JPS625602A - 薄膜抵抗体 - Google Patents
薄膜抵抗体Info
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- JPS625602A JPS625602A JP60146090A JP14609085A JPS625602A JP S625602 A JPS625602 A JP S625602A JP 60146090 A JP60146090 A JP 60146090A JP 14609085 A JP14609085 A JP 14609085A JP S625602 A JPS625602 A JP S625602A
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- thin film
- film resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は金属酸化物からなる薄膜抵抗、特に高温使用
時においても抵抗変化の小さい高信頼性の金属酸化物か
らなる薄膜抵抗体に関する。
時においても抵抗変化の小さい高信頼性の金属酸化物か
らなる薄膜抵抗体に関する。
（従来の技術）
金属酸化物を抵抗体とする薄膜抵抗体は大きく分類する
と、 （１）３ｎ ０２やＴａ２’５に代表される金属酸化物
抵抗、 （２） Ｃｒ −３ｉ ＯやＴａ −８ｉ Ｏに代表さ
れる、いわゆるサーメッ１〜抵抗、 （３）Ｎｉ−Ｃｒを熱酸化することにより、化学的に金
ＥＭ化物としたもの、 がある。
と、 （１）３ｎ ０２やＴａ２’５に代表される金属酸化物
抵抗、 （２） Ｃｒ −３ｉ ＯやＴａ −８ｉ Ｏに代表さ
れる、いわゆるサーメッ１〜抵抗、 （３）Ｎｉ−Ｃｒを熱酸化することにより、化学的に金
ＥＭ化物としたもの、 がある。
そして、これらの薄膜抵抗体には外部接続用電極が形成
される。
される。
該外部接続用電極としては、たとえば０ｒ−Ｃｕ、Ｃｒ
−Ａｕ １Ｎｉ −Ｃｕ 、 Ｎｉ −Ａｕ 、 Ｎ
ｉ −ＡＧ 、 Ｎｉ Ｃｒ −Ａｕ 、 Ｔｉ −Ｐ
ｄ −Ａｕ 、 Ｔｉ −Ｗ−Ａｌｌなどの多層電極が
用いられている。多苦格造からなる外部接続用電極のう
ち、第１層のＣｒ、Ｎｉ、ＮｉＣｒ、Ｔｉは薄膜抵抗と
の密着層どして働らき、ＣｕＳＡｕ、△ｑは半田付は層
として働らくものである。
−Ａｕ １Ｎｉ −Ｃｕ 、 Ｎｉ −Ａｕ 、 Ｎ
ｉ −ＡＧ 、 Ｎｉ Ｃｒ −Ａｕ 、 Ｔｉ −Ｐ
ｄ −Ａｕ 、 Ｔｉ −Ｗ−Ａｌｌなどの多層電極が
用いられている。多苦格造からなる外部接続用電極のう
ち、第１層のＣｒ、Ｎｉ、ＮｉＣｒ、Ｔｉは薄膜抵抗と
の密着層どして働らき、ＣｕＳＡｕ、△ｑは半田付は層
として働らくものである。
〈発明が解決しようとする問題）
上記した金属酸化物薄膜からなる抵抗体を寿命試験、た
とえば室温での湿中負荷試験を行うだけでは特性に変化
は見られないが、高温下、たとえば１５０℃で放置した
場合、あるいは７０℃での定格電圧負荷前会試験を実施
すると抵抗値に変化が認められた。この現象は抵抗体を
絶縁樹脂で被覆してもあるいは被覆しなくても、さらに
はハーメチックシールした場合にも認められ、しかも抵
抗値の変化率はいずれの場合も等しい値を示した。
とえば室温での湿中負荷試験を行うだけでは特性に変化
は見られないが、高温下、たとえば１５０℃で放置した
場合、あるいは７０℃での定格電圧負荷前会試験を実施
すると抵抗値に変化が認められた。この現象は抵抗体を
絶縁樹脂で被覆してもあるいは被覆しなくても、さらに
はハーメチックシールした場合にも認められ、しかも抵
抗値の変化率はいずれの場合も等しい値を示した。
これは高温下において抵抗膜が変化していることを示し
ている。そしてその原因を究明した結果、金属酸化物を
抵抗体とする薄膜抵抗の抵抗値変化は、高温状態で抵抗
膜と外部接続用電極との接触部において、抵抗膜中の酸
素の一部が解離して電極を構成する金属に移行すること
によるものと判明した。たとえば、金属酸化物からなる
薄膜抵抗をクロム−酸化ケイ素（Ｃｒ −３ｉ Ｏ）で
構成し、外部接続用電極として第１層をＮｌＣｒ、第２
層を△Ｕで形成した抵抗体について、１５０℃の温度に
