JPS6295805A - サ−ミスタ - Google Patents
サ−ミスタInfo
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- JPS6295805A JPS6295805A JP23688085A JP23688085A JPS6295805A JP S6295805 A JPS6295805 A JP S6295805A JP 23688085 A JP23688085 A JP 23688085A JP 23688085 A JP23688085 A JP 23688085A JP S6295805 A JPS6295805 A JP S6295805A
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- Japan
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- oxide
- thermistor
- temperature
- sensitive resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はサーミスタ、持に高鬼時における抵抗値、サ
ーミスタとし〔の出力電圧シよび検出感度の劣化を防止
した高信項性のサーミスタに関する０ （従来の技術） 温度の上昇とともにその抵抗値が急激に変化する半導体
は一役にサーミスタと呼ばれ、温度補償用素子、＠車検
４（１素子としＣ利用され゛〔１＾る。
ーミスタとし〔の出力電圧シよび検出感度の劣化を防止
した高信項性のサーミスタに関する０ （従来の技術） 温度の上昇とともにその抵抗値が急激に変化する半導体
は一役にサーミスタと呼ばれ、温度補償用素子、＠車検
４（１素子としＣ利用され゛〔１＾る。
このサーミスタとしＣは、ｕｎ−Ｎｉ系、Ｍｎ−Ｃｕ−
ＮＩＪ、Ｍｎ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃａ系、ＡｌｚＯｓ系、Ｚ
ｒＯ，爪Ｙ、Ｏ，系などの酸化物系の焼結体からなるも
のが知られ〔ｊ八る。
ＮＩＪ、Ｍｎ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃａ系、ＡｌｚＯｓ系、Ｚ
ｒＯ，爪Ｙ、Ｏ，系などの酸化物系の焼結体からなるも
のが知られ〔ｊ八る。
そし゛〔、これらのサーミスタには電画が形成されるが
、たとえばディスク形のサーミスタには焼付の銀１極、
フレーク形と薄膜サーミスタには蒸着のＡ ｕ １１ｉ
ｉ％ また厚、模サーミスタには通常Ａｑ−Ｐｄの合金
からなる焼付１甑が形成されＣ（＾る。
、たとえばディスク形のサーミスタには焼付の銀１極、
フレーク形と薄膜サーミスタには蒸着のＡ ｕ １１ｉ
ｉ％ また厚、模サーミスタには通常Ａｑ−Ｐｄの合金
からなる焼付１甑が形成されＣ（＾る。
ところで、酸化物の焼結体からなるサーミスタは熱応冴
が遅く、半導体集積回路などとの集積化が容易でないと
いうことから、薄膜サーミスタにつ１へ・〔の研究が進
められＣおり、たとえば特開昭５９−６Ｅ３９０２号公
報には、少なくともニオブおよび夕／タルの亀へずれか
一方を含むアモルファス酸化物薄膜よシなるサーミスタ
が開示されＣいる。
が遅く、半導体集積回路などとの集積化が容易でないと
いうことから、薄膜サーミスタにつ１へ・〔の研究が進
められＣおり、たとえば特開昭５９−６Ｅ３９０２号公
報には、少なくともニオブおよび夕／タルの亀へずれか
一方を含むアモルファス酸化物薄膜よシなるサーミスタ
が開示されＣいる。
（発明が解決しようとする間項）
しかしながら、この薄膜サーミスタについ〔は信頼性の
点で問題があることが確認された。
点で問題があることが確認された。
つまり、高温使用時におＬへ゛Ｃ，抵抗値やサーミスタ
とし〔の出力電圧あるｊ＾は検出感度の劣化が起こるこ
とが確認された。
とし〔の出力電圧あるｊ＾は検出感度の劣化が起こるこ
とが確認された。
発明者等はこれらの特性の変化はサーミスタの酸化物Ｎ
