JPH06275409A - 薄膜抵抗素子の製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗素子の製造方法Info
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- JPH06275409A JPH06275409A JP5058671A JP5867193A JPH06275409A JP H06275409 A JPH06275409 A JP H06275409A JP 5058671 A JP5058671 A JP 5058671A JP 5867193 A JP5867193 A JP 5867193A JP H06275409 A JPH06275409 A JP H06275409A
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- Japan
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- sputtering
- resistance
- tantalum nitride
- film
- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 窒化タンタルからなる薄膜抵抗を有する薄膜
抵抗素子を製造するに際して、真空アニールを行うこと
なく、安定して抵抗の温度係数を零ppm/℃に近い値とす
ることのできる方法を提供する。 【構成】 ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノ
ンからなる群から選ばれる希ガス類元素および窒素の混
合ガス雰囲気中でタンタルをスパッタすることにより基
板上に窒化タンタル層を形成し、この窒化タンタル層に
対してＲＦ電極装置を用いて前記希ガス類元素をスパッ
タすることを含む、薄膜抵抗素子の製造方法。
抵抗素子を製造するに際して、真空アニールを行うこと
なく、安定して抵抗の温度係数を零ppm/℃に近い値とす
ることのできる方法を提供する。 【構成】 ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノ
ンからなる群から選ばれる希ガス類元素および窒素の混
合ガス雰囲気中でタンタルをスパッタすることにより基
板上に窒化タンタル層を形成し、この窒化タンタル層に
対してＲＦ電極装置を用いて前記希ガス類元素をスパッ
タすることを含む、薄膜抵抗素子の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜抵抗素子、特に窒
化タンタルからなる薄膜抵抗素子の製造方法に関する。
化タンタルからなる薄膜抵抗素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術とその課題】薄膜抵抗素子は、温度の変動に
対してその固有抵抗が変化してしまうと、温度が変化す
る環境下においては安定な動作を行うことができず、信
頼性の低いものとなる。従って、薄膜抵抗素子は、理想
的には、温度に対する抵抗の変化率が零であるのが望ま
しい。
対してその固有抵抗が変化してしまうと、温度が変化す
る環境下においては安定な動作を行うことができず、信
頼性の低いものとなる。従って、薄膜抵抗素子は、理想
的には、温度に対する抵抗の変化率が零であるのが望ま
しい。
【０００３】薄膜抵抗素子は、一般に、タンタルやニク
ロム系の材料を用いて製造されている。タンタルを用い
て薄膜抵抗素子を製造する方法では、一般に、アルゴン
および窒素のガス雰囲気中で、適当な窒素分圧下に、タ
ンタルをスパッタすることによりアルミナ基板等の上に
窒化タンタル膜を付着させることが行われている。この
際、スパッタの間の雰囲気における窒素分圧により、得
られる膜の抵抗の温度係数即ち温度抵抗変化率（ＴＣ
Ｒ）は図１の如く変化する。しかして、図１において抵
抗の温度係数が零のポイント（Ｐ）が存在するが、この
Ｐ点近傍では窒素分圧の変動により温度係数が大きく変
化するため、かかる窒素分圧下にスパッタを行って、温
度変化に対して安定な抵抗を示す膜を得ることは実際上
不可能である。
ロム系の材料を用いて製造されている。タンタルを用い
て薄膜抵抗素子を製造する方法では、一般に、アルゴン
