JPH03262102A - 白金温度センサ - Google Patents
白金温度センサInfo
- Publication number
- JPH03262102A JPH03262102A JP6145890A JP6145890A JPH03262102A JP H03262102 A JPH03262102 A JP H03262102A JP 6145890 A JP6145890 A JP 6145890A JP 6145890 A JP6145890 A JP 6145890A JP H03262102 A JPH03262102 A JP H03262102A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- platinum
- thin film
- film resistor
- alumina substrate
- conducted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 157
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 79
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 59
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 4
- MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N oxoplatinum Chemical compound [Pt]=O MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 14
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMCCBULBRKMZTH-UHFFFAOYSA-N molybdenum platinum Chemical compound [Mo].[Pt] ZMCCBULBRKMZTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 platinum organic base Chemical class 0.000 description 1
- UUWCBFKLGFQDME-UHFFFAOYSA-N platinum titanium Chemical compound [Ti].[Pt] UUWCBFKLGFQDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、白金薄膜抵抗体の抵抗温度特性を利用した白
金温度センサに関するものである。
金温度センサに関するものである。
従来の技術
従来、この種の白金温度センサは、高純度アルミナ基板
上に白金薄膜抵抗体を蒸着法で形成し、1000〜14
00℃て熱処理し、さらに所定の抵抗値を得るためレー
ザーヒームを用いて白金薄膜抵抗体のパターニングを行
った後、再度1.0 OO〜1400℃て熱処理した後
、レーザートリミング法で抵抗値の最終微調節を行うと
いった方法で製造されていた。
上に白金薄膜抵抗体を蒸着法で形成し、1000〜14
00℃て熱処理し、さらに所定の抵抗値を得るためレー
ザーヒームを用いて白金薄膜抵抗体のパターニングを行
った後、再度1.0 OO〜1400℃て熱処理した後
、レーザートリミング法で抵抗値の最終微調節を行うと
いった方法で製造されていた。
この方法で得られた白金温度センサは、白金薄膜抵抗体
の白金純度か少なくとも、99.999%以上の純度を
有するため、電気特性的には抵抗温度係数3850 p
pm/’Cを安定して得られるが、取り出し電極部の
接着強度が弱いという欠点を有していた。1000〜1
400℃の熱処理により基板である99%以上の純度を
有するアルミナ基板と白金薄膜層との間に白金アルミナ
化合物が形成されるため、アルミナ基板と白金薄膜との
接着強度は1mm2当り300〜700g程度となるが
、この程度の強度では取り出し電極部の接着強度として
は不適当である。
の白金純度か少なくとも、99.999%以上の純度を
有するため、電気特性的には抵抗温度係数3850 p
pm/’Cを安定して得られるが、取り出し電極部の
接着強度が弱いという欠点を有していた。1000〜1
400℃の熱処理により基板である99%以上の純度を
有するアルミナ基板と白金薄膜層との間に白金アルミナ
化合物が形成されるため、アルミナ基板と白金薄膜との
接着強度は1mm2当り300〜700g程度となるが
、この程度の強度では取り出し電極部の接着強度として
は不適当である。
この種の温度センサの取り出し電極部の接着強度を強化