ｉ膜と電極との間においＣ酸素の援受、すなわち次式に
よる反応が進行するものであることを見覧へ出した。
ｉ膜と電極との間においＣ酸素の援受、すなわち次式に
よる反応が進行するものであることを見覧へ出した。
Ｍｅ ｔ）＋Ｍｅ −Ｍｅ工ＯＸ−ａＭｅ、。
工 ｘ Ｉ［
ただし Ｍθ工Ｑ、＝薄膜サーミスタ
Ｍｅ、＝電極
すなわち、薄膜サーミスタに含有され〔論る酸素が、ｌ
ｔ極を構成する金属に奪われ、結果としＣ酸化ｌｆ！！
ｌＪ薄膜サーミスタが還元されることによるものと考え
られる。したがつＣ１この酸化物薄膜サーミスタを室温
で放・直した場合は問題とはならないが、たとえば１５
０ｔ：の高畠に放置すると、サーミスタとしＣの特性に
変化か見られることからも確認することができる。
ｔ極を構成する金属に奪われ、結果としＣ酸化ｌｆ！！
ｌＪ薄膜サーミスタが還元されることによるものと考え
られる。したがつＣ１この酸化物薄膜サーミスタを室温
で放・直した場合は問題とはならないが、たとえば１５
０ｔ：の高畠に放置すると、サーミスタとしＣの特性に
変化か見られることからも確認することができる。
また、ＪＰＩＮサーミスタとしＣは構成する材料がすべ
Ｃ酸化物からなるもののほか、たとえば、Ｃｒ−８１０
、Ａｕ−５ｔｏ、 Ｔａ−Ａｌｘ０１ 、 Ａｕ−ＷＯ
−Ｘ、Ｐｔ−ＷＯｊ−ｘ、 Ａｕ−Ｔａ、Ｏ，ｚ、 ｆ
’ｔ−ＴａｘＯｓ−ｊＣのように一部酸化物を含むもの
からなる薄膜サーミスタについＣも、酸化物を含む以上
、上記したと同じような現象が発生することになる。
Ｃ酸化物からなるもののほか、たとえば、Ｃｒ−８１０
、Ａｕ−５ｔｏ、 Ｔａ−Ａｌｘ０１ 、 Ａｕ−ＷＯ
−Ｘ、Ｐｔ−ＷＯｊ−ｘ、 Ａｕ−Ｔａ、Ｏ，ｚ、 ｆ
’ｔ−ＴａｘＯｓ−ｊＣのように一部酸化物を含むもの
からなる薄膜サーミスタについＣも、酸化物を含む以上
、上記したと同じような現象が発生することになる。
高−におけるサーミスタの特性の劣化は上記した４／！
Ｘサーミスタに顕著に現われる現象であるが、これはサ
ーミスタの膜厚に大きく衣存することによるものと考え
られる。したがつＣ１酸化吻をよむ焼結体からなるサー
ミスタのように十分な膜厚を有するものについ゛（、特
に問題にはならないとしＣも、サーミスタの４性劣化を
防止する観点から、何らかの劣化防止対策が必要である
ことはいうまでもない。
Ｘサーミスタに顕著に現われる現象であるが、これはサ
ーミスタの膜厚に大きく衣存することによるものと考え
られる。したがつＣ１酸化吻をよむ焼結体からなるサー
ミスタのように十分な膜厚を有するものについ゛（、特
に問題にはならないとしＣも、サーミスタの４性劣化を
防止する観点から、何らかの劣化防止対策が必要である
ことはいうまでもない。
（発明の目的）
した、バつ〔、この発明は高温におけるサーミスタの特
性の劣化を切止し、信頼性の高いサーミスタを提供する
ことを目的とする。
性の劣化を切止し、信頼性の高いサーミスタを提供する
ことを目的とする。
（発明の構成）
すなわち、この発明のｔ爲′とするところは、負の抵抗
ｉｔ特性を有し、かつ少なくとも金属酸化物を含むもの
からなる感温抵抗体の表面に１玉が形成されＣなるサー
ミスタにお１＾〔、前記感温抵抗体と電極との間に導電
性酸化物層が形成されＣいることを特徴とするサーミス
タである。
ｉｔ特性を有し、かつ少なくとも金属酸化物を含むもの
からなる感温抵抗体の表面に１玉が形成されＣなるサー
ミスタにお１＾〔、前記感温抵抗体と電極との間に導電
性酸化物層が形成されＣいることを特徴とするサーミス
タである。
ここで、感温抵抗体としＣは、すでに述べた薄膜サーミ
スタのみならず、酸化物を含むＲ結体からなるサーミス
タについ゛〔も対象となる。
スタのみならず、酸化物を含むＲ結体からなるサーミス
タについ゛〔も対象となる。
また、導電性酸化物層とし〔は、導１代性を有するもの
で、感温抵抗体を宿成し〔いる金属酸化物より安定な金
属酸化物が選ばれる。具体的には、酸化マンガン、酸化
鉄、・変化コバルト、酸化ニッケル、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、インジウム錫酸化物、酸化錫のうちいずれか
