JPS61242002A - 薄膜サ−ミスタ - Google Patents
薄膜サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPS61242002A JPS61242002A JP8372585A JP8372585A JPS61242002A JP S61242002 A JPS61242002 A JP S61242002A JP 8372585 A JP8372585 A JP 8372585A JP 8372585 A JP8372585 A JP 8372585A JP S61242002 A JPS61242002 A JP S61242002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- temperature
- sensitive resistor
- metal substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は熱応答性の速い薄膜サーミスタに関するもので
ある。
ある。
従来の技術
薄膜サーミスタは、例えば、長井、他、ナショナルテク
ニカルレボ−） （Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃ
ａｉＲｅｐｏｚｔ）Ｖｏ ｌ、 ２６（１９８０） Ｐ
、 ４０３に示されているように、平板状絶縁性基板の
一方の表面に感温抵抗体膜と一対の電極膜とを形成して
構成される。
ニカルレボ−） （Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃ
ａｉＲｅｐｏｚｔ）Ｖｏ ｌ、 ２６（１９８０） Ｐ
、 ４０３に示されているように、平板状絶縁性基板の
一方の表面に感温抵抗体膜と一対の電極膜とを形成して
構成される。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このような従来の薄膜サーミスタは、熱応答性
が遅いという問題があった。これは下記の理由による。
が遅いという問題があった。これは下記の理由による。
例えば、室温に保たれた薄膜サーミスタを、手早く高温
に保たれたオープン中に移した時、サーミスタ温度は時
間経過とともに上昇する。このときの熱応答性はサーミ
スタの熱容量に大きく依存し、熱容量が大きくなると熱
応答性は遅くなる。
に保たれたオープン中に移した時、サーミスタ温度は時
間経過とともに上昇する。このときの熱応答性はサーミ
スタの熱容量に大きく依存し、熱容量が大きくなると熱
応答性は遅くなる。
従来の薄膜サーミスタは、平板状絶縁基板の上に感温抵
抗体膜と電極膜とを形成して構成されるので、薄膜サー
ミスタの熱容量はほぼ平板状絶縁性基板により支配され
る。感温抵抗体膜と電極膜は数μｍ〜数１０μｍの厚さ
で形成されるが、平板状絶縁性基板は０．３〜１．０ｍ
ｍの厚さのものが用いられる。従って、感温抵抗体膜と
電極膜との熱容量は小さくても、平板状絶縁基板の熱容
量は大きいので、従来の薄膜サーミスタの熱応性は遅か
った。
抗体膜と電極膜とを形成して構成されるので、薄膜サー
ミスタの熱容量はほぼ平板状絶縁性基板により支配され
る。感温抵抗体膜と電極膜は数μｍ〜数１０μｍの厚さ
で形成されるが、平板状絶縁性基板は０．３〜１．０ｍ
ｍの厚さのものが用いられる。従って、感温抵抗体膜と
電極膜との熱容量は小さくても、平板状絶縁基板の熱容
量は大きいので、従来の薄膜サーミスタの熱応性は遅か
った。
本発明は感温抵抗体膜と電極膜とから成る感温部の熱容
量を小さくするこ上により、熱応答性の速い薄膜サーミ
スタを提供するものである。
量を小さくするこ上により、熱応答性の速い薄膜サーミ
スタを提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決する本発明の技術的手段は、厚さが１
０〜１００μｍの平板状金属基板を、アルミナなどの平
板状絶縁基板に代えて用いるこ上にある。
０〜１００μｍの平板状金属基板を、アルミナなどの平
板状絶縁基板に代えて用いるこ上にある。
作 用
本発明は薄い平板状金属基板の上に感温部を形成してい
る。この薄い平板状金属基板の熱容量は、従来に比べ１
／２〜１／１０に低減されるので、熱応答性の速い薄膜
サーミスタが得られる。なお、平板状金属基板は導電体
であるので、この平板状金属基板の上に絶縁膜を形成し
たのち、感温抵抗体と一対の電極膜とから成る感温部を
形成する必要がある。絶縁膜は、感温抵抗体と平板状金
属基板とを電気的に分離する作用を有する。絶縁膜の厚
さは０．１〜１μｍで充分であるので、その熱容量は平
板状金属基板の熱容量に比べ無視できる程度の小さな値
である。従って、絶縁膜形成による熱応答性の遅延は殆
んど無視できる。
