JPH04120430A - 白金温度センサ - Google Patents
白金温度センサInfo
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- JPH04120430A JPH04120430A JP2240812A JP24081290A JPH04120430A JP H04120430 A JPH04120430 A JP H04120430A JP 2240812 A JP2240812 A JP 2240812A JP 24081290 A JP24081290 A JP 24081290A JP H04120430 A JPH04120430 A JP H04120430A
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、白金薄膜抵抗体の抵抗温度特性を利用した白
金温度センサに関する。
金温度センサに関する。
従来の技術
従来、この種の白金温度センサは、アルミナ等の絶縁基
板上にアンダーグレーズ層を形成し、その上に白金薄膜
を蒸着等の真空法で形成して構成され、所定の抵抗値を
得るため、レーザービームを用いて白金薄膜のパターニ
ングを行い、再度熱処理した後、レーザートリミング法
で抵抗値の最終微調節を行っていた。
板上にアンダーグレーズ層を形成し、その上に白金薄膜
を蒸着等の真空法で形成して構成され、所定の抵抗値を
得るため、レーザービームを用いて白金薄膜のパターニ
ングを行い、再度熱処理した後、レーザートリミング法
で抵抗値の最終微調節を行っていた。
発明が解決しようとする課題
アンダーグレーズ層にアルミナ等の絶縁基板の表面粗度
を向上させるために用いるため、表面粗度改善効果の高
い非晶質ガラスが用いられる。しかしながら、アンダー
グレーズ層として非晶質ガラスを用いた場合、ガラスの
軟化点付近で熱処理を行うとガラスの構成成分の一部が
白金薄膜へ拡散し、抵抗温度係数が低下するという欠点
を有していた。
を向上させるために用いるため、表面粗度改善効果の高
い非晶質ガラスが用いられる。しかしながら、アンダー
グレーズ層として非晶質ガラスを用いた場合、ガラスの
軟化点付近で熱処理を行うとガラスの構成成分の一部が
白金薄膜へ拡散し、抵抗温度係数が低下するという欠点
を有していた。
本発明は、上記課題を解決するもので、アンダーグレー
ズ層のガラス成分が白金薄膜へ拡散するのを防ぐことを
目的としている。
ズ層のガラス成分が白金薄膜へ拡散するのを防ぐことを
目的としている。
ｖ１題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、絶縁性基板と、こ
の絶縁性基板上に設けられたガラスからなるアンダーグ
レーズ層と、このアンダーグレーズ層の上に設けられた
金属酸化物からなる中間層と、この中間層の上に設けら
れた白金層とを有するものである。
の絶縁性基板上に設けられたガラスからなるアンダーグ
レーズ層と、このアンダーグレーズ層の上に設けられた
金属酸化物からなる中間層と、この中間層の上に設けら
れた白金層とを有するものである。
作用
本発明は上記のように中間層が備えられているため、白
金層にはアンダーグレーズ層のガラス成分の拡散が極め
て少なくなる。これにより白金薄膜抵抗体の抵抗温度係
数の低下等の現象が防止されるとともに、白金薄膜をち
密化させることができ、より微細な白金抵抗パターンを
形成することができるという効果もある。
金層にはアンダーグレーズ層のガラス成分の拡散が極め
て少なくなる。これにより白金薄膜抵抗体の抵抗温度係
数の低下等の現象が防止されるとともに、白金薄膜をち
密化させることができ、より微細な白金抵抗パターンを
形成することができるという効果もある。
実施例
以下本発明の一実施例の白金温度センサの第１図〜第２
図を参照しながら説明する。
図を参照しながら説明する。
（実施例１）
第１図に示すように純度９６％のアルミナ基板１上にＳ
ｉｏｚ 、ＡＩＺ Ｏｓを主成分とするガラスペース
トを印刷し１２５０℃で焼成して、非晶質アンダーグレ
ーズ層２を形成する。なお、この非晶質アンダーグレー
ズの軟化点は約９００″Ｃである。続いてアンダーグレ
ーズ層２上にオクチル酸チタンを主成分とする、チタン
金属有機物ペーストを印刷し、８５０°Ｃで焼成し酸化
チタンよりなる金属酸化薄膜層３を形成する。次に、シ
リコンブチラードを添加した白金金属有機物ペースト（
Ｓｉ／Ｐｔ ＝ ３ ＋ｇｏｌ／９７ｍｏｌ ）を金属
酸化物Ｅ１ｍ層３上に印刷し、８５０°Ｃで焼成して白
金薄膜層４を形成する。
ｉｏｚ 、ＡＩＺ Ｏｓを主成分とするガラスペース
トを印刷し１２５０℃で焼成して、非晶質アンダーグレ
