JPS5952804A - 膜抵抗体の製造方法 - Google Patents
膜抵抗体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5952804A JPS5952804A JP57163480A JP16348082A JPS5952804A JP S5952804 A JPS5952804 A JP S5952804A JP 57163480 A JP57163480 A JP 57163480A JP 16348082 A JP16348082 A JP 16348082A JP S5952804 A JPS5952804 A JP S5952804A
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- Japan
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- film
- trimming
- resistor
- forming
- resistance
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はハイブリッド回路を構成する膜抵抗体の製造方
法に関す。
法に関す。
（ｂ） 技術の背景
セラミック等絶縁基板上にスクリーン印刷・焼成法ある
いはスパッタリング技法を主体として、回路導体パター
ンと適宜比抵抗の抵抗形成膜等を形成し、かかる基板体
に各種の半導体チップを搭載したハイブリッド回路は、
半面構成のしかも特性のそろった機能回路が得られ、例
えばＡ／Ｄコンバータやアクテープフィルタ等に実用さ
れている。
いはスパッタリング技法を主体として、回路導体パター
ンと適宜比抵抗の抵抗形成膜等を形成し、かかる基板体
に各種の半導体チップを搭載したハイブリッド回路は、
半面構成のしかも特性のそろった機能回路が得られ、例
えばＡ／Ｄコンバータやアクテープフィルタ等に実用さ
れている。
本発明は、特に基板上構成になる膜抵抗体に就き、精度
が要求されかつ又抵抗値ドリフトの少い前記抵抗体の製
造方法に就いて提示されたものである。
が要求されかつ又抵抗値ドリフトの少い前記抵抗体の製
造方法に就いて提示されたものである。
（ｃ） 従来技術と問題点
第１図は係る抵抗形成膜から膜抵抗体を形成する手段を
示す基板要部断面図（イ）と正面図（ロ）である。
示す基板要部断面図（イ）と正面図（ロ）である。
第１図（イ）に於て、ｌは回路形成のセラミック等から
なる基板、２は基板回路形成の導体パターン肴 であって、例えば銅系組成ペースト〃全スクリーン印刷
・焼成方法によシ成形された導電性回路部、又３は前記
形成の導電性回路２の所要部所表面上にガラスゲレース
の抵抗ペース）ｆ前記同様のス抗形成膜である。第１図
の（ロ）図は基板１上の一局部に設けた抵抗形成膜の平
面図である。図は琳位抵抗形成膜しか示されないが、同
基板上の多数の抵抗体が配置されるＡ／Ｄコンバータ成
生の回路基板等では図示パターン状の抵抗体が同時に多
数成形される。
なる基板、２は基板回路形成の導体パターン肴 であって、例えば銅系組成ペースト〃全スクリーン印刷
・焼成方法によシ成形された導電性回路部、又３は前記
形成の導電性回路２の所要部所表面上にガラスゲレース
の抵抗ペース）ｆ前記同様のス抗形成膜である。第１図
の（ロ）図は基板１上の一局部に設けた抵抗形成膜の平
面図である。図は琳位抵抗形成膜しか示されないが、同
基板上の多数の抵抗体が配置されるＡ／Ｄコンバータ成
生の回路基板等では図示パターン状の抵抗体が同時に多
数成形される。
前記抵抗形成膜の基本成形に続いて、表面の安定化保護
のためガラス基材の絶縁コート処理、図示４で示す表面
コートと該コート後の乾燥・焼成が行なわれ抵抗形成膜
の基本工程を終る。
のためガラス基材の絶縁コート処理、図示４で示す表面
コートと該コート後の乾燥・焼成が行なわれ抵抗形成膜
の基本工程を終る。
更に、前記基本的成形の抵抗膜は設計上要求の抵抗値に
合致させるためレーザビーム照射法による溝切り加工、
所稍抵抗値トリミングが行なわれる。これには種々の方
法があるがその一例、即ちＬ字状トリミングカット法を
（ロ）図の５に示す。これは６で示す溝切り長さで関与
の導体回路２間の抵抗値が変るを用いて所定抵抗値を得
る工程である。
合致させるためレーザビーム照射法による溝切り加工、
所稍抵抗値トリミングが行なわれる。これには種々の方
法があるがその一例、即ちＬ字状トリミングカット法を
（ロ）図の５に示す。これは６で示す溝切り長さで関与
の導体回路２間の抵抗値が変るを用いて所定抵抗値を得
る工程である。
しかしながら、従来精度の高い膜抵抗体、例えば抵抗基
準値に対する偏差が１％以下の加工は、前記トリミング
後抵抗値安定化のためのアニール例えば４００〔℃〕炉
中で３０分程度の熟成処理をし、然る後回トリミング加
工をして所定精度の膜抵抗体を取得していた。即し、前
記従来のハイブリット回路膜抵抗の製作方法によればト
リミングカットの軌跡部分はガラスコートがない露出端
となり、製造後の膜抵抗体の安定性に問題がある（第〃