る。この薄い平板状金属基板の熱容量は、従来に比べ１
／２〜１／１０に低減されるので、熱応答性の速い薄膜
サーミスタが得られる。なお、平板状金属基板は導電体
であるので、この平板状金属基板の上に絶縁膜を形成し
たのち、感温抵抗体と一対の電極膜とから成る感温部を
形成する必要がある。絶縁膜は、感温抵抗体と平板状金
属基板とを電気的に分離する作用を有する。絶縁膜の厚
さは０．１〜１μｍで充分であるので、その熱容量は平
板状金属基板の熱容量に比べ無視できる程度の小さな値
である。従って、絶縁膜形成による熱応答性の遅延は殆
んど無視できる。
実施例
図は本発明の薄膜サーミスタの一実施例を示す断面図で
ある。厚さが約５０μｍの平板状Ｔｉ基板１の一方の表
面に絶縁膜２を形成したのち、さらに感温抵抗体３と一
対の電極膜４を形成した。
ある。厚さが約５０μｍの平板状Ｔｉ基板１の一方の表
面に絶縁膜２を形成したのち、さらに感温抵抗体３と一
対の電極膜４を形成した。
絶縁膜２として酸化アルミニウム膜（膜厚約１μｍ）な
どが用いられる。感温抵抗体膜３として、Ｆｅ、Ｎ ｉ
、 Ｃｏ 、 Ｍｎなどの複合酸化物膜、ＳｉＣ膜、
Ｃｏ膜などが用いられる。電極膜４として、Ａｕ−Ｐｔ
。
どが用いられる。感温抵抗体膜３として、Ｆｅ、Ｎ ｉ
、 Ｃｏ 、 Ｍｎなどの複合酸化物膜、ＳｉＣ膜、
Ｃｏ膜などが用いられる。電極膜４として、Ａｕ−Ｐｔ
。
Ａｇ−Ｐｄ、 Ｐｔ １Ｐｄ、 Ａｕなどの厚膜電極膜
、Ｃｒ Ａｕ ｓＣｒ −Ｃｕ 、 ＡＩなどの薄膜電
極膜が用いられる。
、Ｃｒ Ａｕ ｓＣｒ −Ｃｕ 、 ＡＩなどの薄膜電
極膜が用いられる。
絶縁膜２の厚さを約１μｍ１感温抵抗体膜ａの厚さを約
２μｍ１電極膜４の厚さを約０．５μｍ、平板状Ｔｉ基
板１の厚さを約５０μｍとしたとき、熱時定数は５秒以
下であった。他方、従来の薄膜サーミヌタ（アルミナ基
板の厚さ約０．５ｍｍ％感温抵抗体膜と電極膜の厚さは
前述と同じ）の熱時定数は約１５秒であった。平板状Ｔ
ｉ基板１の厚さによシ熱時定数は影響を受けるが、厚さ
が１００μｍ以下であれば、熱時定数は約７秒以下を示
した。
２μｍ１電極膜４の厚さを約０．５μｍ、平板状Ｔｉ基
板１の厚さを約５０μｍとしたとき、熱時定数は５秒以
下であった。他方、従来の薄膜サーミヌタ（アルミナ基
板の厚さ約０．５ｍｍ％感温抵抗体膜と電極膜の厚さは
前述と同じ）の熱時定数は約１５秒であった。平板状Ｔ
ｉ基板１の厚さによシ熱時定数は影響を受けるが、厚さ
が１００μｍ以下であれば、熱時定数は約７秒以下を示
した。
平板状金属基板１は、Ｔｔ、 Ｔａｓ Ｍｏｓ Ｗ、
Ｐｔ５Ｆｅ−Ｃｒ％Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏの群から選ばれた
１種で構成されることが望ましい。この理由は、絶縁膜
２および感温抵抗体膜３の熱膨張係数と前述した金属ま
たは合金の熱膨張係数とが比較的類似の値を有するこ上
にある。
Ｐｔ５Ｆｅ−Ｃｒ％Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏの群から選ばれた
１種で構成されることが望ましい。この理由は、絶縁膜
２および感温抵抗体膜３の熱膨張係数と前述した金属ま
たは合金の熱膨張係数とが比較的類似の値を有するこ上
にある。
絶縁膜２は酸化硅素、酸化アルミナニウム、酸化タンタ
ル、酸化ジルコニウム、窒化硅素の群の中から選ばれた
１種で構成されることが望ましい。
ル、酸化ジルコニウム、窒化硅素の群の中から選ばれた
１種で構成されることが望ましい。
この理由は、（１）これら絶縁膜２と平板状金属基板１
の熱膨張係数が比較的類似の値であること、（２）これ
ら絶縁膜２は耐熱性に優れるので、感温抵抗体３および
電極膜４を形成するときに必要な耐熱性（１００〜７０
０℃）を具備すること、にある。
の熱膨張係数が比較的類似の値であること、（２）これ
ら絶縁膜２は耐熱性に優れるので、感温抵抗体３および
電極膜４を形成するときに必要な耐熱性（１００〜７０
０℃）を具備すること、にある。
また感温抵抗体膜３はＳｉＣ膜であることが望ましい。
この理由は、ＳｉＣ膜は絶縁膜２との密着性に優れると
共に耐熱性に優れる（空気中４００℃以上）こ上にある
。
共に耐熱性に優れる（空気中４００℃以上）こ上にある
。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば熱容量の小さな
薄膜サーミスタが得られるので、熱応答性の速い薄膜サ
ーミスタが容易に得られる。
薄膜サーミスタが得られるので、熱応答性の速い薄膜サ
ーミスタが容易に得られる。
図は本発明の一実施例を示す薄膜サーミスタの断面図で
ある。 １・・・・・・平板状金属基板、２・・・・・・絶縁膜
、３・・・・・・感温抵抗体膜、４・・・・・・電極膜