する方法として、白金薄膜層の下部に金属チタン薄膜層
を形成することにより白金薄膜の高純度アルミナ基板へ
の接着強度を強化しようとする提案がある(特公平1−
4−57’22号公報参照)。この考えによる白金温度
センサの形成方法についてつぎに説明する。
する方法として、白金薄膜層の下部に金属チタン薄膜層
を形成することにより白金薄膜の高純度アルミナ基板へ
の接着強度を強化しようとする提案がある(特公平1−
4−57’22号公報参照)。この考えによる白金温度
センサの形成方法についてつぎに説明する。
高純度アルミナ基板」二に金属チタン薄膜を蒸着法で形
成した後、白金薄膜抵抗体を蒸着法で形成し、1000
〜1400℃で熱処理し、さらに所定の抵抗値を得るた
めレーザーヒームを用いて白金薄膜抵抗体のパターニン
グを行った後、再度1ooo〜1400℃で熱処理した
後、レーリ′−トリミング法で抵抗値の最終微調節を行
うらのであった。
成した後、白金薄膜抵抗体を蒸着法で形成し、1000
〜1400℃で熱処理し、さらに所定の抵抗値を得るた
めレーザーヒームを用いて白金薄膜抵抗体のパターニン
グを行った後、再度1ooo〜1400℃で熱処理した
後、レーリ′−トリミング法で抵抗値の最終微調節を行
うらのであった。
発明が解決しようとする課題
しかし、このような白金温度センサの形成方法では、取
り出し電極部の接着強度は1mm2当り1〜]−、5k
g 得られ、取り出し電極の接着強度としては実用上十
分であるか、電極部以外、すなわち白金薄膜抵抗体の下
部にも金属チタン薄膜層が形成されるため、1000℃
以上の熱処理を行うときに白金薄膜抵抗体の白金薄膜層
に金属チタンが拡散し、抵抗温度係数の低下またはばら
つきが見られるため生産の歩留りが悪い。
り出し電極部の接着強度は1mm2当り1〜]−、5k
g 得られ、取り出し電極の接着強度としては実用上十
分であるか、電極部以外、すなわち白金薄膜抵抗体の下
部にも金属チタン薄膜層が形成されるため、1000℃
以上の熱処理を行うときに白金薄膜抵抗体の白金薄膜層
に金属チタンが拡散し、抵抗温度係数の低下またはばら
つきが見られるため生産の歩留りが悪い。
また、金属チタン薄膜を真空蒸着法で成膜する場合には
、マスク法、リフトオフ法等により取り出し電極部に対
応する部分のみ選択的に着脱することによって」1記の
問題点すなわち抵抗温度係数の低下を防止することもで
きるが、蒸着装置が複雑となり過ぎて実用的ではない。
、マスク法、リフトオフ法等により取り出し電極部に対
応する部分のみ選択的に着脱することによって」1記の
問題点すなわち抵抗温度係数の低下を防止することもで
きるが、蒸着装置が複雑となり過ぎて実用的ではない。
本発明は」1記課題を解決するもので、白金薄膜抵抗体
の取り出し電極部をアルミナ基板に強固に接着して、な
おかつ白金薄膜抵抗体の感温性能を低下させないような
白金温度センサを提供ずろことを目的上している。
の取り出し電極部をアルミナ基板に強固に接着して、な
おかつ白金薄膜抵抗体の感温性能を低下させないような
白金温度センサを提供ずろことを目的上している。
課題を解決するための手段
本発明は上記課題を解決するために、白金薄膜抵抗体の
取り出し電極部の下部に白金を主成分としチタン、マン
ガン、モリブデン、クロム,ほう素、ビスマス、銅、ア
ルミニウムから選ばれる成分元素を一種以上含む白金・
酸化物薄膜層を形成し、その上に白金薄膜抵抗体を形成
したものである。
取り出し電極部の下部に白金を主成分としチタン、マン
ガン、モリブデン、クロム,ほう素、ビスマス、銅、ア
ルミニウムから選ばれる成分元素を一種以上含む白金・
酸化物薄膜層を形成し、その上に白金薄膜抵抗体を形成
したものである。
作用
本発明は上記した構成により、白金薄膜抵抗体にはチタ
ン等の金属成分の拡散がないため白金薄膜抵抗体の抵抗
温度係数の低下等の現象を防止するとともに取り出し電
極部の接着強度を実用」二十分な強度(1mm2当り1
〜1 、5 kg )まで容易にかつ低コストで高める
ことができるのである。
ン等の金属成分の拡散がないため白金薄膜抵抗体の抵抗
温度係数の低下等の現象を防止するとともに取り出し電
極部の接着強度を実用」二十分な強度(1mm2当り1
〜1 、5 kg )まで容易にかつ低コストで高める
ことができるのである。
実施例
以下、本発明の実施例について第1図〜第3図を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
実施例1
第1図、第2図に示すように、純度99.9%のアルミ
ナ基板1上で白金とチタンの比が9=1である金属有機
物ペーストを、白金薄膜抵抗体2の取り出し電極部3に
対応する部分に印刷し、9000Cで焼成してチタン酸
化物を含む白金・酸化物薄膜層4を形成した。ついて白