および窒素のガス雰囲気中で、適当な窒素分圧下に、タ
ンタルをスパッタすることによりアルミナ基板等の上に
窒化タンタル膜を付着させることが行われている。この
際、スパッタの間の雰囲気における窒素分圧により、得
られる膜の抵抗の温度係数即ち温度抵抗変化率（ＴＣ
Ｒ）は図１の如く変化する。しかして、図１において抵
抗の温度係数が零のポイント（Ｐ）が存在するが、この
Ｐ点近傍では窒素分圧の変動により温度係数が大きく変
化するため、かかる窒素分圧下にスパッタを行って、温
度変化に対して安定な抵抗を示す膜を得ることは実際上
不可能である。
【０００４】他の方法としては、一般に薄膜抵抗として
用いられる、図１のＤ領域で得られた窒化タンタル膜
（温度係数−５０〜−７０ppm/℃) を真空中でアニール
することにより、抵抗の温度係数を零に近づける方法が
ある（Tantalum Nitride ThinFilm Resistors with Low
TCR, Proc. Electron Comp. Conf. '70 p58 〜62) 。
真空アニール法における熱処理温度に対する温度係数の
変化を図２に示す。しかしながら、この方法の欠点は、
基板上に抵抗膜を作成した後、これをスパッタ装置から
取り出して処理しなければならないことにある。一般
に、薄膜抵抗素子を製造する際には、同一のスパッタ装
置内で抵抗用薄膜と抵抗上部の電極膜を連続して作成
し、薄膜間の密着性を確保する方法がとられる。このた
め、真空アニール法を用いて得られた薄膜抵抗素子は、
薄膜間の密着性において信頼性に欠けるという問題があ
る。
用いられる、図１のＤ領域で得られた窒化タンタル膜
（温度係数−５０〜−７０ppm/℃) を真空中でアニール
することにより、抵抗の温度係数を零に近づける方法が
ある（Tantalum Nitride ThinFilm Resistors with Low
TCR, Proc. Electron Comp. Conf. '70 p58 〜62) 。
真空アニール法における熱処理温度に対する温度係数の
変化を図２に示す。しかしながら、この方法の欠点は、
基板上に抵抗膜を作成した後、これをスパッタ装置から
取り出して処理しなければならないことにある。一般
に、薄膜抵抗素子を製造する際には、同一のスパッタ装
置内で抵抗用薄膜と抵抗上部の電極膜を連続して作成
し、薄膜間の密着性を確保する方法がとられる。このた
め、真空アニール法を用いて得られた薄膜抵抗素子は、
薄膜間の密着性において信頼性に欠けるという問題があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、窒化タンタ
ルからなる薄膜抵抗を有する薄膜抵抗素子を製造するに
際して、真空アニールを行うことなく、安定して抵抗の
温度係数を零ppm/℃に近い値とすることのできる方法を
提供しようとするものである。
ルからなる薄膜抵抗を有する薄膜抵抗素子を製造するに
際して、真空アニールを行うことなく、安定して抵抗の
温度係数を零ppm/℃に近い値とすることのできる方法を
提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセ
ノンからなる群から選ばれる希ガス類元素および窒素の
混合ガス雰囲気中でタンタルをスパッタすることにより
基板上に窒化タンタル層を形成し、この窒化タンタル層
に対してＲＦ電極装置を用いて前記希ガス類元素をスパ
ッタすることを含む、薄膜抵抗素子の製造方法を提供す
る。
決するため、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセ
ノンからなる群から選ばれる希ガス類元素および窒素の
混合ガス雰囲気中でタンタルをスパッタすることにより
基板上に窒化タンタル層を形成し、この窒化タンタル層
に対してＲＦ電極装置を用いて前記希ガス類元素をスパ
ッタすることを含む、薄膜抵抗素子の製造方法を提供す
る。
【０００７】
【作用】本発明の方法において、希ガス類元素および窒
素の混合ガス雰囲気下に図１のＤ範囲の窒素分圧におい
て、タンタルターゲットを用いてスパッタすることによ
り、基板上に窒化タンタルの抵抗膜の形成を行う。この
膜の抵抗の温度係数は、−５０〜−７０ppm/℃であり、
Ｄレンジが広いために、窒素分圧の多少の変動に対して
