JPH02141262A - サーマルヘッド及びその製造方法 - Google Patents
サーマルヘッド及びその製造方法Info
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- JPH02141262A JPH02141262A JP29579888A JP29579888A JPH02141262A JP H02141262 A JPH02141262 A JP H02141262A JP 29579888 A JP29579888 A JP 29579888A JP 29579888 A JP29579888 A JP 29579888A JP H02141262 A JPH02141262 A JP H02141262A
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ファクシミリやプリンタ等において印字ヘッ
ドとして使用されるサーマルヘッド及びその製造方法に
関する。
ドとして使用されるサーマルヘッド及びその製造方法に
関する。
第２図は従来のサーマルヘッドを概略的に示す断面図で
ある。
ある。
同図において、１は放熱マウント、２は放熱マウント１
上に備えられたグレーズドアルミナ基板、３はアルミナ
基板２上に備えられた発熱抵抗体層である。また、４は
発熱抵抗体層３上であって発熱部となる部分３ａを除く
範囲に形成されたＣｒ又はＮｉＣｒよりなる密着層、５
は密着層４上に備えられた約１μｍ厚のＡｕ薄膜層であ
る。さらに、６はＡｕ薄膜層５上に形成された数十Ａ厚
のＣｒ又はＮｉＣｒよりなる酸化膜、７は発熱抵抗体３
の発熱部３ａ上を覆い酸化膜６上にまで広がる２〜５μ
ｍ厚の保護膜、８は酸化ＰＡ６上に備えられた約１μｍ
厚のＡｕめっき膜である。
上に備えられたグレーズドアルミナ基板、３はアルミナ
基板２上に備えられた発熱抵抗体層である。また、４は
発熱抵抗体層３上であって発熱部となる部分３ａを除く
範囲に形成されたＣｒ又はＮｉＣｒよりなる密着層、５
は密着層４上に備えられた約１μｍ厚のＡｕ薄膜層であ
る。さらに、６はＡｕ薄膜層５上に形成された数十Ａ厚
のＣｒ又はＮｉＣｒよりなる酸化膜、７は発熱抵抗体３
の発熱部３ａ上を覆い酸化膜６上にまで広がる２〜５μ
ｍ厚の保護膜、８は酸化ＰＡ６上に備えられた約１μｍ
厚のＡｕめっき膜である。
上記酸化膜６は発熱抵抗体層３の表面を酸化させるため
及び焼戻し効果により発熱抵抗体層の抵抗値を安定化さ
せるための熱処理（３００°Ｃ）の工程によって、密着
層４のＣｒ又はＮｉがＡｕ薄膜層５の中に拡散して表面
で酸素と結合して形成される層である。そして、この密
着層４は保護膜７の密着性を確保ず機能を持つ。この熱
処理工程を含まなりればＡｕ薄膜層５上に直接ボンディ
ングか可能になるが、この場合には発熱抵抗体層３の安
定化ができないのみならず、Ａｕ薄膜層５と保護膜７と
の密着性を良好に確保できなくなため、この工程を除く
ことはできなかっな。
及び焼戻し効果により発熱抵抗体層の抵抗値を安定化さ
せるための熱処理（３００°Ｃ）の工程によって、密着
層４のＣｒ又はＮｉがＡｕ薄膜層５の中に拡散して表面
で酸素と結合して形成される層である。そして、この密
着層４は保護膜７の密着性を確保ず機能を持つ。この熱
処理工程を含まなりればＡｕ薄膜層５上に直接ボンディ
ングか可能になるが、この場合には発熱抵抗体層３の安
定化ができないのみならず、Ａｕ薄膜層５と保護膜７と
の密着性を良好に確保できなくなため、この工程を除く
ことはできなかっな。
ところで、上記Ａｕめっき膜８はドライバＩＣ等のワイ
ヤとのボンディング性を良好に確保するための層であり
、電気メツキや焦電解メツキによって形成される。Ａｕ
めつき膜８上にはドライバＩＣ９が備えられ、そのボン
ディングワイヤ１０をＡｕメツキ膜８に接続している。
ヤとのボンディング性を良好に確保するための層であり
、電気メツキや焦電解メツキによって形成される。Ａｕ
めつき膜８上にはドライバＩＣ９が備えられ、そのボン
ディングワイヤ１０をＡｕメツキ膜８に接続している。
仮に、このＡｕメツキ膜８がなく酸化膜６に直接ボンデ
ィングワイヤ１０を接続したとすると、Ａｕ薄膜層５と
