JPH03262101A - 白金温度センサ - Google Patents

白金温度センサ

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Publication number
JPH03262101A
JPH03262101A JP6144790A JP6144790A JPH03262101A JP H03262101 A JPH03262101 A JP H03262101A JP 6144790 A JP6144790 A JP 6144790A JP 6144790 A JP6144790 A JP 6144790A JP H03262101 A JPH03262101 A JP H03262101A
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JP
Japan
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thin film
platinum
alumina substrate
film resistor
platinum thin
Prior art date
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Pending
Application number
JP6144790A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidekazu Uryu
英一 瓜生
Chisa Ichimura
市村 千砂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP6144790A priority Critical patent/JPH03262101A/ja
Publication of JPH03262101A publication Critical patent/JPH03262101A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、白金薄膜抵抗体の抵抗温度特性を利用した白
金温度センサに関するものである。
従来の技術 従来、この種の白金温度センサは、高純度アルミナ基板
上に白金薄膜を蒸着法で形成し、1000〜1400℃
で熱処理し、さらに所定の抵抗値を得るためレーザービ
ームを用いて白金薄膜のパタニングを行った後、再度1
000〜14000Cで熱処理した後、レーザートリミ
ング法で抵抗値の最終微調節を行うといった方法で得ら
れていた。
この方法で得られた白金温度センサは、白金薄膜抵抗体
部の白金純度が少なくとも、99.999%以上の純度
を有するため、電気特性的には抵抗温度係数3850p
pm/’Cを安定して得られるが、取り出し電極部の接
着強度が弱いという欠点を有していた。すなわち、10
00〜1400℃の熱処理により基板である99%以上
の純度を有するアルミナ基板と白金薄膜層との間に白金
アルミナ化合物が形成されるためアルミナ基板と白金薄
膜との接着強度は1+nm2当り300〜700g程度
得られ・るが、この程度の強度では取り出し電極の接着
強度としては不適当である。
この種の温度センサの取り出し電極の接着強度を強化す
る方法さして、白金薄膜層の下部に金属チタン薄膜層を
形成することにより白金薄膜の高純度アルミナ基板への
接着強度を強化しようとする提案がある(特公平1−4
5722号公報参照)。この考えによる白金温度センサ
の形成方法について述べると、高純度アルミナ基板上に
チタン薄膜を蒸着法で形成した後、白金薄膜を蒸着法で
形成し、1000〜14000Cで熱処理し、さらに所
定の抵抗値を得るためレーザービームを用いて白金薄膜
のパターニングを行った後、再度1000〜1400℃
て熱処理した後、レーザートリミング法で抵抗値の最終
微調節を行うといった方法である。
発明か解決しようとする課題 このような白金温度センサの形成方法では、取り出し電
極の接着強度は1mm2当り1〜1 、5 kg得られ
、取り出し電極の接着極度としては実用上十分であるが
、電極部以外、すなわち白金薄膜抵抗体の下部にも金属
チタン薄膜層が形成されるため、1000 ’C以」−
の熱処理中に白金薄膜抵抗体の白金薄膜層に金属チタン
が拡散し、抵抗温度係数の低下またはばらつきが見られ
るため生産の歩留りが悪く、実用的ではない。
また、チタン薄膜を蒸着法等の真空法で成膜する場合に
は、マスク法、リフトオフ法等により取り出し電極部に
対応する部分のみ選択的に着膜することにより上記の問
題点すなわち抵抗温度係数の低下等を防止することもで
きるが、成膜装置が複雑となり、実用的ではない。
本発明は上記課題を解決するものて、白金温度センサの
白金薄膜抵抗体の取り出し電極をアルミナ基板へ強固に
接着形成させた白金温度セン゛リ−を提供することを目
的きしている。
課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するために、白金薄膜抵抗体の
取り出し電極部の下部に、チタン、マンカン、モリブデ
ン、クロム、ジルコニア、銅から選ばれる元素成分を一
種以上含む金属酸化物薄膜層を形成し、その上から白金
薄膜層を形成することにより酸化チタン等の金属酸化物
