JP4279400B2 - 薄膜サーミスタ素子および薄膜サーミスタ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜サーミスタ素子および薄膜サーミスタ素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4279400B2 JP4279400B2 JP15662699A JP15662699A JP4279400B2 JP 4279400 B2 JP4279400 B2 JP 4279400B2 JP 15662699 A JP15662699 A JP 15662699A JP 15662699 A JP15662699 A JP 15662699A JP 4279400 B2 JP4279400 B2 JP 4279400B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- thermistor
- composite oxide
- thermistor element
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報処理機器や、通信機器、住宅設備機器、自動車用電装機器などの温度センサに用いられる薄膜サーミスタ素子およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
温度検知に用いられる素子として、酸化物半導体材料を用いたサーミスタ素子は、従来、例えばMn,Co,Ni,Feなどの遷移金属を主成分としたスピネル型結晶構造を有する酸化物焼結体チップの端面に、Agなどの電極を塗布や焼き付けにより形成して構成されている。
【0003】
上記のようなサーミスタ素子は、熱電対や白金測温抵抗体と比較すると、
(1)抵抗の温度変化が大きいため温度分解能が高い
(2)簡単な回路での計測が可能である
(3)材料が比較的安定でかつ外界の影響を受けにくいため経時変化が少なく信頼性が高い
(4)大量生産が可能であり安価である
などといった特徴を有するため、多く用いられている。
【0004】
ところで、近年、電子機器の小型軽量化や高性能化に伴い、サーミスタ素子にも素子サイズの超小型化(例えば1mm×0.5mmサイズ以下)や、測定温度での抵抗値やB定数(温度に対する抵抗の変化率)の高精度化(例えばバラツキが3%以下)などが求められている。ところが、上記のような酸化物焼結体を用いたサーミスタは、加工上の問題から大幅に小型化することが困難である。しかも、小型化するほど、加工精度の問題から抵抗値やB定数のバラツキが大きくなってしまうといった欠点があった。
【0005】
そこで、上記のようなサーミスタ素子に対して、サーミスタ材料や電極の形成に薄膜技術を用いた薄膜サーミスタ素子の開発が盛んになされている。この種の薄膜サーミスタ素子は、例えばMn,Ni,Co、Feなどから成る複合酸化物の焼結体をターゲットとしたスパッタリング法によりサーミスタ薄膜を形成をした後、このサーミスタ薄膜上に所定の電極パターンを形成することによって製造される。ところが、上記のようにスパッタリングによって形成されたサーミスタ薄膜では、良好な結晶性が得られにくく、安定性が低いため、抵抗値やB定数の経時変化が大きく、特に、高温耐久性が低いという問題点がある。この問題点に関しては、スパッタリングによって形成されたサーミスタ薄膜を例えば200〜800℃の大気中で熱処理し、スピネル型構造への結晶化を行う技術が知られている(特開昭63−266801号公報、特開平3−54842号公報、および増田陽一郎他:八戸工業大学紀要、第8巻、pp.25〜34)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のようにスパッタリングにより形成された酸化物半導体のサーミスタ薄膜を例えば400℃以上の温度で熱処理したとしても、安定性を大幅に向上させることは困難で、経時変化を少なく抑え、高温耐久性を向上させることが困難であるという問題点を有していた。
【0007】
また、熱処理によって結晶成長させた場合、得られる多結晶体における結晶粒径のバラツキが大きくなりがちであり、例えば同一ロットで製造されたサーミスタ素子であっても、抵抗値やB定数などの電気特性のバラツキが大きいという問題点をも有していた。
【0008】
本発明は、上記の点に鑑み、経時変化を少なく抑え、高温耐久性などを向上させて、高い信頼性を得ることができるとともに、抵抗値等のバラツキを小さく抑えて、高い精度を得ることができる薄膜サーミスタ素子およびその製造方法の提供を目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決する請求項1の発明は、サーミスタ薄膜と、上記サーミスタ薄膜に設けられた1対の電極とを有する薄膜サーミスタ素子であって、
上記サーミスタ薄膜が、ビックスバイト型結晶構造を有しているMn−Co−Ni複合酸化物、Mn−Co複合酸化物、Mn−Ni複合酸化物、Mn−Co−Ni−Fe複合酸化物、Mn−Co−Ni−Al複合酸化物、Mn−Co−Ni−Cr複合酸化物、Mn−Co−Cu複合酸化物、またはMn−Co−Ni複合酸化物からなる。