の電気的接続はＷ保されるか、酸化膜６が数十Ａと薄い
ためボンディング強度が十分得られず使用に適さないも
のとなる。Ａｌｌめっき膜８はこのために必要なもので
ある。
ィングワイヤ１０を接続したとすると、Ａｕ薄膜層５と
の電気的接続はＷ保されるか、酸化膜６が数十Ａと薄い
ためボンディング強度が十分得られず使用に適さないも
のとなる。Ａｌｌめっき膜８はこのために必要なもので
ある。
しかしながら、上記従来例においては、ドライバＩＣ９
のボンディング性を良好にするためにＡＵめっき膜８を
約１μｍ厚に形成しているので、この分の材料コスト及
び加工コストが製品価格を上昇させるという問題があっ
た。
のボンディング性を良好にするためにＡＵめっき膜８を
約１μｍ厚に形成しているので、この分の材料コスト及
び加工コストが製品価格を上昇させるという問題があっ
た。
特に、浮き島パターンにワイヤボンディングをするため
には、強度上の要請から１μｍより厚い無電解厚付けめ
っきを施さなければならず、製品価格が非常に高くなる
という問題があった。
には、強度上の要請から１μｍより厚い無電解厚付けめ
っきを施さなければならず、製品価格が非常に高くなる
という問題があった。
そこで、本発明は上記したような従来技術の課題を解決
するためになされたもので、その目的とするところは、
Ａｕ薄膜層を露出させボンディング可能領域を確保する
ことで、製品価格の低いサーマルヘッド及びその製造方
法を提供することにある。
するためになされたもので、その目的とするところは、
Ａｕ薄膜層を露出させボンディング可能領域を確保する
ことで、製品価格の低いサーマルヘッド及びその製造方
法を提供することにある。
本発明に係るサーマルヘッドは、絶縁基板と、上記絶縁
基板上に備えられた発熱抵抗体層と、上記発熱抵抗体層
上の発熱部となる部分を除く所定範囲に備えられた密着
層と、上記密着層上に備えられ、上記発熱抵抗体層に電
流を供給するためのＡｕ薄膜層と、上記Ａｕ薄膜層が所
定範囲で露出するように、上記Ａｕ薄膜層上に備えられ
た酸化膜と、上記発熱抵抗体層の発熱部上と上記酸化膜
上に備えられた保護膜とを有することを特徴としている
。
基板上に備えられた発熱抵抗体層と、上記発熱抵抗体層
上の発熱部となる部分を除く所定範囲に備えられた密着
層と、上記密着層上に備えられ、上記発熱抵抗体層に電
流を供給するためのＡｕ薄膜層と、上記Ａｕ薄膜層が所
定範囲で露出するように、上記Ａｕ薄膜層上に備えられ
た酸化膜と、上記発熱抵抗体層の発熱部上と上記酸化膜
上に備えられた保護膜とを有することを特徴としている
。
また、本発明に係るサーマルヘッドの製造方法は、絶縁
基板上に発熱抵抗体層を形成する工程と、上記発熱抵抗
体層の発熱部となる部分を除く所定範囲に密着層を形成
する工程と、上記密着層上にＡｕ薄膜層を形成する工程
と、上記Ａｕ薄膜層上に酸化物層を形成する工程と、上
記発熱抵抗体層の発熱部上と上記酸化膜上に保護膜を形
成する工程と、上記酸化物層をエツチング除去し上記Ａ
ｕ薄膜層の所定範囲を露出させる工程とを有することを
特徴としている。
基板上に発熱抵抗体層を形成する工程と、上記発熱抵抗
体層の発熱部となる部分を除く所定範囲に密着層を形成
する工程と、上記密着層上にＡｕ薄膜層を形成する工程
と、上記Ａｕ薄膜層上に酸化物層を形成する工程と、上
記発熱抵抗体層の発熱部上と上記酸化膜上に保護膜を形
成する工程と、上記酸化物層をエツチング除去し上記Ａ
ｕ薄膜層の所定範囲を露出させる工程とを有することを
特徴としている。
本発明においては、発熱抵抗体層に電流を供給するため
のＡｕ薄膜層が所定範囲で露出するよう形成されている
ので、特別に別の層を設けることなく、ドライバＩＣ等
のボンディング可能領域が確保されている。
のＡｕ薄膜層が所定範囲で露出するよう形成されている
ので、特別に別の層を設けることなく、ドライバＩＣ等
のボンディング可能領域が確保されている。
また、本発明の製造方法においては、Ａｕ薄膜層上に酸
化膜を形成し、発熱抵抗体層の発熱部上と酸化膜上に保
護膜を形成した後に、逆スパツタリング等のエツチング
により酸化膜を除去するので、酸化膜は保護膜の形成さ
れない範囲で除去される。従って、保護膜は密着性の良
好な酸化ｊ模と密着することとなる。