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名！・
・・卓額状４Ａ基板 ２１．、糖簸棋 ３・、、幕邊輻杭棉嘴 ４・・・＃、＋１ 項
ある。 １・・・・・・平板状金属基板、２・・・・・・絶縁膜
、３・・・・・・感温抵抗体膜、４・・・・・・電極膜
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名！・
・・卓額状４Ａ基板 ２１．、糖簸棋 ３・、、幕邊輻杭棉嘴 ４・・・＃、＋１ 項
Claims (4)
- （１）厚さが１０〜１００μｍの平板状金属基板と前記
平板状金属基板の一方の表面に形成された絶縁膜と前記
絶縁膜の上に形成された感温抵抗体膜と前記感温抵抗体
膜の上に形成された一対の電極膜とから成る薄膜サーミ
スタ。 - （２）平板状金属基板はチタニウム、タンタル、モリブ
デン、タングステン、白金、鉄−クロム合金、鉄−ニッ
ケル−コバルト合金の群のなかから選ばれた１種で構成
された特許請求の範囲第１項記載の薄膜サーミスタ。 - （３）絶縁膜は酸化硅素、酸化アルミニウム、酸化タン
タル、酸化ジルコニウム、窒化シリコンの群の中から選
ばれた１種の膜で構成された特許請求の範囲第２項記載
の薄膜サーミスタ。 - （４）感温抵抗体膜は炭化硅素膜で構成された特許請求
の範囲第３項記載の薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8372585A JPS61242002A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8372585A JPS61242002A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 薄膜サ−ミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61242002A true JPS61242002A (ja) | 1986-10-28 |
Family
ID=13810491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8372585A Pending JPS61242002A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61242002A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63211702A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | エヌオーケー株式会社 | 温度センサ |
| JPS63310101A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Nok Corp | 薄膜サ−ミスタの製造法 |
| JPH0519929U (ja) * | 1991-07-04 | 1993-03-12 | 石塚電子株式会社 | 温度センサ |
| WO2011024724A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ及びその製造方法 |
| JP5664760B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2015-02-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の実装構造 |
| JP2017514292A (ja) * | 2014-02-18 | 2017-06-01 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | Ｎｔｃデバイスおよびその製造のための方法 |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP8372585A patent/JPS61242002A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63211702A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | エヌオーケー株式会社 | 温度センサ |
| JPS63310101A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Nok Corp | 薄膜サ−ミスタの製造法 |
| JPH0519929U (ja) * | 1991-07-04 | 1993-03-12 | 石塚電子株式会社 | 温度センサ |