放置すると、時間の経過とともに外部接続用型極近（力
のｃｒ −ｓ； ｏ薄膜の色調に変化が起り、褐色から
次第に無色透明な膜へと変化してゆく。
ている。そしてその原因を究明した結果、金属酸化物を
抵抗体とする薄膜抵抗の抵抗値変化は、高温状態で抵抗
膜と外部接続用電極との接触部において、抵抗膜中の酸
素の一部が解離して電極を構成する金属に移行すること
によるものと判明した。たとえば、金属酸化物からなる
薄膜抵抗をクロム−酸化ケイ素（Ｃｒ −３ｉ Ｏ）で
構成し、外部接続用電極として第１層をＮｌＣｒ、第２
層を△Ｕで形成した抵抗体について、１５０℃の温度に
放置すると、時間の経過とともに外部接続用型極近（力
のｃｒ −ｓ； ｏ薄膜の色調に変化が起り、褐色から
次第に無色透明な膜へと変化してゆく。
この現象をＥＳＣ△あるいはＥＭＸなどの手段を用いて
分析すると、Ｃｒ −８ｉ Ｏ薄膜中の酸素が次第に１
１（１離し、外部接続用電極のＮｉ Ｃｒに移行してゆ
き、この酸素の電極への移行が抵抗膜の変色、さらには
抵抗値への変化の原因となっていることが判明した。
分析すると、Ｃｒ −８ｉ Ｏ薄膜中の酸素が次第に１
１（１離し、外部接続用電極のＮｉ Ｃｒに移行してゆ
き、この酸素の電極への移行が抵抗膜の変色、さらには
抵抗値への変化の原因となっていることが判明した。
すなわら、金属酸化物からなる薄膜抵抗と外部接続用電
極の金属の接触部において、次式に示すような反応が起
っていることになる。
極の金属の接触部において、次式に示すような反応が起
っていることになる。
Ｍｅ’Ｏ＋ Ｍｅ ＋ＭｅＯ＋−ｘ＋ＭｅＯｘ（金属
酸化物か く外部接続 らイにる薄膜抵抗） 用電極） これは外部接続用電極が金属で構成されるため、高温負
荷時において外部接続用電極の金属が金属酸化物からな
る薄膜抵抗の酸素を奪ってこの電極が酸化される反応が
進むことになる。
酸化物か く外部接続 らイにる薄膜抵抗） 用電極） これは外部接続用電極が金属で構成されるため、高温負
荷時において外部接続用電極の金属が金属酸化物からな
る薄膜抵抗の酸素を奪ってこの電極が酸化される反応が
進むことになる。
発明者等はこのような現象を防止するために検討を加え
た結果、金属酸化物からなる薄膜抵抗と外部接続用電極
との間に安定な金属酸化物層、すなわち中間層を介在さ
せることにより、上記した反応を防止することを見い出
した。
た結果、金属酸化物からなる薄膜抵抗と外部接続用電極
との間に安定な金属酸化物層、すなわち中間層を介在さ
せることにより、上記した反応を防止することを見い出
した。
（発明の目的）
したがって、この発明は抵抗膜が金属酸化物からなる薄
膜抵抗からなる抵抗体について、高温時において抵抗値
の変化の小さいものを提供することを目的とする。
膜抵抗からなる抵抗体について、高温時において抵抗値
の変化の小さいものを提供することを目的とする。
（発明の構成）
すなわち、この発明の要旨とするどころは、金属酸化物
からなる薄膜抵抗と外部接続用電極の間に導電性を有す
る金属酸化物層すなわち中間層が介在されていることを
特徴とする薄膜抵抗体である。
からなる薄膜抵抗と外部接続用電極の間に導電性を有す
る金属酸化物層すなわち中間層が介在されていることを
特徴とする薄膜抵抗体である。
上記した中間層を構成するとしては、酸化マンガン、酸
化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化錫、インジウム錫酸化物のうち少なくと
も１種がある。
化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化亜鉛、酸化イ
ンジウム、酸化錫、インジウム錫酸化物のうち少なくと
も１種がある。
このうち、酸化亜鉛は酸化鉄、酸化ジルコニウム、酸化
インジウム、酸化錫、酸化鉛のうち少なくとも１種を０
．５〜９９．９モル％含有するもので構成される。
インジウム、酸化錫、酸化鉛のうち少なくとも１種を０
．５〜９９．９モル％含有するもので構成される。
抵抗要素である金属酸化物からなる薄膜抵抗としてはす
でに従来技術で説明したすべてのものが対象となるが、
中間層としてどのような導電性を有する金属酸化物層を