金をアルミナ基板1の全面に約1μmの厚みで蒸着した
後、1100℃で30分熱処理し、白金薄膜層をアルミ
ナ基板1に付着させた後、所定の抵抗値に抵抗値調整す
るため、YAGレーザ−ビームを用いてパターニングを
施した後、再度1100℃で60分熱処理し、さらに最
終抵抗値調整レーザートリミングを行うことにより、白
金薄膜抵抗体2を形成させる。本実施例では0℃での抵
抗値100Ωの白金薄膜抵抗体2を形成したものである
。
ナ基板1上で白金とチタンの比が9=1である金属有機
物ペーストを、白金薄膜抵抗体2の取り出し電極部3に
対応する部分に印刷し、9000Cで焼成してチタン酸
化物を含む白金・酸化物薄膜層4を形成した。ついて白
金をアルミナ基板1の全面に約1μmの厚みで蒸着した
後、1100℃で30分熱処理し、白金薄膜層をアルミ
ナ基板1に付着させた後、所定の抵抗値に抵抗値調整す
るため、YAGレーザ−ビームを用いてパターニングを
施した後、再度1100℃で60分熱処理し、さらに最
終抵抗値調整レーザートリミングを行うことにより、白
金薄膜抵抗体2を形成させる。本実施例では0℃での抵
抗値100Ωの白金薄膜抵抗体2を形成したものである
。
最後にはう珪酸鉛系ガラスペーストを印刷し、620℃
で焼成して保護コート層5を形成した。
で焼成して保護コート層5を形成した。
本実施例における白金薄膜抵抗体2の抵抗温度係数は3
850±6 p p m / 0Cであり、抵抗温度係
数の異常な低下やばらつきは認められなかった。これは
取り出し電極部3以外の白金薄膜抵抗体2部に金属チタ
ン等の不純物がなく、白金純度が少なくとも99.9%
以上あるためであると考えられる。
850±6 p p m / 0Cであり、抵抗温度係
数の異常な低下やばらつきは認められなかった。これは
取り出し電極部3以外の白金薄膜抵抗体2部に金属チタ
ン等の不純物がなく、白金純度が少なくとも99.9%
以上あるためであると考えられる。
本実施例におけるアルミナ基板11の表面粗度は高純度
、アルミナであるため、Ra=0.06μmで非常に平
滑であり、凹凸部の相互食い込みによるいわゆるアンカ
ー効果による接着はほとんどないにもかかわらず、白金
薄膜層の下部に白金チタンアルミナ合金層があるため、
取り出し電極部3の接着強度は1mm2当り1〜1 、
5 kgあり、実用上十分な接着強度を有している。
、アルミナであるため、Ra=0.06μmで非常に平
滑であり、凹凸部の相互食い込みによるいわゆるアンカ
ー効果による接着はほとんどないにもかかわらず、白金
薄膜層の下部に白金チタンアルミナ合金層があるため、
取り出し電極部3の接着強度は1mm2当り1〜1 、
5 kgあり、実用上十分な接着強度を有している。
なお、取り出し電極部3以外の白金7iJ膜抵抗体2の
接着強度は、従来例と同様1mm2当り300〜700
g程度しかないか、白金薄膜抵抗体2は保護コート層5
により保護されるため、この程度の接着強度で十分であ
る。
接着強度は、従来例と同様1mm2当り300〜700
g程度しかないか、白金薄膜抵抗体2は保護コート層5
により保護されるため、この程度の接着強度で十分であ
る。
実施例2
第3図に示すように、純度99.9%のアルミナ基板1
上で白金とモリブデンの比が8・2である金属有機物ペ
ーストを、白金薄膜抵抗体2の取り出し電極部3に対応
する部分に印刷し、850 ’Cで焼成してモリブデン
の酸化物を含む白金・酸化物薄膜層4を形成した。つい
て白金有機物ベーストをアルミナ基板]の全面に印刷し
た後、]]00°Cて10分焼成し、膜厚0.8μmη
の白金薄膜層をアルミナ基板1に付着形成させた後、所
定の抵抗値の抵抗値パターンを得るため熱王水を用いて
エツチングを施した後、再度1.100’Cて60分熱
処理し、さらに最終抵抗値調整レーザートリミングを行
うことにより白金薄膜抵抗体2を形成させた。本実施例
ではOoCでの抵抗値1000Ωの白金薄膜抵抗体2を
形成した。最後にはう珪酸ハノウム系カラスペーストを
印刷し、720℃で焼成し保護コート層5を形成した。
上で白金とモリブデンの比が8・2である金属有機物ペ
ーストを、白金薄膜抵抗体2の取り出し電極部3に対応
する部分に印刷し、850 ’Cで焼成してモリブデン
の酸化物を含む白金・酸化物薄膜層4を形成した。つい
て白金有機物ベーストをアルミナ基板]の全面に印刷し
た後、]]00°Cて10分焼成し、膜厚0.8μmη
の白金薄膜層をアルミナ基板1に付着形成させた後、所
定の抵抗値の抵抗値パターンを得るため熱王水を用いて
エツチングを施した後、再度1.100’Cて60分熱
処理し、さらに最終抵抗値調整レーザートリミングを行
うことにより白金薄膜抵抗体2を形成させた。本実施例
ではOoCでの抵抗値1000Ωの白金薄膜抵抗体2を
