JP2000114003A - 薄膜抵抗素子及びその製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗素子及びその製造方法Info
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- JP2000114003A JP2000114003A JP10282253A JP28225398A JP2000114003A JP 2000114003 A JP2000114003 A JP 2000114003A JP 10282253 A JP10282253 A JP 10282253A JP 28225398 A JP28225398 A JP 28225398A JP 2000114003 A JP2000114003 A JP 2000114003A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 同一の材料から抵抗膜を構成し、しかも抵抗
温度係数を幅広い範囲内で所望値に設定することが可能
な薄膜抵抗素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板２の電気絶縁性表面上にスパッタに
より厚さ０．００２〜０．０５μｍのチタン薄膜４及び
厚さ０．１〜１．０μｍの白金薄膜６をこの順に形成
し、次いで２００〜１２００℃の範囲内で選択された温
度をピーク温度とする熱処理を行うことでチタン薄膜４
と白金薄膜６との積層体からなる抵抗薄膜８の抵抗温度
係数を３２００〜３８００ｐｐｍ／℃の範囲内の所望値
にする。熱処理は、ピーク温度での保持時間が２〜８時
間であり、ピーク温度までの昇温及び該ピーク温度から
の降温の速度が３０℃／ｍｉｎ以下である。熱処理に先
立ち抵抗薄膜８をパターニングすることができる。
温度係数を幅広い範囲内で所望値に設定することが可能
な薄膜抵抗素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板２の電気絶縁性表面上にスパッタに
より厚さ０．００２〜０．０５μｍのチタン薄膜４及び
厚さ０．１〜１．０μｍの白金薄膜６をこの順に形成
し、次いで２００〜１２００℃の範囲内で選択された温
度をピーク温度とする熱処理を行うことでチタン薄膜４
と白金薄膜６との積層体からなる抵抗薄膜８の抵抗温度
係数を３２００〜３８００ｐｐｍ／℃の範囲内の所望値
にする。熱処理は、ピーク温度での保持時間が２〜８時
間であり、ピーク温度までの昇温及び該ピーク温度から
の降温の速度が３０℃／ｍｉｎ以下である。熱処理に先
立ち抵抗薄膜８をパターニングすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜抵抗素子に関
するものであり、特にその抵抗温度係数を所望値に設定
することに関するものである。本発明の薄膜抵抗素子
は、例えば熱式流量計において感温素子として好適に使
用される。
するものであり、特にその抵抗温度係数を所望値に設定
することに関するものである。本発明の薄膜抵抗素子
は、例えば熱式流量計において感温素子として好適に使
用される。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
周囲温度の変化による抵抗体の電気抵抗値の変化を検知
して温度測定を行うための抵抗感温素子は幅広い分野で
利用されている。この抵抗感温素子は、抵抗体を薄膜と
して形成し寸法を微小にしたものが使用されている。こ
のような薄膜抵抗感温素子としては、流体の流量測定で
使用される傍熱型流量センサーの流量検知用感温素子や
温度補償用感温素子が例示される。
周囲温度の変化による抵抗体の電気抵抗値の変化を検知
して温度測定を行うための抵抗感温素子は幅広い分野で
利用されている。この抵抗感温素子は、抵抗体を薄膜と
して形成し寸法を微小にしたものが使用されている。こ
のような薄膜抵抗感温素子としては、流体の流量測定で
使用される傍熱型流量センサーの流量検知用感温素子や
温度補償用感温素子が例示される。
【０００３】以上のような薄膜抵抗素子としては、従
来、表面が絶縁性の基板（例えばガラス板やアルミナ板
や表面に酸化シリコン膜を形成したシリコン板）の絶縁
性表面上に、白金を膜厚例えば０．０２μｍ程度の抵抗
薄膜として形成し、その上に例えば酸化シリコン膜から
なる保護膜を形成したものが利用されている。薄膜抵抗
感温素子の抵抗薄膜や保護膜はスパッタなどの成膜法を