も抵抗の温度係数が大きく変動することはないから、再
現性の良い膜の形成が可能である。次に、この窒化タン
タル膜に対してＲＦ電極装置による逆スパッタにより前
記希ガス類元素のイオンを注入する。希ガス類元素のイ
オンは、窒化タンタル膜中に侵入し、窒素イオンを固体
からはじき出す作用を有する。従って、基板上の上記窒
化タンタル膜に対してかかる逆スパッタを行えば、見か
け上、窒素分圧の低い雰囲気下に膜を形成したのと同じ
ことになり、膜の抵抗の温度係数を零ppm/℃に近づける
ことが可能となるのである。
素の混合ガス雰囲気下に図１のＤ範囲の窒素分圧におい
て、タンタルターゲットを用いてスパッタすることによ
り、基板上に窒化タンタルの抵抗膜の形成を行う。この
膜の抵抗の温度係数は、−５０〜−７０ppm/℃であり、
Ｄレンジが広いために、窒素分圧の多少の変動に対して
も抵抗の温度係数が大きく変動することはないから、再
現性の良い膜の形成が可能である。次に、この窒化タン
タル膜に対してＲＦ電極装置による逆スパッタにより前
記希ガス類元素のイオンを注入する。希ガス類元素のイ
オンは、窒化タンタル膜中に侵入し、窒素イオンを固体
からはじき出す作用を有する。従って、基板上の上記窒
化タンタル膜に対してかかる逆スパッタを行えば、見か
け上、窒素分圧の低い雰囲気下に膜を形成したのと同じ
ことになり、膜の抵抗の温度係数を零ppm/℃に近づける
ことが可能となるのである。
【０００８】図３に、希ガス類元素としてアルゴンを用
い、上記方法により得られた窒化タンタル膜における、
逆スパッタ時のＲＦパワーと抵抗の温度係数即ち抵抗温
度変化率（ＴＣＲ）の変化を示す。逆スパッタの際のＲ
Ｆパワーを増加することにより、アルゴンイオンの窒化
タンタル膜中への侵入距離が大きくなるため、ＴＣＲの
変化も大きくなる。ただし、窒化タンタル膜の初期膜厚
が大きい時は、逆スパッタ時のＲＦパワーを大きくして
も、アルゴンイオンの侵入距離には限度があるため、Ｔ
ＣＲの変化にも限度がある。
い、上記方法により得られた窒化タンタル膜における、
逆スパッタ時のＲＦパワーと抵抗の温度係数即ち抵抗温
度変化率（ＴＣＲ）の変化を示す。逆スパッタの際のＲ
Ｆパワーを増加することにより、アルゴンイオンの窒化
タンタル膜中への侵入距離が大きくなるため、ＴＣＲの
変化も大きくなる。ただし、窒化タンタル膜の初期膜厚
が大きい時は、逆スパッタ時のＲＦパワーを大きくして
も、アルゴンイオンの侵入距離には限度があるため、Ｔ
ＣＲの変化にも限度がある。
【０００９】図４には、上記の方法において、窒化タン
タル膜の初期膜厚を変えた場合（逆スパッタパワーは一
定）のＴＣＲの変化を示す。初期膜厚が小さい程、初期
膜厚に対するアルゴンイオンの侵入距離が大きくなるた
め、ＴＣＲの変化も大きくなる。以上の如く、逆スパッ
タのＲＦパワーおよび初期膜厚を変えることにより、Ｔ
ＣＲを変化させることが可能である。ただし、所定のシ
ート抵抗の膜を得るためには一定の膜厚が必要でなるた
め、逆スパッタパワーに限界がある場合は、抵抗膜スパ
ッタと逆スパッタとを交互に繰り返し行って必要な膜厚
とし、全体のＴＣＲの改善をすることが可能となる。
タル膜の初期膜厚を変えた場合（逆スパッタパワーは一
定）のＴＣＲの変化を示す。初期膜厚が小さい程、初期
膜厚に対するアルゴンイオンの侵入距離が大きくなるた
め、ＴＣＲの変化も大きくなる。以上の如く、逆スパッ
タのＲＦパワーおよび初期膜厚を変えることにより、Ｔ
ＣＲを変化させることが可能である。ただし、所定のシ
ート抵抗の膜を得るためには一定の膜厚が必要でなるた
め、逆スパッタパワーに限界がある場合は、抵抗膜スパ
ッタと逆スパッタとを交互に繰り返し行って必要な膜厚
とし、全体のＴＣＲの改善をすることが可能となる。
【００１０】図５は、本発明の方法による得られる薄膜
抵抗素子の模式図である。ガラスセラミック、ムライ
ト、アルミナ、窒化アルミ、シリコン等からなる基板１
上に、窒化タンタルからなる薄膜抵抗２が形成され、そ
の上に銅、ニッケル、金等からなる一対の電極３が形成
されている。ここでは、説明の簡単のため、素子の１単
位のみを示しているが、実際には１枚の基板上にかかる
薄膜抵抗２と電極対３からなる素子単位が多数形成され
ているのが普通である。
抵抗素子の模式図である。ガラスセラミック、ムライ
