JPS62111402A - 薄膜サ−ミスタ - Google Patents
薄膜サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPS62111402A JPS62111402A JP25128785A JP25128785A JPS62111402A JP S62111402 A JPS62111402 A JP S62111402A JP 25128785 A JP25128785 A JP 25128785A JP 25128785 A JP25128785 A JP 25128785A JP S62111402 A JPS62111402 A JP S62111402A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- lead wire
- film
- layer
- film thermistor
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は耐熱性の高い薄膜サーミスタに関するもので、
この薄膜サーミスタは、例えば、電気オ・−ブンなどの
温度センサとして利用される。
この薄膜サーミスタは、例えば、電気オ・−ブンなどの
温度センサとして利用される。
従来の技術
薄膜サーミスタは、例えば、長井、他ナショナＩレテク
ニカルレボー） （ＮａｔｉｏｎａｅＴｅｃｈ。
ニカルレボー） （ＮａｔｉｏｎａｅＴｅｃｈ。
Ｒｅｐｔ、）Ｖｏｌ、２６（１９８０）Ｐ２Ｏ３に示さ
れているように、アルミナなどの平板状絶縁性基板の一
方の表面に５ｉＣ１漠と一対のＡｕ−ｐｔｉｉ、Ｉ層膜
とを形成し、さらにＡｕ−Ｐｔ電極膜にリード線を溶接
したのち、硝子管中に封入されたり、または硝子被覆層
と形成して構成される。
れているように、アルミナなどの平板状絶縁性基板の一
方の表面に５ｉＣ１漠と一対のＡｕ−ｐｔｉｉ、Ｉ層膜
とを形成し、さらにＡｕ−Ｐｔ電極膜にリード線を溶接
したのち、硝子管中に封入されたり、または硝子被覆層
と形成して構成される。
発明が解決しようとする問題点
しかし、従来の薄膜サーミスタは、空伏中４５０°Ｃ以
上で特性変化が生じ易いという欠点があった。
上で特性変化が生じ易いという欠点があった。
このため′眠気オーブン庫壁に付着したγら染物を執的
に燃焼させて汚染物を除去する自己浄化機能付′ｌＴｆ
、λオープンの温度センサとして従来の薄膜サーミスタ
は不適であった。汚染物の熱的除去は、空気中４５０〜
５００°Ｃの高温を必要とするので、温度センサは空気
中ｓ ｏ ｏ ’ｃ以北の耐熱性を要求される。すなわ
ち、ＳｉＣ膜は前記文献にも示されているように、５０
〜３００°Ｃの広範囲にわたる温度検出に適した１・９
れた＃（抗温度特性を有するが、空λ中４５０°Ｃ以上
での耐熱性に劣るので、１再記自己浄化機能付’ｌｉ
慨オーブンの温度センサとして実用に供されていなかっ
た。
に燃焼させて汚染物を除去する自己浄化機能付′ｌＴｆ
、λオープンの温度センサとして従来の薄膜サーミスタ
は不適であった。汚染物の熱的除去は、空気中４５０〜
５００°Ｃの高温を必要とするので、温度センサは空気
中ｓ ｏ ｏ ’ｃ以北の耐熱性を要求される。すなわ
ち、ＳｉＣ膜は前記文献にも示されているように、５０
〜３００°Ｃの広範囲にわたる温度検出に適した１・９
れた＃（抗温度特性を有するが、空λ中４５０°Ｃ以上
での耐熱性に劣るので、１再記自己浄化機能付’ｌｉ
慨オーブンの温度センサとして実用に供されていなかっ
た。
本発明はＡｕ−Ｐｔ電摩膜とリード線との導電性を向と
することによって、耐熱性の高い薄膜サーミスタを提供
するものである。
することによって、耐熱性の高い薄膜サーミスタを提供
するものである。
問題点を解決するための手段
と記問題点全解決する本発明の技術的な手段は、Ａｕ−
Ｐｔ電極膜に溶接されたリード線の溶接部にＡｕ−Ｐｔ
層を盛る点にある。
Ｐｔ電極膜に溶接されたリード線の溶接部にＡｕ−Ｐｔ
層を盛る点にある。
作 用
本発明は上述したように、リード線の溶接部にＡｕ−Ｐ
ｔ層が盛られているので、リード線とＡｕ −ｐｔ電極
膜との導電性が向上する。従来の薄膜サーミスタでは、
Ａｕ−Ｐｔ電極膜とリード線との溶接部のみによってリ
ード線と電極膜との導電性が保たれていた。しかし、溶
接部の面積は微小であるので、空気中４５０°Ｃ以との
高温に暴露されたとき、溶接部の酸化により両者間の導
電性が阻害されると思われる。しかし、本発明はリード
線の溶接部にＡｕ−Ｐｔ層が盛られているので、リード
線と電極膜との間の導電性は、大きな面積で保たれる。
ｔ層が盛られているので、リード線とＡｕ −ｐｔ電極
膜との導電性が向上する。従来の薄膜サーミスタでは、
Ａｕ−Ｐｔ電極膜とリード線との溶接部のみによってリ
ード線と電極膜との導電性が保たれていた。しかし、溶
接部の面積は微小であるので、空気中４５０°Ｃ以との
高温に暴露されたとき、溶接部の酸化により両者間の導
電性が阻害されると思われる。しかし、本発明はリード
線の溶接部にＡｕ−Ｐｔ層が盛られているので、リード