１１がある。このうち酸化亜鉛は、酸化鉄、豊化ジルコ
ニウム、酸化インジウム、＋ｌｌＩ！化錫、１波化鉛の
うち少なくとも１種を０．５〜９９．９モルチ含有する
ものである。
で、感温抵抗体を宿成し〔いる金属酸化物より安定な金
属酸化物が選ばれる。具体的には、酸化マンガン、酸化
鉄、・変化コバルト、酸化ニッケル、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、インジウム錫酸化物、酸化錫のうちいずれか
１１がある。このうち酸化亜鉛は、酸化鉄、豊化ジルコ
ニウム、酸化インジウム、＋ｌｌＩ！化錫、１波化鉛の
うち少なくとも１種を０．５〜９９．９モルチ含有する
ものである。
さらに、電極とじＣは、たとえば、（：ｒ−Ａｕ。
Ｏｒ−Ａｇ、Ｎ１−ＡＩＦ、Ｃｒ−Ｃｕ、ＮｉＣｒ−Ｃ
ｕなどがあるが、特にこれらに限定されるものではない
。このうち、第１層のＣｒ、ＮｉＣｒ、Ｎｉなどは密着
層、半田耐熱層とし〔鋤き、Ｃｕ、Ａすは半田付は層と
じ〔鋤く。ここで、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、Ｎｉ は必ずしも
必要ではな；八。
ｕなどがあるが、特にこれらに限定されるものではない
。このうち、第１層のＣｒ、ＮｉＣｒ、Ｎｉなどは密着
層、半田耐熱層とし〔鋤き、Ｃｕ、Ａすは半田付は層と
じ〔鋤く。ここで、Ｃｒ、ＮｉＣｒ、Ｎｉ は必ずしも
必要ではな；八。
この発明に７）鳥かるサーミスタの構造例会示せば、第
１図〜第５図に示すようなものからなる。
１図〜第５図に示すようなものからなる。
第１図にお（＾Ｃ１１１はアルミナ、ジルコニア、フォ
ルス１ライトなどのセラミクスからなる絶縁基板、１２
は絶縁基板１１の表面に形成された感温抵抗体、１＋、
１４は感温抵抗体１２の表面の両端部（で形成された導
電性酸化物層、１５．１６ｊま導電性酸化物層１３．１
４の上に形成されたｔ隠である。
ルス１ライトなどのセラミクスからなる絶縁基板、１２
は絶縁基板１１の表面に形成された感温抵抗体、１＋、
１４は感温抵抗体１２の表面の両端部（で形成された導
電性酸化物層、１５．１６ｊま導電性酸化物層１３．１
４の上に形成されたｔ隠である。
第２図にお１八〔，２１はアルミナ、ジルコニア、フォ
ルステライトなどのセラミクスからなる絶縁基板、２２
．２５は絶＋、１基板２１の表面に形成された４ｊ塚で
あり、この電Ｗｊ２２．２３の表面には導電性酸化物層
２４．２５が形成されＣいる。２６は感温抵抗体であり
、導電性酸化物層２４．２５を亡の表面に形成した□□
□Ｖ択２２．２５間を僑浴する状態で絶壜基板２１０表
面に形成されＣ層る。
ルステライトなどのセラミクスからなる絶縁基板、２２
．２５は絶＋、１基板２１の表面に形成された４ｊ塚で
あり、この電Ｗｊ２２．２３の表面には導電性酸化物層
２４．２５が形成されＣいる。２６は感温抵抗体であり
、導電性酸化物層２４．２５を亡の表面に形成した□□
□Ｖ択２２．２５間を僑浴する状態で絶壜基板２１０表
面に形成されＣ層る。
薯３図しζシい〔，５１はアルミナ、ジルコニア、フォ
ルステライトなどのセラミクスからなる絶縁基板、６２
は４欣基板６１の表面に形成された１噺、６６は絶）涜
ノル板３１および電極５２を櫃うように形成された４電
・陽酸ｆｌｌＳ物層、６４は感旦抵流体であり、絶縁基
板６１および導電性酸化物層６６を覆うように形成され
（Ｖる。６５は感温抵抗体の上に形成された導′：Ｘ性
１俊化１勿層、６６は導、は注４化物ノー３５の上に形
成されたｉｔｍである。
ルステライトなどのセラミクスからなる絶縁基板、６２
は４欣基板６１の表面に形成された１噺、６６は絶）涜
ノル板３１および電極５２を櫃うように形成された４電
・陽酸ｆｌｌＳ物層、６４は感旦抵流体であり、絶縁基
板６１および導電性酸化物層６６を覆うように形成され
（Ｖる。６５は感温抵抗体の上に形成された導′：Ｘ性
１俊化１勿層、６６は導、は注４化物ノー３５の上に形
成されたｉｔｍである。