採用するかについては、その選択基準どして金Ｉｉ！酸
化物からなる薄膜抵抗より固有抵抗の低いより安定な金
属酸化物層を選ぶことが好ましい。
でに従来技術で説明したすべてのものが対象となるが、
中間層としてどのような導電性を有する金属酸化物層を
採用するかについては、その選択基準どして金Ｉｉ！酸
化物からなる薄膜抵抗より固有抵抗の低いより安定な金
属酸化物層を選ぶことが好ましい。
具体的には、たとえば金属酸化物からなる薄膜抵抗がＣ
ｒ −８ｉ Ｏの場合、中間層は酸化錫が選択される。
ｒ −８ｉ Ｏの場合、中間層は酸化錫が選択される。
また金属酸化物からなる薄膜抵抗がＳｎＯ２の場合、中
間層はインジウム錫酸化物が選択される。
間層はインジウム錫酸化物が選択される。
中間層は一般的にスパッタリング法により形成される場
合が多く、上記した各種金属酸化物からなる中間層を形
成するに当っては、各種金属のターゲットあるいは各種
金属酸化物のターゲットが用いられる。いずれの場合も
、スパッタ時においてスパッタ雰囲気を酸素を含む雰囲
気に設定して行えばよい。このうち酸化錫の中間層を形
成するに当っては、有機錫を噴霧、塗布などの手段で付
与し、加熱して熱分解することにより酸化錫を形成して
もよい。また、中間層として薄膜抵抗と同一の中間層を
選んでもよい。この場合、たとえば、Ｓｎ ０２を薄膜
抵抗とする場合、中間層としてＳｎＯ２を形成しても後
述する効果と同様の効果が得られる。すなわち、薄膜抵
抗と外部接続用電極との間に３ｎ○２を介在させれば、
薄膜抵抗と外部接続用電極との間の直接的な酸素の授受
が防止され、高温時における抵抗値の変化を抑制するこ
とができる。
合が多く、上記した各種金属酸化物からなる中間層を形
成するに当っては、各種金属のターゲットあるいは各種
金属酸化物のターゲットが用いられる。いずれの場合も
、スパッタ時においてスパッタ雰囲気を酸素を含む雰囲
気に設定して行えばよい。このうち酸化錫の中間層を形
成するに当っては、有機錫を噴霧、塗布などの手段で付
与し、加熱して熱分解することにより酸化錫を形成して
もよい。また、中間層として薄膜抵抗と同一の中間層を
選んでもよい。この場合、たとえば、Ｓｎ ０２を薄膜
抵抗とする場合、中間層としてＳｎＯ２を形成しても後
述する効果と同様の効果が得られる。すなわち、薄膜抵
抗と外部接続用電極との間に３ｎ○２を介在させれば、
薄膜抵抗と外部接続用電極との間の直接的な酸素の授受
が防止され、高温時における抵抗値の変化を抑制するこ
とができる。
上記した例は中間層をスパッタリング法にて形成した場
合について説明したものであるが、その他真空蒸着法、
イオンブレーティング法などの乾式薄膜形成手段につい
ても同様に当て嵌まる技術的事項である。
合について説明したものであるが、その他真空蒸着法、
イオンブレーティング法などの乾式薄膜形成手段につい
ても同様に当て嵌まる技術的事項である。
この発明において、外部接続用電極としては、従来例に
おいて説明した多層溝造のもののほか、Ｃｕ 、 ＡＩ
Ｊ 、八〇などの金属層が用いられる。
おいて説明した多層溝造のもののほか、Ｃｕ 、 ＡＩ
Ｊ 、八〇などの金属層が用いられる。
（実施例）
実施例１゜
アルミナ基板の上に、金属錫をターゲットとして、酸素
とアルゴンの混合ガス中で下記の条件によりリアクティ
ブスパッタを実施し１．厚み１５００Ａの酸化錫の薄膜
抵抗を形成した。
とアルゴンの混合ガス中で下記の条件によりリアクティ
ブスパッタを実施し１．厚み１５００Ａの酸化錫の薄膜
抵抗を形成した。
基板温度：２００℃
混合ガス比：酸素／アルゴン＝２０／８０（容量比）導
入ガス圧：ＩＫ（１／Ｃｔｌ１２ 導入ガス流岱： ２０ｃｃ／分 ＤＣ出カニ ４００Ｗ （３，０Ｗ／ｃｍ２ ）ガス
圧： ７，５ｘｌＯ−４〜２．０ｘｌＯ−２Ｔｏｒｒ
その後、アルミナ基板にマスクを置き、酸化錫の７７Ｉ
Ｊ膜抵抗の上に形成する中間層の個所を露出させた。そ
してインジウム錫酸化物をターゲットとして下記の条件
によりリアクティブスパッタを行い、インジウム錫酸化
物からなる厚み５ｏｏｏＡの中間層を形成した。
入ガス圧：ＩＫ（１／Ｃｔｌ１２ 導入ガス流岱： ２０ｃｃ／分 ＤＣ出カニ ４００Ｗ （３，０Ｗ／ｃｍ２ ）ガス