【0010】
このような結晶構造を有するサーミスタ薄膜は、スピネル型結晶構造のサーミスタ薄膜に比べて結晶状態が比較的安定であるため、抵抗値やB定数(温度に対する抵抗の変化率)などの電気特性の経時変化が少ないとともに、高温耐久性が高く、また、抵抗値やB定数などのバラツキが小さい。したがって、このような結晶構造を持たせることにより、高信頼性で高精度なサーミスタ素子を得ることができる。
【0011】
また、請求項2の発明は、
上記のようなサーミスタ薄膜が、スパッタリング法による膜形成とアニールとが交互に行われて形成され、また、上記スパッタリング法による膜形成がなされた後に、熱処理が施されていることを特徴としている。
【0012】
これらにより、より高信頼性で高精度なサーミスタ素子を容易に得ることができる。
【0013】
また、請求項3ないし請求項5の発明は、
サーミスタ薄膜と、上記サーミスタ薄膜に設けられた1対の電極とを有する薄膜サーミスタ素子の製造方法であって、
上記サーミスタ薄膜が、ビックスバイト型結晶構造を有しているMn−Co−Ni複合酸化物、Mn−Co複合酸化物、Mn−Ni複合酸化物、Mn−Co−Ni−Fe複合酸化物、Mn−Co−Ni−Al複合酸化物、Mn−Co−Ni−Cr複合酸化物、Mn−Co−Cu複合酸化物、またはMn−Co−Ni複合酸化物からなり、
上記サーミスタ薄膜を、スパッタリング法による膜形成工程とアニール工程とを交互に行うとともに、所定の熱処理を施すことにより、ビックスバイト型結晶構造を有するように形成することを特徴とし、
より具体的には、例えば、
下地基板を保持する基板ホルダと、上記基板ホルダに対向して設けられたターゲットとのうちの少なくとも一方を回転させるとともに、上記基板ホルダにおける、回転中心から偏心した位置に上記下地基板を保持させる一方、上記ターゲットにおける、上記回転中心から偏心した位置の一部だけが露出するように上記ターゲットをシールドカバーで覆うことにより、上記基板が上記ターゲットの露出部に対向する回転位置で、上記基板上に上記スパッタリング法による膜形成が行われる一方、上記基板が上記ターゲットの上記シールドカバーで覆われた位置に対向する回転位置で、上記アニールが行われることを特徴とし、
また、さらに、
上記熱処理が、1100℃以下で行われることを特徴としている。
【0014】
これらにより、前記のような高信頼性で高精度なサーミスタ素子を容易に製造することができる。
【0015】
ここで、上記スパッタリング法による膜形成時の基板温度や熱処理温度は、形成するサーミスタ薄膜の組成や成膜時間などに応じて種々に設定されるが、例えば、膜形成は基板が200〜600℃に加熱された状態で行い、また、熱処理は、より好ましくは600〜1000℃の大気中で行うことなどによって、上記のようなサーミスタ素子を容易に製造することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明の薄膜サーミスタ素子11は、図1に示すように、アルミナから成る下地基板12上に、サーミスタ薄膜13と、Pt薄膜から成る1対のくし形電極14,15とが形成されて成っている。上記サーミスタ薄膜13は、例えばMn−Co−Niの複合酸化物から成り、ビックスバイト型結晶構造を有している。
【0017】
上記のようなサーミスタ薄膜13は、例えば図2に示すようなスパッタ装置21によって形成することができる。このスパッタ装置21には、下地基板12を保持する基板ホルダ22と、例えば直径が8インチのMn−Co−Niから成る複合酸化物の焼結体ターゲット23とが50mmの間隔で対向して設けられている。上記焼結体ターゲット23は、中心角が90°の切り欠き24aを有するシールドカバー24によって、その一部だけが露出するように覆われている。また、焼結体ターゲット23には、高周波電源25(13.56MHz)が接続されている。一方、基板ホルダ22は、図示しない駆動装置によって、所定の回転速度で回転するようになっている。上記基板ホルダ22および焼結体ターゲット23は、例えばアルゴンと酸素との混合ガスが充填された図示しないチャンバ内に設けられている。
【0018】
上記基板ホルダ22に下地基板12を保持させて加熱し、焼結体ターゲット23に高周波電圧を印加するとともに基板ホルダ22を所定の回転速度で回転させると、下地基板12がシールドカバー24の切り欠き24a上を通過する際には、焼結体ターゲット23から飛来する粒子がスパッタリングされてサーミスタ薄膜13が形成される。一方、下地基板12がシールドカバー24上を通過する際には、サーミスタ薄膜13の酸化およびアニールが行われる。すなわち、スパッタリングと、酸化およびアニールとが交互に行われて、サーミスタ薄膜13が形成される。
【0019】
上記のようにして形成されたサーミスタ薄膜13を所定の温度で熱処理することにより、ビックスバイト型結晶構造を有するサーミスタ薄膜13が得られる。
【0020】
【実施例】
以下、より具体的なサーミスタ薄膜13の形成条件(スパッタリングおよび熱処理条件)、および得られたサーミスタ薄膜13と薄膜サーミスタ素子11の特性について説明する。
【0021】
