JPH0344007A - 薄膜抵抗体の製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗体の製造方法Info
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- JPH0344007A JPH0344007A JP1179253A JP17925389A JPH0344007A JP H0344007 A JPH0344007 A JP H0344007A JP 1179253 A JP1179253 A JP 1179253A JP 17925389 A JP17925389 A JP 17925389A JP H0344007 A JPH0344007 A JP H0344007A
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- film resistor
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜抵抗体の製造方法に関し、特にＴａと５ｉ
０２を主成分とする高抵抗抵抗体の抵抗温度係数を改良
した薄膜抵抗体の製造方法に関する。
０２を主成分とする高抵抗抵抗体の抵抗温度係数を改良
した薄膜抵抗体の製造方法に関する。
従来、薄膜集積回路において、所定の抵抗温度係数の薄
膜抵抗素子を得るための技術としては、ガラスやセラミ
ック等の絶縁性基板上に低抵抗の薄膜抵抗器として一９
０ｐｐｍ／℃の抵抗温度係数と膜厚的８００Ａで約４０
Ω／口のシート抵抗を有する窒化タンタル薄膜をマグネ
トロンスパッタ法により付着形成した後、前記窒化タン
タル薄膜を４５０℃〜６２０℃の真空熱処理を施して所
定の抵抗温度係数を得た後、この薄膜抵抗層上部に導体
層を同様に付着形成させ、フォトリングラフィ技術によ
り所定の抵抗、導体パターンを形成する。しかる後、薄
膜抵抗器の経時安定性を得るため、前記窒化タンタル薄
膜を空気中で２８０〜４５０℃の安定化熱処理を施して
いた。
膜抵抗素子を得るための技術としては、ガラスやセラミ
ック等の絶縁性基板上に低抵抗の薄膜抵抗器として一９
０ｐｐｍ／℃の抵抗温度係数と膜厚的８００Ａで約４０
Ω／口のシート抵抗を有する窒化タンタル薄膜をマグネ
トロンスパッタ法により付着形成した後、前記窒化タン
タル薄膜を４５０℃〜６２０℃の真空熱処理を施して所
定の抵抗温度係数を得た後、この薄膜抵抗層上部に導体
層を同様に付着形成させ、フォトリングラフィ技術によ
り所定の抵抗、導体パターンを形成する。しかる後、薄
膜抵抗器の経時安定性を得るため、前記窒化タンタル薄
膜を空気中で２８０〜４５０℃の安定化熱処理を施して
いた。
上述した従来の窒化タンタル膜の薄膜抵抗体において、
ガラス及びグレーズセラミック基板上に約８０ＯＡの膜
厚を形成した時のシート抵抗が３６〜４２Ω／口と低い
ことから、従来、窒化タンタル膜で高シート抵抗を得る
方法として、窒化タンタル膜の膜厚を減少させて高シー
ト抵抗を得る方法とスパッタリング時のＮ２ガス導入量
を増加する方法がある。
ガラス及びグレーズセラミック基板上に約８０ＯＡの膜
厚を形成した時のシート抵抗が３６〜４２Ω／口と低い
ことから、従来、窒化タンタル膜で高シート抵抗を得る
方法として、窒化タンタル膜の膜厚を減少させて高シー
ト抵抗を得る方法とスパッタリング時のＮ２ガス導入量
を増加する方法がある。
しかしながら、膜厚を減少させる方法は、膜厚が薄くな
ればなるほど薄膜抵抗器の経時安定性が損われ、膜厚の
減少には限界がある。
ればなるほど薄膜抵抗器の経時安定性が損われ、膜厚の
減少には限界がある。
また、スパッタリング時のＮ２ガス導入量を増加させて
、高シート抵抗を得る方法でもＮ２導入量を多くすれば
するほど、薄膜抵抗器の温度係数の変動が小さい領域（
謂ゆるプラトー領域）からはずれ、安定化熱処理後の抵
抗変化率が大きくなり経時安定性が悪くなるという欠点
がある。
、高シート抵抗を得る方法でもＮ２導入量を多くすれば
するほど、薄膜抵抗器の温度係数の変動が小さい領域（
謂ゆるプラトー領域）からはずれ、安定化熱処理後の抵
抗変化率が大きくなり経時安定性が悪くなるという欠点
がある。
本発明の目的は、高シート抵抗で所定の抵抗温度係数を
持つ薄膜抵抗体の製造方法を提供することにある。
持つ薄膜抵抗体の製造方法を提供することにある。
本発明は、薄膜抵抗体の製造方法において、スパッタリ
ングガスとしてＡｒとＮ２ガスを用いＴａとＳ １０２
とを主成分とするターゲット材をスパッタリングして絶
縁性基板上に薄膜抵抗体を形成する工程と、該薄膜抵抗
体に真空熱処理を施す工程とを含んで構成されている。
ングガスとしてＡｒとＮ２ガスを用いＴａとＳ １０２
とを主成分とするターゲット材をスパッタリングして絶
縁性基板上に薄膜抵抗体を形成する工程と、該薄膜抵抗
体に真空熱処理を施す工程とを含んで構成されている。
次に、本発明の実施例について詳細な説明を行う。
ＴａとＳｉＯ２を主成分とする材料をターゲット材とし
て用いて、マグネトロン高周波スパッタ方式により、グ
レーズ層を形成した絶縁性基板上に薄膜抵抗体を成膜し
た後、この薄膜抵抗体に真空熱処理を施した。
て用いて、マグネトロン高周波スパッタ方式により、グ
レーズ層を形成した絶縁性基板上に薄膜抵抗体を成膜し
た後、この薄膜抵抗体に真空熱処理を施した。
第１表は、高周波電力２ｋＷ、Ａｒガス圧８×Ｉ ０−
３Ｔｏｒｒにおいて厚さ、１０００人のＴａＳ ｉＯ□
