JPH0133929B2 - - Google Patents
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- JPH0133929B2 JPH0133929B2 JP55070663A JP7066380A JPH0133929B2 JP H0133929 B2 JPH0133929 B2 JP H0133929B2 JP 55070663 A JP55070663 A JP 55070663A JP 7066380 A JP7066380 A JP 7066380A JP H0133929 B2 JPH0133929 B2 JP H0133929B2
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
本発明は、高温環境下においても電極の接着強
度が大きく、かつ電気的特性の良好な磁器コンデ
ンサの電極形成方法に関するものである。 例えば自動車エンジン等に用いられる電子制御
回路装置は、振動を伴つた150℃雰囲気の過酷な
条件で使用される場合がある。この種の電子制御
回路装置には、磁器コンデンサが使用される。こ
のような場合に用いられる磁器コンデンサとして
は、上記の如き高温環境下においても電気的特性
が良く、リード線と磁器素体との接着強度が高い
磁器コンデンサが要求される。 従来、この様な要求に応える磁器コンデンサの
電極形成方法としては、磁器素体の表面に、銀粉
及びガラスを含む銀ペーストを塗布し、焼付ける
磁器コンデンサの電極形成方法が知られている。 このような電極形成方法を適用した磁器コンデ
ンサは、高温下における電気的特性及び接着強度
は、使用上問題のない範囲にある。 しかし、銀を電極材料として用いるために、 材料コストが高くなる。 半田付けする際に、銀がはんだに拡散して静
電容量値が低下する。 銀ペーストを焼き付けると銀ペースト表面側
に銀粉が集まり、磁器素体面側にガラス成分集
まり、磁器素体面にガラス層が形成されてしま
うために、みかけの比誘電率が低下する。 という問題点があつた。 また、例えば特開昭50−121797に開示されてい
るように、磁器素体面上に真空蒸着またはスパツ
タリング法によりに密着性のよい金属（Be、Al、
Cr、NiCr）により金属層を形成した後、銅又は
金をメツキ法によりさらなる金属層を形成する方
法が知られている。 しかし、磁器素体面上に単なる真空蒸着または
スパツタリング法により密着性のよい金属を形成
したのでは磁器素体面に形成された金属層が剥離
しやすいという問題がある。 さらに、特開昭54−152145に開示されているよ
うに、磁器素体表面にAg、Ni、Cu等の金属層を
イオン化プレーデイング法により形成した後、電
解メツキによりAg、Ni、Cu等の金属層を形成す
る方法が知られている。 ここに開示されている電極形成方法は、イオン
化プレーデイング法を用いるために、量産するこ
とには不向きであり、また製造コストも高いもの
となる。 本発明は、磁器素体と導電層との接着強度が大
きく、かつ電気的特性の優れた磁器コンデンサの
電極形成方法を提供することを目的とする。 本発明は、上記の目的を達成するために、以下
のような構成の磁器コンデンサの電極形成方法を
提供する。 すなわち、磁器素体を150℃〜250℃の温度に加
熱し、加熱された磁器素体の表面にNi、Cr、Ni
−Cu（銅・ニツケル合金）、Cu−Al（銅・アルミ
ニウム合金）、Cu−Al2O3（銅・酸化アルミニウム
混合材料）、Cu−SiO2（銅・酸化ケイ素混合材料）
の群から選択された一種以上の物質からなる第１
導電層を、蒸着法又はスパツタリング法により形
成し、第１導電層の上にNi、Cr、Ni−Cuの群か
ら選択された物質であつて第１導電層の物質と異
なる物質からなる第２導電層をメツキ法、蒸着法
又はスパツタリング法により形成することを特徴
とする磁器コンデンサの電極形成方法である。ま
た、第１導電層の厚さは、約1000Å以上に形成す
ると電気的特性をいつそう向上させることががで
