JPS5854481B2 - チタン系酸化物用電極の製造法 - Google Patents
チタン系酸化物用電極の製造法Info
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- JPS5854481B2 JPS5854481B2 JP7635477A JP7635477A JPS5854481B2 JP S5854481 B2 JPS5854481 B2 JP S5854481B2 JP 7635477 A JP7635477 A JP 7635477A JP 7635477 A JP7635477 A JP 7635477A JP S5854481 B2 JPS5854481 B2 JP S5854481B2
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- electrode
- film
- electrodes
- based oxide
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明はチタン系酸化物、例えばＴｉＯあるいはＢａ
ＴｉＯ３等のチタン酸塩系半導体に形成するオーム性電
極の製造方法に関するものである。
ＴｉＯ３等のチタン酸塩系半導体に形成するオーム性電
極の製造方法に関するものである。
Ｔｉ系酸化物、特に半導体化されたＢａＴｉＯ３系の酸
化物は近年、正の電気抵抗の温度係数をもつサーミスタ
として、電子回路制御用から自己温度制御発熱体重で広
範囲にわたり実用化されている。
化物は近年、正の電気抵抗の温度係数をもつサーミスタ
として、電子回路制御用から自己温度制御発熱体重で広
範囲にわたり実用化されている。
酸化物に金属電極をつけると、使用する金属の種類に応
じて酸化物−電極間に種々の障壁が出来、その接触抵抗
の大きさ及び電圧依存性等が異なったものが得られる。
じて酸化物−電極間に種々の障壁が出来、その接触抵抗
の大きさ及び電圧依存性等が異なったものが得られる。
該酸化物を半導体として用いる場合は、この電極がオー
ム性であるか、非オーム性であるかが非常に重要なこと
であり、前記サーミスタのように抵抗の電圧依存性を利
用しないものではオーム性電極が必要である。
ム性であるか、非オーム性であるかが非常に重要なこと
であり、前記サーミスタのように抵抗の電圧依存性を利
用しないものではオーム性電極が必要である。
このオーム性電極の一つとしては、蒸着、スパッタリン
グあるいはイオンブレーティングを用いて作成した金属
チタン電極がある。
グあるいはイオンブレーティングを用いて作成した金属
チタン電極がある。
一般に酸化物と金属チタンは金属チタンが酸素に対して
非常に活性であり他の金属に比較して非常に強い電極と
なる。
非常に活性であり他の金属に比較して非常に強い電極と
なる。
しかしリードの取り出し等を考慮すると、尚充分な接合
強度を有しているとはいい難い。
強度を有しているとはいい難い。
本発明はかかる欠点を改良し、著しく接合力の強い電極
を得る方法を実現したものである。
を得る方法を実現したものである。
この発明において、上述の如きＴｉ系酸化物に金属チタ
ン膜を形成する手段としては、蒸着、スパッタリング、
イオンブレーティング等の通常の厚膜作成手段が適用さ
れるが、該金属チタンは酸素に対して非常に活性である
ことから、少なくとも酸素分圧は１０−５気圧以下であ
ることが望ましい。
ン膜を形成する手段としては、蒸着、スパッタリング、
イオンブレーティング等の通常の厚膜作成手段が適用さ
れるが、該金属チタンは酸素に対して非常に活性である
ことから、少なくとも酸素分圧は１０−５気圧以下であ
ることが望ましい。
ここでＴｉ系酸化物と金属チタン膜との接合強度を向上
させるために、その膜の形成に際して予め下地となるＴ
ｉ系酸化物を加熱してむく方法及び膜の形成後加熱して
酸化物とチタン間の拡散を利用する方法との２通りの方
法が特に効果的である。
させるために、その膜の形成に際して予め下地となるＴ
ｉ系酸化物を加熱してむく方法及び膜の形成後加熱して
酸化物とチタン間の拡散を利用する方法との２通りの方