圧： ７，５ｘｌＯ−４〜２．０ｘｌＯ−２Ｔｏｒｒ
その後、アルミナ基板にマスクを置き、酸化錫の７７Ｉ
Ｊ膜抵抗の上に形成する中間層の個所を露出させた。そ
してインジウム錫酸化物をターゲットとして下記の条件
によりリアクティブスパッタを行い、インジウム錫酸化
物からなる厚み５ｏｏｏＡの中間層を形成した。
基板温度＝２００℃
混合ガス比：酸素／アルゴン＝４０／６０（容量比）導
入ガス圧： ＩＫＯ／ｃｍ２ 導入ガス流量： １００ＣＣ／分 ＤＣ出カニ ５００Ｗ （４，ＯＷ／Ｃｍ２ ＞ガス
圧： ５ｘ１０−３ Ｔｏｒｒ ざらに、このインジウム錫酸化物の上に半田付けのため
の金属層、つまり、外部接続用電極としてＮ１Ｃｒ（第
１層）−ＣＩ（第２層）を真空蒸着法により形成した。
入ガス圧： ＩＫＯ／ｃｍ２ 導入ガス流量： １００ＣＣ／分 ＤＣ出カニ ５００Ｗ （４，ＯＷ／Ｃｍ２ ＞ガス
圧： ５ｘ１０−３ Ｔｏｒｒ ざらに、このインジウム錫酸化物の上に半田付けのため
の金属層、つまり、外部接続用電極としてＮ１Ｃｒ（第
１層）−ＣＩ（第２層）を真空蒸着法により形成した。
このようにして得られた薄膜抵抗体のＱｕにリード線を
半田付けし、さらに全体をエポキシ樹脂で被覆した。こ
の状態で１５０℃の温度に１０００時間設置した後の抵
抗値の変化を初期抵抗値と比較したところ、その変化率
はわずか０．０１％以下であった。また薄膜抵抗の色調
についても変化は認められなかった。
半田付けし、さらに全体をエポキシ樹脂で被覆した。こ
の状態で１５０℃の温度に１０００時間設置した後の抵
抗値の変化を初期抵抗値と比較したところ、その変化率
はわずか０．０１％以下であった。また薄膜抵抗の色調
についても変化は認められなかった。
実施例２
実施例１に記載した同様の方法により、アルミナ基板の
上に０ｒ−８ｉ○の薄膜抵抗を形成した。
上に０ｒ−８ｉ○の薄膜抵抗を形成した。
次に、アルミナ基板にマスクを置き、Ｃｒ −５ｉｏの
薄膜抵抗の上に形成する中間層の個所を露出させた。そ
して酸化錫をターゲットとして下記の条件によりリアク
ティブスパッタを行い、酸化錫からなる中間層を形成し
た。
薄膜抵抗の上に形成する中間層の個所を露出させた。そ
して酸化錫をターゲットとして下記の条件によりリアク
ティブスパッタを行い、酸化錫からなる中間層を形成し
た。
基板温度：２００°Ｃ
混合ガス比：酸素／アルゴン＝１０／９０（容量 １−
１． ）導入ガス圧： ＩＫｑ／ｃｍ２ 導入ガス流量： １００ＣＧ ／分 ＤＣ出カニ ５００Ｗ （４，ＯＷ／ｃｌ′ｌ１２）
ガス圧： ５ｘ１０− ＯＴｏｒｒ さらに、この酸化錫の上に半田付けのための金属層、つ
まり、外部接続用電極としてＮｉＣｒ〈第１層）−ＣＬ
Ｉ（第２層）を真空蒸着法により形成した。
１． ）導入ガス圧： ＩＫｑ／ｃｍ２ 導入ガス流量： １００ＣＧ ／分 ＤＣ出カニ ５００Ｗ （４，ＯＷ／ｃｌ′ｌ１２）
ガス圧： ５ｘ１０− ＯＴｏｒｒ さらに、この酸化錫の上に半田付けのための金属層、つ
まり、外部接続用電極としてＮｉＣｒ〈第１層）−ＣＬ
Ｉ（第２層）を真空蒸着法により形成した。
１！１られた薄膜抵抗体を実施例１と同様に処理し、１
５０℃の温度に１０００時間設置した後の抵抗値の変化
を初期抵抗（直と比較したところ、その変化率は実施例
１ど同様０．０１％以下であった。また薄膜抵抗の色調
についても変化は認められなかった。
５０℃の温度に１０００時間設置した後の抵抗値の変化
を初期抵抗（直と比較したところ、その変化率は実施例
１ど同様０．０１％以下であった。また薄膜抵抗の色調
についても変化は認められなかった。
実施例３
アルミナ基板の上に、Ｔａと８１０の焼結体をターゲッ
トとして、酸素とアルゴンの混合ガス中で下記の条件に
よりリアクティブスパッタを実施し、面積抵抗が１００
Ω／口のサーマルプリンタヘッド用のＴａ −３ｉ ｏ
からなる薄ＩＩＱ抵抗を形成した。
トとして、酸素とアルゴンの混合ガス中で下記の条件に
よりリアクティブスパッタを実施し、面積抵抗が１００
Ω／口のサーマルプリンタヘッド用のＴａ −３ｉ ｏ
からなる薄ＩＩＱ抵抗を形成した。
基板温度：２００℃
温合ガス比：酸素／アルゴン＝５／９５（容量化）導入