ト、アルミナ、窒化アルミ、シリコン等からなる基板１
上に、窒化タンタルからなる薄膜抵抗２が形成され、そ
の上に銅、ニッケル、金等からなる一対の電極３が形成
されている。ここでは、説明の簡単のため、素子の１単
位のみを示しているが、実際には１枚の基板上にかかる
薄膜抵抗２と電極対３からなる素子単位が多数形成され
ているのが普通である。
【００１１】本発明の方法は、例えば、図６に示す如き
カルーセルタイプのスパッタ装置を用いて実施すること
ができる。この装置は、例えば、アルゴン等の希ガス類
元素のガスおよび窒素ガスの導入口４、５と、タンタル
ターゲット６とシャッター７を含むＤＣスパッタ装置
と、その反対側に置かれたＲＦ逆スパッタ電極装置８
と、基板１を保持する回転ドラム９と、基板加熱ヒータ
ー１０とを有する。回転ドラム９上に基板１をセット
し、ドラムを矢印の方向に回転させながら、排気する。
次いで、基板加熱ヒーター１０により基板１を所定の温
度まで加熱する。ドラムの回転を続けながらタンタルタ
ーゲット６の前にシャッター７を移動させ、プレスパッ
タを行う。次いで、ガス導入口４、５からそれぞれ希ガ
ス類元素ガスおよび窒素ガスを導入し、再びタンタルタ
ーゲットの前にシャッターを移動させ、基板に対してス
パッタを開始する。タンタルスパッタの開始と同時にＲ
Ｆ逆スパッタ電極装置８からプラズマを発生させる。か
かる操作により、ドラムの回転の間にＤＣスパッタ装置
により基板上に窒化タンタル膜が形成され、ＲＦ逆スパ
ッタ電極装置により基板上の窒化タンタル膜がアルゴン
イオン（Ar+) でたたかれる。所望ならば、かかる工程
を所定の抵抗値（膜厚）の有する窒化タンタル膜が得ら
れるまで繰り返す。
カルーセルタイプのスパッタ装置を用いて実施すること
ができる。この装置は、例えば、アルゴン等の希ガス類
元素のガスおよび窒素ガスの導入口４、５と、タンタル
ターゲット６とシャッター７を含むＤＣスパッタ装置
と、その反対側に置かれたＲＦ逆スパッタ電極装置８
と、基板１を保持する回転ドラム９と、基板加熱ヒータ
ー１０とを有する。回転ドラム９上に基板１をセット
し、ドラムを矢印の方向に回転させながら、排気する。
次いで、基板加熱ヒーター１０により基板１を所定の温
度まで加熱する。ドラムの回転を続けながらタンタルタ
ーゲット６の前にシャッター７を移動させ、プレスパッ
タを行う。次いで、ガス導入口４、５からそれぞれ希ガ
ス類元素ガスおよび窒素ガスを導入し、再びタンタルタ
ーゲットの前にシャッターを移動させ、基板に対してス
パッタを開始する。タンタルスパッタの開始と同時にＲ
Ｆ逆スパッタ電極装置８からプラズマを発生させる。か
かる操作により、ドラムの回転の間にＤＣスパッタ装置
により基板上に窒化タンタル膜が形成され、ＲＦ逆スパ
ッタ電極装置により基板上の窒化タンタル膜がアルゴン
イオン（Ar+) でたたかれる。所望ならば、かかる工程
を所定の抵抗値（膜厚）の有する窒化タンタル膜が得ら
れるまで繰り返す。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、さらに説明す
る。 実施例１ 図６に示す構成を有するカルーセルタイプのスパッタ装
置を用い、下記の工程操作を行って、ガラスセラミック
基板上に窒化タンタル膜を形成した。
る。 実施例１ 図６に示す構成を有するカルーセルタイプのスパッタ装
置を用い、下記の工程操作を行って、ガラスセラミック
基板上に窒化タンタル膜を形成した。
【００１３】排気工程 ５×１０-7 mbar/s 加熱工程 ３００℃×１hr プレスパッタ工程 タンタルターゲットの脱ガス等を十
分に行う スパッタ工程 下記の表１に示す条件下にスパッタ
を行う 冷却工程 １００℃まで冷却 取り出し工程
分に行う スパッタ工程 下記の表１に示す条件下にスパッタ
を行う 冷却工程 １００℃まで冷却 取り出し工程
【００１４】
【表１】
【００１５】上記の操作により得られたスパッタガス雰
囲気中の窒素ガス圧（ＰN2）と窒化タンタル膜のＴＣＲ
との関係を図７に示す。ＤＣスパッタパワーが３kwであ
る場合（実験３）に、ＴＣＲが−７０ppm/℃付近で比較
的安定な、好ましいプラトー領域が現れることがわか
る。 実施例２ 実施例１と全く同様の操作を繰り返したが、ここではス
パッタ工程を下記の表２に示す条件下に行った。
囲気中の窒素ガス圧（ＰN2）と窒化タンタル膜のＴＣＲ