膜の薄膜抵抗を形成した後、真空熱処理前と後のシート
抵抗値と抵抗温度係数ＴＣＲについて、従来の製造方法
による比較例と本発明の実施例の結果を表わしたもので
ある。尚、第１表の実施例（７）ｘはＴａのモル分率で
あり、Ｔａと５ｉ０２のターゲット組成の割合を示して
いる。
３Ｔｏｒｒにおいて厚さ、１０００人のＴａＳ ｉＯ□
膜の薄膜抵抗を形成した後、真空熱処理前と後のシート
抵抗値と抵抗温度係数ＴＣＲについて、従来の製造方法
による比較例と本発明の実施例の結果を表わしたもので
ある。尚、第１表の実施例（７）ｘはＴａのモル分率で
あり、Ｔａと５ｉ０２のターゲット組成の割合を示して
いる。
以下金白
第
■
表
本実施例の反応性スパッタリングによれば第１表に示す
ごとく、従来に比べてシート抵抗が同程度の膜厚に対し
て、従来の約７〜８倍の高シート抵抗が得られ、かつ、
真空熱処理温度及びＴａと５ｉＯｚのターゲット組成の
割合を調整した結果、所定の抵抗温度係数を持つ薄膜抵
抗体が得られた。
ごとく、従来に比べてシート抵抗が同程度の膜厚に対し
て、従来の約７〜８倍の高シート抵抗が得られ、かつ、
真空熱処理温度及びＴａと５ｉＯｚのターゲット組成の
割合を調整した結果、所定の抵抗温度係数を持つ薄膜抵
抗体が得られた。
以上説明したように本発明は、ターゲット材としてＴａ
とＳｉＯ２を主体とした材料を使用し、スパッタリング
中にＡｒガスとＮ２ガスを導入し一 た反応性スパッタリングを行うことにより、従来より高
抵抗の薄膜抵抗体を得て、さらに、この薄膜抵抗体を真
空熱処理することによって所定の抵抗温度係数を持つ薄
膜抵抗体を製造できる効果がある。
とＳｉＯ２を主体とした材料を使用し、スパッタリング
中にＡｒガスとＮ２ガスを導入し一 た反応性スパッタリングを行うことにより、従来より高
抵抗の薄膜抵抗体を得て、さらに、この薄膜抵抗体を真
空熱処理することによって所定の抵抗温度係数を持つ薄
膜抵抗体を製造できる効果がある。
Claims (1)
- 薄膜抵抗体の製造方法において、スパッタリングガスと
してＡｒとＮ＿２ガスを用いＴａとＳｉＯ＿２とを主成
分とするターゲット材をスパッタリングして絶縁性基板
上に薄膜抵抗体を形成する工程と、該薄膜抵抗体に真空
熱処理を施す工程とを含むことを特徴とする薄膜抵抗体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1179253A JPH0344007A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 薄膜抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1179253A JPH0344007A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 薄膜抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344007A true JPH0344007A (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16062618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1179253A Pending JPH0344007A (ja) | 1989-07-11 | 1989-07-11 | 薄膜抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344007A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007252894A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-10-04 | Furukawa Co Ltd | トレーニングマシン |
| JP2008201326A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Tokai Rubber Ind Ltd | 車両サスペンション用アッパーサポート |
| CN106282953A (zh) * | 2016-09-20 | 2017-01-04 | 江苏阳帆机电设备制造有限公司 | 一种耐磨线切割钢线的制作方法及制备耐磨线切割钢线用真空涂覆镀膜设备 |
-
1989
- 1989-07-11 JP JP1179253A patent/JPH0344007A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007252894A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-10-04 | Furukawa Co Ltd | トレーニングマシン |
| JP2008201326A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Tokai Rubber Ind Ltd | 車両サスペンション用アッパーサポート |
| CN106282953A (zh) * | 2016-09-20 | 2017-01-04 | 江苏阳帆机电设备制造有限公司 | 一种耐磨线切割钢线的制作方法及制备耐磨线切割钢线用真空涂覆镀膜设备 |
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