JPS61160902A - 薄膜サ−ミスタ - Google Patents
薄膜サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPS61160902A JPS61160902A JP105085A JP105085A JPS61160902A JP S61160902 A JPS61160902 A JP S61160902A JP 105085 A JP105085 A JP 105085A JP 105085 A JP105085 A JP 105085A JP S61160902 A JPS61160902 A JP S61160902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- temperature sensitive
- sensitive resistor
- insulating substrate
- Prior art date
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- Granted
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は熱応答性の速い薄膜サーミスタに関するもので
ある。
ある。
従来の技術
薄膜サーミスタは、例えば、長井、他ナショナルテクニ
カルレボ−） （Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔ＠ｃｈｎｉｃａ
ｌＲ＠ｐｏｒｔ） Ｖｏｌ 、２６ （１９８０） Ｐ
、４０３に示されているように、平板状絶縁性基板の一
方の表面に感温抵抗体膜と一対の電極膜とを形成して構
成される。
カルレボ−） （Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔ＠ｃｈｎｉｃａ
ｌＲ＠ｐｏｒｔ） Ｖｏｌ 、２６ （１９８０） Ｐ
、４０３に示されているように、平板状絶縁性基板の一
方の表面に感温抵抗体膜と一対の電極膜とを形成して構
成される。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このような従来の薄膜サーミスタは、無応答性
が遅いという問題があった。これは下記の理由による。
が遅いという問題があった。これは下記の理由による。
例えば、室温に保たれた薄膜サーミスタを、手早く高温
に保たれたオープン中に移した時、サーミスタ温度は時
間経過とともに上昇する。このときの熱応答性はサーミ
スタの熱容量に大きく依存し、熱容量が大きくなると熱
応答性は遅くなる。
に保たれたオープン中に移した時、サーミスタ温度は時
間経過とともに上昇する。このときの熱応答性はサーミ
スタの熱容量に大きく依存し、熱容量が大きくなると熱
応答性は遅くなる。
従来の薄膜サーミスタは、平板状絶縁基板の上に感温抵
抗体膜と電極膜とを形成して構成されるので、薄膜サー
ミスタの熱容量はほぼ平板状絶縁基板忙より支配される
。感温抵抗体膜と電極膜は数μｍ〜数１０μｍの厚さで
形成されるが、平板状絶縁性基板は０．３〜１．Ｏｆｆ
の厚さのものが用いらｈる。従って、感温抵抗体膜と電
極膜との熱容量は小さくても、平板状絶縁基板の熱容量
は大きいので、従来の薄膜サーミスタの熱応性は遅かっ
た。
抗体膜と電極膜とを形成して構成されるので、薄膜サー
ミスタの熱容量はほぼ平板状絶縁基板忙より支配される
。感温抵抗体膜と電極膜は数μｍ〜数１０μｍの厚さで
形成されるが、平板状絶縁性基板は０．３〜１．Ｏｆｆ
の厚さのものが用いらｈる。従って、感温抵抗体膜と電
極膜との熱容量は小さくても、平板状絶縁基板の熱容量
は大きいので、従来の薄膜サーミスタの熱応性は遅かっ
た。
本発明は感温抵抗体膜と電極膜とから成る感温部の熱容
量を小さくすることにより、熱応答性の速い薄膜サーミ
スタを提供するものである。
量を小さくすることにより、熱応答性の速い薄膜サーミ
スタを提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決する本発明の技術的な手段は、感温抵
抗体膜の形成された部分の平板状絶縁性基板の一部ま走
は全部を除雲することにある。
抗体膜の形成された部分の平板状絶縁性基板の一部ま走
は全部を除雲することにある。
作 用
