JPH0661012A - 薄膜サーミスタ - Google Patents
薄膜サーミスタInfo
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- JPH0661012A JPH0661012A JP21391192A JP21391192A JPH0661012A JP H0661012 A JPH0661012 A JP H0661012A JP 21391192 A JP21391192 A JP 21391192A JP 21391192 A JP21391192 A JP 21391192A JP H0661012 A JPH0661012 A JP H0661012A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜サーミスタに関し、熱応答特性、抵抗温
度特性を損なうことなく、熱サイクル試験後においても
長期間安定した特性を得ることができるとともに、所望
の抵抗値を容易に得ることができ、半田付け時の耐熱性
にも優れたものを提供することを目的とする。 【構成】 セラミックス基板１２と、このセラミックス
基板１２に設けた絶縁被膜１３と、この絶縁被膜１３の
上に設けた第１の感熱膜１４と、セラミックス基板１２
に設けた金属下地層１５Ａ，１５Ｂと、第１の感熱膜１
４の上に一部を対向させ、金属下地層１５Ａ，１５Ｂの
上に接続パッド部１６ａ，１６ｂを設けた電極膜１６
Ａ，１６Ｂと、この電極膜１６Ａ，１６Ｂの一部を挟み
込むように第１の感熱膜１４の上に設けた少なくとも第
１の感熱膜１４よりも厚い第２の感熱膜１７とで構成す
る。
度特性を損なうことなく、熱サイクル試験後においても
長期間安定した特性を得ることができるとともに、所望
の抵抗値を容易に得ることができ、半田付け時の耐熱性
にも優れたものを提供することを目的とする。 【構成】 セラミックス基板１２と、このセラミックス
基板１２に設けた絶縁被膜１３と、この絶縁被膜１３の
上に設けた第１の感熱膜１４と、セラミックス基板１２
に設けた金属下地層１５Ａ，１５Ｂと、第１の感熱膜１
４の上に一部を対向させ、金属下地層１５Ａ，１５Ｂの
上に接続パッド部１６ａ，１６ｂを設けた電極膜１６
Ａ，１６Ｂと、この電極膜１６Ａ，１６Ｂの一部を挟み
込むように第１の感熱膜１４の上に設けた少なくとも第
１の感熱膜１４よりも厚い第２の感熱膜１７とで構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、薄膜サーミスタに関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の薄膜サーミスタの構成を示
す説明図、図４は図３に示した薄膜サーミスタのＡ−Ａ
線による断面図である。図３または図４において、１は
薄膜サーミスタを示し、アルミナ、ステアタイトなどの
セラミックスで構成したセラミックス基板２と、このセ
ラミックス基板２上にクロム（Ｃｒ）−金（Ａｕ）、ク
ロム−銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）などの多層薄膜で形成
した多数の対向櫛歯状部３ａ1 ，３ｂ1 およびこの対向
櫛歯状部３ａ1 ，３ｂ1 に連なる接続パッド部３ａ2 ，
３ｂ2 からなる電極３Ａ，３Ｂと、この電極３Ａ，３Ｂ
の対向櫛歯状部３ａ1 ，３ｂ1 を覆うように炭化ケイ素
（ＳｉＣ）あるいはマンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）などの複合酸化物
薄膜をスパッタリング蒸着によって形成した感熱膜４と
で構成されている。５Ａ，５Ｂは電極３Ａ，３Ｂの接続
パッド部３ａ2 ，３ｂ2 にそれぞれ電気的および機械的
に接続された引き出し線、６は必要に応じて感熱膜４上
に形成する保護膜を示す。
す説明図、図４は図３に示した薄膜サーミスタのＡ−Ａ
線による断面図である。図３または図４において、１は
薄膜サーミスタを示し、アルミナ、ステアタイトなどの
セラミックスで構成したセラミックス基板２と、このセ
ラミックス基板２上にクロム（Ｃｒ）−金（Ａｕ）、ク
ロム−銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）などの多層薄膜で形成
した多数の対向櫛歯状部３ａ1 ，３ｂ1 およびこの対向