線と電極膜との間の導電性は、大きな面積で保たれる。
この結果、両者間の導電性は耐熱性に優れたものが得ら
れる。
れる。
実施例
第１図は本発明の薄膜サーミスタの一実施例を示す断面
図である。平板状アルミナ基板１の一方の表面にＳｉＣ
膜２と一対のＡｕ−Ｐｔ電極膜３を形成したのち、リー
ド線４がＡｕ−Ｐｔ電極膜３に溶接される。さらに、リ
ード線４とＡｕ−Ｐｔ電極膜３との溶接部５にＡｕ−Ｐ
ｔ層６が盛られたのち、硝子層７がＳｉＣ膜２、Ａｕ−
Ｐｔ電極膜３およびＡｕ−Ｐｔ層６を全面的に被覆され
るように形成される。Ａｕ−Ｐｔ層６は、Ａｕ−Ｐｔペ
ーストを溶接部５に塗布したのち乾燥・焼成して形成さ
れる。
図である。平板状アルミナ基板１の一方の表面にＳｉＣ
膜２と一対のＡｕ−Ｐｔ電極膜３を形成したのち、リー
ド線４がＡｕ−Ｐｔ電極膜３に溶接される。さらに、リ
ード線４とＡｕ−Ｐｔ電極膜３との溶接部５にＡｕ−Ｐ
ｔ層６が盛られたのち、硝子層７がＳｉＣ膜２、Ａｕ−
Ｐｔ電極膜３およびＡｕ−Ｐｔ層６を全面的に被覆され
るように形成される。Ａｕ−Ｐｔ層６は、Ａｕ−Ｐｔペ
ーストを溶接部５に塗布したのち乾燥・焼成して形成さ
れる。
なお、ＳｉＣ膜２は高周波スパッタリング法、Ａｕ −
Ｐｔ電極膜３は印刷後、乾燥・焼成する方法によって、
それぞれ形成される。硝子層７は硝子ペーストを塗布し
たのち、乾燥・焼成して形成される。
Ｐｔ電極膜３は印刷後、乾燥・焼成する方法によって、
それぞれ形成される。硝子層７は硝子ペーストを塗布し
たのち、乾燥・焼成して形成される。
Ａｕ−Ｐｔ層６の形成されていない従来の薄膜サーミス
タとＡｕ−Ｐｔ層６の形成されている本発明の薄膜サー
ミスタの耐熱性を高温放置特性により調べた。高温放置
特性は高温空気中に薄膜サーミスタを長時間放置したの
ち、薄膜サーミスタを高温空気中から取り出して一定温
度（１４０℃）に保持したときの抵抗値の初期抵抗値に
対する抵抗値変化率の放置時間依存性で示される。４０
０℃空気中放置特性において、１０００時間経過後で両
者とも抵抗値変化率は±（３〜６）φ以下で安定してい
た。しかし、５７０℃空気中放置特性において、第２図
に示すように、本発明の薄膜サーミスタの抵抗値変化率
は小さな直で安定しているのに対し、従来の薄膜サーミ
スタのそれは放置時間と共に急速に増加した。さらに、
前述した電気オープンへの実用を考慮して５００℃空気
中放置特性も調べた。この結果、従来の薄膜サーミスタ
の抵抗値変化率は約３００時間放置後士（５〜１０チ）
であったが、本発明の薄膜サーミスタのそれは１０００
時間放置後も±５％以下であった。
タとＡｕ−Ｐｔ層６の形成されている本発明の薄膜サー
ミスタの耐熱性を高温放置特性により調べた。高温放置
特性は高温空気中に薄膜サーミスタを長時間放置したの
ち、薄膜サーミスタを高温空気中から取り出して一定温
度（１４０℃）に保持したときの抵抗値の初期抵抗値に
対する抵抗値変化率の放置時間依存性で示される。４０
０℃空気中放置特性において、１０００時間経過後で両
者とも抵抗値変化率は±（３〜６）φ以下で安定してい
た。しかし、５７０℃空気中放置特性において、第２図
に示すように、本発明の薄膜サーミスタの抵抗値変化率
は小さな直で安定しているのに対し、従来の薄膜サーミ
スタのそれは放置時間と共に急速に増加した。さらに、
前述した電気オープンへの実用を考慮して５００℃空気
中放置特性も調べた。この結果、従来の薄膜サーミスタ
の抵抗値変化率は約３００時間放置後士（５〜１０チ）
であったが、本発明の薄膜サーミスタのそれは１０００
時間放置後も±５％以下であった。
この結果は、本発明の薄膜サーミスタが自己浄化機能付
電気オーブン用温度センサとして実用できることを示す
。
電気オーブン用温度センサとして実用できることを示す
。
本発明の薄膜サーミスタが優れた耐熱性会有する理由の
詳細は不明であるが、Ａｕ−Ｐｔ層６がリード線４とＡ
ｕ−Ｐｔ電極膜３との溶接部５に盛られているので、リ
ード線４とＡｕ−Ｐｔ ？Ｉｆｍ膜３との間の導電性は
、大きな面積で保たれていることが耐熱性向との原因と
考えられる。一方、従来の薄膜サーミスタはＡｕ−Ｐｔ
電極膜３とリード線４の間の導電性は、溶接部５のみに
よって保たれ、その溶接部５０而漬は微小であるので、
高温放置中に溶接部５の酸化などが生じ、このためリー
ト線４とＡｕ−Ｐｔ電極膜３の間の導電性が阻害される
と考えられる。
詳細は不明であるが、Ａｕ−Ｐｔ層６がリード線４とＡ
ｕ−Ｐｔ電極膜３との溶接部５に盛られているので、リ
ード線４とＡｕ−Ｐｔ ？Ｉｆｍ膜３との間の導電性は
、大きな面積で保たれていることが耐熱性向との原因と
考えられる。一方、従来の薄膜サーミスタはＡｕ−Ｐｔ
電極膜３とリード線４の間の導電性は、溶接部５のみに
よって保たれ、その溶接部５０而漬は微小であるので、
高温放置中に溶接部５の酸化などが生じ、このためリー
ト線４とＡｕ−Ｐｔ電極膜３の間の導電性が阻害される
と考えられる。
リード線４は熱的、化学的に安定で、またＡｕ −ｐｔ
電極膜３と合金を作り易いｐｔ線であることが望ましい