本発明は上記した構成を有するので、感温部、すなわち
、感温抵抗体膜の形成された部分、の平板状絶縁性基板
は除去される。従って感温部の熱容量は、感温抵抗体膜
のみの熱容量、もしくは感温抵抗体膜とＮ極膜との熱容
量となるので、従来に比べ非常に小さくできる。この結
果、熱応答性の速い薄膜サーミスタが得られる。
、感温抵抗体膜の形成された部分、の平板状絶縁性基板
は除去される。従って感温部の熱容量は、感温抵抗体膜
のみの熱容量、もしくは感温抵抗体膜とＮ極膜との熱容
量となるので、従来に比べ非常に小さくできる。この結
果、熱応答性の速い薄膜サーミスタが得られる。
平板状絶縁性基板の除去は、通常、化学的に平板状絶縁
性基板を腐食する手段でなされるが、このとき腐食液に
よｆ）感温抵抗体膜が浸されないように絶縁膜が平板状
絶縁性基板表面に形成される。
性基板を腐食する手段でなされるが、このとき腐食液に
よｆ）感温抵抗体膜が浸されないように絶縁膜が平板状
絶縁性基板表面に形成される。
実施例
第１図は本発明の薄膜サーミスタの一実施例を示す断面
図である。平板状石英基板１の一方の表面上に絶縁膜２
を形成したのち、さらに感温抵抗体膜３と一対の電極膜
４とを形成した。感温抵抗体膜３として、Ｆｅ、Ｎｉ％
Ｃｏ％Ｍｎなどの複合金属酸化物膜、Ｓｉ膜、Ｇｏ膜な
どが用いられる。
図である。平板状石英基板１の一方の表面上に絶縁膜２
を形成したのち、さらに感温抵抗体膜３と一対の電極膜
４とを形成した。感温抵抗体膜３として、Ｆｅ、Ｎｉ％
Ｃｏ％Ｍｎなどの複合金属酸化物膜、Ｓｉ膜、Ｇｏ膜な
どが用いられる。
電極膜４として、Ａｕ Ｐｔ、Ａｇ Ｐｄ、Ｐｔ、
Ｐｄ、Ａｕなどの厚膜電極膜、Ｃｒ−Ａｕ、ＣｒＣｕ、
Ａｌ、などの薄膜電極膜が用いられる。まだ、絶縁膜２
として窒化シリコン膜が用いられる。
Ｐｄ、Ａｕなどの厚膜電極膜、Ｃｒ−Ａｕ、ＣｒＣｕ、
Ａｌ、などの薄膜電極膜が用いられる。まだ、絶縁膜２
として窒化シリコン膜が用いられる。
感温抵抗体膜３の形成された部分の平板状石英基板１１
（感温部石英基板１１）は、ＨＦなどにより化学的に溶
解して、除去される。金属酸化物感温抵抗体３もＨＦに
溶解するので、ｇ湿部石英基板１１をＨＦで溶解すると
き金属酸化物感温抵抗体３がＨＦに浸されないように、
窒化シリコン絶縁膜２が形成される。窒化シリコン絶縁
膜２は化学的安定性に優れ、ＨＦに浸され難い。
（感温部石英基板１１）は、ＨＦなどにより化学的に溶
解して、除去される。金属酸化物感温抵抗体３もＨＦに
溶解するので、ｇ湿部石英基板１１をＨＦで溶解すると
き金属酸化物感温抵抗体３がＨＦに浸されないように、
窒化シリコン絶縁膜２が形成される。窒化シリコン絶縁
膜２は化学的安定性に優れ、ＨＦに浸され難い。
平板状石英基板１の厚さを０．５１１、絶縁膜２の厚さ
を１〜３μｍ、感温抵抗体膜３の厚さを２〜６μｍ、感
温抵抗体膜３の厚さを２〜６μｍ、電極膜４の厚さを１
０〜１５μｍ、としたとき、従来の薄膜サーミスタ（第
１図において感温部石英基板１１が除去されていないも
の）の熱時定数は約１５秒であった。他方、感温部石英
基板１１を除去した薄膜サーミスタの熱時定数は５秒以
下であった・ 平板状絶縁性基板１は硝子板、石英板、シリコン板の群
から選ばれた一種で構成されることが望ましい。この理
由は、前述した材料がＨＦあるいはＨＮＯ３とＨＦの混
合液中に容易に溶解するからである。
を１〜３μｍ、感温抵抗体膜３の厚さを２〜６μｍ、感
温抵抗体膜３の厚さを２〜６μｍ、電極膜４の厚さを１
０〜１５μｍ、としたとき、従来の薄膜サーミスタ（第
１図において感温部石英基板１１が除去されていないも
の）の熱時定数は約１５秒であった。他方、感温部石英
基板１１を除去した薄膜サーミスタの熱時定数は５秒以
下であった・ 平板状絶縁性基板１は硝子板、石英板、シリコン板の群
から選ばれた一種で構成されることが望ましい。この理
由は、前述した材料がＨＦあるいはＨＮＯ３とＨＦの混
合液中に容易に溶解するからである。
また、絶縁膜２は窒化シリコン膜で構成することが望ま
しい。窒化シリコン膜は化学的に安定で、ＨＦあるいは
ＨＮＯ３とＨＦの混合液で腐食され難い。
しい。窒化シリコン膜は化学的に安定で、ＨＦあるいは
ＨＮＯ３とＨＦの混合液で腐食され難い。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、感温の熱容量
をきわめて小さくできるので、熱応答性の速い薄膜サー