（発明の幼求）
負の抵尻温度＃性を有し、かり少；１くとも金属酸化物
を含むものからなる感温抵抗体とＪＬ甑との間に導電性
酸化物層を形成することにより、高（犠使用時に現われ
る１！極による感温抵抗体の還元を防止することができ
、サーミスタの特性の劣化を防止することができる。
を含むものからなる感温抵抗体とＪＬ甑との間に導電性
酸化物層を形成することにより、高（犠使用時に現われ
る１！極による感温抵抗体の還元を防止することができ
、サーミスタの特性の劣化を防止することができる。
（実 怖 例）
以下に、この発明を実施例に従つ〔詳細に説明する。
実殉例１゜
鏡面研磨したアルミナ基板の表面に、五酸化ニオブ（Ｎ
ｂ、Ｏ，）をターゲットとしＣ１下記の条件により高周
波スパッタリングを行つ〔厚み２０００Ａの五酸化ニオ
ブ（ｓｂ！ｏ、）の感温抵抗体の模を形成した。
ｂ、Ｏ，）をターゲットとしＣ１下記の条件により高周
波スパッタリングを行つ〔厚み２０００Ａの五酸化ニオ
ブ（ｓｂ！ｏ、）の感温抵抗体の模を形成した。
ターゲット： 五ｆ褒化ニオブ焼結体
圧 カニ ３×１０ Ｔｏｒｒ電 カニ
１５０Ｗ イ 囲 気： アルゴン：酸素＝１０：１（容量比）時
間： ６０分 こののち、電画を形成すべき個所に対応した位置に開孔
と汀するマスクを五酸化ニオブ（Ｎｏ、Ｏ，）の感温抵
抗体の漠の上に裁偉し、下記の条件で導准蔭（酸化物層
である酸化錫層を５００ＯＡの厚みで形成した。
１５０Ｗ イ 囲 気： アルゴン：酸素＝１０：１（容量比）時
間： ６０分 こののち、電画を形成すべき個所に対応した位置に開孔
と汀するマスクを五酸化ニオブ（Ｎｏ、Ｏ，）の感温抵
抗体の漠の上に裁偉し、下記の条件で導准蔭（酸化物層
である酸化錫層を５００ＯＡの厚みで形成した。
ターゲット： 直径５インチ、厚み５υの錫板、５１ｇ
子壬Ｏ７ンチモンを含有する。
子壬Ｏ７ンチモンを含有する。
圧 カニ ２Ｘ１０ ＴＯｒｒｌ 圧、
５ＱＱＶ Ｄ、Ｃ。
５ＱＱＶ Ｄ、Ｃ。
電 流： ２．０Ａ
Ｖｌ 囲 気： アルゴン：酸素−１０：１（容量
比）スパッタ時間： ５分 温 度： ２００’Ｃ さらに、酸化錫ノ―の上に′、１ｆｆｆｉとしくＣｒ−
Ｃｕ１ｌを真空蒸着法により厚み１０００Ａ’Ｔ５杉成
した。
比）スパッタ時間： ５分 温 度： ２００’Ｃ さらに、酸化錫ノ―の上に′、１ｆｆｆｉとしくＣｒ−
Ｃｕ１ｌを真空蒸着法により厚み１０００Ａ’Ｔ５杉成
した。
このようにしＣ得られたサーミスタは２４０〜５００
’ｃ で抵抗値が急激に低下する負荷性を示すものであ
った。ｔシＣ，このサーミスタにつＩ、−ＩＣＩ ５０
′ｃ′での高温放置試；換を実施したところ、１００
０時間後における抵抗値の変化率は初期値にくらべＣ０
，０５％であり、またサーミスタとじごの出力電圧や検
出感度特性に全く変化は認められなかった。
’ｃ で抵抗値が急激に低下する負荷性を示すものであ
った。ｔシＣ，このサーミスタにつＩ、−ＩＣＩ ５０
′ｃ′での高温放置試；換を実施したところ、１００
０時間後における抵抗値の変化率は初期値にくらべＣ０
，０５％であり、またサーミスタとじごの出力電圧や検
出感度特性に全く変化は認められなかった。
実施列２
実施例１と同・床に、遣面研Ｊしたアルミナ基板の上１
（、高周波スパッタリング法によシ厚み２０００Ａ（Ｄ
五酸化ニオブ（Ｎｂ、Ｏ，）の感温抵抗体の膜を形成し
た、っ 次すで、を漢を形成すべき個所に対応した位厘に１孔を
有するマスク分五酸化ニオブ（Ｎｂ、ｏ、）の感温抵抗
体の漠の上に載屑し、下記の条件で導電性ｔ・麦化吻ノ
Ｊであるインジクム錫虜１ヒ吻層と５０００ＡＬｙ）厚
みで形成した。
（、高周波スパッタリング法によシ厚み２０００Ａ（Ｄ
五酸化ニオブ（Ｎｂ、Ｏ，）の感温抵抗体の膜を形成し
た、っ 次すで、を漢を形成すべき個所に対応した位厘に１孔を
有するマスク分五酸化ニオブ（Ｎｂ、ｏ、）の感温抵抗
体の漠の上に載屑し、下記の条件で導電性ｔ・麦化吻ノ
Ｊであるインジクム錫虜１ヒ吻層と５０００ＡＬｙ）厚
みで形成した。
ターゲット： 置屋５インチ、」享み１ｏＵのインジウ
