JPS6074613A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6074613A JPS6074613A JP18198983A JP18198983A JPS6074613A JP S6074613 A JPS6074613 A JP S6074613A JP 18198983 A JP18198983 A JP 18198983A JP 18198983 A JP18198983 A JP 18198983A JP S6074613 A JPS6074613 A JP S6074613A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- diffusion layer
- impurity diffusion
- glass
- impurity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 34
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 21
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｆｌ）発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法、詳しくはスピンオン・
ドーパントグラスを不純物拡散源として不純物拡散層を
形成する方法に関する。
ドーパントグラスを不純物拡散源として不純物拡散層を
形成する方法に関する。
（２）技術の背景
ＩＣ，ＬＳＩ等の製造において、半導体基板に不純物拡
散層を形成する際に、拡散源としてスピンオン・ドーパ
ントグラスを用いる方法があるが、こ（１） の方法を第１図の断面図を参照して説明する。
散層を形成する際に、拡散源としてスピンオン・ドーパ
ントグラスを用いる方法があるが、こ（１） の方法を第１図の断面図を参照して説明する。
第１図＋ａｌ参照
シリコン基板１上に例えば５ｂＣｆｆｉｓ溶液をスピン
コード法によって塗布した後に、熱処理を加え５ｂ２３
を含むＳｉＯ２膜、すなわちスピンオン・ドーパントグ
ラス膜（以下グラス膜という）２を形成し、次いでこの
膜の上に化学気相成長法（ＣＶＤ法）で二酸化シリコン
膜（ＳｉＯ＋膜）３を成長する。
コード法によって塗布した後に、熱処理を加え５ｂ２３
を含むＳｉＯ２膜、すなわちスピンオン・ドーパントグ
ラス膜（以下グラス膜という）２を形成し、次いでこの
膜の上に化学気相成長法（ＣＶＤ法）で二酸化シリコン
膜（ＳｉＯ＋膜）３を成長する。
第１図（ｂ）参照
次いで全面にレジスト膜（図示せず）を形成し、それを
パターニングし、レジスト膜をマスクにするエツチング
によって５ｉ０２膜３とグラス膜２を図示の如くにパタ
ーニングする。
パターニングし、レジスト膜をマスクにするエツチング
によって５ｉ０２膜３とグラス膜２を図示の如くにパタ
ーニングする。
第１図（Ｃ）参照
次いで熱拡散によってグラス膜２に含まれるｓｂをシリ
コン基板１に拡散させて拡散層４を形成し、ＳｉＯ２膜
３、グラス膜２を除去する。
コン基板１に拡散させて拡散層４を形成し、ＳｉＯ２膜
３、グラス膜２を除去する。
なお上記した不純物拡散層形成方法において、ドーパン
トはＳｂ便３に限定されるものでなく、必（２） 要に応じその他の物質を使用しうる。
トはＳｂ便３に限定されるものでなく、必（２） 要に応じその他の物質を使用しうる。
（３）従来技術と問題点
上記した工程において、不純物が拡１１Ｊ１．層４形成
予定部分のみに拡散すればよいのであるが、第１図（Ｃ
１に模式的に矢印で示す径路をとって拡散されてはなら
ない領域５にも拡散すること（この現象はオートドーピ
ングと呼称される）が確認され、不良品が発生する問題
がある。
予定部分のみに拡散すればよいのであるが、第１図（Ｃ
１に模式的に矢印で示す径路をとって拡散されてはなら
ない領域５にも拡散すること（この現象はオートドーピ
ングと呼称される）が確認され、不良品が発生する問題
がある。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題に鑑み、スピンオン・ドーパン
トグラスを拡散源として不純物拡散層を形成するにおい
て、不純物のオートドーピングが発生することのない不
純物拡散層の形成方法を提供することを目的とする。
トグラスを拡散源として不純物拡散層を形成するにおい
て、不純物のオートドーピングが発生することのない不
純物拡散層の形成方法を提供することを目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、半導体基板上に拡散
源膜および二酸化シリコン股を順に形成する工程、これ
らの膜を形成されるべき不純物拡散層に対応してパター
ニングする工程、全面に再度二酸化シリコン膜を形成す
る工程、および熱処（３） 理により拡散源膜の不純物を前記基板に拡散させる工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供す
ることによって達成される。
源膜および二酸化シリコン股を順に形成する工程、これ
らの膜を形成されるべき不純物拡散層に対応してパター
ニングする工程、全面に再度二酸化シリコン膜を形成す
る工程、および熱処（３） 理により拡散源膜の不純物を前記基板に拡散させる工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供す
ることによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳説する。
本発明の方法を実施する工程における半導体装置要部は
第２図の断面図に示され第２図および第３図において既
に図示した部分と同じ部分は同一符号を付して表示する
。
第２図の断面図に示され第２図および第３図において既
に図示した部分と同じ部分は同一符号を付して表示する
。
第２図ｆａｌ 、 ｆｂｌ 、 ｔｃ＋参照従来技術の
場合と同様に、シリコン基板Ｉ上にアンチモン（Ｓｂ２
０３）のグラスｌＩ央２を余り２０００人の膜厚に形成
し、この膜の上にＣＶＤ法で５ｉ０２膜３を約２０００
人の膜厚に成長し、不純物拡散層形成予定領域に対応し
てこれらの膜をパターニングする。
場合と同様に、シリコン基板Ｉ上にアンチモン（Ｓｂ２
０３）のグラスｌＩ央２を余り２０００人の膜厚に形成
し、この膜の上にＣＶＤ法で５ｉ０２膜３を約２０００
人の膜厚に成長し、不純物拡散層形成予定領域に対応し
てこれらの膜をパターニングする。
第２図（ｄｌ参照
前記したパターニングの後に、再度ＣＶＤ法でＳｉＯ２
膜１３全１３約２０００人に成長する。
膜１３全１３約２０００人に成長する。
第２図（ｅｌ参照
次いで、１２５０℃、６０分の熱処理を行い、ｓｂを基
（４） 板１中に拡散させて拡散層４を形成する。
（４） 板１中に拡散させて拡散層４を形成する。
上記した５ｉ０２１！ｔ’１３が形成されているため、
第１図（Ｃ１に矢印で示したオートドーピングは抑止さ
れ、領域５にはｓｂが拡散されることなく、設計通りに
不純物拡散層４が形成されることになる。
第１図（Ｃ１に矢印で示したオートドーピングは抑止さ
れ、領域５にはｓｂが拡散されることなく、設計通りに
不純物拡散層４が形成されることになる。
上記の方法に代えて、第３図ｆａｌｉｂｌの断面図に示
される如く、グラスＢ’Ｊ２を直接パターニングした（
同図（ｂ））後に、５ｉ０２膜３を成長し、しかる後に
熱処理することも考えられよう。しかし、この方法では
拡散領域のシリコン段差が付かず、次工程の位置合せが
不可能となる。そのために５ｉ０２膜３の成長前にグラ
ス膜をマスクにシリコンエツチングを行ったとすると、
５ｂ２３を含む５ｉ０２膜はエツチング速度が大である
ため、グラス膜もエツチングされてしまい、表面抵抗の
バラツキが生じてしまうことが確認された。本発明では
第２図ＳｉＯ２膜３の膜厚を及び、５ｊ０２膜１３の膜
厚を適当に選べば、上記シリコンエツチングは不要であ
る。
される如く、グラスＢ’Ｊ２を直接パターニングした（
同図（ｂ））後に、５ｉ０２膜３を成長し、しかる後に
熱処理することも考えられよう。しかし、この方法では
拡散領域のシリコン段差が付かず、次工程の位置合せが
不可能となる。そのために５ｉ０２膜３の成長前にグラ
ス膜をマスクにシリコンエツチングを行ったとすると、
５ｂ２３を含む５ｉ０２膜はエツチング速度が大である
ため、グラス膜もエツチングされてしまい、表面抵抗の
バラツキが生じてしまうことが確認された。本発明では
第２図ＳｉＯ２膜３の膜厚を及び、５ｊ０２膜１３の膜
厚を適当に選べば、上記シリコンエツチングは不要であ
る。
なお以上においては５ｂ２０３を含む５ｉ０２膜を例（
５） に説明したが、本発明の適用範囲はその場合に限定され
るものでなく、その伯の物質を用いる場合にも及ぶもの
である。
５） に説明したが、本発明の適用範囲はその場合に限定され
るものでなく、その伯の物質を用いる場合にも及ぶもの
である。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く本発明によれば、グラス膜を不
純物拡散源として拡散層を形成するときに、パターニン
グしたグラス膜とその上の５ｉ０２膜の全面上に再度５
Ｉ０２膜を設けることにより、従来技術において経験さ
れたオートドーピングが防止され、拡散層以外の部分に
不純物が拡散することがないので、特性の良好な半導体
素子を得るに効果大である。
純物拡散源として拡散層を形成するときに、パターニン
グしたグラス膜とその上の５ｉ０２膜の全面上に再度５
Ｉ０２膜を設けることにより、従来技術において経験さ
れたオートドーピングが防止され、拡散層以外の部分に
不純物が拡散することがないので、特性の良好な半導体
素子を得るに効果大である。
第１図と第２図は、スピンオン・ドーパントグラスを拡
散源として拡散層を形成する従来の方法と本発明の方法
を実施する工程における半導体装置要部の断面図、第３
図は本発明の方法に代る方法を示すための半導体装置要
部の断面図である。 １−シリコン基板、２− スピンオン・ドーパントグラ
ス膜、３ ＋１３−５＋０２膜、（６） ４−拡散層、５−不純物が拡散されない領域（７） 第１図 第２図 第２図 第３図
散源として拡散層を形成する従来の方法と本発明の方法
を実施する工程における半導体装置要部の断面図、第３
図は本発明の方法に代る方法を示すための半導体装置要
部の断面図である。 １−シリコン基板、２− スピンオン・ドーパントグラ
ス膜、３ ＋１３−５＋０２膜、（６） ４−拡散層、５−不純物が拡散されない領域（７） 第１図 第２図 第２図 第３図
Claims (1)
- 半導体基板上に拡散源膜および二酸化シリコン膜を順に
形成する工程、これらの膜を形成されるべき不純物拡散
層に対応してパターニングする工程、全面に再度二酸化
シリコン膜を形成する工程、および熱処理により拡散源
