KR200156459Y1 - 엔.티.씨 써미스터 - Google Patents

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KR200156459Y1 KR2019960056031U KR19960056031U KR200156459Y1 KR 200156459 Y1 KR200156459 Y1 KR 200156459Y1 KR 2019960056031 U KR2019960056031 U KR 2019960056031U KR 19960056031 U KR19960056031 U KR 19960056031U KR 200156459 Y1 KR200156459 Y1 KR 200156459Y1
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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Abstract

본 고안은 엔.티.씨 써미스터를 개시한다. 본 고안은, 전도성기판과, 상기 전도성기판의 일측면에 형성되는 엔.티.씨 박막층과, 상기 엔.티.씨 박막층과 상기 전도성기판의 타측면에 각각 형성되는 전극층과, 상기 전도성기판의 타측면에 형성된 전극층에 접속되는 리드선과, 상기 전도성기판의 일측면에 형성된 전극층이 전도성 접합재에 의해 접합되는 지지용기를 포함하는 점에 특징이 있다. 따라서 빠른 반응성을 얻을 수 있고, 저항조절이 용이하며, 제조 공정수를 대폭 줄일 수 있어 생산성이 향상되고 원가가 절감되게 된다.

Description

엔.티.씨 써미스터
본 고안은 엔.티.씨 써미스터(Negative Temperature Coefficient Ther -mistor)에 관한 것으로서, 더 상세하게는 빠른 응답성을 얻을 수 있고, 저항조절이 용이하고, 제조 공정수를 대폭 줄일 수 있도록 구조를 개량한 엔.티.씨 써미스터에 관한 것이다.
일반적으로 써미스터(Thermistor)는 온도변화에 따라 저항 변화를 나타내는 반도체소자의 일종으로서, 온도감지소자, 온도보상 및 조절소자, 전압조절용소자를 비롯한 각종 정밀측정 및 분석기기의 핵심소자로 널리 사용되고 있다.
종래의 엔.티.씨 써미스터(1)는 도 1에 도시되어 있는 바와같이, 알루미나(Al2O3)로 이루어진 절연기판(2)의 상면 양측에 각각 박막 금속전극층(3)(4)이 스크린 프린터 또는 진공증착법에 의해 형성되고, 박막 금속전극층(3)(4) 위에는 엔.티.씨 (Negative Temperature Coefficient) 특성을 갖는 박막층(5)이 고주파 스퍼터링법에 의해 증착 형성된다.
그리고 박막 금속전극층(3)(4)에는 각각 리드선(6)(6)이 접속되고, 절연기판(2)의 뒷면에는 진공증착법을 이용하여 텅스텐이나 몰리브덴 접합층(7)이 진공증착법에 의해 형성되며, 텅스텐이나 몰리브덴 접합층(7)은 접합재(8)에 의해 지지용기(9)에 접합된다.
이와같이 구성된 종래의 엔.티.씨 써미스터(1)는 주위의 온도 변화에 따라 엔.티.씨 박막층(5)의 저항 변화를 측정함으로써 온도를 측정하게 된다.
그러나 이와같이 구성된 종래의 엔.티.씨 써미스터는, 알루미나(Al2O3)로 이루어진 절연기판(2) 위에 엔.티.씨 박막층(5)을 형성하도록 되어 있으므로 절연기판(2)의 표면 거칠기로 인하여 엔.티.씨 박막층(5)의 두께조절을 정확하게 할 수 없기 때문에 소자의 저항 조절이 어렵고, 절연기판(2)을 사용하기 때문에 열전도도가 떨어져 주위의 변화에 대한 빠른 응답성을 기대할 수 없는 문제점이 있었다.
또한 전극층(3)(4) 및 엔.티.씨 박막층(5)의 패턴을 형성하여야 하기 때문에 공정수가 많고, 즉 엔.티.씨 박막층(5) 자체의 패턴을 형성하기 위해서는 건식식각을 하여야 하므로 마스크층을 증착하고, 마스크층에 패턴을 형성하고, 그 패턴을 엔.티.씨 박막층으로 옮기고, 다시 마스크층을 제거하는 몇단계의 공정을 수행해야 하므로 공정수가 많아 생산성이 저하되고 원가가 상승하게 되는 문제점이 있었다.
본 고안은 상술한 바와같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 저항조절이 용이하고, 제조 공정수를 대폭 줄일 수 있으며, 빠른 반응성을 얻을 수 있는 엔.티.씨 써미스터를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 엔.티.씨 써미스터를 도시한 단면도.