ム錫酸化物焼結体 圧 カニ ２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ電
圧： ４００ＶＤ、Ｃ０電 流：（７，５Ａ ４ 囲 気： アルゴン：酸素＝ｊＯ：ｊ（容量比）
スパッタ時間； ５分 温 度： ６ＱＯＣ さらに、インジウム７７１１化・力１層の上に１区厘と
しくＣｒ−Ｃｕ嘆を真１−ｉｔ去により厚みＩ ＱＱ（
］ Ａで形成し、ｔｏ このようＫＬｒ、！）られたサーミスタは実施例１と同
じ特性を示し、また１５０Ｃの温度に１０００時間放′
滑しＣも、実施列１と同、慢、低抗埴の変化率は初胡ｌ
直にくらべ（０，０５チであり、七の１山の！寿性の劣
化は全く−２められなかった。
ム錫酸化物焼結体 圧 カニ ２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ電
圧： ４００ＶＤ、Ｃ０電 流：（７，５Ａ ４ 囲 気： アルゴン：酸素＝ｊＯ：ｊ（容量比）
スパッタ時間； ５分 温 度： ６ＱＯＣ さらに、インジウム７７１１化・力１層の上に１区厘と
しくＣｒ−Ｃｕ嘆を真１−ｉｔ去により厚みＩ ＱＱ（
］ Ａで形成し、ｔｏ このようＫＬｒ、！）られたサーミスタは実施例１と同
じ特性を示し、また１５０Ｃの温度に１０００時間放′
滑しＣも、実施列１と同、慢、低抗埴の変化率は初胡ｌ
直にくらべ（０，０５チであり、七の１山の！寿性の劣
化は全く−２められなかった。
比咬列
実施列１におい〔、導α性俊化吻ｉ場でちる唆化二、鳩
、）４を形成する工嘔を炉＾Ｃ１七の池の構成（ＣつＩ
＾Ｕｉ同じ令件でサーミスタを咋成し′〔、これを比較
例とした。
、）４を形成する工嘔を炉＾Ｃ１七の池の構成（ＣつＩ
＾Ｕｉ同じ令件でサーミスタを咋成し′〔、これを比較
例とした。
得られたサーミスタにつ（＾〔、実施列１と同レアに、
１５０Ｃての高温に１０００時間故違したところ、ｅの
抵抗値の変化率ｌよ辺明値にくらべ°Ｃ３チであった。
１５０Ｃての高温に１０００時間故違したところ、ｅの
抵抗値の変化率ｌよ辺明値にくらべ°Ｃ３チであった。
薯１図〜第３図はこの発明にかかるサーミスタの各描込
例を示す側面図である。 １１．２１．！＋１．．よ絶縁基板、１２．２６．５４
は感温抵抗体、１３．１４．２４．２５．５５．３５は
導電性酸化物層、１５．１６．２２．２３．５２．３６
は１罹。
例を示す側面図である。 １１．２１．！＋１．．よ絶縁基板、１２．２６．５４
は感温抵抗体、１３．１４．２４．２５．５５．３５は
導電性酸化物層、１５．１６．２２．２３．５２．３６
は１罹。
Claims (3)
- （１）負の抵抗温度特性を有し、かつ少なくとも金属酸
化物を含むものからなる感温抵抗体の表面に電極が形成
されてなるサーミスタにおいて、 前記感温抵抗体と電極との間に導電性酸化物層が形成さ
れていることを特徴とするサーミスタ。 - （２）前記導電性酸化物層は、酸化マンガン、酸化鉄、
酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化亜鉛、酸化インジウ
ム、インジウム錫酸化物、酸化錫のいずれか１種である
ことを特徴とする、特許請求の範囲第（１）項記載のサ
ーミスタ。 - （３）前記導電性酸化物層のうち酸化亜鉛は、酸化鉄、
酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化錫、酸化鉛の
うち少なくとも１種を０．５〜９９．９モル％含有する
ものであることを特徴とする、特許請求の範囲第（２）
項記載のサーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23688085A JPS6295805A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23688085A JPS6295805A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | サ−ミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6295805A true JPS6295805A (ja) | 1987-05-02 |
Family
ID=17007152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23688085A Pending JPS6295805A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6295805A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268578A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Toudai Tlo Ltd | サーミスタ素子 |
| WO2013145052A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-03 | 日本電気株式会社 | サーミスタ素子 |
| JP2018014413A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| WO2019142367A1 (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180112A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Taiyo Yuden Kk | Method of forming electrode for porcelain electronic part |
-
1985
- 1985-10-22 JP JP23688085A patent/JPS6295805A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180112A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Taiyo Yuden Kk | Method of forming electrode for porcelain electronic part |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268578A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Toudai Tlo Ltd | サーミスタ素子 |
| WO2013145052A1 (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-03 | 日本電気株式会社 | サーミスタ素子 |
| JP2018014413A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| WO2019142367A1 (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| CN111247607A (zh) * | 2018-01-17 | 2020-06-05 | 三菱综合材料株式会社 | 热敏电阻元件及其制造方法 |
| KR20200105819A (ko) * | 2018-01-17 | 2020-09-09 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 서미스터 소자 및 그 제조 방법 |
| US11107611B2 (en) | 2018-01-17 | 2021-08-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Thermistor element and method for producing same |
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