ガス圧： ＩＫｑ ／ｃｍ２ 導入ガス流量： ２０ｃｃ／分 ＲＦ出カニ ４００Ｗ ガス圧： ０．３〜２ｘ１０−２ Ｔｏｒｒその後、
実施例２と同様、中間層として酸化銀膜を形成した。
ガス圧： ＩＫｑ ／ｃｍ２ 導入ガス流量： ２０ｃｃ／分 ＲＦ出カニ ４００Ｗ ガス圧： ０．３〜２ｘ１０−２ Ｔｏｒｒその後、
実施例２と同様、中間層として酸化銀膜を形成した。
さらに、中間層の上に半田付けのための金属層、つまり
、外部接続用電極としてＮ１Ｃｒ（第１層）−Ｃｕ
（第２層）を真空蒸着法により形成し、それぞれλ９膜
抵抗体を作成した。
、外部接続用電極としてＮ１Ｃｒ（第１層）−Ｃｕ
（第２層）を真空蒸着法により形成し、それぞれλ９膜
抵抗体を作成した。
このようにして１ｑられた薄膜抵抗体のＣｕにリード線
を半田付すした。この状態ぐ１５０℃の温度に１０００
時間設置した後の抵抗値の変化を初期抵抗値と比較した
どころ、その変化率はそれぞれ０．０１％以下であった
。
を半田付すした。この状態ぐ１５０℃の温度に１０００
時間設置した後の抵抗値の変化を初期抵抗値と比較した
どころ、その変化率はそれぞれ０．０１％以下であった
。
実施例４〜８
アルミナ基板の上に、表に示す各種の金属酸化物からな
る薄膜抵抗を形成した。その後アルミナ基板の上にマス
クを買さ、金属酸化物からなる薄膜抵抗の上に形成する
中間層の個所を露出させた。
る薄膜抵抗を形成した。その後アルミナ基板の上にマス
クを買さ、金属酸化物からなる薄膜抵抗の上に形成する
中間層の個所を露出させた。
そしてこの個所に表に示す中間層を形成した。ざらに表
に示す半Ｅｌｌ （＝ｌけ可能／よ金属層、つまり、外
部接続用電極を形成し、この金属層にリード線を半田付
けし、薄膜抵抗体を作成した。そしで、実施例１ど同様
に抵抗値変化率を測定し、その結果を表に併ぽて示した
。
に示す半Ｅｌｌ （＝ｌけ可能／よ金属層、つまり、外
部接続用電極を形成し、この金属層にリード線を半田付
けし、薄膜抵抗体を作成した。そしで、実施例１ど同様
に抵抗値変化率を測定し、その結果を表に併ぽて示した
。
比較例１
実施例１に記載の方法により酸化錫よりなる薄膜抵抗を
形成した。
形成した。
その接、酸化錫の薄膜抵抗の上にマスクを介してＮｉＣ
ｒ層を真空蒸着法により形成し、さらにその上に半田付
は可能なＣ０を真空蒸着法により形成して外部接続用電
極を形成した。
ｒ層を真空蒸着法により形成し、さらにその上に半田付
は可能なＣ０を真空蒸着法により形成して外部接続用電
極を形成した。
このようにして得られた薄膜抵抗体のＣ１ｌにリード線
を半田付けし、さらに全体をエポキシ樹脂で被覆した。
を半田付けし、さらに全体をエポキシ樹脂で被覆した。
この状態で１５０℃の温度に２５０時間設置したところ
、酸化錫の薄膜抵抗が変色し、それにつれて抵抗値も初
期抵抗値にくらべ２％以上も変化した。
、酸化錫の薄膜抵抗が変色し、それにつれて抵抗値も初
期抵抗値にくらべ２％以上も変化した。
比較例２
実施例３に記載の方法によりＣｒ−８ｉ○よりなる薄膜
抵抗体を形成した。
抵抗体を形成した。
その後、Ｃｒ −８ｉ Ｏの薄膜抵抗の上にマスクを介
してＮｉＣｒ層を真空蒸着法により形成し、さらにその
−にに半田付は可能なＣｕを真空蒸着法により形成して
外部１ａ続用電極を形成した。
してＮｉＣｒ層を真空蒸着法により形成し、さらにその
−にに半田付は可能なＣｕを真空蒸着法により形成して
外部１ａ続用電極を形成した。
このようにして得られた薄膜抵抗体を１５０℃の温度に
１０００時間設置したところ、抵抗値は補則抵抗値にく
らべて１０％変化した。
１０００時間設置したところ、抵抗値は補則抵抗値にく
らべて１０％変化した。
（効果）
以上この発明によれば、金属酸化物からなるｉ９膜抵抗
と外部接続用電極の間に導電性を有する金属酸化物層を
介在したものであるため、高温時での特性劣化、つまり
抵抗値の劣化の小さいものとなり、安定した特性を有す
る薄膜抵抗体が得られることになる。
と外部接続用電極の間に導電性を有する金属酸化物層を
介在したものであるため、高温時での特性劣化、つまり
抵抗値の劣化の小さいものとなり、安定した特性を有す
る薄膜抵抗体が得られることになる。
特 許 出 願 人
株式会社村田製作所