櫛歯状部３ａ1 ，３ｂ1 に連なる接続パッド部３ａ2 ，
３ｂ2 からなる電極３Ａ，３Ｂと、この電極３Ａ，３Ｂ
の対向櫛歯状部３ａ1 ，３ｂ1 を覆うように炭化ケイ素
（ＳｉＣ）あるいはマンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）などの複合酸化物
薄膜をスパッタリング蒸着によって形成した感熱膜４と
で構成されている。５Ａ，５Ｂは電極３Ａ，３Ｂの接続
パッド部３ａ2 ，３ｂ2 にそれぞれ電気的および機械的
に接続された引き出し線、６は必要に応じて感熱膜４上
に形成する保護膜を示す。
【０００３】このように構成した薄膜サーミスタ１は、
従来の一般のサーミスタにない優れた熱応答特性、ばら
つきの小さい抵抗値および抵抗温度特性を有し、量産性
が高いので、電極３Ａ，３Ｂの接続パッド部３ａ2 ，３
ｂ2 に引き出し線５Ａ，５Ｂを接続し、用途に応じて種
々のホルダに取り付けたり、あるいは種々の形状にアッ
センブリすることにより、温度センサとして各種の電子
機器や家電製品に多数用いられている。そこで、温度セ
ンサに用いられる薄膜サーミスタ１は、長期間熱ストレ
スを受けても安定した特性を有することが信頼性の面か
ら重要になってくる。
従来の一般のサーミスタにない優れた熱応答特性、ばら
つきの小さい抵抗値および抵抗温度特性を有し、量産性
が高いので、電極３Ａ，３Ｂの接続パッド部３ａ2 ，３
ｂ2 に引き出し線５Ａ，５Ｂを接続し、用途に応じて種
々のホルダに取り付けたり、あるいは種々の形状にアッ
センブリすることにより、温度センサとして各種の電子
機器や家電製品に多数用いられている。そこで、温度セ
ンサに用いられる薄膜サーミスタ１は、長期間熱ストレ
スを受けても安定した特性を有することが信頼性の面か
ら重要になってくる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄膜サーミスタ１は、４０℃と２００℃との温度サイク
ルで熱ストレス試験を行なうと、熱ストレス試験後（５
００時間後）の抵抗値が初期値に対して５％以上変動す
るという不都合があった。このように抵抗値が５％以上
変動する原因は、図４に示すように、セラミックス基板
２の上に電極３Ａ，３Ｂを設けた構造であるため、セラ
ミックス基板２の熱膨張率と電極３Ａ，３Ｂの熱膨張率
との違いにより、セラミックス基板２と電極３Ａ，３Ｂ
との接触状態が温度（熱）サイクルによって変化し、場
合によっては電極３Ａ，３Ｂがセラミックス基板２から
剥離することに起因するものと考えられる。
薄膜サーミスタ１は、４０℃と２００℃との温度サイク
ルで熱ストレス試験を行なうと、熱ストレス試験後（５
００時間後）の抵抗値が初期値に対して５％以上変動す
るという不都合があった。このように抵抗値が５％以上
変動する原因は、図４に示すように、セラミックス基板
２の上に電極３Ａ，３Ｂを設けた構造であるため、セラ
ミックス基板２の熱膨張率と電極３Ａ，３Ｂの熱膨張率
との違いにより、セラミックス基板２と電極３Ａ，３Ｂ
との接触状態が温度（熱）サイクルによって変化し、場
合によっては電極３Ａ，３Ｂがセラミックス基板２から
剥離することに起因するものと考えられる。
【０００５】また、図４からも明らかなように、セラミ
ックス基板２に感熱膜４が接触している構造であるた
め、製造工程中に高温で熱処理を施すと、感熱膜４を構
成する材料組成の一部がセラミックス基板２の中に熱拡
散することにより、感熱膜４の組成が変動し、熱処理後
の抵抗値のばらつきが大きくなり、特性が満足できるも
のではなかった。さらに、電極３Ａ，３Ｂの接続パッド
部３ａ2 ，３ｂ2 に引き出し線５Ａ，５Ｂを半田接続す
る場合、局部的加熱によって電極３Ａ，３Ｂがセラミッ
クス基板２から剥離するなどの不都合があった。
ックス基板２に感熱膜４が接触している構造であるた
め、製造工程中に高温で熱処理を施すと、感熱膜４を構
成する材料組成の一部がセラミックス基板２の中に熱拡
散することにより、感熱膜４の組成が変動し、熱処理後
の抵抗値のばらつきが大きくなり、特性が満足できるも
のではなかった。さらに、電極３Ａ，３Ｂの接続パッド
部３ａ2 ，３ｂ2 に引き出し線５Ａ，５Ｂを半田接続す
る場合、局部的加熱によって電極３Ａ，３Ｂがセラミッ
クス基板２から剥離するなどの不都合があった。
【０００６】この発明は、上記したような不都合を解消
するためになされたもので、熱応答特性、抵抗温度特性
を損なうことなく、熱サイクル試験後においても長期間
安定した特性を得ることができるとともに、所望の抵抗
値を容易に得ることができ、半田付け時の耐熱性にも優
れた薄膜サーミスタを提供するものである。
するためになされたもので、熱応答特性、抵抗温度特性
を損なうことなく、熱サイクル試験後においても長期間
安定した特性を得ることができるとともに、所望の抵抗
値を容易に得ることができ、半田付け時の耐熱性にも優
れた薄膜サーミスタを提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】まず、第１の発明にかか
る薄膜サーミスタは、セラミックス基板と、このセラミ
ックス基板の一主表面に設けた絶縁被膜と、この絶縁被
膜の上に設けた第１の感熱膜と、この第１の感熱膜の上
に一部を対向させ、セラミックス基板の一主表面に接続
パッド部を設けた一対の電極膜と、この一対の電極膜の
一部を挟み込むように第１の感熱膜の上に設けた少なく
とも第１の感熱膜よりも厚い第２の感熱膜とを備えたも
のである。そして、第２の発明にかかる薄膜サーミスタ
は、第１の発明の薄膜サーミスタにおいて、セラミック
ス基板の一主表面と一対の電極膜の接続パッド部との間
に金属下地層を設けたものである。
る薄膜サーミスタは、セラミックス基板と、このセラミ
ックス基板の一主表面に設けた絶縁被膜と、この絶縁被
膜の上に設けた第１の感熱膜と、この第１の感熱膜の上
に一部を対向させ、セラミックス基板の一主表面に接続
パッド部を設けた一対の電極膜と、この一対の電極膜の
一部を挟み込むように第１の感熱膜の上に設けた少なく
とも第１の感熱膜よりも厚い第２の感熱膜とを備えたも
のである。そして、第２の発明にかかる薄膜サーミスタ
は、第１の発明の薄膜サーミスタにおいて、セラミック
ス基板の一主表面と一対の電極膜の接続パッド部との間
に金属下地層を設けたものである。
【０００８】
【作用】この発明における薄膜サーミスタは、セラミッ
クス基板と感熱膜との間に絶縁被膜を設けたので、感熱
膜を構成する酸化物が絶縁被膜によってセラミックス基
板に熱拡散しなくなる。また、第１の感熱膜と第２の感
熱膜との間に一対の電極膜の一部を埋設させて設けたの
で、埋設されている一対の電極膜は周囲の環境に影響さ
れなくなる。さらに、セラミック基板と一対の電極膜の
接続パッド部との間に金属下地層を設けたので、リード
線などの引き出し線を接続パッド部に接続する加熱処理
を施しても、接続パッド部の剥離が発生しなくなる。
クス基板と感熱膜との間に絶縁被膜を設けたので、感熱
膜を構成する酸化物が絶縁被膜によってセラミックス基
板に熱拡散しなくなる。また、第１の感熱膜と第２の感
熱膜との間に一対の電極膜の一部を埋設させて設けたの
で、埋設されている一対の電極膜は周囲の環境に影響さ
れなくなる。さらに、セラミック基板と一対の電極膜の
接続パッド部との間に金属下地層を設けたので、リード
線などの引き出し線を接続パッド部に接続する加熱処理
を施しても、接続パッド部の剥離が発生しなくなる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例を図に基づいて説明
する。図１はこの発明の一実施例である薄膜サーミスタ
の構成を示す説明図、図２（ａ）〜（ｄ）は図１に示し
た薄膜サーミスタの製造工程を示す図１のＢ−Ｂ線によ
る断面図である。図１または図２において、１１は薄膜
サーミスタを示し、セラミックス基板１２と、このセラ
ミックス基板１２の上に形成した絶縁被膜１３と、この
絶縁被膜１３の上に形成した第１の感熱膜１４と、セラ
ミックス基板１２の上に絶縁被膜１３および第１の感熱
膜１４から離して形成した金属下地層１５Ａ，１５Ｂ
と、第１の感熱膜１４の上で一部が対向し、金属下地層
１５Ａ，１５Ｂの上に接続パッド部１６ａ，１６ｂが位
置するように形成した電極膜１６Ａ，１６Ｂと、この電
極膜１６Ａ，１６Ｂの一部を挟み込むように第１の感熱
膜１４の上に設けた第２の感熱膜１７とで構成されてい
る。１８は耐蝕性被膜を示し、必要に応じて第２の感熱
膜１７を覆うように設けられる。
する。図１はこの発明の一実施例である薄膜サーミスタ
の構成を示す説明図、図２（ａ）〜（ｄ）は図１に示し
た薄膜サーミスタの製造工程を示す図１のＢ−Ｂ線によ
る断面図である。図１または図２において、１１は薄膜
サーミスタを示し、セラミックス基板１２と、このセラ
ミックス基板１２の上に形成した絶縁被膜１３と、この
絶縁被膜１３の上に形成した第１の感熱膜１４と、セラ
ミックス基板１２の上に絶縁被膜１３および第１の感熱
膜１４から離して形成した金属下地層１５Ａ，１５Ｂ
と、第１の感熱膜１４の上で一部が対向し、金属下地層
１５Ａ，１５Ｂの上に接続パッド部１６ａ，１６ｂが位
置するように形成した電極膜１６Ａ，１６Ｂと、この電
極膜１６Ａ，１６Ｂの一部を挟み込むように第１の感熱
膜１４の上に設けた第２の感熱膜１７とで構成されてい
る。１８は耐蝕性被膜を示し、必要に応じて第２の感熱
膜１７を覆うように設けられる。
【００１０】次に、薄膜サーミスタの製造を図２（ａ）
〜（ｄ）に基づいて説明する。なお、説明の都合上、製
造途中のものと、最終構成部分とは、同一符号を用いて
説明する。まず、アルミナ、石英、ムライト、ステアタ
イトなどのセラミックスで構成したセラミックス基板１
２の一主表面に、図２（ａ）に示すように、スパッタ
法、プラズマＣＶＤ法などによって二酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2 ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4 ）などの厚さが0.１μ
ｍ〜1.０μｍの絶縁被膜１３を形成した後、この絶縁被
膜１３の上にスパッタ法などによって厚さが0.１μｍ〜
0.５μｍの第１の感熱膜１４を形成する。
〜（ｄ）に基づいて説明する。なお、説明の都合上、製
造途中のものと、最終構成部分とは、同一符号を用いて
説明する。まず、アルミナ、石英、ムライト、ステアタ
イトなどのセラミックスで構成したセラミックス基板１
２の一主表面に、図２（ａ）に示すように、スパッタ
法、プラズマＣＶＤ法などによって二酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2 ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4 ）などの厚さが0.１μ
ｍ〜1.０μｍの絶縁被膜１３を形成した後、この絶縁被
膜１３の上にスパッタ法などによって厚さが0.１μｍ〜
0.５μｍの第１の感熱膜１４を形成する。
【００１１】そして、このように絶縁被膜１３および第
１の感熱膜１４を形成した後、５００℃〜１０００℃の
温度で１時間〜５時間の熱処理を行なう。なお、このよ
うに絶縁被膜１３および第１の感熱膜１４を形成すると
きは、セラミックス基板１２の温度を２００℃〜５００
℃に加熱しておくことが好ましい。ここで、第１の感熱
膜１４はマンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバル
ト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）などからなる複合酸化物の焼結
体をターゲットとし、スパッタ圧力が0.２Ｐａ〜0.７Ｐ
ａで、セラミックス基板１２の温度が２００℃〜５００
℃の条件でスパッタリングを行なって形成する。
１の感熱膜１４を形成した後、５００℃〜１０００℃の
温度で１時間〜５時間の熱処理を行なう。なお、このよ
うに絶縁被膜１３および第１の感熱膜１４を形成すると
きは、セラミックス基板１２の温度を２００℃〜５００
℃に加熱しておくことが好ましい。ここで、第１の感熱
膜１４はマンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバル
ト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）などからなる複合酸化物の焼結
体をターゲットとし、スパッタ圧力が0.２Ｐａ〜0.７Ｐ
ａで、セラミックス基板１２の温度が２００℃〜５００
℃の条件でスパッタリングを行なって形成する。
【００１２】次に、図２（ｂ）に示すように、フォトエ
ッチング法によって絶縁被膜１３および第１の感熱膜１
４の不要部分を除去する。そして、リード線などの引き
出し線を接続するための電極膜１６Ａ，１６Ｂの接続パ
ッド部１６ａ，１６ｂに相当する部分Ｔａ，Ｔｂにセラ
ミックス基板１２と電極膜１６Ａ，１６Ｂとの密着性を
よくするためにケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）の少なくとも一種以上からなる金属下地層１５Ａ，
１５Ｂを形成する。
ッチング法によって絶縁被膜１３および第１の感熱膜１
４の不要部分を除去する。そして、リード線などの引き
出し線を接続するための電極膜１６Ａ，１６Ｂの接続パ
ッド部１６ａ，１６ｂに相当する部分Ｔａ，Ｔｂにセラ
ミックス基板１２と電極膜１６Ａ，１６Ｂとの密着性を
よくするためにケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）の少なくとも一種以上からなる金属下地層１５Ａ，
１５Ｂを形成する。
【００１３】さらに、図２（ｃ）に示すように、電極膜
１６Ａ，１６Ｂを形成する。次に、図２（ｄ）に示すよ
うに、第１の感熱膜１４を形成した複合酸化物で第２の
感熱膜１７をスパッタリングおよびフォトエッチング法
によって前述した条件と同じ条件で0.１μｍ〜2.０μｍ
の厚さに形成する。そして、第２の感熱膜１７を形成し
た後、５００℃〜１０００℃の温度で１時間〜５時間の
熱処理を行なう。次に、必要に応じて二酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ2 ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）などの耐蝕性被膜
１８を形成する。
１６Ａ，１６Ｂを形成する。次に、図２（ｄ）に示すよ
うに、第１の感熱膜１４を形成した複合酸化物で第２の
感熱膜１７をスパッタリングおよびフォトエッチング法
によって前述した条件と同じ条件で0.１μｍ〜2.０μｍ
の厚さに形成する。そして、第２の感熱膜１７を形成し
た後、５００℃〜１０００℃の温度で１時間〜５時間の
熱処理を行なう。次に、必要に応じて二酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ2 ）、窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）などの耐蝕性被膜
１８を形成する。
【００１４】上述したようにして製造した薄膜サミース
タ１１は、４０℃と２００℃との温度（熱）サイクル試
験を１万回行ない、試験前の抵抗値に対する変化率を調
べた結果、抵抗値の変化率は＋0.７％であった。また、
薄膜サーミスタ１１を２６０℃±５℃の半田槽に５秒間
浸漬し、浸漬の前後の抵抗値の変化率を調べた結果、＋
0.2 ％で、電極膜１６Ａ，１６Ｂの剥離がなかった。
タ１１は、４０℃と２００℃との温度（熱）サイクル試
験を１万回行ない、試験前の抵抗値に対する変化率を調
べた結果、抵抗値の変化率は＋0.７％であった。また、
薄膜サーミスタ１１を２６０℃±５℃の半田槽に５秒間
浸漬し、浸漬の前後の抵抗値の変化率を調べた結果、＋
0.2 ％で、電極膜１６Ａ，１６Ｂの剥離がなかった。
【００１５】なお、上記した実施例では、個々の薄膜サ
ーミスタ１１に分割したチップの状態について説明した
が、実際には一枚の基板上に多数の薄膜サーミスタ１１
を一度にパターン形成し、最後に個々の薄膜サーミスタ
１１に分割して完成するものである。また、電極膜１６
Ａ，１６Ｂの形状は、実施例で示した形状の他、櫛歯形
状であってもよいことは言うまでもない。
ーミスタ１１に分割したチップの状態について説明した
が、実際には一枚の基板上に多数の薄膜サーミスタ１１
を一度にパターン形成し、最後に個々の薄膜サーミスタ
１１に分割して完成するものである。また、電極膜１６
Ａ，１６Ｂの形状は、実施例で示した形状の他、櫛歯形
状であってもよいことは言うまでもない。
【００１６】さらに、金属下地層１５Ａ，１５Ｂを第１
の感熱膜１４の後に形成する例で説明したが、絶縁被膜
１２の形成前に形成してもよい。そして、第１および第
２の感熱膜１４，１７を複合酸化物として説明したが、
マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃ
ｏ）、鉄（Ｆｅ）の単体の酸化物、または２種以上の複
合酸化物であってもよい。また、金属下地層１５Ａ，１
５Ｂを設けた例で説明したが、この金属下地層１５Ａ，
１５Ｂを設けなくともよい。さらに、第１および第２の
感熱膜１４，１７の膜厚は、上記した実施例に限定され
るものでなく、所望の抵抗値によって変わるものであ
る。
の感熱膜１４の後に形成する例で説明したが、絶縁被膜
１２の形成前に形成してもよい。そして、第１および第
２の感熱膜１４，１７を複合酸化物として説明したが、
マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃ
ｏ）、鉄（Ｆｅ）の単体の酸化物、または２種以上の複
合酸化物であってもよい。また、金属下地層１５Ａ，１
５Ｂを設けた例で説明したが、この金属下地層１５Ａ，
１５Ｂを設けなくともよい。さらに、第１および第２の
感熱膜１４，１７の膜厚は、上記した実施例に限定され
るものでなく、所望の抵抗値によって変わるものであ
る。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、第１の発明によれば、セ
ラミックス基板と感熱膜との間に絶縁被膜を設けたの
で、感熱膜を構成する酸化物が絶縁被膜によってセラミ
ックス基板に熱拡散しなくなるため、熱応答特性、抵抗
温度特性を損なうことなく所望の抵抗値を容易に得るこ
とができる。また、第１の感熱膜と第２の感熱膜との間
に一対の電極膜の一部を埋設させて設けたので、埋設さ
れている一対の電極膜は周囲の環境に影響されなくなる
ため、熱サイクル試験後においても長期間安定した特性
を得ることができる。
ラミックス基板と感熱膜との間に絶縁被膜を設けたの
で、感熱膜を構成する酸化物が絶縁被膜によってセラミ
ックス基板に熱拡散しなくなるため、熱応答特性、抵抗
温度特性を損なうことなく所望の抵抗値を容易に得るこ
とができる。また、第１の感熱膜と第２の感熱膜との間
に一対の電極膜の一部を埋設させて設けたので、埋設さ
れている一対の電極膜は周囲の環境に影響されなくなる
ため、熱サイクル試験後においても長期間安定した特性
を得ることができる。
【００１８】さらに、第２の発明によれば、セラミック
基板と一対の電極膜の接続パッド部との間に金属下地層
を設けたので、リード線などの引き出し線を接続パッド
部に接続する加熱処理を施しても、接続パッド部の剥離
を防止することができる。
基板と一対の電極膜の接続パッド部との間に金属下地層
を設けたので、リード線などの引き出し線を接続パッド
部に接続する加熱処理を施しても、接続パッド部の剥離
を防止することができる。
【図１】この発明の一実施例である薄膜サーミスタの構
成を示す説明図である。
成を示す説明図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は図１に示した薄膜サーミスタ
の製造工程を示す図１のＢ−Ｂ線による断面図である。
の製造工程を示す図１のＢ−Ｂ線による断面図である。
【図３】従来の薄膜サーミスタの構成を示す説明図であ
る。
る。
【図４】図３に示した薄膜サーミスタのＡ−Ａ線による
断面図である。
断面図である。
１１ 薄膜サーミスタ １２ セラミックス基板 １３ 絶縁被膜 １４ 第１の感熱膜 １５Ａ，１５Ｂ 金属下地層 １６Ａ，１６Ｂ 電極膜 １６ａ，１６ｂ 接続パッド部 １７ 第２の感熱膜 １８ 耐蝕性被膜
フロントページの続き (72)発明者 遠藤 治之 東京都墨田区錦糸１丁目７番７号 石塚電 子株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミックス基板と、 このセラミックス基板の一主表面に設けた絶縁被膜と、 この絶縁被膜の上に設けた第１の感熱膜と、 この第１の感熱膜の上に一部を対向させ、前記セラミッ
クス基板の一主表面に接続パッド部を設けた一対の電極
膜と、 この一対の電極膜の一部を挟み込むように前記第１の感
熱膜の上に設けた少なくとも前記第１の感熱膜よりも厚
い第２の感熱膜と、からなる薄膜サーミスタ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の薄膜サーミスタにおい
て、 前記セラミックス基板の一主表面と前記一対の電極膜の
接続パッド部との間に金属下地層を設けた、ことを特徴
とする薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21391192A JP3312752B2 (ja) | 1992-08-11 | 1992-08-11 | 薄膜サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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