き、望ましい。 以下、本発明の実施例について述べる。 実施例 １ 第１図に示すような直径８mm、厚さ0.5mmの円
板状SrTiO3（チタン酸ストロンチウム）系半導体
磁器素体１を約200℃に加熱し、磁器素体両面に
Ni、Cr、Cu−Ni（70：30）、Cu−Al（90：10）、
Cu−SiO2（98：２）、Cu−Al2O3（98：２）から選
択された金属をスパツタリングすることによつて
厚さ約1000Åの第１の導電層２を形成し、さら
に、Cu、Ni、Cu−Ni（90：10）から選んだ金属
をスパツタリングすることによつて厚さ約2μｍ
の第２の導電層を第１の導電層の上に形成し、次
に半田引き軟銅線からなる0.6mmの径のリード線
４，５を半田６で固着し、しかる後、電気的特性
として誘電率εs（20℃ 1KHz）tanδ（1KHz）、絶
縁抵抗IR、及び電極接着強度の測定を行つたと
ころ、第１表に示す測定結果が得られた。 なお、電極接着強度の測定は、常温と150℃と
の両方で行つた。また、この測定方法は、第１図
に示す如く、一方のリード線４を固定し、他方の
リード線５にバネ秤を結合し、電極の剥離又は電
極からのリード線の離脱が生じるまでの力によつ
て決めた。 比較のために上述の磁器素体と同様の磁器素体
を用いて両面にスクリーン印刷により銀ペースト
を塗布し、約850℃で焼き付け、次に半田引き軟
銅線からなる0.6mmの径のリード線４，５を半田
６で固着し、しかる後、上述と同様に電気的特性
として誘電率εs（20℃ 1KHz）tanδ（1KHz）、絶
縁抵抗IR、及び電極接着強度の測定を行つた。
測定結果を第１表に示す。 第１表から判るように、予め約200℃に加熱し、
Ni、Cr、Cu−Ni、Cu−Al、Cu−SiO2、Cu−
Al2O3から選択された金属をスパツタリンング
し、さらに、Cu、Ni、Cu−Niから選んだ金属を
スパツタリングすると、銀を焼き付ける電極形成
方法に比較して、磁器素体との接着強度が大き
い。特に、高温条件（150℃）下において、その
効果には著しいものがある。 また、誘電率εsも比較的良好である。
度が大きく、かつ電気的特性の良好な磁器コンデ
ンサの電極形成方法に関するものである。 例えば自動車エンジン等に用いられる電子制御
回路装置は、振動を伴つた150℃雰囲気の過酷な
条件で使用される場合がある。この種の電子制御
回路装置には、磁器コンデンサが使用される。こ
のような場合に用いられる磁器コンデンサとして
は、上記の如き高温環境下においても電気的特性
が良く、リード線と磁器素体との接着強度が高い
磁器コンデンサが要求される。 従来、この様な要求に応える磁器コンデンサの
電極形成方法としては、磁器素体の表面に、銀粉
及びガラスを含む銀ペーストを塗布し、焼付ける
磁器コンデンサの電極形成方法が知られている。 このような電極形成方法を適用した磁器コンデ
ンサは、高温下における電気的特性及び接着強度
は、使用上問題のない範囲にある。 しかし、銀を電極材料として用いるために、 材料コストが高くなる。 半田付けする際に、銀がはんだに拡散して静
電容量値が低下する。 銀ペーストを焼き付けると銀ペースト表面側
に銀粉が集まり、磁器素体面側にガラス成分集
まり、磁器素体面にガラス層が形成されてしま
うために、みかけの比誘電率が低下する。 という問題点があつた。 また、例えば特開昭50−121797に開示されてい
るように、磁器素体面上に真空蒸着またはスパツ
タリング法によりに密着性のよい金属（Be、Al、
Cr、NiCr）により金属層を形成した後、銅又は
金をメツキ法によりさらなる金属層を形成する方
法が知られている。 しかし、磁器素体面上に単なる真空蒸着または
スパツタリング法により密着性のよい金属を形成
したのでは磁器素体面に形成された金属層が剥離
しやすいという問題がある。 さらに、特開昭54−152145に開示されているよ
うに、磁器素体表面にAg、Ni、Cu等の金属層を
イオン化プレーデイング法により形成した後、電
解メツキによりAg、Ni、Cu等の金属層を形成す