を接着媒体として、白金薄膜とアルミナ基板とを強固に
接着してなるものである。
作用 本発明は上記した構成により、白金薄膜抵抗体には金属
チタン等の金属成分の拡散がないため白金薄膜抵抗体の
抵抗温度係数の低下等の現象が防止されるとともに取り
出し電極部下部の金属酸化物薄膜層の接着作用により、
その基板への接着強度を実用上十分な値(1mm2当り
1〜1 、5 kg )まで高めることができるのであ
る。
実施例 以下本発明の実施例について第1図〜第3図を参照しな
がら説明する。
(実施例1) 第1図および第2図に示すように、純度99.9%のア
ルミナ基板1上にオクチル酸チタンを主成分とする、チ
タン金属有機物ペーストを白金薄膜抵抗体2の取り出し
電極部3に対応するアルミナ基板1上に印刷し、900
 ’Cて焼成し酸化チタンよりなる金属酸化物薄膜層4
を形成させる。ついで、この金属酸化物薄膜層4も含め
て白金をアルミナ基板1全面に第1μmの厚みで蒸着し
た後1100℃で30分熱処理し、白金薄膜層をアルミ
ナ基板1に付着さぜた後、所定の抵抗値に抵抗値調整す
るためYAGレーザーヒームを用いてパターニングを施
した後、再度1100℃で60分熱処理し、さらに最終
抵抗値調整レーザートリミングを行って白金薄膜抵抗体
2を形成させる。
本実施例の白金薄膜抵抗体2は0℃での抵抗値100Ω
てあった。以上の工程を経た後、はう珪酸鉛系カラスペ
ーストを印刷し、620 ’Cで焼成して保護コート層
5を形成させた。
本実施例における白金薄膜抵抗体2の抵抗温度係数は3
850±6ppm/℃であり、抵抗温度係数の異常な低
下やばらつきは認められなかった。これは取り出し電極
部3以外の白金薄膜抵抗体2にチタン等の不純物がなく
、白金純度が少な(とも99.9%以上あるためて・あ
ると考えられる。
本実施例におけるアルミナ基板1の表面粗度は高純度ア
ルミナであるためRa=0.06μIηて非常に平滑で
あり、凹凸部の食い込みによるいわゆるアンカー効果に
よる接着はほとんとないにもかかわらず、白金薄膜層の
下部に白金酸化チタンアルミナ合金層があるため、白金
薄膜抵抗体2の取り出し電極部3の接着強度は1胴2当
り1〜1.5kgあり、実用上十分である。
なお取り出し電極部3以外の白金薄膜抵抗体2の接着強
度は、従来例と同様1mm2当り300〜700g程度
しかないが、本白金薄膜抵抗体2は保護コート層5によ
り保護されるため、この程度の接着強度で十分である。
(実施例2) 第3図において、4は本発明によるモリブデンクロム酸
化物薄膜層であり、純度99.0%のアルミナ基板1上
にモリブデンとクロムの比が8=2である金属有機物ペ
ーストをアルミナ基板1上の取り出し電極部3に対応す
る部分に印刷し、850℃で焼成し、モリブデン・クロ
ム酸化物よりなる金属酸化物薄膜層4を形成させる。そ
して、白金有機物ペーストをアルミナ基板1の全面に印
刷した後、1100℃で10分焼成し、膜厚0.8μm
の白金薄膜層をアルミナ基板に付着形成させた後、所定
の抵抗値の抵抗値パターンを得るため熱王水を用いてエ
ツチングしパターニングを施した後、再度1100℃で
60分熱処理し、さらに最終抵抗値調整レーザートリミ
ングを行うことにより白金薄膜抵抗体2が形成される。
本実施例の白金薄膜抵抗体2は0℃での抵抗値1000
Ωてあった。最後にはう珪酸バリウム系カラスペースト
を印刷し、720℃で焼成して保護コート層5を形成し
た。
本実施例における白金薄膜抵抗体2の抵抗温度係数は3
850±8ppm/’Cであり、抵抗温度係数の異常な
低下やばらつきは認められながった。これは取り出し電
極部3以外の白金薄膜抵抗体2にモリブデン、クロム等
の不純物がなく、白金純度が少なくとも99.9%以上
あるためであると考えられる。
取り出し電極部3の接着強度は実施例1と同様に、白金
薄膜層の下部に白金モリブデンクロム酸化物合金層があ
るため、1mm2当り1〜1 、5 kgあり、実用上
十分な値であった。
発明の効果 以上の実施例から明らかなように本発明によれば、セン
サの機能体である白金薄膜抵抗体の取り出し電極部とア
ルミナ基板との中間に両者の接着力を増大する金属酸化
物薄膜層を設けているが、この層は白金薄膜抵抗体の取
り出し電極部以外の部分には接していないので白金薄膜
抵抗体の抵抗温度係数には悪影響を与えることな(、白
金薄膜抵抗体の取り出し電極部をアルミナ基板に強固に
接着させることができ、リード線が接続されて引張り応
力が加えられた場合にも電極部が基板から剥離するよう
な恐れはなく、長寿命で高性能の白金温度センサを提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における白金温度センサの平
面図、第2図は第1図におけるA−A線断面図、第3図
は本発明の他の一実施例における白金温度センサの平面
図である。 1・・・・・・アルミナ基板、2・・・・・・白金薄膜
抵抗体、3・・・・・・白金薄膜抵抗体の取り出し電極
部、4・・・・・・金属酸化物薄膜層、5・・・・・・
保護コート層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 白金薄膜抵抗体がアルミナ基板上に形成され、上記白金
    薄膜抵抗体とアルミナ基板との間で白金薄膜抵抗体の取
    り出し電極部の下部に、チタン,マンガン,モリブデン