用いて製造される。以上のようにして得られる抵抗薄膜
は、ほぼ一定の抵抗温度係数を有する。
来、表面が絶縁性の基板（例えばガラス板やアルミナ板
や表面に酸化シリコン膜を形成したシリコン板）の絶縁
性表面上に、白金を膜厚例えば０．０２μｍ程度の抵抗
薄膜として形成し、その上に例えば酸化シリコン膜から
なる保護膜を形成したものが利用されている。薄膜抵抗
感温素子の抵抗薄膜や保護膜はスパッタなどの成膜法を
用いて製造される。以上のようにして得られる抵抗薄膜
は、ほぼ一定の抵抗温度係数を有する。
【０００４】ところで、最近では、電子回路において特
性に温度係数を持つ素子を使用する場合に、この素子特
性の温度依存性を解消するために、電子回路中に同等の
温度依存性の抵抗素子または逆の温度依存性の抵抗素子
を用いることが要求されるなど、熱設計の自由度を高め
るために、幅広い範囲の温度係数の抵抗素子が要求され
ている。
性に温度係数を持つ素子を使用する場合に、この素子特
性の温度依存性を解消するために、電子回路中に同等の
温度依存性の抵抗素子または逆の温度依存性の抵抗素子
を用いることが要求されるなど、熱設計の自由度を高め
るために、幅広い範囲の温度係数の抵抗素子が要求され
ている。
【０００５】このような要求に対して、複数種類の材料
のそれぞれからなる薄膜抵抗素子を利用することにすれ
ば種々の抵抗温度係数を実現することは可能であるが、
必ずしも所望の抵抗温度係数を持つものが容易に入手で
きるとは限らない。
のそれぞれからなる薄膜抵抗素子を利用することにすれ
ば種々の抵抗温度係数を実現することは可能であるが、
必ずしも所望の抵抗温度係数を持つものが容易に入手で
きるとは限らない。
【０００６】そこで、本発明は、同一の材料から抵抗膜
を構成し、しかも抵抗温度係数を幅広い範囲内で所望値
に設定することが可能な薄膜抵抗素子の製造方法を提供
することを目的とするものである。また、本発明は、こ
の製造方法により製造可能な新規薄膜抵抗素子を提供す
ることをも目的とするものである。
を構成し、しかも抵抗温度係数を幅広い範囲内で所望値
に設定することが可能な薄膜抵抗素子の製造方法を提供
することを目的とするものである。また、本発明は、こ
の製造方法により製造可能な新規薄膜抵抗素子を提供す
ることをも目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、以上の
如き目的を達成するものとして、基板の電気絶縁性表面
上にチタン薄膜が形成されており、該チタン薄膜上に白
金薄膜が形成されており、前記チタン薄膜と前記白金薄
膜とからなる抵抗薄膜は３２００〜３８００ｐｐｍ／℃
の抵抗温度係数を有することを特徴とする薄膜抵抗素
子、が提供される。
如き目的を達成するものとして、基板の電気絶縁性表面
上にチタン薄膜が形成されており、該チタン薄膜上に白
金薄膜が形成されており、前記チタン薄膜と前記白金薄
膜とからなる抵抗薄膜は３２００〜３８００ｐｐｍ／℃
の抵抗温度係数を有することを特徴とする薄膜抵抗素
子、が提供される。
【０００８】本発明の一態様においては、前記基板はシ
リコンからなる基体部の表面に酸化シリコン膜が形成さ
れているものである。
リコンからなる基体部の表面に酸化シリコン膜が形成さ
れているものである。
【０００９】本発明の一態様においては、前記抵抗薄膜
上に保護膜が形成されている。
上に保護膜が形成されている。
【００１０】本発明の一態様においては、前記白金薄膜
は厚さ０．１〜１．０μｍである。
は厚さ０．１〜１．０μｍである。
【００１１】本発明の一態様においては、前記チタン薄
膜は厚さ０．００２〜０．０５μｍである。
膜は厚さ０．００２〜０．０５μｍである。
【００１２】また、本発明によれば、以上の如き目的を
達成するものとして、基板の電気絶縁性表面上にスパッ
タによりチタン薄膜及び白金薄膜をこの順に形成し、次
いで２００〜１２００℃の範囲内で選択された温度をピ
ーク温度とする熱処理を行うことで前記チタン薄膜と前
記白金薄膜との積層体からなる抵抗薄膜の抵抗温度係数
を３２００〜３８００ｐｐｍ／℃の範囲内の所望値にす
ることを特徴とする、薄膜抵抗素子の製造方法、が提供
される。
達成するものとして、基板の電気絶縁性表面上にスパッ
タによりチタン薄膜及び白金薄膜をこの順に形成し、次
いで２００〜１２００℃の範囲内で選択された温度をピ
ーク温度とする熱処理を行うことで前記チタン薄膜と前
記白金薄膜との積層体からなる抵抗薄膜の抵抗温度係数
を３２００〜３８００ｐｐｍ／℃の範囲内の所望値にす