との関係を図７に示す。ＤＣスパッタパワーが３kwであ
る場合（実験３）に、ＴＣＲが−７０ppm/℃付近で比較
的安定な、好ましいプラトー領域が現れることがわか
る。 実施例２ 実施例１と全く同様の操作を繰り返したが、ここではス
パッタ工程を下記の表２に示す条件下に行った。
【００１６】
【表２】
【００１７】上記の操作により得られたスパッタガス雰
囲気中の窒素ガス圧（ＰN2）と窒化タンタル膜のＴＣＲ
との関係を図８に示す。窒素ガス圧６．０×１０-4〜
７．０×１０-4mbarにおいて、ＲＦ逆スパッタを行わな
かった実験４の場合にはＴＣＲは−７０ppm/℃付近であ
るのに対して、ＲＦパワーが１．５kwであった実験７の
場合にはＴＣＲは−２０ppm/℃付近と極めて小さくなっ
ていることがわかる。
囲気中の窒素ガス圧（ＰN2）と窒化タンタル膜のＴＣＲ
との関係を図８に示す。窒素ガス圧６．０×１０-4〜
７．０×１０-4mbarにおいて、ＲＦ逆スパッタを行わな
かった実験４の場合にはＴＣＲは−７０ppm/℃付近であ
るのに対して、ＲＦパワーが１．５kwであった実験７の
場合にはＴＣＲは−２０ppm/℃付近と極めて小さくなっ
ていることがわかる。
【００１８】なお、上記のスパッタ工程を、１回当たり
３０秒として１４回繰り返した場合に、７００Åの厚さ
の窒化タンタル膜が得られ、そのシート抵抗は３０〜３
１Ω／□であった。 実施例３ 実施例１と全く同様の操作を繰り返したが、ここではス
パッタ工程を下記の表３に示す条件下に行った。
３０秒として１４回繰り返した場合に、７００Åの厚さ
の窒化タンタル膜が得られ、そのシート抵抗は３０〜３
１Ω／□であった。 実施例３ 実施例１と全く同様の操作を繰り返したが、ここではス
パッタ工程を下記の表３に示す条件下に行った。
【００１９】
【表３】
【００２０】上記の操作により得られた各窒化タンタル
膜サンプル（実験８および９）に対して高温放置試験お
よび高温高湿負荷試験を行い、それぞれの抵抗変化率を
測定した。高温放置試験は、得られた薄膜パターンサン
プルを用い、これを１５０℃および２００℃の恒温槽中
に放置し、初期（０時間）および１００、２００、５０
０および１０００時間後の抵抗変化率を測定することに
より行った。一般には、得られた結果のグラフから外挿
して、１００℃で１５年放置した場合の抵抗変化率を推
定し、この値が４％であれば量産に際して問題無しと判
定する。
膜サンプル（実験８および９）に対して高温放置試験お
よび高温高湿負荷試験を行い、それぞれの抵抗変化率を
測定した。高温放置試験は、得られた薄膜パターンサン
プルを用い、これを１５０℃および２００℃の恒温槽中
に放置し、初期（０時間）および１００、２００、５０
０および１０００時間後の抵抗変化率を測定することに
より行った。一般には、得られた結果のグラフから外挿
して、１００℃で１５年放置した場合の抵抗変化率を推
定し、この値が４％であれば量産に際して問題無しと判
定する。
【００２１】高温高湿負荷試験は、得られた薄膜パター
ンサンプルを用い、通常の工程で製品サンプルとし、こ
れを温度６０℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中で２００mw
の負荷をＯＮ９０分、ＯＦＦ３０分として断続的に印加
し、１００、２００、５００および１０００時間放置後
の抵抗変化率を測定することにより行った。一般には、
このときの抵抗変化率が１０００時間で±１０％であれ
ば量産に際して問題無しと判定する。
ンサンプルを用い、通常の工程で製品サンプルとし、こ
れを温度６０℃、湿度８５％の恒温恒湿槽中で２００mw
の負荷をＯＮ９０分、ＯＦＦ３０分として断続的に印加
し、１００、２００、５００および１０００時間放置後
の抵抗変化率を測定することにより行った。一般には、
このときの抵抗変化率が１０００時間で±１０％であれ
ば量産に際して問題無しと判定する。
【００２２】上記により得られた実験８および９のサン
プルの恒温放置による抵抗変化率のグラフをそれぞれ図
９および１０に示す。このときの試験サンプル数は３２
素子であり、素子抵抗は６５Ωであった。また、実験８
および９のサンプルの高温高湿負荷による抵抗変化率の
グラフをそれぞれ図１１および１２に示す。試験サンプ
ル数は２９０４素子であり、素子抵抗は６５Ωであっ