図の７で示されるレーザカットの溝切シ端面全参照）○
（ｄ） 発明の目的 本発明の目的は、前記の問題点を解消して高精度の膜抵
抗体の製造が容易な、かつ安定性例えば抵抗値の経時変
化の少ない膜抵抗体の製造をなすことである。
準値に対する偏差が１％以下の加工は、前記トリミング
後抵抗値安定化のためのアニール例えば４００〔℃〕炉
中で３０分程度の熟成処理をし、然る後回トリミング加
工をして所定精度の膜抵抗体を取得していた。即し、前
記従来のハイブリット回路膜抵抗の製作方法によればト
リミングカットの軌跡部分はガラスコートがない露出端
となり、製造後の膜抵抗体の安定性に問題がある（第〃
図の７で示されるレーザカットの溝切シ端面全参照）○
（ｄ） 発明の目的 本発明の目的は、前記の問題点を解消して高精度の膜抵
抗体の製造が容易な、かつ安定性例えば抵抗値の経時変
化の少ない膜抵抗体の製造をなすことである。
（ｅ） 発明の構成
前記の目的は、絶縁基板上の抵抗形成膜ｋｉｎ切りして
なす膜抵抗体形成のトリミング加工に於て、抵抗形成膜
溝切りの第一トリミング工程と、前記トリミング後の抵
抗形成膜表面安定化の保虐膜被着工程と、抵抗値精度調
整をなす第二トリミング工程と、これに続く前記保ト膜
の焼成工程とすることにより達成される。
なす膜抵抗体形成のトリミング加工に於て、抵抗形成膜
溝切りの第一トリミング工程と、前記トリミング後の抵
抗形成膜表面安定化の保虐膜被着工程と、抵抗値精度調
整をなす第二トリミング工程と、これに続く前記保ト膜
の焼成工程とすることにより達成される。
（ｆ） 発明の実施例
以下、本発明の実施例に就き詳細に説明する。
第３図は前記従来の問題点を解決した抵抗形成膜のトリ
ミングカットの連装部断面図である。
ミングカットの連装部断面図である。
本発明によれば、前記導電性回路パターン成形のスクリ
ーン印刷焼成工程及び抵抗形成膜パターンのスクリーン
印刷・焼成をなす工程による基板成膜の初期工程は従来
と同一とされる。
ーン印刷焼成工程及び抵抗形成膜パターンのスクリーン
印刷・焼成をなす工程による基板成膜の初期工程は従来
と同一とされる。
しかして、初期成膜工程に続き以下の逐次加工手段によ
り意図する膜抵抗体が実現される。
り意図する膜抵抗体が実現される。
即ち、初期成膜が終了の抵抗形成膜に対し、第１図（ロ
）図で説明しだレーザ光ビーム照射による例えばＬ字状
溝切シがされて設計指定抵抗値に対する主たる切削加工
トリミング（第一トリミング工程）がされる。前記トリ
ミングがされた抵抗形成膜は、次いで光面の安定化のた
めのガラスコートを前記スクリーンパターン印刷と該印
刷後乾燥とをなし表面保崎膜被着がなされる。更に、前
記被着の表面保鏝膜焼成に入る前に、偏差精度を含む目
標抵抗値の微調整切削加工トリミングがされる。
）図で説明しだレーザ光ビーム照射による例えばＬ字状
溝切シがされて設計指定抵抗値に対する主たる切削加工
トリミング（第一トリミング工程）がされる。前記トリ
ミングがされた抵抗形成膜は、次いで光面の安定化のた
めのガラスコートを前記スクリーンパターン印刷と該印
刷後乾燥とをなし表面保崎膜被着がなされる。更に、前
記被着の表面保鏝膜焼成に入る前に、偏差精度を含む目
標抵抗値の微調整切削加工トリミングがされる。
該トリミングは本発明の第二トリミング工程である。し
かして、前記ガラス保護膜の焼成を例えば炉温度５００
［：℃］で２０〜３０分行なう。咳・焼成は抵抗値ト
リミング後の熟成処理を兼ね行なう。
かして、前記ガラス保護膜の焼成を例えば炉温度５００
［：℃］で２０〜３０分行なう。咳・焼成は抵抗値ト
リミング後の熟成処理を兼ね行なう。
前記抵抗随微調整用の第ニドリミング加工は、具体的に
は第１図（ロ）図８で示す溝切りによりなされる。
は第１図（ロ）図８で示す溝切りによりなされる。
前記本発明の膜抵抗体形成手段によれば、従来問題とさ
れたトリミングカットの軌跡部分における抵抗形成；１
％の露出が全くないｆ、３１費部断面図の如き状態とな
り膜抵抗体が安定保護され経時的抵抗値変化（ドリフト
）が（桓めて小さく迎えられるＯ 前記実、情例の説明に引用した第１トリミング工程にお
けるＬ字状溝切りの加工形状は一例に過ぎない。尚又、
本実施例では成膜の抵抗体−基本的には所１１厚膜生成
の回路基板を例示しているが、基本成形の抵抗形成膜か
蒸着又はスパッタリング技術で成膜されかつレーザビー
ム照射法により抵抗値トリミングが施行される膜抵抗形
成の時でも、本発明手段全適用すれば抵抗体の安定化合
図るに有効である。
れたトリミングカットの軌跡部分における抵抗形成；１
％の露出が全くないｆ、３１費部断面図の如き状態とな
り膜抵抗体が安定保護され経時的抵抗値変化（ドリフト
）が（桓めて小さく迎えられるＯ 前記実、情例の説明に引用した第１トリミング工程にお
けるＬ字状溝切りの加工形状は一例に過ぎない。尚又、
本実施例では成膜の抵抗体−基本的には所１１厚膜生成
の回路基板を例示しているが、基本成形の抵抗形成膜か
蒸着又はスパッタリング技術で成膜されかつレーザビー
ム照射法により抵抗値トリミングが施行される膜抵抗形
成の時でも、本発明手段全適用すれば抵抗体の安定化合
図るに有効である。
（ロ））発明の効果