ることを特徴とする、薄膜抵抗素子の製造方法、が提供
される。
【００１３】本発明の一態様においては、前記熱処理は
前記ピーク温度での保持時間が２〜８時間であり、該ピ
ーク温度までの昇温及び該ピーク温度からの降温の速度
を３０℃／ｍｉｎ以下で行う。
前記ピーク温度での保持時間が２〜８時間であり、該ピ
ーク温度までの昇温及び該ピーク温度からの降温の速度
を３０℃／ｍｉｎ以下で行う。
【００１４】本発明の一態様においては、前記熱処理に
先立ち前記抵抗薄膜をパターニングする。
先立ち前記抵抗薄膜をパターニングする。
【００１５】本発明の一態様においては、前記白金薄膜
を厚さ０．１〜１．０μｍに形成する。
を厚さ０．１〜１．０μｍに形成する。
【００１６】本発明の一態様においては、前記チタン薄
膜を厚さ０．００２〜０．０５μｍに形成する。
膜を厚さ０．００２〜０．０５μｍに形成する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
【００１８】図１は本発明による薄膜抵抗素子の一実施
形態を示す模式的断面図である。
形態を示す模式的断面図である。
【００１９】図１において、２は絶縁基板である。該基
板２は、酸化シリコンを主体とするガラスや酸化アルミ
ニウムを主体とするアルミナ等の酸化物系の絶縁体から
なる。基板２上には、チタン薄膜４を介して白金薄膜６
が形成されている。これらチタン薄膜４及び白金薄膜６
により抵抗薄膜８が形成されている。そして、白金薄膜
６上には、保護膜１０が形成されている。
板２は、酸化シリコンを主体とするガラスや酸化アルミ
ニウムを主体とするアルミナ等の酸化物系の絶縁体から
なる。基板２上には、チタン薄膜４を介して白金薄膜６
が形成されている。これらチタン薄膜４及び白金薄膜６
により抵抗薄膜８が形成されている。そして、白金薄膜
６上には、保護膜１０が形成されている。
【００２０】抵抗薄膜８は、金属からなり、正の抵抗温
度係数を有するが、その厚さが例えば０．１〜１．０μ
ｍと薄いため、抵抗体として機能することが可能であ
る。尚、白金薄膜６は厚さが例えば０．１〜１．０μｍ
好ましくは０．３〜０．８μｍであり、チタン薄膜４は
厚さが例えば０．００２〜０．０５μｍ好ましくは０．
００４〜０．０２μｍである。
度係数を有するが、その厚さが例えば０．１〜１．０μ
ｍと薄いため、抵抗体として機能することが可能であ
る。尚、白金薄膜６は厚さが例えば０．１〜１．０μｍ
好ましくは０．３〜０．８μｍであり、チタン薄膜４は
厚さが例えば０．００２〜０．０５μｍ好ましくは０．
００４〜０．０２μｍである。
【００２１】また、抵抗薄膜８は、図２に平面図を示す
様に、両端に１対の電極パッド部７ａ，７ｂを有する幅
が例えば５〜２５μｍで全長が例えば４〜２３ｃｍの蛇
行形状にパターニングすることができ、これによれば一
層良好に抵抗体として機能することが可能である。
様に、両端に１対の電極パッド部７ａ，７ｂを有する幅
が例えば５〜２５μｍで全長が例えば４〜２３ｃｍの蛇
行形状にパターニングすることができ、これによれば一
層良好に抵抗体として機能することが可能である。
【００２２】保護膜１０は、例えば酸化シリコンからな
り、その厚さは例えば０．３〜２．０μｍ好ましくは
０．５〜１．０μｍ程度である。
り、その厚さは例えば０．３〜２．０μｍ好ましくは
０．５〜１．０μｍ程度である。
【００２３】チタン薄膜４の形成、白金薄膜６の形成及
び保護膜１０の形成は、スパッタ法を用いて行うことが
できる。尚、抵抗薄膜８の蛇行形状などのパターニング
は、抵抗薄膜８を成膜した後に、エッチングにより行う
ことができる。
び保護膜１０の形成は、スパッタ法を用いて行うことが
できる。尚、抵抗薄膜８の蛇行形状などのパターニング
は、抵抗薄膜８を成膜した後に、エッチングにより行う
ことができる。
【００２４】保護膜１０を形成した後、熱処理を行うこ
とで、抵抗薄膜８の抵抗温度係数を３２００〜３８００
ｐｐｍ／℃の範囲内の値にすることができる。これは、
熱処理を行わない場合に得られる抵抗薄膜８の抵抗温度
係数値（３２００ｐｐｍ／℃未満）とは異なるものであ
る。上記熱処理は、例えば２００〜１２００℃の範囲内
で選択された温度をピーク温度とし、該ピーク温度での
保持時間を２〜８時間とし、該ピーク温度までの昇温及
び該ピーク温度からの降温の速度を３０℃／ｍｉｎ以下
で行うものである。但し、ピーク温度は、基板２が軟化
したり変質したりしないように上限が定められる。