ーズ層２を形成する。なお、この非晶質アンダーグレー
ズの軟化点は約９００″Ｃである。続いてアンダーグレ
ーズ層２上にオクチル酸チタンを主成分とする、チタン
金属有機物ペーストを印刷し、８５０°Ｃで焼成し酸化
チタンよりなる金属酸化薄膜層３を形成する。次に、シ
リコンブチラードを添加した白金金属有機物ペースト（
Ｓｉ／Ｐｔ ＝ ３ ＋ｇｏｌ／９７ｍｏｌ ）を金属
酸化物Ｅ１ｍ層３上に印刷し、８５０°Ｃで焼成して白
金薄膜層４を形成する。
この後、所定の抵抗値に抵抗値調整するため、ＹＡＧレ
ーザ−ビームを用いてバターニングを施した後、再度８
５０°Ｃで６０分熱処理しさらに最終抵抗値調整レーザ
ートリミングを行って白金薄膜抵抗体とする。
ーザ−ビームを用いてバターニングを施した後、再度８
５０°Ｃで６０分熱処理しさらに最終抵抗値調整レーザ
ートリミングを行って白金薄膜抵抗体とする。
以上の工程を経た後、はう珪酸ガラスペーストを印刷し
、６２０°Ｃで焼成して保護コート層を形成する。この
ように構成された本実施例における白金薄膜抵抗体の抵
抗温度係数は３６６０ｐ ｐ ｍ／”Ｃであり、抵抗温
度係数の異常な低下やばらつきは認められなかった。
、６２０°Ｃで焼成して保護コート層を形成する。この
ように構成された本実施例における白金薄膜抵抗体の抵
抗温度係数は３６６０ｐ ｐ ｍ／”Ｃであり、抵抗温
度係数の異常な低下やばらつきは認められなかった。
（比較例１）
実施例１と同様に純度９６％のアルミナ基板上に非晶質
アンダーグレーズ層を形成し、中間層は形成せずに、そ
の上にシリコンブチラードを添加した白金金属有機物ペ
ーストを印刷し、８５０°Ｃで焼成して白金薄膜層を形
成する。この後、所定の抵抗値に抵抗値調整するため、
ＹＡＧレーザ−ビームを用いてパターニングを施した後
、再度８５０’Ｃで６０分熱処理しさらに最終抵抗値調
整レーザートリミングを行って白金薄膜抵抗体を形成す
る。
アンダーグレーズ層を形成し、中間層は形成せずに、そ
の上にシリコンブチラードを添加した白金金属有機物ペ
ーストを印刷し、８５０°Ｃで焼成して白金薄膜層を形
成する。この後、所定の抵抗値に抵抗値調整するため、
ＹＡＧレーザ−ビームを用いてパターニングを施した後
、再度８５０’Ｃで６０分熱処理しさらに最終抵抗値調
整レーザートリミングを行って白金薄膜抵抗体を形成す
る。
以上の工程を経た後、はう珪酸ガラスペースト印刷し、
６２０℃で焼成して保護コート層を形成する。
６２０℃で焼成して保護コート層を形成する。
この金属酸化物薄膜層を有さない白金薄膜抵抗体の抵抗
温度係数は、３５５０ｐ ｐ ｍ／”Ｃであった。
温度係数は、３５５０ｐ ｐ ｍ／”Ｃであった。
これは、非晶質アンダーグレーズ層のＳｔｏｗ、Ａ１．
Ｏ，以外の微量のガラス成分、ＣａＯ，ＢａＯ等が白金
薄膜層へ拡散したためと考えられる。
Ｏ，以外の微量のガラス成分、ＣａＯ，ＢａＯ等が白金
薄膜層へ拡散したためと考えられる。
これらの成分は、酸化チタンよりもかなり抵抗温度係数
を低下させる。
を低下させる。
つまり、酸化チタンよりなる金属酸化物薄膜層３を非晶
質アンダーグレーズ層２と白金薄膜層４との間に形成す
ると、この酸化チタン薄膜中間層が抵抗温度係数を大き
く低下させるＣａＯやＢａＯ，Ｐｂｏ、Ｆｅｘ Ｏｚ等
のガラス成分の拡散を防ぐ役割を果たしている。また、
白金薄膜の成膜状態を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、金属酸化物薄膜層３を有する白金薄膜層４の方が、
金属酸化物薄膜層３を有さない白金薄膜層４よりも膜が
ち密であった。このため、レーザートリミング時の断線
不良率が極めて少なくすることができる。
質アンダーグレーズ層２と白金薄膜層４との間に形成す
ると、この酸化チタン薄膜中間層が抵抗温度係数を大き
く低下させるＣａＯやＢａＯ，Ｐｂｏ、Ｆｅｘ Ｏｚ等
のガラス成分の拡散を防ぐ役割を果たしている。また、
白金薄膜の成膜状態を走査型電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、金属酸化物薄膜層３を有する白金薄膜層４の方が、
金属酸化物薄膜層３を有さない白金薄膜層４よりも膜が
ち密であった。このため、レーザートリミング時の断線
不良率が極めて少なくすることができる。
なお、金属酸化物薄膜層３として、酸化ジルコニウム、
酸化マンガン、酸化モリブデンを用いても同様の効果が
得られた。
酸化マンガン、酸化モリブデンを用いても同様の効果が
得られた。
発明の効果
以上のように本発明によれば、アンダーグレーズ層に表
面性の良い非晶質ガラスを用いても、白金薄膜層との間
に中間層を形成することにより、アンダーグレーズ層の