前記詳細に説明した膜抵抗体の製造方法によれば、前記
の如くドリフ）Ｉｔの極めて小さい高精度の膜抵抗体が
容易に品質面からも優れた製品が得られることになる。
の如くドリフ）Ｉｔの極めて小さい高精度の膜抵抗体が
容易に品質面からも優れた製品が得られることになる。
しかも、製作工数もトリミング後の抵抗体熟成処理とガ
ラス保＾膜焼成処理とが同時処理されることから製造工
程も短縮化される等その実用効果は大きい。
ラス保＾膜焼成処理とが同時処理されることから製造工
程も短縮化される等その実用効果は大きい。
第１図は膜抵抗体を形成する手段を説明する基板要部断
面図と正面図である。第２図は従来のトリミングカット
を示す溝断面図、及び第３図は本発明のトリミングカッ
トの溝部分を示す断面図である。 図中、１は回路基板、２は回路導体、３は抵抗形成膜、
４は安定化保護膜、及び５はトリミング溝である。
面図と正面図である。第２図は従来のトリミングカット
を示す溝断面図、及び第３図は本発明のトリミングカッ
トの溝部分を示す断面図である。 図中、１は回路基板、２は回路導体、３は抵抗形成膜、
４は安定化保護膜、及び５はトリミング溝である。
Claims (1)
- 絶縁基板上の抵抗形成膜を溝切シしてなす膜抵抗体形成
のトリミング加工に於て、抵抗形成膜溝切シの第一トリ
ミング工程と、前記トリミング後の抵抗形成膜表面安定
化の保護膜被着工程と、抵抗値精度調整をなす第二トリ
ミング工程と、これに続く前記保護膜の焼成工程とから
なる製造工程で行なうことを特徴とする膜抵抗体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57163480A JPS5952804A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 膜抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57163480A JPS5952804A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 膜抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952804A true JPS5952804A (ja) | 1984-03-27 |
Family
ID=15774673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57163480A Pending JPS5952804A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 膜抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952804A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122102A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-06-03 | 株式会社日立製作所 | 感熱記録ヘツド及びその製造方法 |
| JPS63170905A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-14 | 太陽誘電株式会社 | 厚膜抵抗の製造方法 |
| JPH01225301A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Tdk Corp | 厚膜印刷抵抗回路装置及びその製造方法 |
| CN115053303A (zh) * | 2020-04-10 | 2022-09-13 | 株式会社藤仓 | 可变电阻器 |
-
1982
- 1982-09-20 JP JP57163480A patent/JPS5952804A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122102A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-06-03 | 株式会社日立製作所 | 感熱記録ヘツド及びその製造方法 |
| JPS63170905A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-14 | 太陽誘電株式会社 | 厚膜抵抗の製造方法 |
| JPH01225301A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Tdk Corp | 厚膜印刷抵抗回路装置及びその製造方法 |
| CN115053303A (zh) * | 2020-04-10 | 2022-09-13 | 株式会社藤仓 | 可变电阻器 |
| CN115053303B (zh) * | 2020-04-10 | 2024-06-07 | 株式会社藤仓 | 可变电阻器 |
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