とで、抵抗薄膜８の抵抗温度係数を３２００〜３８００
ｐｐｍ／℃の範囲内の値にすることができる。これは、
熱処理を行わない場合に得られる抵抗薄膜８の抵抗温度
係数値（３２００ｐｐｍ／℃未満）とは異なるものであ
る。上記熱処理は、例えば２００〜１２００℃の範囲内
で選択された温度をピーク温度とし、該ピーク温度での
保持時間を２〜８時間とし、該ピーク温度までの昇温及
び該ピーク温度からの降温の速度を３０℃／ｍｉｎ以下
で行うものである。但し、ピーク温度は、基板２が軟化
したり変質したりしないように上限が定められる。
【００２５】本実施形態では、基板２と白金薄膜６との
間にチタン薄膜４が介在しており、このチタン薄膜４は
基板２中の酸素との結合力が白金より優れているので、
抵抗薄膜８の基板２に対する密着性を向上させることが
できる。即ち、チタン薄膜４を形成しない場合には上記
熱処理で白金薄膜６からなる抵抗薄膜が基板２から剥離
することがあるが、チタン薄膜４を形成した場合には上
記熱処理で抵抗薄膜８が基板２から剥離することがなく
製造歩留りが向上する。
間にチタン薄膜４が介在しており、このチタン薄膜４は
基板２中の酸素との結合力が白金より優れているので、
抵抗薄膜８の基板２に対する密着性を向上させることが
できる。即ち、チタン薄膜４を形成しない場合には上記
熱処理で白金薄膜６からなる抵抗薄膜が基板２から剥離
することがあるが、チタン薄膜４を形成した場合には上
記熱処理で抵抗薄膜８が基板２から剥離することがなく
製造歩留りが向上する。
【００２６】本実施形態によれば、このような製造歩留
りの向上に加えて、同様の理由で、製造後の使用時にお
ける経時劣化も少ない。即ち、抵抗薄膜８の基板２に対
する密着性が良好であるので、使用時に発熱したり高温
外部環境にさらされたりしても、これらの間に剥離を生
じにくく、従って抵抗薄膜８が外気中の酸素と接触して
酸化されて電気的特性が劣化したりすることがなく、長
寿命化が可能である。
りの向上に加えて、同様の理由で、製造後の使用時にお
ける経時劣化も少ない。即ち、抵抗薄膜８の基板２に対
する密着性が良好であるので、使用時に発熱したり高温
外部環境にさらされたりしても、これらの間に剥離を生
じにくく、従って抵抗薄膜８が外気中の酸素と接触して
酸化されて電気的特性が劣化したりすることがなく、長
寿命化が可能である。
【００２７】また、本実施形態では、抵抗薄膜８として
白金薄膜６の上に更にチタン薄膜を形成したものを用い
ることができる。この上側チタン薄膜は保護膜１０中の
酸素との結合力が白金より優れているので、保護膜１０
の抵抗薄膜８に対する密着性を向上させることができ
る。即ち、上側チタン薄膜を形成しない場合に比べて上
側チタン薄膜を形成した場合には保護膜１０の抵抗薄膜
８に対する密着性を向上させることができる。上側チタ
ン薄膜は下側のチタン薄膜４と同様にして成膜すること
ができる。
白金薄膜６の上に更にチタン薄膜を形成したものを用い
ることができる。この上側チタン薄膜は保護膜１０中の
酸素との結合力が白金より優れているので、保護膜１０
の抵抗薄膜８に対する密着性を向上させることができ
る。即ち、上側チタン薄膜を形成しない場合に比べて上
側チタン薄膜を形成した場合には保護膜１０の抵抗薄膜
８に対する密着性を向上させることができる。上側チタ
ン薄膜は下側のチタン薄膜４と同様にして成膜すること
ができる。
【００２８】特に、抵抗薄膜８が微細なパターン状をな
す場合には、その上に形成される保護膜１０の下地が凹
凸状態となるので、保護膜１０の部分的剥離が生じやす
い傾向にあるが、上側チタン薄膜を形成することで、保
護膜１０の部分的剥離を効果的に防止することができ
る。
す場合には、その上に形成される保護膜１０の下地が凹
凸状態となるので、保護膜１０の部分的剥離が生じやす
い傾向にあるが、上側チタン薄膜を形成することで、保
護膜１０の部分的剥離を効果的に防止することができ
る。
【００２９】図３は本発明による薄膜抵抗素子の別の実
施形態を示す模式的断面図である。本図において、上記
図１〜２におけると同様の機能を有する部材には同一の
符号が付されている。
施形態を示す模式的断面図である。本図において、上記
図１〜２におけると同様の機能を有する部材には同一の
符号が付されている。
【００３０】この図３の実施形態では、基板２として、
シリコン等の半導体からなる基体部２ａの表面上に酸化
シリコン等からなる絶縁膜２ｂを形成したものを用いて
いる。この絶縁膜２ｂの表面上にチタン薄膜４を介して