た。また、グラフの縦軸は占有数を示し、横軸は変化率
を示す。
プルの恒温放置による抵抗変化率のグラフをそれぞれ図
９および１０に示す。このときの試験サンプル数は３２
素子であり、素子抵抗は６５Ωであった。また、実験８
および９のサンプルの高温高湿負荷による抵抗変化率の
グラフをそれぞれ図１１および１２に示す。試験サンプ
ル数は２９０４素子であり、素子抵抗は６５Ωであっ
た。また、グラフの縦軸は占有数を示し、横軸は変化率
を示す。
【００２３】
【発明の効果】本発明の方法により、零ppm/℃に近くか
つ再現性の良い抵抗の温度係数を示す窒化タンタルの薄
膜を有する薄膜抵抗素子を、安定して製造することがで
きる。また、本発明の方法は、同一スパッタ装置内で実
施することが可能であり、従って薄膜抵抗の形成後に連
続してその上に電極膜を形成することできるから、薄膜
間の密着性においても信頼性の高い素子を与えることが
できる。
つ再現性の良い抵抗の温度係数を示す窒化タンタルの薄
膜を有する薄膜抵抗素子を、安定して製造することがで
きる。また、本発明の方法は、同一スパッタ装置内で実
施することが可能であり、従って薄膜抵抗の形成後に連
続してその上に電極膜を形成することできるから、薄膜
間の密着性においても信頼性の高い素子を与えることが
できる。
【図１】アルゴンおよび窒素のガス雰囲気中でタンタル
をスパッタして基板上に窒化タンタル膜を形成する際の
窒素分圧と得られる膜の温度抵抗変化率（ＴＣＲ）との
関係を示すグラフ。
をスパッタして基板上に窒化タンタル膜を形成する際の
窒素分圧と得られる膜の温度抵抗変化率（ＴＣＲ）との
関係を示すグラフ。
【図２】窒化タンタル膜の真空アニールにおける熱処理
温度と温度抵抗変化率（ＴＣＲ）との関係を示すグラ
フ。
温度と温度抵抗変化率（ＴＣＲ）との関係を示すグラ
フ。
【図３】希ガス類元素としてアルゴンを用いて得られる
窒化タンタル膜における逆スパッタ時のＲＦパワーと抵
抗温度変化率（ＴＣＲ）との変化を示すグラフ。
窒化タンタル膜における逆スパッタ時のＲＦパワーと抵
抗温度変化率（ＴＣＲ）との変化を示すグラフ。
【図４】希ガス類元素としてアルゴンを用いて得られる
窒化タンタル膜の初期膜厚を変えた場合のＴＣＲの変化
を示すグラフ。
窒化タンタル膜の初期膜厚を変えた場合のＴＣＲの変化
を示すグラフ。
【図５】本発明の方法による得られる薄膜抵抗素子の模
式図。
式図。
【図６】本発明の方法の実施に有用なカルーセルタイプ
のスパッタ装置の模式図。
のスパッタ装置の模式図。
【図７】実施例におけるスパッタガス雰囲気中の窒素ガ
ス圧（ＰN2）と窒化タンタル膜のＴＣＲとの関係を示す
グラフ。
ス圧（ＰN2）と窒化タンタル膜のＴＣＲとの関係を示す
グラフ。
【図８】実施例におけるスパッタガス雰囲気中の窒素ガ
ス圧（ＰN2）と窒化タンタル膜のＴＣＲとの関係を示す
グラフ。
ス圧（ＰN2）と窒化タンタル膜のＴＣＲとの関係を示す
グラフ。
【図９】実施例で得られた窒化タンタル薄膜の恒温放置
による抵抗変化率のグラフ。
による抵抗変化率のグラフ。
【図１０】実施例で得られた窒化タンタル薄膜の恒温放
置による抵抗変化率のグラフ。
置による抵抗変化率のグラフ。
【図１１】実施例の窒化タンタル薄膜の高温高湿負荷に
よる抵抗変化率を示すグラフ。
よる抵抗変化率を示すグラフ。
【図１２】実施例の窒化タンタル薄膜の高温高湿負荷に
よる抵抗変化率を示すグラフ。
よる抵抗変化率を示すグラフ。
１…基板 ２…薄膜抵抗 ３…電極 ４…希ガス類元素ガスの導入口 ５…窒素ガスの導入口 ６…タンタルターゲット ７…シャッター ８…ＲＦ逆スパッタ電極装置 ９…回転ドラム １０…基板加熱ヒーター
Claims (3)
- 【請求項１】 ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキ
セノンからなる群から選ばれる希ガス類元素および窒素
の混合ガス雰囲気中でタンタルをスパッタすることによ
り基板上に窒化タンタル層を形成し、この窒化タンタル
層に対してＲＦ電極装置を用いて前記希ガス類元素をス
パッタすることを含む、薄膜抵抗素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記窒化タンタル層の形成と希ガス類元