Claims (3)
- （１）金属酸化物からなる薄膜抵抗と外部接続用電極の
間に導電性を有する金属酸化物層が介在されていること
を特徴とする薄膜抵抗体。 - （２）前記金属酸化物からなる薄膜抵抗と外部接続用電
極の間に介在されている導電性を有する金属酸化物層は
、酸化マンガン、酸化鉄、酸化コバルト、酸化ニッケル
、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、インジウム錫酸
化物のうち少なくとも１種である特許請求の範囲第（１
）項記載の薄膜抵抗体。 - （３）前記酸化亜鉛は、酸化鉄、酸化ジルコニウム、酸
化インジウム、酸化錫、酸化鉛のうち少なくとも１種を
０．５〜９９．９モル％含有するものである特許請求の
範囲第（２）項記載の薄膜抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60146090A JPH071723B2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 薄膜抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60146090A JPH071723B2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 薄膜抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625602A true JPS625602A (ja) | 1987-01-12 |
| JPH071723B2 JPH071723B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=15399906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60146090A Expired - Lifetime JPH071723B2 (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 薄膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071723B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455802A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-02 | Seiko Instr & Electronics | Thin film type thermal head |
| US5972527A (en) * | 1992-12-15 | 1999-10-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material |
| US7928946B2 (en) | 1991-06-14 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP60146090A patent/JPH071723B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6455802A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-02 | Seiko Instr & Electronics | Thin film type thermal head |
| US7928946B2 (en) | 1991-06-14 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
| US5972527A (en) * | 1992-12-15 | 1999-10-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH071723B2 (ja) | 1995-01-11 |
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