    ,クロム,ジルコニア,銅よりなる群から選ばれた少な
    くとも一種以上の元素成分を含む金属酸化物薄膜層を介
    在させた白金温度センサ。
JP6144790A 1990-03-13 1990-03-13 白金温度センサ Pending JPH03262101A (ja)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08114474A (ja) * 1994-10-17 1996-05-07 Kanagawa Pref Gov 流量計センサ
JP2000044511A (ja) * 1998-05-26 2000-02-15 Mitsubishi Materials Corp コバルト塩又はマンガン塩の製造方法及びこれを用いたサ―ミスタ薄膜形成剤及びその薄膜の形成方法
EP1538432A1 (en) * 2003-11-13 2005-06-08 Harco Laboratories Inc. Extended temperature range thermal variable-resistance device
EP1571431A1 (en) * 2004-03-04 2005-09-07 Harco Laboratories Inc. Thermal variable resistance device with protective sheath
US7782171B2 (en) 2003-11-13 2010-08-24 Harco Laboratories, Inc. Extended temperature range heater
US7915994B2 (en) 2003-11-13 2011-03-29 Harco Laboratories, Inc. Thermal variable resistance device with protective sheath
WO2012167009A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Cree, Inc. Thin film resistor and method for its production
JP2017201290A (ja) * 2016-04-27 2017-11-09 日本特殊陶業株式会社 温度センサ素子及び温度センサ並びに温度センサ素子の製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08114474A (ja) * 1994-10-17 1996-05-07 Kanagawa Pref Gov 流量計センサ
JP2000044511A (ja) * 1998-05-26 2000-02-15 Mitsubishi Materials Corp コバルト塩又はマンガン塩の製造方法及びこれを用いたサ―ミスタ薄膜形成剤及びその薄膜の形成方法
EP1538432A1 (en) * 2003-11-13 2005-06-08 Harco Laboratories Inc. Extended temperature range thermal variable-resistance device
US7026908B2 (en) 2003-11-13 2006-04-11 Harco Laboratories, Inc. Extended temperature range thermal variable-resistance device
US7061364B2 (en) 2003-11-13 2006-06-13 Harco Labratories, Inc. Thermal variable resistance device with protective sheath
US7782171B2 (en) 2003-11-13 2010-08-24 Harco Laboratories, Inc. Extended temperature range heater
US7915994B2 (en) 2003-11-13 2011-03-29 Harco Laboratories, Inc. Thermal variable resistance device with protective sheath
EP1571431A1 (en) * 2004-03-04 2005-09-07 Harco Laboratories Inc. Thermal variable resistance device with protective sheath
WO2012167009A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Cree, Inc. Thin film resistor and method for its production
US8570140B2 (en) 2011-06-03 2013-10-29 Cree, Inc. Thin film resistor
JP2017201290A (ja) * 2016-04-27 2017-11-09 日本特殊陶業株式会社 温度センサ素子及び温度センサ並びに温度センサ素子の製造方法

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