る方法が知られている。 ここに開示されている電極形成方法は、イオン
化プレーデイング法を用いるために、量産するこ
とには不向きであり、また製造コストも高いもの
となる。 本発明は、磁器素体と導電層との接着強度が大
きく、かつ電気的特性の優れた磁器コンデンサの
電極形成方法を提供することを目的とする。 本発明は、上記の目的を達成するために、以下
のような構成の磁器コンデンサの電極形成方法を
提供する。 すなわち、磁器素体を150℃〜250℃の温度に加
熱し、加熱された磁器素体の表面にNi、Cr、Ni
−Cu（銅・ニツケル合金）、Cu−Al（銅・アルミ
ニウム合金）、Cu−Al2O3（銅・酸化アルミニウム
混合材料）、Cu−SiO2（銅・酸化ケイ素混合材料）
の群から選択された一種以上の物質からなる第１
導電層を、蒸着法又はスパツタリング法により形
成し、第１導電層の上にNi、Cr、Ni−Cuの群か
ら選択された物質であつて第１導電層の物質と異
なる物質からなる第２導電層をメツキ法、蒸着法
又はスパツタリング法により形成することを特徴
とする磁器コンデンサの電極形成方法である。ま
た、第１導電層の厚さは、約1000Å以上に形成す
ると電気的特性をいつそう向上させることががで
き、望ましい。 以下、本発明の実施例について述べる。 実施例 １ 第１図に示すような直径８mm、厚さ0.5mmの円
板状SrTiO3（チタン酸ストロンチウム）系半導体
磁器素体１を約200℃に加熱し、磁器素体両面に
Ni、Cr、Cu−Ni（70：30）、Cu−Al（90：10）、
Cu−SiO2（98：２）、Cu−Al2O3（98：２）から選
択された金属をスパツタリングすることによつて
厚さ約1000Åの第１の導電層２を形成し、さら
に、Cu、Ni、Cu−Ni（90：10）から選んだ金属
をスパツタリングすることによつて厚さ約2μｍ
の第２の導電層を第１の導電層の上に形成し、次
に半田引き軟銅線からなる0.6mmの径のリード線
４，５を半田６で固着し、しかる後、電気的特性
として誘電率εs（20℃ 1KHz）tanδ（1KHz）、絶
縁抵抗IR、及び電極接着強度の測定を行つたと
ころ、第１表に示す測定結果が得られた。 なお、電極接着強度の測定は、常温と150℃と
の両方で行つた。また、この測定方法は、第１図
に示す如く、一方のリード線４を固定し、他方の
リード線５にバネ秤を結合し、電極の剥離又は電
極からのリード線の離脱が生じるまでの力によつ
て決めた。 比較のために上述の磁器素体と同様の磁器素体
を用いて両面にスクリーン印刷により銀ペースト
を塗布し、約850℃で焼き付け、次に半田引き軟
銅線からなる0.6mmの径のリード線４，５を半田
６で固着し、しかる後、上述と同様に電気的特性
として誘電率εs（20℃ 1KHz）tanδ（1KHz）、絶
縁抵抗IR、及び電極接着強度の測定を行つた。
測定結果を第１表に示す。 第１表から判るように、予め約200℃に加熱し、
Ni、Cr、Cu−Ni、Cu−Al、Cu−SiO2、Cu−
Al2O3から選択された金属をスパツタリンング
し、さらに、Cu、Ni、Cu−Niから選んだ金属を
スパツタリングすると、銀を焼き付ける電極形成
方法に比較して、磁器素体との接着強度が大き
い。特に、高温条件（150℃）下において、その
効果には著しいものがある。 また、誘電率εsも比較的良好である。
【表】
実施例 ２
直径８mm、厚さ0.25mmの円板状のTiO2（酸化チ
タン）系磁器素体を約200℃に加熱した後、磁器
素体両面にNi又はCrをスパツタリング、真空蒸
着することによつて厚さ約1000Åの第１導電層２
を形成し、さらに、Cu又はNiをスパツタリング、
真空蒸着、メツキすることによつて厚さ約2μｍ
の第２の導電層を第１の導電層の上に形成し、次
に実施例１と同様に、半田引き軟銅線からなる
0.6mmの径のリード線４，５を半田６で固着し、
しかる後、電気的特性として誘電率εs（20℃ 1K
Hz）、Ｑ（1KHz）、絶縁抵抗IR、及び電極接着強度
の測定を行つたところ、第２表に示す測定結果が