素のスパッタとを交互に繰り返して行う、請求項１記載
の方法。 - 【請求項３】 前記希ガス類元素がネオンである、請求
項１または２記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5058671A JPH06275409A (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | 薄膜抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5058671A JPH06275409A (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | 薄膜抵抗素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275409A true JPH06275409A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13091053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5058671A Withdrawn JPH06275409A (ja) | 1993-03-18 | 1993-03-18 | 薄膜抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275409A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103971874A (zh) * | 2014-05-27 | 2014-08-06 | 广州天极电子科技有限公司 | 一种调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法 |
| US8829649B2 (en) | 2011-11-07 | 2014-09-09 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device having a resistive element including a TaSiN layer |
| CN104361967A (zh) * | 2014-11-19 | 2015-02-18 | 广州天极电子科技有限公司 | 一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法 |
| CN115216732A (zh) * | 2022-07-01 | 2022-10-21 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种掺杂钽氮化合物薄膜及其制备方法 |
-
1993
- 1993-03-18 JP JP5058671A patent/JPH06275409A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8829649B2 (en) | 2011-11-07 | 2014-09-09 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device having a resistive element including a TaSiN layer |
| CN103971874A (zh) * | 2014-05-27 | 2014-08-06 | 广州天极电子科技有限公司 | 一种调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法 |
| CN104361967A (zh) * | 2014-11-19 | 2015-02-18 | 广州天极电子科技有限公司 | 一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法 |
| CN115216732A (zh) * | 2022-07-01 | 2022-10-21 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种掺杂钽氮化合物薄膜及其制备方法 |
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