| WO2011024724A1 (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ及びその製造方法 |
| CN102483978A (zh) * | 2009-08-28 | 2012-05-30 | 株式会社村田制作所 | 热敏电阻及其制造方法 |
| US8514050B1 (en) | 2009-08-28 | 2013-08-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor and method for manufacturing the same |
| US8598975B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-12-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor and method for manufacturing the same |
| JP5375963B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2013-12-25 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ及びその製造方法 |
| JP5664760B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2015-02-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の実装構造 |
| US9184362B2 (en) | 2011-02-24 | 2015-11-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic-component mounting structure |
| EP2680301A4 (en) * | 2011-02-24 | 2016-05-25 | Murata Manufacturing Co | ELECTRONIC COMPONENT MOUNTING STRUCTURE |
| JP2017514292A (ja) * | 2014-02-18 | 2017-06-01 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | Ｎｔｃデバイスおよびその製造のための方法 |
| US10074466B2 (en) | 2014-02-18 | 2018-09-11 | Epcos Ag | NTC component and method for the production thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4160969A (en) | Transducer and method of making | |
| JPS61242002A (ja) | 薄膜サ−ミスタ | |
| JPH0810645B2 (ja) | 薄膜サーミスタ | |
| JPS62291001A (ja) | 薄膜サ−ミスタとその製造方法 | |
| JPS61245502A (ja) | 薄膜サ−ミスタ | |
| GB1469008A (en) | Electrical relay devices | |
| JPS61181103A (ja) | 白金測温抵抗体 | |
| JPH11354302A (ja) | 薄膜抵抗素子 | |
| JP2727541B2 (ja) | 薄膜サーミスタの製造法 | |
| JPS623682Y2 (ja) | ||
| JPS61147501A (ja) | 薄膜サ−ミスタ | |
| JPS61160902A (ja) | 薄膜サ−ミスタ | |
| JPS5884404A (ja) | 薄膜サ−ミスタ | |
| JPS6341002A (ja) | 薄膜サ−ミスタ | |
| JPS62165302A (ja) | 高抵抗材料 | |
| JPS61161701A (ja) | サ−ミスタ | |
| JPS5951502A (ja) | サ−ミスタ | |
| JPH03124075A (ja) | 超電導素子 | |
| JPS5871603A (ja) | 薄膜サ−ミスタの製造方法 | |
| JPS60124802A (ja) | ガラス封止型サ−ミスタ | |
| JPS61287202A (ja) | ＳｉＣ薄膜サ−ミスタ | |
| JPS5853484B2 (ja) | 薄膜抵抗器 | |
| JPS58103102A (ja) | 薄膜サ−ミスタ | |
| JPS60254602A (ja) | 発熱抵抗体の成膜方法 | |
| JPS5843501A (ja) | 薄膜回路素子の製造方法 |