化膜を形成し、発熱抵抗体層の発熱部上と酸化膜上に保
護膜を形成した後に、逆スパツタリング等のエツチング
により酸化膜を除去するので、酸化膜は保護膜の形成さ
れない範囲で除去される。従って、保護膜は密着性の良
好な酸化ｊ模と密着することとなる。
以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明に係るサーマルヘッドの一実施例を示す
概略断面図である。同図において、第２図と同一の構成
部分には同一の符号を付して説明する。即ち、１は放熱
マウント、２はグレーズドアルミナ基板（絶縁基板）、
３は発熱抵抗体層、４は発熱抵抗体層３の発熱部となる
部分３ａを除く領域に形成されたＣｒ又はＮｉＣｒより
なる密着層、５は約１μｍ厚のＡｕ薄膜層である。また
、６はＣｒ又はＮｉＣｒの酸化膜、７は発熱抵抗体３の
発熱部３ａ上を覆い酸化膜６上にまで広がる２〜５μｍ
厚の保護膜である。
概略断面図である。同図において、第２図と同一の構成
部分には同一の符号を付して説明する。即ち、１は放熱
マウント、２はグレーズドアルミナ基板（絶縁基板）、
３は発熱抵抗体層、４は発熱抵抗体層３の発熱部となる
部分３ａを除く領域に形成されたＣｒ又はＮｉＣｒより
なる密着層、５は約１μｍ厚のＡｕ薄膜層である。また
、６はＣｒ又はＮｉＣｒの酸化膜、７は発熱抵抗体３の
発熱部３ａ上を覆い酸化膜６上にまで広がる２〜５μｍ
厚の保護膜である。
そして、上記構成のサーマルヘッドは以下のように製造
される。
される。
先ず、グレーズドアルミナ基板２上にスパッタリング法
又は蒸着法により発熱抵抗体層３、その上に密着層４、
さらにその上にＡ １］薄膜層５を形成する。
又は蒸着法により発熱抵抗体層３、その上に密着層４、
さらにその上にＡ １］薄膜層５を形成する。
次に、発熱抵抗体層３の安定化のための熱処理（３００
’Ｃ）を施す。このとき密着層４のＣｒがＡｕ薄膜層５
の中に拡散して表面で酸素と結合して酸化膜６が形成さ
れる。この層は保護膜７の密着性を良好にする働きを持
つ。
’Ｃ）を施す。このとき密着層４のＣｒがＡｕ薄膜層５
の中に拡散して表面で酸素と結合して酸化膜６が形成さ
れる。この層は保護膜７の密着性を良好にする働きを持
つ。
次に、スパッタリング法又は蒸着法により発熱抵抗体層
３の発熱部３上と酸化膜６上に保護膜７を形成する。
３の発熱部３上と酸化膜６上に保護膜７を形成する。
その後、酸化膜６を逆スパツタリングによりエツチング
して除去し、酸化膜６が除去された部分にＡｕ薄膜層５
を露出させる。ここで、逆スパツタリングにより保護膜
７も僅かに除去される保護膜７の厚さに比べ小さく機能
は損なわれない。また、酸化［３の除去方法としては逆
スパツタリング法が適しているが硝酸第二セリウムアン
モニウム溶液によっても除去できる。
して除去し、酸化膜６が除去された部分にＡｕ薄膜層５
を露出させる。ここで、逆スパツタリングにより保護膜
７も僅かに除去される保護膜７の厚さに比べ小さく機能
は損なわれない。また、酸化［３の除去方法としては逆
スパツタリング法が適しているが硝酸第二セリウムアン
モニウム溶液によっても除去できる。
上記工程により製造されたサーマルヘッドは、Ａｕ薄膜
層５を露出させているので、ドライバＩＣ９のボンディ
ングワイヤ１０を直接Ａｕ薄膜層５に取り付けることか
できる。従って、第２図に示す従来例のように酸化膜上
にＡ ＋」めつき膜を備える必要がなく、材料コスト及
び加工コストが節約できるので、製品価格の大幅な低減
を図ることかできる。
層５を露出させているので、ドライバＩＣ９のボンディ
ングワイヤ１０を直接Ａｕ薄膜層５に取り付けることか
できる。従って、第２図に示す従来例のように酸化膜上
にＡ ＋」めつき膜を備える必要がなく、材料コスト及
び加工コストが節約できるので、製品価格の大幅な低減
を図ることかできる。
また、本実施例の製造方法においては、Ａｕ薄膜層５上
に酸化膜６を形成し、発熱部３ａ上と酸化膜６上に保護
膜７を形成した後に、エツチングにより酸化膜６を除去
するので、酸化膜６は保護膜７の形成されない範囲で除
去される。従って、保護膜を密着性の良好な酸化膜と密
着させることができる。尚、逆スパツタリングによるエ
ツチングレートは高いためエツチングに要する加工時間