法が特に効果的である。
なお、リード付は等については、電極と細導体との半田
付は等のロウ付は性を向上させる必要があるため、該金
属チタン膜の上にＣｕ ｐあるいはＮｌ ｐＮｉ−Ｃｒ
等のＴｉ よりもロウ付は性の良い金属膜を積層する方
法が更に有効である。
付は等のロウ付は性を向上させる必要があるため、該金
属チタン膜の上にＣｕ ｐあるいはＮｌ ｐＮｉ−Ｃｒ
等のＴｉ よりもロウ付は性の良い金属膜を積層する方
法が更に有効である。
特にＢａＴｉＯ３系半導体のように長期にわたり高温に
て使用する場合には耐酸化性の大きいＴｉあるいはＮ１
−−Ｃｒでの被覆によりその信頼性が著しく向上する。
て使用する場合には耐酸化性の大きいＴｉあるいはＮ１
−−Ｃｒでの被覆によりその信頼性が著しく向上する。
また、この方法は、膜接合強度増強の手段として前記の
チタン膜形成後加熱処理する耐酸化保護膜としても効果
的である。
チタン膜形成後加熱処理する耐酸化保護膜としても効果
的である。
次に実施例によりこの発明を具体的に説明する。
実施例 ｌ
Ｌａ３＋イオンを０．５ｍｍ％含有するＢａｏ、８ Ｓ
ｙｏ、！ＴｉＯ３半導体にＴｉ膜を蒸着方法でつけ、こ
の上にＮｉメッキをほどこし、フォトエツチングにより
巾５Ｕの帯状膜を残し、この端部に銅線を・・ンダ付け
して引張試験機によりひきはがし力を測定した結果は２
．５ｋｇであった。
ｙｏ、！ＴｉＯ３半導体にＴｉ膜を蒸着方法でつけ、こ
の上にＮｉメッキをほどこし、フォトエツチングにより
巾５Ｕの帯状膜を残し、この端部に銅線を・・ンダ付け
して引張試験機によりひきはがし力を測定した結果は２
．５ｋｇであった。
これを５００℃にて３０分間Ａｒ ガス中で熱処理した
結果、３．５ｋｇであった。
結果、３．５ｋｇであった。
上記の点より熱処理の効果が顕著に現われている。
実施例 ２
Ｌａ３＋で半導体化されたＢａＱ、Ｑ Ｓｎｏ、ｔ Ｏ
ｓを３００℃に加熱した上にＴｉ膜を蒸着し、さらにＮ
ｉ−Ｃｒを蒸着した試料を作成し、実施例１と同様にし
て膜ひきはがし力を測定した結果５ｋｇであった。
ｓを３００℃に加熱した上にＴｉ膜を蒸着し、さらにＮ
ｉ−Ｃｒを蒸着した試料を作成し、実施例１と同様にし
て膜ひきはがし力を測定した結果５ｋｇであった。
上記実施例１及び２から明らかなように、膜形成後の熱
処理、あるいは下地加熱は、膜の接合強度増強に有効な
方法であることが明らかであった。
処理、あるいは下地加熱は、膜の接合強度増強に有効な
方法であることが明らかであった。
以上の実施例に示したように、本発明によれば上述した
Ｔｉ膜電極は、ひきはがし力が強くまたチチタン系酸化
物用オーム性電極として効果があり、実用的には、この
上にＣｕ、ＮｉあるいはＮｉ −Ｃｒ等のロウ付は性を
良好にする金属を積層することにより、膜の接合強度が
大きく、長期に亘って信頼性の高い電極を得ることが可
能となる。
Ｔｉ膜電極は、ひきはがし力が強くまたチチタン系酸化
物用オーム性電極として効果があり、実用的には、この
上にＣｕ、ＮｉあるいはＮｉ −Ｃｒ等のロウ付は性を
良好にする金属を積層することにより、膜の接合強度が
大きく、長期に亘って信頼性の高い電極を得ることが可
能となる。
参考例 １
Ｇｄ３＋イオンを０．５ｍｍ％含有する半導化されたＢ
ａＴｉＯｓの断面積１６ＩＩＬ、高さ２ｉｍｃＤ円板に
、通常の焼付けＡｇ電極、無電ツメツキＮｉ膜電極、無
無電気メッキＣｕ膜電極、蒸着Ｔｉ膜電極を、それぞれ
それ形成した場合の電気抵抗を測定し、次表の結果を得
た。
ａＴｉＯｓの断面積１６ＩＩＬ、高さ２ｉｍｃＤ円板に
、通常の焼付けＡｇ電極、無電ツメツキＮｉ膜電極、無
無電気メッキＣｕ膜電極、蒸着Ｔｉ膜電極を、それぞれ
それ形成した場合の電気抵抗を測定し、次表の結果を得
た。
但し、Ｎｉ膜はメッキ後２００℃で熱処理したものであ
る。
る。
ＡｇおよびＣｕ電極は非オーム性の接触のために大きな
抵抗値を示すのに対し、Ｎｉ電極および本発明のＴｉ電
極はＢ ａＴ ｉｏ ３半導体の固有抵抗値を示し、そ
の接触がオーム性であることが判る。
抵抗値を示すのに対し、Ｎｉ電極および本発明のＴｉ電
極はＢ ａＴ ｉｏ ３半導体の固有抵抗値を示し、そ