形成した。最後にはう珪酸ハノウム系カラスペーストを
印刷し、720℃で焼成し保護コート層5を形成した。
本実施例における白金薄膜抵抗体2の抵抗温度係数は3
850±8 p p rn 、/ ℃てあり、抵抗温度
係数の異常な低下やばらつきは認められなかった。これ
は取り出し電極部3以外の白金薄膜抵抗体2部に金属モ
リブデン等の不純物がなく、白金純度が少なくとも99
.9%以」二あるためであると考えられる。取り出し電
極部3の接着強度については実施例1と同様に、白金薄
膜層の下部に白金モリブデン合金層かあるため、1mm
2当り1〜1 、5 kgあり、実用上十分な接着強度
であった。
850±8 p p rn 、/ ℃てあり、抵抗温度
係数の異常な低下やばらつきは認められなかった。これ
は取り出し電極部3以外の白金薄膜抵抗体2部に金属モ
リブデン等の不純物がなく、白金純度が少なくとも99
.9%以」二あるためであると考えられる。取り出し電
極部3の接着強度については実施例1と同様に、白金薄
膜層の下部に白金モリブデン合金層かあるため、1mm
2当り1〜1 、5 kgあり、実用上十分な接着強度
であった。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように本発明によれば、セン
サの機能体である白金薄膜抵抗体の取り出し電極部とア
ルミナ基板との中間に両者の接着力を増大する白金・酸
化物薄膜層を設けているが、この層は白金薄膜抵抗体の
取り出し電極部以外の部分には設けていないので、白金
薄膜抵抗体への金属成分の拡散はなく、白金薄膜抵抗体
の抵抗温度係数には悪影響を与えることなく、自金へ膜
抵抗体の取り出し電極部をアルミナ基板に強固(こ接着
さぜることがてきる。し人口かってり−1−♀泉が接続
されて引張り応力か加えられた場合にら電極部か基板か
ら剥離するような恐れはなく、長寿命で高性能の白金温
度センサを提供することかてきる。
サの機能体である白金薄膜抵抗体の取り出し電極部とア
ルミナ基板との中間に両者の接着力を増大する白金・酸
化物薄膜層を設けているが、この層は白金薄膜抵抗体の
取り出し電極部以外の部分には設けていないので、白金
薄膜抵抗体への金属成分の拡散はなく、白金薄膜抵抗体
の抵抗温度係数には悪影響を与えることなく、自金へ膜
抵抗体の取り出し電極部をアルミナ基板に強固(こ接着
さぜることがてきる。し人口かってり−1−♀泉が接続
されて引張り応力か加えられた場合にら電極部か基板か
ら剥離するような恐れはなく、長寿命で高性能の白金温
度センサを提供することかてきる。
第1図は本発明の一実施例における白金温度センサの平
面図、第2図は第1図におけるΔ−Δ線断面図、第3図
は本発明の他の実施例におけろ白金温度センサの平面図
である。 ]・・・・・・アルミナ基板、2・・・・・・白金薄膜
抵抗体、3・・・・・・白金薄膜抵抗体の取り出し電極
部、4・・・・・・白金・酸化物薄膜層、5・・・・・
・保護コート層。
面図、第2図は第1図におけるΔ−Δ線断面図、第3図
は本発明の他の実施例におけろ白金温度センサの平面図
である。 ]・・・・・・アルミナ基板、2・・・・・・白金薄膜
抵抗体、3・・・・・・白金薄膜抵抗体の取り出し電極
部、4・・・・・・白金・酸化物薄膜層、5・・・・・
・保護コート層。
Claims (1)
- アルミナ基板上に形成された白金薄膜抵抗体の取り出し
電極部の下部のアルミナ基板上に、白金を主成分としチ
タン,マンガン,モリブデン,クロム,ほう素,ビスマ
ス,銅,アルミニウムよりなる群から選ばれた一種以上
の元素成分を含む白金・酸化物薄膜層を介在させた白金
温度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6145890A JPH03262102A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 白金温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6145890A JPH03262102A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 白金温度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03262102A true JPH03262102A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13171614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6145890A Pending JPH03262102A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 白金温度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03262102A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1140403A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 温度センサ素子 |