ガラス成分の白金薄膜層への拡散を防ぎ、抵抗温度係数
の低下を極めて小さくおさえることができる。また、白
金ＦｓＷａをち密にするという効果も得られる。
面性の良い非晶質ガラスを用いても、白金薄膜層との間
に中間層を形成することにより、アンダーグレーズ層の
ガラス成分の白金薄膜層への拡散を防ぎ、抵抗温度係数
の低下を極めて小さくおさえることができる。また、白
金ＦｓＷａをち密にするという効果も得られる。
第１図は、本発明の一実施例の白金温度センサの断面図
、第２図は白金薄膜のパターンを示す平面図である。 １・・・・・・アルミナ基板、２・・・・・・非晶質ア
ンダーグレーズ層、３・・・・・・金属酸化物薄膜層、
４・・・・・・白金８８層。
、第２図は白金薄膜のパターンを示す平面図である。 １・・・・・・アルミナ基板、２・・・・・・非晶質ア
ンダーグレーズ層、３・・・・・・金属酸化物薄膜層、
４・・・・・・白金８８層。
Claims (2)
- （１）絶縁性基板と、この絶縁性基板上に設けられたガ
ラスからなるアンダーグレーズ層と、このアンダーグレ
ーズ層の上に設けられた金属酸化物からなる中間層と、
この中間層の上に設けられた白金層とを有する白金温度
センサ。 - （２）中間層は酸化チタン、酸化マンガン、酸化モリブ
デン、酸化ジルコニウムのうちの少なくとも１つからな
る請求項１記載の白金温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2240812A JPH04120430A (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 白金温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2240812A JPH04120430A (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 白金温度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04120430A true JPH04120430A (ja) | 1992-04-21 |
Family
ID=17065055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2240812A Pending JPH04120430A (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 白金温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04120430A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002514310A (ja) * | 1997-11-13 | 2002-05-14 | ヘレウス エレクトロナイト インタナショナル エヌ ヴィー | 温度測定用センサ装置の製造方法 |
| WO2017073622A1 (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | 京セラ株式会社 | センサ基板および検出モジュール |
| KR20180132537A (ko) * | 2017-06-02 | 2018-12-12 | 센사타 테크놀로지스, 인크 | 감지 소자를 위한 알루미나 확산 배리어 |
-
1990
- 1990-09-10 JP JP2240812A patent/JPH04120430A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002514310A (ja) * | 1997-11-13 | 2002-05-14 | ヘレウス エレクトロナイト インタナショナル エヌ ヴィー | 温度測定用センサ装置の製造方法 |
| WO2017073622A1 (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | 京セラ株式会社 | センサ基板および検出モジュール |
| JPWO2017073622A1 (ja) * | 2015-10-28 | 2018-08-16 | 京セラ株式会社 | センサ基板および検出モジュール |
| KR20180132537A (ko) * | 2017-06-02 | 2018-12-12 | 센사타 테크놀로지스, 인크 | 감지 소자를 위한 알루미나 확산 배리어 |
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