は短く加工コストへの影響は極めて小さい。
に酸化膜６を形成し、発熱部３ａ上と酸化膜６上に保護
膜７を形成した後に、エツチングにより酸化膜６を除去
するので、酸化膜６は保護膜７の形成されない範囲で除
去される。従って、保護膜を密着性の良好な酸化膜と密
着させることができる。尚、逆スパツタリングによるエ
ツチングレートは高いためエツチングに要する加工時間
は短く加工コストへの影響は極めて小さい。
以上説明したように、本発明によれば、ドライバＩＣの
ボンディングワイヤ等を直接Ａｕ薄膜層に取り付けるこ
とができるので、従来のように酸化膜上に別にＡｕめっ
き膜を備える必要がなく、その分材料コスト及び加工コ
ストが節約でき、製品価格の低減を図ることができる。
ボンディングワイヤ等を直接Ａｕ薄膜層に取り付けるこ
とができるので、従来のように酸化膜上に別にＡｕめっ
き膜を備える必要がなく、その分材料コスト及び加工コ
ストが節約でき、製品価格の低減を図ることができる。
また、本発明の製造方法によれは、Ａｕ薄膜層上に酸化
膜を形成し、発熱部上と酸化膜上に保護膜を形成した後
に、保護１摸の形成されない範囲で酸化膜を除去するの
で、保護膜の良好な密着性を確保できる。尚、本発明の
製造方法はエツチング工程か加えられており、その加工
コストがかかるが、従来のＡｕめっき膜形成工程に比べ
て極めて小さく、全体としてみれば製品価格を大幅に低
減できる。
膜を形成し、発熱部上と酸化膜上に保護膜を形成した後
に、保護１摸の形成されない範囲で酸化膜を除去するの
で、保護膜の良好な密着性を確保できる。尚、本発明の
製造方法はエツチング工程か加えられており、その加工
コストがかかるが、従来のＡｕめっき膜形成工程に比べ
て極めて小さく、全体としてみれば製品価格を大幅に低
減できる。
第１図は本発明に係るサーマルヘッドの一実施例を示す
概略断面図、 第２図は従来のサーマルヘッドを示す概略断面図である
。 ２・・・グレーズドアルミナ基板（絶縁基板）、３・・
・発熱抵抗体層、 ４・・・密着層、 ５・・・Ａｕ薄膜層、 ６・・・酸化膜、 ７・・・保護膜。
概略断面図、 第２図は従来のサーマルヘッドを示す概略断面図である
。 ２・・・グレーズドアルミナ基板（絶縁基板）、３・・
・発熱抵抗体層、 ４・・・密着層、 ５・・・Ａｕ薄膜層、 ６・・・酸化膜、 ７・・・保護膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁基板と、 上記絶縁基板上に備えられた発熱抵抗体層と、上記発熱
抵抗体層上の発熱部となる部分を除く所定範囲に備えら
れた密着層と、 上記密着層上に備えられ、上記発熱抵抗体層に電流を供
給するためのＡｕ薄膜層と、 上記Ａｕ薄膜層が所定範囲で露出するように、上記Ａｕ
薄膜層上に備えられた酸化膜と、 上記発熱抵抗体層の発熱部上と上記酸化膜上に備えられ
た保護膜とを有することを特徴とするサーマルヘッド。 ２、絶縁基板上に発熱抵抗体層を形成する工程と、 上記発熱抵抗体層の発熱部となる部分を除く所定範囲に
密着１０を形成する工程と、 上記密着層上にＡｕ薄膜層を形成する工程と、上記Ａｕ
薄膜層上に酸化物層を形成する工程と、上記発熱抵抗体
層の発熱部上と上記酸化膜上に保護膜を形成する工程と
、 上記酸化物層をエッチング除去し上記Ａｕ薄膜層の所定
範囲を露出させる工程とを有することを特徴とするサー
マルヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63295798A JPH0737147B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | サーマルヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63295798A JPH0737147B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | サーマルヘッド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02141262A true JPH02141262A (ja) | 1990-05-30 |
| JPH0737147B2 JPH0737147B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=17825300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63295798A Expired - Lifetime JPH0737147B2 (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | サーマルヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737147B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006049095A1 (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-11 | Rohm Co., Ltd. | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 |
| US7697020B2 (en) | 2004-11-04 | 2010-04-13 | Rohm Co., Ltd. | Thermal print head and method for manufacturing same |
| JP5638627B2 (ja) * | 2010-12-25 | 2014-12-10 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5689968A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-21 | Fujitsu Ltd | Manufacturing of thermal head |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP63295798A patent/JPH0737147B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5689968A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-21 | Fujitsu Ltd | Manufacturing of thermal head |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006049095A1 (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-11 | Rohm Co., Ltd. | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 |
| JP2006130707A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Rohm Co Ltd | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
| US7697020B2 (en) | 2004-11-04 | 2010-04-13 | Rohm Co., Ltd. | Thermal print head and method for manufacturing same |
| JP4633442B2 (ja) * | 2004-11-04 | 2011-02-16 | ローム株式会社 | サーマルヘッド |
| JP5638627B2 (ja) * | 2010-12-25 | 2014-12-10 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびこれを備えるサーマルプリンタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0737147B2 (ja) | 1995-04-26 |
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