実施例1〜8、およびそれぞれに対応する比較例1〜8について、下記(表1)に示す条件でサーミスタ薄膜13を形成し、さらに、同表に示す条件で大気中で熱処理した。上記実施例1〜8と比較例1〜8との主な相違は、基板ホルダ22の回転の有無、すなわち、実施例1〜8では、前記のようにスパッタリングと、酸化およびアニールとが交互に行われる一方、比較例1〜8では、シールドカバー24が設けられず、スパッタリングが連続して行われることである。ここで、下地基板12としては、50mm×50mm×0.3mmの大きさで、表面の凹凸が0.03μm以下になるように研磨したアルミナ基板を用いた。また、基板ホルダ22には、上記下地基板12とともに、結晶性を評価するためのガラス基板31を保持させた。
【0022】
【表1】
上記のようにしてガラス基板31上に形成され、熱処理されたサーミスタ薄膜13について、
(1)X線マイクロアナライザによる組成分析
(2)X線解析(XRD)による結晶構造の観察
を行った。その結果を下記(表2)に示す。
【0023】
【表2】
具体的には、例えば実施例1および比較例1においては、X線マイクロアナライザによる組成分析によれば、熱処理後のサーミスタ薄膜13の膜組成は、Mn:Co:Ni=73:19:8(実施例1)、または、71:20:9(比較例1)であった。ここで、これらの実施例1および比較例1の場合には、焼結体ターゲット23としてMn−Co−Ni複合酸化物(組成Mn:Co:Ni=75:20:5)の焼結体を用いたが、形成されるサーミスタ薄膜13の組成は上記のように焼結体ターゲット23とは若干異なったものとなった。なお、他の実施例および比較例においても、焼結体ターゲット23の組成を適宜選択することにより、同表に示すような膜組成のサーミスタ薄膜13を形成することができる。
【0024】
また、X線解析によれば、実施例1〜8においては、熱処理後のサーミスタ薄膜13はビックスバイト型結晶構造を有している一方、比較例1〜8においてはスピネル型結晶構造を有していることがわかった。
【0025】
次に、上記のようにして下地基板12上に形成され、熱処理されたサーミスタ薄膜13上の全面に、厚さが0.1μmのPt薄膜およびレジストパターンを形成し、Ar(アルゴンガス)によるドライエッチングを用いたフォトリソグラフィプロセスによりパターニングして、くし形電極14,15を形成した。次いで、ダイシング装置を用い、基板周辺部を除いて1×0.5mmサイズにカットすることにより、前記図1に示した構成の薄膜サーミスタ素子11を1000個作製し、抵抗値およびB定数(温度に対する抵抗の変化率)を測定して、平均値、およびバラツキ((最大値−最小値)/平均値)を求めた。また、上記薄膜サーミスタ素子11を室温で100日間放置する経時変化試験、および300℃の大気中に1000時間放置する高温耐久性試験を行った後に、再度、抵抗値およびB定数を測定して、上記試験前後の変化率を算出した。上記抵抗値およびB定数の平均値、バラツキ、経時変化、高温耐久性変化を上記(表2)に併せて示す。
【0026】
上記実施例1〜8および比較例1〜8から明らかなように、サーミスタ薄膜13にビックスバイト型結晶構造の酸化物薄膜を形成することにより、スピネル型結晶構造の酸化物薄膜を形成する場合よりも抵抗値およびB定数のバラツキが小さく、しかも経時変化が少なく、高温耐久性が高い、高精度で高信頼性のサーミスタ素子を得ることができる。
【0027】
また、サーミスタ薄膜の形成条件や熱処理条件も、上記のものに限らず、焼結体ターゲットの組成などに応じて種々設定すればよい。なお、概ね酸素分圧が高い方が、上記のようなビックスバイト型結晶構造が形成されやすい。また、熱処理温度が例えば1100℃を越えるなどの場合にはスピネル型結晶構造が形成されやすくなる。
【0028】
また、サーミスタ薄膜の全域にわたって上記のような結晶構造を有するものに限らず、ビックスバイト型結晶相中に部分的にスピネル型結晶相やNaCl型結晶相が含まれていてもよい。
【0029】
また、上記の例では下地基板としてアルミナ基板を用いたが、その他のセラミクス基板やガラス基板などを用いた場合においても、同様に優れた結果が得られた。
【0030】
また、薄膜サーミスタ素子の構造は、上記のようにサーミスタ薄膜における同一の表面上に1対のくし形電極が形成されたものに限らず、サーミスタ薄膜の両面側に、サーミスタ薄膜を挟むように1対の電極を設けるようにしてもよい。
【0031】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【0032】
すなわち、ビックスバイト型結晶構造を有するMn−Co−Ni複合酸化物、Mn−Co複合酸化物、Mn−Ni複合酸化物、Mn−Co−Ni−Fe複合酸化物、Mn−Co−Ni−Al複合酸化物、Mn−Co−Ni−Cr複合酸化物、Mn−Co−Cu複合酸化物、またはMn−Co−Ni複合酸化物からなるサーミスタ薄膜を形成することにより、そのようなサーミスタ薄膜は結晶状態が比較的安定であるため、高温耐久性が高く、しかも、抵抗値やB定数などのバラツキが小さいので、高信頼性で高精度なサーミスタ素子を得ることができるという効果を奏する。