도 2는 본 고안에 따른 엔.티.씨 써미스터를 도시한 단면도.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞
11 : 전도성기판 12 : 엔.티.씨 박막층
13,14 : 전극층15 : 리드선
16 : 전도성 접합재 17 : 지지용기
상술한 바와같은 목적을 달성하기 위하여 본 고안은, 전도성기판과, 상기 전도성기판의 일측면에 형성되는 엔.티.씨 박막층과, 상기 엔.티.씨 박막층과 상기 전도성기판의 타측면에 각각 형성되는 전극층과, 상기 전도성기판의 타측면에 형성된 전극층에 접속되는 리드선과, 상기 전도성기판의 일측면에 형성된 전극층이 전도성 접합재에 의해 접합되는 지지용기를 포함하는 엔.티.씨 써미스터를 제공하는데 그 특징이 있다.
본 고안의 바람직한 한 특징은, 상기 전도성기판이 저저항 실리콘 기판으로 이루어지고, 상기 전극층은 Ag 또는 Pt 로 이루어진 점에 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 고안에 따른 엔.티.씨 써미스터(10)는 도 2에 도시되어 있는 바와같이, 전도성기판(11)의 일측면(도면상 하면)에 엔.티.씨(Negative Temperature Coefficient) 박막층(12)이 고주파 스퍼터링에 의해 증착 형성되고, 이 엔.티.씨 박막층(12)과 전도성기판(11)의 타측면(도면상 상면)에는 전극층(13)(14)이 각각 스퍼터링에 의해 증착 형성된다.
그리고 전도성기판(11)의 타측면(도면상 상면)에 형성된 전극층(14)에는 리드선(15)이 접속되고, 전도성기판(11)의 일측면(도면상 하면)에 형성된 전극층(13)은 전도성 접합재(16)에 의해 지지용기(17)에 접합되어 리드선(15)과 지지용기(17) 사이에서 시그널을 받도록 구성된다. 그리고 전도성기판(11)은 저저항 실리콘 기판으로 이루어지고, 전극층(13)(14)은 Ag 또는 Pt 로 이루어진다.
이와같이 구성된 본 고안에 따른 엔.티.씨 써미스터는, 전도성기판(11)과 엔.티.씨 박막층(12) 및 전극층(13)(14)이 수직구조를 이루도록 되어 있으므로, 종래 평면구조를 갖는 엔.티.씨 써미스터에 비하여 동일 저항시 감지부의 체적은 작고 표면적은 크기 때문에 보다 빠른 응답성을 얻을 수 있게 된다.
그리고 본 고안은 엔.티.씨 박막층(12)의 자체 패턴을 형성할 필요가 없으므로, 종래 엔.티.씨 써미스터에서 엔.티.씨 박막층(5) 자체의 패턴을 형성하기 위하여 마스크층을 증착하고, 마스크층에 패턴을 형성하고, 그 패턴을 엔.티.씨 박막층으로 옮기고, 다시 마스크층을 제거하는 공정들을 생략할 수 있게 됨에따라 생산성이 향상되고 원가를 절감할 수 있게 된다.
그리고 본 고안은 전도성기판(11)으로서 저저항의 실리콘기판을 사용하도록 되어 있으므로, 종래 절연기판(2)으로서 표면이 거칠은 알루미나 기판을 사용하던 종래 방식에 비하여 박막의 두께를 정확하게 조절할 수 있게 되어 저항조절이 용이하게 된다.
이상에서 설명한 바와같이 본 고안 엔.티.씨 써미스터에 의하면, 빠른 반응성을 얻을 수 있고, 저항조절이 용이하며, 제조 공정수를 대폭 줄일 수 있어 생산성이 향상되고 원가가 절감되게 된다.

Claims (3)

  1. 전도성기판과,
    상기 전도성기판의 일측면에 형성되는 엔.티.씨 박막층과,
    상기 엔.티.씨 박막층과 상기 전도성기판의 타측면에 각각 형성되는 전극층과,
    상기 전도성기판의 타측면에 형성된 전극층에 접속되는 리드선과,
    상기 전도성기판의 일측면에 형성된 전극층이 전도성 접합재에 의해 접합되는 지지용기를 포함하는 엔.티.씨 써미스터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성기판은 저저항 실리콘 기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 엔.티.씨 써미스터.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극층은 Ag 또는 Pt 로 이루어진 것을 특징으로 하는 엔.티.씨 써미스터.
KR2019960056031U 1996-12-24 1996-12-24 엔.티.씨 써미스터 KR200156459Y1 (ko)

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