。更に、ｐｔ線は機械的強度、熱容量、溶接エネルギー
の制御性などを考慮すると０．０５〜０．２９６である
ことが望ましい。
電極膜３と合金を作り易いｐｔ線であることが望ましい
。更に、ｐｔ線は機械的強度、熱容量、溶接エネルギー
の制御性などを考慮すると０．０５〜０．２９６である
ことが望ましい。
発明の効果
以上述べてきたように本発明によれば、リード線とＡｕ
−Ｐｔ電極膜の間の導電性が大きな面積で保たれるので
、耐熱性に優れた薄膜勺−−ミスタカニ得られる。
−Ｐｔ電極膜の間の導電性が大きな面積で保たれるので
、耐熱性に優れた薄膜勺−−ミスタカニ得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜→ｔ−ミヌタの断
面図、第２図は同特性図である。 １・・・・・・平板状絶縁性基板、２・・・・・・Ｓｉ
Ｃ膜、３・・・・・・Ａｕ−Ｐｔ電極膜、４・・・・・
・リード線、５・・・−・・溶接部、６・・・・・・Ａ
ｕ−Ｐｔ層、７・・・・・・硝子層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−− ｆ秋仮宅集性基保 ２−−−５ｔｔ：、ス
面図、第２図は同特性図である。 １・・・・・・平板状絶縁性基板、２・・・・・・Ｓｉ
Ｃ膜、３・・・・・・Ａｕ−Ｐｔ電極膜、４・・・・・
・リード線、５・・・−・・溶接部、６・・・・・・Ａ
ｕ−Ｐｔ層、７・・・・・・硝子層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−− ｆ秋仮宅集性基保 ２−−−５ｔｔ：、ス
Claims (2)
- （１）平板状絶縁性基板と前記平板状絶縁性基板の一方
の表面に形成されたＳｉＣ膜、一対のＡｕ−Ｐｔ電極膜
と前記Ａｕ−Ｐｔ電極膜に溶接されたリード線と前記リ
ード線の溶接部に盛られたＡｕ−Ｐｔ層と前記ＳｉＣ膜
、前記Ａｕ−Ｐｔ電極膜、前記Ａｕ−Ｐｔ層に被覆され
た硝子層とから成る薄膜サーミスタ。 - （２）リード線は直径０．０５〜０．２のＰｔ線で構成
された特許請求の範囲第１項記載の薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25128785A JPS62111402A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25128785A JPS62111402A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 薄膜サ−ミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62111402A true JPS62111402A (ja) | 1987-05-22 |
Family
ID=17220559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25128785A Pending JPS62111402A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62111402A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01253205A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜サーミスタ |
| JPH03136203A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス封止型サーミスタ |
| JP2018066591A (ja) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | Koa株式会社 | 白金温度センサ素子 |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP25128785A patent/JPS62111402A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01253205A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜サーミスタ |
| JPH03136203A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス封止型サーミスタ |
| JP2018066591A (ja) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | Koa株式会社 | 白金温度センサ素子 |
| US10488270B2 (en) | 2016-10-17 | 2019-11-26 | Koa Corporation | Platinum temperature sensor element |
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