【0033】
また、上記サーミスタ薄膜を、スパッタリング法による膜形成工程とアニール工程とを交互に行うことにより、ビックスバイト型結晶構造を有するように形成することにより、上記のような高信頼性で高精度なサーミスタ素子を容易に製造することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の薄膜サーミスタ素子の構成を示す斜視図
【図2】本発明の薄膜サーミスタ素子の製造装置の構成を示す斜視図
【符号の説明】
11 薄膜サーミスタ素子
12 下地基板
13 サーミスタ薄膜
14,15 くし形電極
21 スパッタ装置
22 基板ホルダ
23 焼結体ターゲット
24 シールドカバー
24a 切り欠き
25 高周波電源
31 ガラス基板
Claims (5)
- サーミスタ薄膜と、上記サーミスタ薄膜に設けられた1対の電極とを有する薄膜サーミスタ素子であって、
上記サーミスタ薄膜が、ビックスバイト型結晶構造を有しているMn−Co−Ni複合酸化物、Mn−Co複合酸化物、Mn−Ni複合酸化物、Mn−Co−Ni−Fe複合酸化物、Mn−Co−Ni−Al複合酸化物、Mn−Co−Ni−Cr複合酸化物、Mn−Co−Cu複合酸化物、またはMn−Co−Ni複合酸化物からなる、薄膜サーミスタ素子。 - 請求項1の薄膜サーミスタ素子であって、
上記サーミスタ薄膜は、スパッタリング法による膜形成とアニールとが交互に行われて形成されたサーミスタ薄膜であるとともに、上記サーミスタ薄膜が形成された後に、熱処理が施されていることを特徴とする薄膜サーミスタ素子。 - サーミスタ薄膜と、上記サーミスタ薄膜に設けられた1対の電極とを有する薄膜サーミスタ素子の製造方法であって、
上記サーミスタ薄膜が、ビックスバイト型結晶構造を有しているMn−Co−Ni複合酸化物、Mn−Co複合酸化物、Mn−Ni複合酸化物、Mn−Co−Ni−Fe複合酸化物、Mn−Co−Ni−Al複合酸化物、Mn−Co−Ni−Cr複合酸化物、Mn−Co−Cu複合酸化物、またはMn−Co−Ni複合酸化物からなり、
上記サーミスタ薄膜を、スパッタリング法による膜形成工程とアニール工程とを交互に行うとともに、所定の熱処理を施すことにより、ビックスバイト型結晶構造を有するように形成することを特徴とする薄膜サーミスタ素子の製造方法。 - 請求項3の薄膜サーミスタ素子の製造方法であって、
下地基板を保持する基板ホルダと、上記基板ホルダに対向して設けられたターゲットとのうちの少なくとも一方を回転させるとともに、上記基板ホルダにおける、回転中心から偏心した位置に上記下地基板を保持させる一方、上記ターゲットにおける、上記回転中心から偏心した位置の一部だけが露出するように上記ターゲットをシールドカバーで覆うことにより、上記基板が上記ターゲットの露出部に対向する回転位置で、上記基板上に上記スパッタリング法による膜形成が行われる一方、上記基板が上記ターゲットの上記シールドカバーで覆われた位置に対向する回転位置で、上記アニールが行われることを特徴とする薄膜サーミスタ素子の製造方法。 - 請求項3の薄膜サーミスタ素子の製造方法であって、
上記熱処理が、1100℃以下で行われることを特徴とする薄膜サーミスタ素子の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15662699A JP4279400B2 (ja) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | 薄膜サーミスタ素子および薄膜サーミスタ素子の製造方法 |
KR1020000029474A KR100674692B1 (ko) | 1999-06-03 | 2000-05-31 | 박막서미스터소자 및 박막서미스터소자의 제조방법 |
US09/584,768 US6475604B1 (en) | 1999-06-03 | 2000-06-01 | Thin film thermistor element and method for the fabrication of thin film thermistor element |
EP00304729A EP1058276B1 (en) | 1999-06-03 | 2000-06-05 | Thin film thermistor element and method for the fabrication of thin film thermistor element |
DE60023396T DE60023396T2 (de) | 1999-06-03 | 2000-06-05 | Dünnschichtthermistor und Herstellungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15662699A JP4279400B2 (ja) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | 薄膜サーミスタ素子および薄膜サーミスタ素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000348904A JP2000348904A (ja) | 2000-12-15 |