ミスタが容易に得られる。
をきわめて小さくできるので、熱応答性の速い薄膜サー
ミスタが容易に得られる。
図は本発明の一実施例を示す薄膜サーミスタの断面図で
ある。 １・・・・・・平板状絶縁基板、２・旧・・絶縁膜、３
・・・・・・感温抵抗体膜、４・・・・・・電極膜、１
１・・・・・・感温抵抗体膜の形成された部分の平板状
絶縁性基板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名た−
平ルＣ床結椿ノ）生基畿 ２・・・絶蛛躾 ３・・幕益物成祷順、 ４・・党別ｌ撲 基板
ある。 １・・・・・・平板状絶縁基板、２・旧・・絶縁膜、３
・・・・・・感温抵抗体膜、４・・・・・・電極膜、１
１・・・・・・感温抵抗体膜の形成された部分の平板状
絶縁性基板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名た−
平ルＣ床結椿ノ）生基畿 ２・・・絶蛛躾 ３・・幕益物成祷順、 ４・・党別ｌ撲 基板
Claims (3)
- （１）平板状絶縁性基板と、この平板状絶縁性基板の一
方の表面に形成された絶縁膜と、この絶縁膜の上に形成
された感温抵抗体膜と一対の電極膜とから成り、前記感
温抵抗体膜の形成された部分の前記平板状絶縁性基板の
少なくとも一部を除去した薄膜サーミスタ。 - （２）平板状絶縁性基板は硝子板、石英板、シリコン板
の群の中から選ばれた一種で構成された特許請求の範囲
第１項記載の薄膜サーミスタ。 - （３）絶縁膜は窒化シリコン膜で構成された特許請求の
範囲第２項記載の薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP105085A JPS61160902A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP105085A JPS61160902A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 薄膜サ−ミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160902A true JPS61160902A (ja) | 1986-07-21 |
| JPH0340484B2 JPH0340484B2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=11490720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP105085A Granted JPS61160902A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61160902A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184304A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-07-29 | 住友電気工業株式会社 | サーミスタとその製造方法 |
| JP2013538462A (ja) * | 2010-09-13 | 2013-10-10 | ピーエスティ・センサーズ・（プロプライエタリー）・リミテッド | 印刷された温度センサ |
-
1985
- 1985-01-08 JP JP105085A patent/JPS61160902A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184304A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-07-29 | 住友電気工業株式会社 | サーミスタとその製造方法 |
| JP2013538462A (ja) * | 2010-09-13 | 2013-10-10 | ピーエスティ・センサーズ・（プロプライエタリー）・リミテッド | 印刷された温度センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0340484B2 (ja) | 1991-06-19 |
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