JP2002514310A (ja) * | 1997-11-13 | 2002-05-14 | ヘレウス エレクトロナイト インタナショナル エヌ ヴィー | 温度測定用センサ装置の製造方法 |
JP2017201290A (ja) * | 2016-04-27 | 2017-11-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 温度センサ素子及び温度センサ並びに温度センサ素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP6145890A patent/JPH03262102A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1140403A (ja) * | 1997-07-22 | 1999-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 温度センサ素子 |
JP2002514310A (ja) * | 1997-11-13 | 2002-05-14 | ヘレウス エレクトロナイト インタナショナル エヌ ヴィー | 温度測定用センサ装置の製造方法 |
JP2017201290A (ja) * | 2016-04-27 | 2017-11-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 温度センサ素子及び温度センサ並びに温度センサ素子の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20070038143A (ko) | 칩용 퓨즈 | |
GB1038609A (en) | Ohmic contacts to thin film passivated resistors | |
JPH03262101A (ja) | 白金温度センサ | |
JPH03262102A (ja) | 白金温度センサ | |
JPH08138902A (ja) | チップ抵抗器およびその製造方法 | |
JP4707890B2 (ja) | チップ抵抗器およびその製造方法 | |
RU2645810C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного чип резистивного высокочастотного аттенюатора | |
JPH05223516A (ja) | 金属薄膜抵抗ひずみゲージ | |
JPH03131001A (ja) | 抵抗温度センサ | |
JPH05102522A (ja) | Led表示装置の製造方法 | |
JPH02141262A (ja) | サーマルヘッド及びその製造方法 | |
JPS6421943A (en) | Semiconductor device | |
JPH03131002A (ja) | 抵抗温度センサ | |
JPH02299860A (ja) | サーマルヘッド | |
JPH06137804A (ja) | 金属薄膜抵抗ひずみゲージ | |
JPS5811112B2 (ja) | 基板 | |
JPS63241846A (ja) | 耐熱性黒色電極およびその製造方法 | |
JPS6114913B2 (ja) | ||
JPH0245354B2 (ja) | Kinzokukairoojusuruseramitsukusukibannoseizohoho | |
JPS5917971B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS62109664A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPH0311738A (ja) | 薄膜導体パターンの形成方法 | |
JPS6281002A (ja) | 薄膜白金温度センサ | |
JP2000091101A (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
JPS6242858A (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 |