JP4279400B2 true JP4279400B2 (ja) | 2009-06-17 |
Family
ID=15631822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15662699A Expired - Fee Related JP4279400B2 (ja) | 1999-06-03 | 1999-06-03 | 薄膜サーミスタ素子および薄膜サーミスタ素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4279400B2 (ja) |
-
1999
- 1999-06-03 JP JP15662699A patent/JP4279400B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000348904A (ja) | 2000-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4279399B2 (ja) | 薄膜サーミスタ素子および薄膜サーミスタ素子の製造方法 | |
JP5477670B2 (ja) | サーミスタ用金属窒化物材料及びその製造方法並びにフィルム型サーミスタセンサ | |
TWI580937B (zh) | Temperature sensor and its manufacturing method | |
TWI555039B (zh) | Thin film type thermistor sensor | |
KR101871547B1 (ko) | 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서 | |
TWI570251B (zh) | A metal nitride film for a thermistor, a method of manufacturing the same, and a film type thermistor sensor | |
KR20160021103A (ko) | 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서 | |
EP1058276B1 (en) | Thin film thermistor element and method for the fabrication of thin film thermistor element | |
KR20150100678A (ko) | 서미스터용 금속 질화물 재료 및 그 제조 방법 그리고 필름형 서미스터 센서 | |
JP4279400B2 (ja) | 薄膜サーミスタ素子および薄膜サーミスタ素子の製造方法 | |
JP2000348905A (ja) | 薄膜サーミスタ素子および薄膜サーミスタ素子の製造方法 | |
JPH0354841B2 (ja) | ||
JP4279401B2 (ja) | 薄膜サーミスタ素子 | |
JP4277380B2 (ja) | 薄膜サーミスタ素子 | |
JP2000348911A (ja) | 薄膜ntcサーミスタ素子およびその製造方法 | |
JP4136755B2 (ja) | 3元合金材料からなるptcサーミスタ | |
JP2000348901A (ja) | サーミスタ薄膜の製造方法 | |
RU2064700C1 (ru) | Способ изготовления терморезистора | |
JP2507036B2 (ja) | 薄膜サ―ミスタおよびその製造方法 | |
JPH06275409A (ja) | 薄膜抵抗素子の製造方法 | |
CN112735709A (zh) | 一种薄膜型负温度系数传感器及其制备方法 | |
JP6060801B2 (ja) | 高耐熱貴金属−酸化物薄膜材料及びその製造方法 | |
JPH0342683B2 (ja) | ||
JP2004101391A (ja) | 多層膜からなる赤外線センサ及びその製造方法 | |
JPS62241301A (ja) | 感温抵抗体および製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080708 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080818 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080818 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090217 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090312 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4279400 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |