JPH11354302A - 薄膜抵抗素子 - Google Patents
薄膜抵抗素子Info
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- JPH11354302A JPH11354302A JP10160848A JP16084898A JPH11354302A JP H11354302 A JPH11354302 A JP H11354302A JP 10160848 A JP10160848 A JP 10160848A JP 16084898 A JP16084898 A JP 16084898A JP H11354302 A JPH11354302 A JP H11354302A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に対する抵抗薄膜の密着性を向上させ、
抵抗薄膜に対する保護膜の密着性を向上させることで、
製造時の歩留りを向上させ、使用時の特性劣化を防止し
て長寿命化を図った薄膜抵抗素子を提供する。 【解決手段】 絶縁基板２上にチタン薄膜からなる下側
密着層４を介してニッケル、白金または銅からなる抵抗
薄膜６が形成されており、抵抗薄膜６上にチタン薄膜か
らなる上側密着層８を介して保護膜１０が形成されてい
る。
抵抗薄膜に対する保護膜の密着性を向上させることで、
製造時の歩留りを向上させ、使用時の特性劣化を防止し
て長寿命化を図った薄膜抵抗素子を提供する。 【解決手段】 絶縁基板２上にチタン薄膜からなる下側
密着層４を介してニッケル、白金または銅からなる抵抗
薄膜６が形成されており、抵抗薄膜６上にチタン薄膜か
らなる上側密着層８を介して保護膜１０が形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜抵抗素子に関
するものであり、特に製造時の歩留が良好で且つ使用に
伴う経時劣化が少ない薄膜抵抗素子に関するものであ
る。本発明の抵抗素子は、例えば電気的通電により発熱
させる発熱素子として、あるいは周囲温度の変化による
電気抵抗値の変化を検知する感温（測温）素子として、
好適である。
するものであり、特に製造時の歩留が良好で且つ使用に
伴う経時劣化が少ない薄膜抵抗素子に関するものであ
る。本発明の抵抗素子は、例えば電気的通電により発熱
させる発熱素子として、あるいは周囲温度の変化による
電気抵抗値の変化を検知する感温（測温）素子として、
好適である。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
通電により抵抗体を発熱させる抵抗発熱素子は、幅広い
分野で利用されている。最近では、特に抵抗体を薄膜と
して形成し、しかもその寸法（パターン面積）を微小に
したものが使用されている。このような薄膜抵抗発熱素
子としては、流体の流量測定で使用される傍熱型流量セ
ンサーの発熱素子が例示され、また感熱記録方式や熱転
写記録方式の熱記録ヘッド（サーマルヘッド）が例示さ
れる。
通電により抵抗体を発熱させる抵抗発熱素子は、幅広い
分野で利用されている。最近では、特に抵抗体を薄膜と
して形成し、しかもその寸法（パターン面積）を微小に
したものが使用されている。このような薄膜抵抗発熱素
子としては、流体の流量測定で使用される傍熱型流量セ
ンサーの発熱素子が例示され、また感熱記録方式や熱転
写記録方式の熱記録ヘッド（サーマルヘッド）が例示さ
れる。
【０００３】また、周囲温度の変化による抵抗体の電気
抵抗値の変化を検知して温度測定を行うための抵抗感温
素子も幅広い分野で利用されており、この抵抗感温素子
も抵抗発熱素子と同様に抵抗体を薄膜として形成し寸法
を微小にしたものが使用されている。このような薄膜抵
抗感温素子としては、流体の流量測定で使用される流量
センサーの流量検知用感温素子や温度補償用感温素子が
例示される。
抵抗値の変化を検知して温度測定を行うための抵抗感温
素子も幅広い分野で利用されており、この抵抗感温素子
も抵抗発熱素子と同様に抵抗体を薄膜として形成し寸法
を微小にしたものが使用されている。このような薄膜抵
抗感温素子としては、流体の流量測定で使用される流量
センサーの流量検知用感温素子や温度補償用感温素子が
例示される。
【０００４】以上のような薄膜抵抗素子としては、従
来、表面が絶縁性の基板（例えばガラスやアルミナや表
面に酸化シリコン膜を形成したシリコン基板）の絶縁性
表面上に、ニッケル、白金または銅などからなる膜厚例
えば０．０２μｍ程度の薄膜を抵抗薄膜として形成し、
その上に例えば酸化シリコン膜からなる保護膜を形成し
たものが利用されている。薄膜抵抗素子の抵抗薄膜や保
護膜はスパッタなどの成膜法を用いて製造される。
来、表面が絶縁性の基板（例えばガラスやアルミナや表
面に酸化シリコン膜を形成したシリコン基板）の絶縁性
表面上に、ニッケル、白金または銅などからなる膜厚例
えば０．０２μｍ程度の薄膜を抵抗薄膜として形成し、
その上に例えば酸化シリコン膜からなる保護膜を形成し
たものが利用されている。薄膜抵抗素子の抵抗薄膜や保
護膜はスパッタなどの成膜法を用いて製造される。
【０００５】しかるに、以上のような薄膜抵抗素子にお
いては、基板と抵抗薄膜とは材質が異なり熱膨張係数が
異なるので、温度変化により両者の間には熱膨張係数差
に基づく応力が発生し、抵抗薄膜と基板との間にクラッ
クが発生したり抵抗薄膜が基板から剥離したりしやすい
という難点があった。同様に、抵抗薄膜と保護膜とは材
質が異なり熱膨張係数が異なるので、温度変化により両
者の間には熱膨張係数差に基づく応力が発生し、保護膜
と抵抗薄膜との間にクラックが発生したり保護膜が抵抗
薄膜から剥離したりしやすいという難点があった。この
ようなクラックや剥離が生ずると、金属からなる抵抗薄
膜が酸化して電気的特性が劣化し、製造の歩留りが低下
したり、あるいは、使用時の電気的特性の経時劣化が促
進され寿命が短縮されるという不利がある。
いては、基板と抵抗薄膜とは材質が異なり熱膨張係数が
異なるので、温度変化により両者の間には熱膨張係数差
に基づく応力が発生し、抵抗薄膜と基板との間にクラッ
クが発生したり抵抗薄膜が基板から剥離したりしやすい
という難点があった。同様に、抵抗薄膜と保護膜とは材
質が異なり熱膨張係数が異なるので、温度変化により両
者の間には熱膨張係数差に基づく応力が発生し、保護膜
と抵抗薄膜との間にクラックが発生したり保護膜が抵抗
薄膜から剥離したりしやすいという難点があった。この
ようなクラックや剥離が生ずると、金属からなる抵抗薄
膜が酸化して電気的特性が劣化し、製造の歩留りが低下
したり、あるいは、使用時の電気的特性の経時劣化が促
進され寿命が短縮されるという不利がある。
【０００６】そこで、本発明は、基板に対する抵抗薄膜
の密着性を向上させることで、製造時の歩留りを向上さ
せ、使用時の特性劣化を防止して長寿命化を図った薄膜
抵抗素子を提供することを目的とする。
の密着性を向上させることで、製造時の歩留りを向上さ
せ、使用時の特性劣化を防止して長寿命化を図った薄膜
抵抗素子を提供することを目的とする。
【０００７】また、本発明は、抵抗薄膜に対する保護膜
の密着性を向上させることで、製造時の歩留りを向上さ
せ、使用時の特性劣化を防止して長寿命化を図った薄膜
抵抗素子を提供することを目的とする。
の密着性を向上させることで、製造時の歩留りを向上さ
せ、使用時の特性劣化を防止して長寿命化を図った薄膜
抵抗素子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、以上の
如き目的を達成するものとして、基板の電気絶縁性表面
上に金属からなる抵抗薄膜が形成されている薄膜抵抗素
子であって、前記抵抗薄膜がニッケル、白金または銅か
らなり、前記基板の電気絶縁性表面と前記抵抗薄膜との
間にチタン薄膜からなる下側密着層が介在していること
を特徴とする、薄膜抵抗素子、が提供される。
如き目的を達成するものとして、基板の電気絶縁性表面
上に金属からなる抵抗薄膜が形成されている薄膜抵抗素
子であって、前記抵抗薄膜がニッケル、白金または銅か
らなり、前記基板の電気絶縁性表面と前記抵抗薄膜との
間にチタン薄膜からなる下側密着層が介在していること
を特徴とする、薄膜抵抗素子、が提供される。
【０００９】また、本発明によれば、以上の如き目的を
達成するものとして、抵抗薄膜上に保護膜が形成されて
いる薄膜抵抗素子であって、前記抵抗薄膜がニッケル、
白金または銅からなり、前記抵抗薄膜と前記保護膜との
間にチタン薄膜からなる上側密着層が介在していること
を特徴とする、薄膜抵抗素子、が提供される。
達成するものとして、抵抗薄膜上に保護膜が形成されて
いる薄膜抵抗素子であって、前記抵抗薄膜がニッケル、
白金または銅からなり、前記抵抗薄膜と前記保護膜との
間にチタン薄膜からなる上側密着層が介在していること
を特徴とする、薄膜抵抗素子、が提供される。
【００１０】更に、本発明によれば、以上の如き目的を
達成するものとして、基板の電気絶縁性表面上に金属か
らなる抵抗薄膜が形成されており、該抵抗薄膜上に保護
膜が形成されている薄膜抵抗素子であって、前記抵抗薄
膜がニッケル、白金または銅からなり、前記基板の電気
絶縁性表面と前記抵抗薄膜との間にチタン薄膜からなる
下側密着層が介在しており、前記抵抗薄膜と前記保護膜
との間にチタン薄膜からなる上側密着層が介在している
ことを特徴とする、薄膜抵抗素子、が提供される。
達成するものとして、基板の電気絶縁性表面上に金属か
らなる抵抗薄膜が形成されており、該抵抗薄膜上に保護
膜が形成されている薄膜抵抗素子であって、前記抵抗薄
膜がニッケル、白金または銅からなり、前記基板の電気
絶縁性表面と前記抵抗薄膜との間にチタン薄膜からなる
下側密着層が介在しており、前記抵抗薄膜と前記保護膜
との間にチタン薄膜からなる上側密着層が介在している
ことを特徴とする、薄膜抵抗素子、が提供される。
【００１１】本発明の一態様においては、前記基板の電
気絶縁性表面は酸化シリコンまたは酸化アルミニウムを
含んでなるものである。また、本発明の一態様において
は、前記保護膜は酸化シリコンからなる。
気絶縁性表面は酸化シリコンまたは酸化アルミニウムを
含んでなるものである。また、本発明の一態様において
は、前記保護膜は酸化シリコンからなる。
【００１２】本発明の一態様においては、前記下側密着
層または前記上側密着層は厚さ０．００２〜０．０５μ
ｍである。
層または前記上側密着層は厚さ０．００２〜０．０５μ
ｍである。
【００１３】本発明の一態様においては、前記抵抗薄膜
は厚さ０．１〜１．０μｍである。
は厚さ０．１〜１．０μｍである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
【００１５】図１は本発明による薄膜抵抗素子の一実施
形態を示す模式的断面図である。
形態を示す模式的断面図である。
【００１６】図１において、２は絶縁基板である。該基
板２は、例えば酸化シリコンを主体とするガラスや酸化
アルミニウムを主体とするアルミナ等の酸化物系の絶縁
体からなる。基板２上には、下側密着層４を介して抵抗
薄膜６が形成されている。そして、抵抗薄膜６上には、
上側密着層８を介して保護膜１０が形成されている。
板２は、例えば酸化シリコンを主体とするガラスや酸化
アルミニウムを主体とするアルミナ等の酸化物系の絶縁
体からなる。基板２上には、下側密着層４を介して抵抗
薄膜６が形成されている。そして、抵抗薄膜６上には、
上側密着層８を介して保護膜１０が形成されている。
【００１７】抵抗薄膜６は、材質が例えばニッケル、白
金または銅などのような正の抵抗温度係数を有する金属
からなるが、その厚さが例えば０．１〜１．０μｍ好ま
しくは０．３〜０．６μｍと薄いため、抵抗体として機
能することが可能である。また、抵抗薄膜６は、図２に
平面図を示す様に、両端に１対の電極パッド部７ａ，７
ｂを有する幅が例えば５〜２５μｍで全長が例えば４〜
２３ｃｍの蛇行形状のパターンとすることができ、これ
によれば一層良好に抵抗体として機能することが可能で
ある。
金または銅などのような正の抵抗温度係数を有する金属
からなるが、その厚さが例えば０．１〜１．０μｍ好ま
しくは０．３〜０．６μｍと薄いため、抵抗体として機
能することが可能である。また、抵抗薄膜６は、図２に
平面図を示す様に、両端に１対の電極パッド部７ａ，７
ｂを有する幅が例えば５〜２５μｍで全長が例えば４〜
２３ｃｍの蛇行形状のパターンとすることができ、これ
によれば一層良好に抵抗体として機能することが可能で
ある。
【００１８】保護膜１０は、材質が例えば酸化シリコン
からなり、その厚さは例えば０．３〜２．０μｍ好まし
くは０．５〜１．０μｍ程度である。
からなり、その厚さは例えば０．３〜２．０μｍ好まし
くは０．５〜１．０μｍ程度である。
【００１９】また、下側密着層４及び上側密着層８は、
材質がチタンからなり、その厚さは例えば０．００２〜
０．０５μｍ好ましくは０．００５〜０．０２μｍであ
る。
材質がチタンからなり、その厚さは例えば０．００２〜
０．０５μｍ好ましくは０．００５〜０．０２μｍであ
る。
【００２０】以上の下側密着層４の形成、抵抗薄膜６の
形成、上側密着層８の形成及び保護膜１０の形成は、ス
パッタ法や真空蒸着法などの公知の成膜技術を適宜用い
て行うことができる。尚、抵抗薄膜６を蛇行形状などに
パターン化する場合には、下側密着層４及び上側密着層
８も同一形状にパターン化してもよい。このようなパタ
ーン化は、成膜後のエッチングにより行うことができ
る。
形成、上側密着層８の形成及び保護膜１０の形成は、ス
パッタ法や真空蒸着法などの公知の成膜技術を適宜用い
て行うことができる。尚、抵抗薄膜６を蛇行形状などに
パターン化する場合には、下側密着層４及び上側密着層
８も同一形状にパターン化してもよい。このようなパタ
ーン化は、成膜後のエッチングにより行うことができ
る。
【００２１】保護膜１０の形成の後、熱処理を行うこと
で、抵抗薄膜６の抵抗温度係数をバルク金属のそれに近
づけることができる。また。この熱処理により、高温環
境下での経時変化を少なくすることができる。このよう
な熱処理としては、例えば３００〜４００℃程度で２〜
１０時間の加熱を行う。
で、抵抗薄膜６の抵抗温度係数をバルク金属のそれに近
づけることができる。また。この熱処理により、高温環
境下での経時変化を少なくすることができる。このよう
な熱処理としては、例えば３００〜４００℃程度で２〜
１０時間の加熱を行う。
【００２２】本実施形態では、基板２と抵抗薄膜６との
間にチタン薄膜からなる下側密着層４を形成しており、
このチタン薄膜は基板２中の酸素との結合力がニッケ
ル、白金または銅などより優れているので、抵抗薄膜６
の基板２に対する密着性を向上させることができる。即
ち、下側密着層４を形成しない場合には上記熱処理で抵
抗薄膜６が基板２から剥離することがあったが、下側密
着層４を形成した場合には上記熱処理で抵抗薄膜６が基
板２から剥離することがなく製造歩留りが向上した。
間にチタン薄膜からなる下側密着層４を形成しており、
このチタン薄膜は基板２中の酸素との結合力がニッケ
ル、白金または銅などより優れているので、抵抗薄膜６
の基板２に対する密着性を向上させることができる。即
ち、下側密着層４を形成しない場合には上記熱処理で抵
抗薄膜６が基板２から剥離することがあったが、下側密
着層４を形成した場合には上記熱処理で抵抗薄膜６が基
板２から剥離することがなく製造歩留りが向上した。
【００２３】また、本実施形態では、抵抗薄膜６と保護
膜１０の間にチタン薄膜からなる上側密着層８を形成し
ており、このチタン薄膜は保護膜１０中の酸素との結合
力がニッケル、白金または銅などより優れているので、
保護膜１０の抵抗薄膜６に対する密着性を向上させるこ
とができる。即ち、上側密着層８を形成しない場合には
上記熱処理で保護膜１０が抵抗薄膜６から剥離すること
があったが、上側密着層８を形成した場合には保護膜１
０が抵抗薄膜６から剥離することがなく製造歩留りが向
上した。
膜１０の間にチタン薄膜からなる上側密着層８を形成し
ており、このチタン薄膜は保護膜１０中の酸素との結合
力がニッケル、白金または銅などより優れているので、
保護膜１０の抵抗薄膜６に対する密着性を向上させるこ
とができる。即ち、上側密着層８を形成しない場合には
上記熱処理で保護膜１０が抵抗薄膜６から剥離すること
があったが、上側密着層８を形成した場合には保護膜１
０が抵抗薄膜６から剥離することがなく製造歩留りが向
上した。
【００２４】特に、抵抗薄膜６が微細なパターン状をな
す場合には、その上に形成される保護膜１０の下地が凹
凸状態となるので、保護膜１０の部分的剥離が生じやす
い傾向にあるが、上記実施形態では、上側密着層８を形
成しているので、保護膜１０の部分的剥離は防止され
る。
す場合には、その上に形成される保護膜１０の下地が凹
凸状態となるので、保護膜１０の部分的剥離が生じやす
い傾向にあるが、上記実施形態では、上側密着層８を形
成しているので、保護膜１０の部分的剥離は防止され
る。
【００２５】本実施形態によれば、このような製造歩留
りの向上に加えて、同様の理由で、製造後の使用時にお
ける経時劣化も少ない。即ち、抵抗薄膜６の基板２に対
する密着性及び保護膜１０の抵抗薄膜６に対する密着性
が良好であるので、使用時に発熱したり高温外部環境に
さらされたりしても、これらの間に剥離を生じにくく、
従って抵抗薄膜６が外気中の酸素と接触して酸化されて
電気的特性が劣化したりすることがなく、長寿命化が可
能である。
りの向上に加えて、同様の理由で、製造後の使用時にお
ける経時劣化も少ない。即ち、抵抗薄膜６の基板２に対
する密着性及び保護膜１０の抵抗薄膜６に対する密着性
が良好であるので、使用時に発熱したり高温外部環境に
さらされたりしても、これらの間に剥離を生じにくく、
従って抵抗薄膜６が外気中の酸素と接触して酸化されて
電気的特性が劣化したりすることがなく、長寿命化が可
能である。
【００２６】図３は本発明による薄膜抵抗素子の別の実
施形態を示す模式的断面図である。本図において、上記
図１〜２におけると同様の機能を有する部材には同一の
符号が付されている。
施形態を示す模式的断面図である。本図において、上記
図１〜２におけると同様の機能を有する部材には同一の
符号が付されている。
【００２７】この図３の実施形態では、基板２として、
シリコン等の半導体からなる基体部２ａの表面上に酸化
シリコン等からなる絶縁膜２ｂを形成したものを用いて
いる。この絶縁膜２ｂの表面上に下側密着層４を介して
抵抗薄膜６が形成されている。このように、本発明で
は、基板２は表面が電気絶縁性を有していればよく、そ
の下の基体部分は所望の機能要素例えば種々の電子回路
素子などを有していてもよい。
シリコン等の半導体からなる基体部２ａの表面上に酸化
シリコン等からなる絶縁膜２ｂを形成したものを用いて
いる。この絶縁膜２ｂの表面上に下側密着層４を介して
抵抗薄膜６が形成されている。このように、本発明で
は、基板２は表面が電気絶縁性を有していればよく、そ
の下の基体部分は所望の機能要素例えば種々の電子回路
素子などを有していてもよい。
【００２８】本実施形態でも、上記図１〜２の実施形態
と同様な作用効果が得られる。
と同様な作用効果が得られる。
【００２９】図４は本発明による薄膜抵抗素子の更に別
の実施形態を示す模式的断面図である。この実施形態
は、傍熱型流量センサーの流量検知素子に適用された例
を示すものである。図４において、上記図１〜３におけ
ると同様の機能を有する部材には同一の符号が付されて
いる。
の実施形態を示す模式的断面図である。この実施形態
は、傍熱型流量センサーの流量検知素子に適用された例
を示すものである。図４において、上記図１〜３におけ
ると同様の機能を有する部材には同一の符号が付されて
いる。
【００３０】本実施形態では、基板２上に第１の下側密
着層４を介して形成された第１の抵抗薄膜６は発熱素子
として利用される。第１の抵抗薄膜６上には第１の上側
密着層８を介して第１の保護層１０が形成されている。
着層４を介して形成された第１の抵抗薄膜６は発熱素子
として利用される。第１の抵抗薄膜６上には第１の上側
密着層８を介して第１の保護層１０が形成されている。
【００３１】図４に示されているように、第１の保護膜
１０上には、第２の下側密着層１４を介して第２の抵抗
薄膜１６が形成されている。この第２の抵抗薄膜１６
は、第１の抵抗薄膜１６と同様にして形成することがで
き、流量検知用感温素子として利用される。第２の抵抗
薄膜１６上には第２の上側密着層１８を介して第２の保
護膜２０が形成されている。第２の保護膜２０は第１の
保護膜１０と同様にして形成することができ、第２の下
側密着層１４及び第２の上側密着層１８は第１の下側密
着層４及び第１の上側密着層８と同様にして形成するこ
とができる。
１０上には、第２の下側密着層１４を介して第２の抵抗
薄膜１６が形成されている。この第２の抵抗薄膜１６
は、第１の抵抗薄膜１６と同様にして形成することがで
き、流量検知用感温素子として利用される。第２の抵抗
薄膜１６上には第２の上側密着層１８を介して第２の保
護膜２０が形成されている。第２の保護膜２０は第１の
保護膜１０と同様にして形成することができ、第２の下
側密着層１４及び第２の上側密着層１８は第１の下側密
着層４及び第１の上側密着層８と同様にして形成するこ
とができる。
【００３２】このように、発熱抵抗薄膜（第１の抵抗薄
膜６）と感温抵抗薄膜（第２の抵抗薄膜１６）とが薄膜
（第１の上側密着層８、第１の保護膜１０及び第２の下
側密着層１４）を介して極く近接して配置されているこ
とにより、感温抵抗薄膜は発熱抵抗薄膜の発熱の影響を
直ちに受け、傍熱型流量センサーの流量検知素子として
良好に機能する。
膜６）と感温抵抗薄膜（第２の抵抗薄膜１６）とが薄膜
（第１の上側密着層８、第１の保護膜１０及び第２の下
側密着層１４）を介して極く近接して配置されているこ
とにより、感温抵抗薄膜は発熱抵抗薄膜の発熱の影響を
直ちに受け、傍熱型流量センサーの流量検知素子として
良好に機能する。
【００３３】本実施形態の流量検知素子は、基板２とし
ては例えば厚さ０．５ｍｍ程度で大きさ２〜３ｍｍ角程
度のものを用いて、小さなチップ状とすることが可能で
ある。また、基板２は、被測定流体との間での熱伝導が
良好となるように、被測定流体に曝されるケーシングな
どに直接取り付けるのが好ましい。
ては例えば厚さ０．５ｍｍ程度で大きさ２〜３ｍｍ角程
度のものを用いて、小さなチップ状とすることが可能で
ある。また、基板２は、被測定流体との間での熱伝導が
良好となるように、被測定流体に曝されるケーシングな
どに直接取り付けるのが好ましい。
【００３４】本実施形態では、第２の下側密着層１４、
第２の抵抗薄膜１６、第２の上側密着層１８及び第２の
保護膜２０に関しては、基板２、第１の下側密着層４、
第１の抵抗薄膜６、第１の上側密着層８及び第１の保護
膜１０からなるものが電気絶縁性を有する基板として作
用している。
第２の抵抗薄膜１６、第２の上側密着層１８及び第２の
保護膜２０に関しては、基板２、第１の下側密着層４、
第１の抵抗薄膜６、第１の上側密着層８及び第１の保護
膜１０からなるものが電気絶縁性を有する基板として作
用している。
【００３５】尚、本実施形態でも、上記図１〜２の実施
形態及び図３の実施形態と同様な作用効果が得られる。
形態及び図３の実施形態と同様な作用効果が得られる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板に対する抵抗薄膜の密着性や抵抗薄膜に対する保護
膜の密着性を向上させていることで、薄膜抵抗素子製造
時の歩留りを向上させることが可能となり、更に薄膜抵
抗素子使用時の特性劣化を防止して長寿命化を図ること
が可能となる。
基板に対する抵抗薄膜の密着性や抵抗薄膜に対する保護
膜の密着性を向上させていることで、薄膜抵抗素子製造
時の歩留りを向上させることが可能となり、更に薄膜抵
抗素子使用時の特性劣化を防止して長寿命化を図ること
が可能となる。
【図１】本発明による薄膜抵抗素子の一実施形態を示す
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図２】本発明による薄膜抵抗素子の一実施形態におけ
る抵抗薄膜の平面図である。
る抵抗薄膜の平面図である。
【図３】本発明による薄膜抵抗素子の別の実施形態を示
す模式的断面図である。
す模式的断面図である。
【図４】本発明による薄膜抵抗素子の更に別の実施形態
を示す模式的断面図である。
を示す模式的断面図である。
２ 絶縁基板 ２ａ 基体部 ２ｂ 絶縁膜 ４ 下側密着層（第１の下側密着層） ６ 抵抗薄膜（第１の抵抗薄膜） ８ 上側密着層（第１の上側密着層） １０ 保護膜（第１の保護膜） １４ 第２の下側密着層 １６ 第２の抵抗薄膜 １８ 第２の上側密着層 ２０ 第２の保護膜
Claims (8)
- 【請求項１】 基板の電気絶縁性表面上に金属からなる
抵抗薄膜が形成されている薄膜抵抗素子であって、前記
抵抗薄膜がニッケル、白金または銅からなり、前記基板
の電気絶縁性表面と前記抵抗薄膜との間にチタン薄膜か
らなる下側密着層が介在していることを特徴とする、薄
膜抵抗素子。 - 【請求項２】 前記基板の電気絶縁性表面は酸化シリコ
ンまたは酸化アルミニウムを含んでなるものであること
を特徴とする、請求項１に記載の薄膜抵抗素子。 - 【請求項３】 抵抗薄膜上に保護膜が形成されている薄
膜抵抗素子であって、前記抵抗薄膜がニッケル、白金ま
たは銅からなり、前記抵抗薄膜と前記保護膜との間にチ
タン薄膜からなる上側密着層が介在していることを特徴
とする、薄膜抵抗素子。 - 【請求項４】 前記保護膜は酸化シリコンからなること
を特徴とする、請求項３に記載の薄膜抵抗素子。 - 【請求項５】 基板の電気絶縁性表面上に金属からなる
抵抗薄膜が形成されており、該抵抗薄膜上に保護膜が形
成されている薄膜抵抗素子であって、前記抵抗薄膜がニ
ッケル、白金または銅からなり、前記基板の電気絶縁性
表面と前記抵抗薄膜との間にチタン薄膜からなる下側密
着層が介在しており、前記抵抗薄膜と前記保護膜との間
にチタン薄膜からなる上側密着層が介在していることを
特徴とする、薄膜抵抗素子。 - 【請求項６】 前記基板の電気絶縁性表面は酸化シリコ
ンまたは酸化アルミニウムを含んでなるものであり、前
記保護膜は酸化シリコンからなることを特徴とする、請
求項５に記載の薄膜抵抗素子。 - 【請求項７】 前記下側密着層または前記上側密着層は
厚さ０．００２〜０．０５μｍであることを特徴とす
る、請求項１〜６のいずれかに記載の薄膜抵抗素子。 - 【請求項８】 前記抵抗薄膜は厚さ０．１〜１．０μｍ
であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記
載の薄膜抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10160848A JPH11354302A (ja) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | 薄膜抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10160848A JPH11354302A (ja) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | 薄膜抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354302A true JPH11354302A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15723720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10160848A Pending JPH11354302A (ja) | 1998-06-09 | 1998-06-09 | 薄膜抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354302A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004320014A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Agilent Technol Inc | 薄膜抵抗体素子 |
| JP2006344776A (ja) * | 2005-06-09 | 2006-12-21 | Alpha Electronics Corp | チップ抵抗器とその製造方法 |
| JP2007243173A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-09-20 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 積層体、薄膜センサ及び薄膜センサモジュール |
| WO2007114143A1 (ja) | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 薄膜センサの製造方法、薄膜センサおよび薄膜センサモジュール |
| JP2007294929A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-11-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 薄膜センサの製造方法、薄膜センサおよび薄膜センサモジュール |
| EP4040129A4 (en) * | 2019-10-01 | 2023-10-04 | Nitto Denko Corporation | TEMPERATURE SENSOR FILM, CONDUCTIVE FILM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR |
| EP4040126A4 (en) * | 2019-10-01 | 2023-10-11 | Nitto Denko Corporation | ELECTRICALLY CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, TEMPERATURE SENSOR FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME |
-
1998
- 1998-06-09 JP JP10160848A patent/JPH11354302A/ja active Pending
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| WO2007114143A1 (ja) | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 薄膜センサの製造方法、薄膜センサおよび薄膜センサモジュール |
| JP2007294929A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-11-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 薄膜センサの製造方法、薄膜センサおよび薄膜センサモジュール |
| EP4040129A4 (en) * | 2019-10-01 | 2023-10-04 | Nitto Denko Corporation | TEMPERATURE SENSOR FILM, CONDUCTIVE FILM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR |
| EP4040126A4 (en) * | 2019-10-01 | 2023-10-11 | Nitto Denko Corporation | ELECTRICALLY CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, TEMPERATURE SENSOR FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME |
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