白金薄膜６が形成されている。このように、本発明で
は、基板２は表面が電気絶縁性を有していればよく、そ
の下の基体部は所望の機能要素例えば種々の電子回路素
子などを有していてもよい。
シリコン等の半導体からなる基体部２ａの表面上に酸化
シリコン等からなる絶縁膜２ｂを形成したものを用いて
いる。この絶縁膜２ｂの表面上にチタン薄膜４を介して
白金薄膜６が形成されている。このように、本発明で
は、基板２は表面が電気絶縁性を有していればよく、そ
の下の基体部は所望の機能要素例えば種々の電子回路素
子などを有していてもよい。
【００３１】本実施形態でも、上記図１〜２の実施形態
と同様な作用効果が得られる。
と同様な作用効果が得られる。
【００３２】図４は、本実施形態の薄膜抵抗素子を製造
する際の熱処理ピーク温度と得られた薄膜抵抗素子の抵
抗温度係数との関係を示す図である。この図は、チタン
薄膜４の厚さを０．００５μｍとし、白金薄膜６の厚さ
を０．６μｍとし、熱処理の昇温及び降温の速度を１０
℃／ｍｉｎとし、熱処理のピーク温度を３００℃、５０
０℃、７００℃、９００℃及び１１５０℃の５種類と
し、熱処理のピーク温度保持時間を５時間とし、各種類
の熱処理につき１０個の薄膜抵抗素子を製造した時に得
られた抵抗温度係数値と、これらの抵抗温度係数値に基
づき得られた抵抗温度係数特性曲線とを示すものであ
る。この図から、熱処理ピーク温度を適宜設定すること
で、薄膜抵抗素子の抵抗温度係数を３２００〜３８００
ｐｐｍ／℃の範囲内で所望値に設定することが可能であ
ることがわかる。
する際の熱処理ピーク温度と得られた薄膜抵抗素子の抵
抗温度係数との関係を示す図である。この図は、チタン
薄膜４の厚さを０．００５μｍとし、白金薄膜６の厚さ
を０．６μｍとし、熱処理の昇温及び降温の速度を１０
℃／ｍｉｎとし、熱処理のピーク温度を３００℃、５０
０℃、７００℃、９００℃及び１１５０℃の５種類と
し、熱処理のピーク温度保持時間を５時間とし、各種類
の熱処理につき１０個の薄膜抵抗素子を製造した時に得
られた抵抗温度係数値と、これらの抵抗温度係数値に基
づき得られた抵抗温度係数特性曲線とを示すものであ
る。この図から、熱処理ピーク温度を適宜設定すること
で、薄膜抵抗素子の抵抗温度係数を３２００〜３８００
ｐｐｍ／℃の範囲内で所望値に設定することが可能であ
ることがわかる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
抵抗薄膜としてチタン薄膜上に白金薄膜を形成したもの
を使用し成膜後に適宜の熱処理を行うことで、同一材料
の抵抗膜でありながら、成膜工程を全く変更することな
く、抵抗温度係数を幅広い範囲内で所望値に設定するこ
とが可能となる。
抵抗薄膜としてチタン薄膜上に白金薄膜を形成したもの
を使用し成膜後に適宜の熱処理を行うことで、同一材料
の抵抗膜でありながら、成膜工程を全く変更することな
く、抵抗温度係数を幅広い範囲内で所望値に設定するこ
とが可能となる。
【図１】本発明による薄膜抵抗素子の一実施形態を示す
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図２】本発明による薄膜抵抗素子の一実施形態におけ
る抵抗薄膜の平面図である。
る抵抗薄膜の平面図である。
【図３】本発明による薄膜抵抗素子の別の実施形態を示
す模式的断面図である。
す模式的断面図である。
【図４】本発明による薄膜抵抗素子を製造する際の熱処
理ピーク温度と得られた薄膜抵抗素子の抵抗温度係数と
の関係を示す図である。
理ピーク温度と得られた薄膜抵抗素子の抵抗温度係数と
の関係を示す図である。
２ 絶縁基板 ２ａ 基体部 ２ｂ 絶縁膜 ４ チタン薄膜 ６ 白金薄膜 ７ａ，７ｂ 電極パッド部 ８ 抵抗薄膜 １０ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井上 眞一 埼玉県上尾市原市1333−２ 三井金属鉱業 株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 5E033 AA02 BB02 BC01 BD02 BE01
Claims (10)
- 【請求項１】 基板の電気絶縁性表面上にチタン薄膜が
形成されており、該チタン薄膜上に白金薄膜が形成され
ており、前記チタン薄膜と前記白金薄膜とからなる抵抗
薄膜は３２００〜３８００ｐｐｍ／℃の抵抗温度係数を
有することを特徴とする薄膜抵抗素子。 - 【請求項２】 前記基板はシリコンからなる基体部の表