の接触がオーム性であることが判る。
参考例 ２
Ｎｂ２＋を０．２ｍｍ％添加して半導体化された断面積
１ｃＩ？Ｌ１高さ５ｍｍのＴｉＯ２にＩｎアマルガム電
極を設けた場合と金属チタンの蒸着膜を設けた場合の電
気抵抗を測定した結果、各々１００βと１１（ｌであっ
た。
１ｃＩ？Ｌ１高さ５ｍｍのＴｉＯ２にＩｎアマルガム電
極を設けた場合と金属チタンの蒸着膜を設けた場合の電
気抵抗を測定した結果、各々１００βと１１（ｌであっ
た。
ＩｎアマルガムはＴ ｉ０２半導体に対してオーム性電
極であることから同様の抵抗値を示した金属チタン電極
もオーム性電極であることが判る。
極であることから同様の抵抗値を示した金属チタン電極
もオーム性電極であることが判る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チタン系酸化物を予め常温以上に加熱しておき、そ
の上に蒸着あるいはスパッタリングあるいはイオンプレ
ーテングを用いて金属チタン膜を形成することを特徴と
するチタン系酸化物用電極の製造方法。 ２ チタン系酸化物を常温状態捷たは常温以上に加熱し
ておき、その上に蒸着あるいはスパッタリングあるいは
イオンブレーティングを用いて金属チタン膜を形成し、
その後熱処理をほどこすことを特徴とするチタン系酸化
物用電極の製造方法。 ３ 上記熱処理を、Ｔｉ電極の上にＣｕあるいはＮｉ−
Ｃｒ等の他の金属膜形成下にほどこすことを特徴とする
前記第１項又は第２項記載のチタン系酸化物用電極の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7635477A JPS5854481B2 (ja) | 1977-06-27 | 1977-06-27 | チタン系酸化物用電極の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7635477A JPS5854481B2 (ja) | 1977-06-27 | 1977-06-27 | チタン系酸化物用電極の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5410996A JPS5410996A (en) | 1979-01-26 |
| JPS5854481B2 true JPS5854481B2 (ja) | 1983-12-05 |
Family
ID=13603018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7635477A Expired JPS5854481B2 (ja) | 1977-06-27 | 1977-06-27 | チタン系酸化物用電極の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5854481B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01259501A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-17 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタの製造方法 |
| JP2541344B2 (ja) * | 1990-06-08 | 1996-10-09 | 株式会社村田製作所 | チタン酸バリウム系半導体磁器を用いた電子部品 |
| JPH0497502A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-30 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
-
1977
- 1977-06-27 JP JP7635477A patent/JPS5854481B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5410996A (en) | 1979-01-26 |
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