く、その酸化皮膜は繊密
で耐熱性、耐薬品性とも優れてはいるが、その抵抗温度
係数は１００〜１５■地／ｑＣと大きい。さらに、Ｎｉ
一Ｃｒ−ＡＩ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉは繊密で耐熱性、耐薬
品性に富み、抵抗温度係数も小さいが、山もしくはＳｉ
量が最適条件から少しでも外れると抵抗温度係数は大き
くなるため、ＡＩもしくはＳｉの微妙な量の加減が必要
であり、小さい抵抗温度係数の抵抗薄膜を安定に継続し
て作るには高度の製造技術が必要である。本発明は上記
のような点に鑑みてなされたものであり、以下その実施
例について詳細に説明する。
まず、アルミナ円柱形の基体にＤＣマグネトロンスパツ
タリング法により合金ターゲットからニッケル（Ｎｉ）
、クローム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、イットリウム
（Ｙ）をスパッタリングして着膿させた。
タリング法により合金ターゲットからニッケル（Ｎｉ）
、クローム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、イットリウム
（Ｙ）をスパッタリングして着膿させた。
この時の各成分の比率は下記の表１に示す通りである。
ついで、着膜された基体を加熱炉に入れ、空気中で４０
ぴ○、１時間の加熱処理を行った。こうして得られた着
膜済基体の両端にリード線付キャップをかしめっけし、
試料とした。この試料の抵抗温度係数、比抵抗を各１の
固の平均値で調べた結果を下記の表２に示す。また、表
２には参考としてニッケル、クロームを用い、上記と同
一条件で作成した試料の特性値を併せて示している。な
お、抵抗温度係数は十２５ｑ０、十７がｏの２点間で測
定した。＜表 １＞ く表 ２＞ （注） 成分比はＮｉ−Ｃｒ（８０：２０）に対する添
加成分比を示す。
ついで、着膜された基体を加熱炉に入れ、空気中で４０
ぴ○、１時間の加熱処理を行った。こうして得られた着
膜済基体の両端にリード線付キャップをかしめっけし、
試料とした。この試料の抵抗温度係数、比抵抗を各１の
固の平均値で調べた結果を下記の表２に示す。また、表
２には参考としてニッケル、クロームを用い、上記と同
一条件で作成した試料の特性値を併せて示している。な
お、抵抗温度係数は十２５ｑ０、十７がｏの２点間で測
定した。＜表 １＞ く表 ２＞ （注） 成分比はＮｉ−Ｃｒ（８０：２０）に対する添
加成分比を示す。
上記の表のように本発明による実施例１〜４と参考例と
では、抵抗温度係数が著しく異なる。
では、抵抗温度係数が著しく異なる。
また、従釆より抵抗薄膜として使用されているＮｉ−Ｃ
ｒ−Ｎの場合、ＡＩの比率を０．７〜６程度考えた時、
抵抗温度係数は２０〜３０脚／ｑＣ程度変動する。これ
に対して、ニッケル、クローム、シリコンおよびイット
リウムよりなる本発明の抵抗薄膜は抵抗温度係数が小さ
く、また一部の成分の比率が変わってもその抵抗温度係
数の値は安定しているため、製造時に比率の微妙な加減
をしないで、比較的楽に所望の高抵抗の抵抗薄膜を得る
ことができる。また、電流雑音は完成抵抗値２００ＫＱ
で０．０４レＶ／Ｖ程度、第３高調波指数は同２００Ｋ
Ｑで１３ＭＢ程度と良い特性を示した。さらに、温度１
２５ｑｏで定格電力（例１／４Ｗ）を１．戦時間印加し
、３び分切るということを繰り返す負荷寿命試験を行っ
たところ、図に示すような結果を得た。それぞれ本発明
品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ｓｉ：Ｙ＝８０：２０：３：０．７）
による特性ａ、従来品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ｎ＝８０：２０：
３）による特性ｂ、同じく従来品（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：
２０）による特性ｃを比較したものである。図より２０
００時間の加速試験を経て本発明の抵抗薄膜が長期使用
状態においても安定であり、寿命的にも効果のあること
が解る。以上のように本発明の抵抗薄膜は、各種の特性
において良好な値を示し、かつ安価にして安定的に製作
することができ、その産業性は大なるものである。
ｒ−Ｎの場合、ＡＩの比率を０．７〜６程度考えた時、
抵抗温度係数は２０〜３０脚／ｑＣ程度変動する。これ
に対して、ニッケル、クローム、シリコンおよびイット
リウムよりなる本発明の抵抗薄膜は抵抗温度係数が小さ
く、また一部の成分の比率が変わってもその抵抗温度係
数の値は安定しているため、製造時に比率の微妙な加減
をしないで、比較的楽に所望の高抵抗の抵抗薄膜を得る
ことができる。また、電流雑音は完成抵抗値２００ＫＱ
で０．０４レＶ／Ｖ程度、第３高調波指数は同２００Ｋ
Ｑで１３ＭＢ程度と良い特性を示した。さらに、温度１
２５ｑｏで定格電力（例１／４Ｗ）を１．戦時間印加し
、３び分切るということを繰り返す負荷寿命試験を行っ
たところ、図に示すような結果を得た。それぞれ本発明
品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ｓｉ：Ｙ＝８０：２０：３：０．７）
による特性ａ、従来品（Ｎｉ：Ｃｒ：Ｎ＝８０：２０：
３）による特性ｂ、同じく従来品（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：
２０）による特性ｃを比較したものである。図より２０
００時間の加速試験を経て本発明の抵抗薄膜が長期使用
状態においても安定であり、寿命的にも効果のあること
が解る。以上のように本発明の抵抗薄膜は、各種の特性
において良好な値を示し、かつ安価にして安定的に製作
することができ、その産業性は大なるものである。
図は本発明品と従来品による負荷寿命試験結果を比較し
て示す図である。
て示す図である。
Claims (1)
- １ ニツケル、クローム、シリコンおよびイツトリウム
からなることを特徴とする抵抗薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55080580A JPS6024561B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗膜薄 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55080580A JPS6024561B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗膜薄 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS575305A JPS575305A (en) | 1982-01-12 |
| JPS6024561B2 true JPS6024561B2 (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=13722278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55080580A Expired JPS6024561B2 (ja) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | 抵抗膜薄 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024561B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0710615B2 (ja) * | 1985-07-19 | 1995-02-08 | 富士通株式会社 | カラ−プリンタ装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5050708B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2012-10-17 | 日産自動車株式会社 | エアサスペンション装置 |
-
1980
- 1980-06-13 JP JP55080580A patent/JPS6024561B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0710615B2 (ja) * | 1985-07-19 | 1995-02-08 | 富士通株式会社 | カラ−プリンタ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS575305A (en) | 1982-01-12 |
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