面に酸化シリコン膜が形成されているものであることを
特徴とする、請求項１に記載の薄膜抵抗素子。 - 【請求項３】 前記抵抗薄膜上に保護膜が形成されてい
ることを特徴とする、請求項１〜２のいずれかに記載の
薄膜抵抗素子。 - 【請求項４】 前記白金薄膜は厚さ０．１〜１．０μｍ
であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記
載の薄膜抵抗素子。 - 【請求項５】 前記チタン薄膜は厚さ０．００２〜０．
０５μｍであることを特徴とする、請求項１〜４のいず
れかに記載の薄膜抵抗素子。 - 【請求項６】 基板の電気絶縁性表面上にスパッタによ
りチタン薄膜及び白金薄膜をこの順に形成し、次いで２
００〜１２００℃の範囲内で選択された温度をピーク温
度とする熱処理を行うことで前記チタン薄膜と前記白金
薄膜との積層体からなる抵抗薄膜の抵抗温度係数を３２
００〜３８００ｐｐｍ／℃の範囲内の所望値にすること
を特徴とする、薄膜抵抗素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記熱処理は前記ピーク温度での保持時
間が２〜８時間であり、該ピーク温度までの昇温及び該
ピーク温度からの降温の速度を３０℃／ｍｉｎ以下で行
うことを特徴とする、請求項６に記載の薄膜抵抗素子の
製造方法。 - 【請求項８】 前記熱処理に先立ち前記抵抗薄膜をパタ
ーニングすることを特徴とする、請求項６〜７のいずれ
かに記載の薄膜抵抗素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記白金薄膜を厚さ０．１〜１．０μｍ
に形成することを特徴とする、請求項６〜８のいずれか
に記載の薄膜抵抗素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記チタン薄膜を厚さ０．００２〜
０．０５μｍに形成することを特徴とする、請求項６〜
９のいずれかに記載の薄膜抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10282253A JP2000114003A (ja) | 1998-10-05 | 1998-10-05 | 薄膜抵抗素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10282253A JP2000114003A (ja) | 1998-10-05 | 1998-10-05 | 薄膜抵抗素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000114003A true JP2000114003A (ja) | 2000-04-21 |
Family
ID=17650052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10282253A Pending JP2000114003A (ja) | 1998-10-05 | 1998-10-05 | 薄膜抵抗素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000114003A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294929A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-11-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 薄膜センサの製造方法、薄膜センサおよび薄膜センサモジュール |
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1998
- 1998-10-05 JP JP10282253A patent/JP2000114003A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294929A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-11-08 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 薄膜センサの製造方法、薄膜センサおよび薄膜センサモジュール |
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