膜の不純物を前記基板に拡散させる工程を含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18198983A JPS6074613A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18198983A JPS6074613A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074613A true JPS6074613A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16110372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18198983A Pending JPS6074613A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074613A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5126281A (en) * | 1990-09-11 | 1992-06-30 | Hewlett-Packard Company | Diffusion using a solid state source |
| JPH05291167A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Honda Motor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18198983A patent/JPS6074613A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5126281A (en) * | 1990-09-11 | 1992-06-30 | Hewlett-Packard Company | Diffusion using a solid state source |
| JPH05291167A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Honda Motor Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH035058B2 (ja) | ||
| JPS6074613A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02298074A (ja) | Ｍｏｓ型トランジスタの製造方法 | |
| JPS62235739A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5827335A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04155829A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01283821A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60105224A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH049371B2 (ja) | ||
| JPS5923515A (ja) | 不純物拡散方法 | |
| JPS62104078A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS63255914A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JPH01135016A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6149417A (ja) | 埋没層の形成方法 | |
| JPH04356944A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS582047A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS594116A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61112344A (ja) | 半導体素子分離領域の形成方法 | |
| JPH0487352A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH06151719A (ja) | 多結晶シリコン高抵抗素子とその製造方法 | |
| JPS6153722A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6177343A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5831520A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02177535A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS594163A (ja) | 半導体装置の製造方法 |