得られた。 なお、本実施例においても、比較のために、上
述の磁器素体と同様の磁器素体を用いて両面にス
クリーン印刷により銀ペーストを塗布し、約850
℃で焼き付け、次に半田引き軟銅線からなる0.6
mmの径のリード線４，５を半田６で固着し、しか
る後、上述と同様に電気的特性として誘電率εs
（20℃ 1KHz）、Ｑ（1KHz）、絶縁抵抗IR、及び電
極接着強度の測定を行つた。測定結果を第２表に
示す。 第２表から判るように、予め約200℃に加熱し
た後の、第１の導電層の形成方法は、スパツタリ
ングに限られず、真空蒸着によつても実施例１と
同様の効果を得ることができる。また、第２の導
電層の形成方法もスパツタリングに限られず、真
空蒸着、メツキすることによつても実施例１と同
様の効果を得ることができる。
タン）系磁器素体を約200℃に加熱した後、磁器
素体両面にNi又はCrをスパツタリング、真空蒸
着することによつて厚さ約1000Åの第１導電層２
を形成し、さらに、Cu又はNiをスパツタリング、
真空蒸着、メツキすることによつて厚さ約2μｍ
の第２の導電層を第１の導電層の上に形成し、次
に実施例１と同様に、半田引き軟銅線からなる
0.6mmの径のリード線４，５を半田６で固着し、
しかる後、電気的特性として誘電率εs（20℃ 1K
Hz）、Ｑ（1KHz）、絶縁抵抗IR、及び電極接着強度
の測定を行つたところ、第２表に示す測定結果が
得られた。 なお、本実施例においても、比較のために、上
述の磁器素体と同様の磁器素体を用いて両面にス
クリーン印刷により銀ペーストを塗布し、約850
℃で焼き付け、次に半田引き軟銅線からなる0.6
mmの径のリード線４，５を半田６で固着し、しか
る後、上述と同様に電気的特性として誘電率εs
（20℃ 1KHz）、Ｑ（1KHz）、絶縁抵抗IR、及び電
極接着強度の測定を行つた。測定結果を第２表に
示す。 第２表から判るように、予め約200℃に加熱し
た後の、第１の導電層の形成方法は、スパツタリ
ングに限られず、真空蒸着によつても実施例１と
同様の効果を得ることができる。また、第２の導
電層の形成方法もスパツタリングに限られず、真
空蒸着、メツキすることによつても実施例１と同
様の効果を得ることができる。
【表】
実施例 ３
磁器素体として、直径８mm、厚さ0.2mmの円板
状のBaTiO3（チタン酸バリウム）系磁器素体を
用いて、実施例２と同様に、約200℃に加熱した
後、磁器素体両面にNi又はCrをスパツタリング、
真空蒸着して厚さ約1000Åの第１の導電層２を形
成し、さらに、Cu又はNiをスパツタリング、真
空蒸着、メツキして厚さ約2μｍの第２の導電層
を第１の導電層の上に形成し、半田引き軟銅線か
らなる0.6mmの径のリード線４，５を半田６で固
着し、しかる後、電気的特性として誘電率εs（20
℃ 1KHz）、tanδ（1MHz）、絶縁抵抗IR、及び電
極接着強度の測定を行つた。 また、本実施例においても、比較のために、実
施例２と同様の方法により銀ペースト塗布焼き付
けて電極を形成し、電気的特性、及び電極接着強
度の測定を行つた。 これらの測定結果を第３表に示す。
状のBaTiO3（チタン酸バリウム）系磁器素体を
用いて、実施例２と同様に、約200℃に加熱した
後、磁器素体両面にNi又はCrをスパツタリング、
真空蒸着して厚さ約1000Åの第１の導電層２を形
成し、さらに、Cu又はNiをスパツタリング、真
空蒸着、メツキして厚さ約2μｍの第２の導電層
を第１の導電層の上に形成し、半田引き軟銅線か
らなる0.6mmの径のリード線４，５を半田６で固
着し、しかる後、電気的特性として誘電率εs（20
℃ 1KHz）、tanδ（1MHz）、絶縁抵抗IR、及び電
極接着強度の測定を行つた。 また、本実施例においても、比較のために、実
施例２と同様の方法により銀ペースト塗布焼き付
けて電極を形成し、電気的特性、及び電極接着強
度の測定を行つた。 これらの測定結果を第３表に示す。
【表】
第３表から判るように、予め約200℃に加熱し、
Ni又はCrをスパツタリング、真空蒸着し、さら
に、Cu又はNiをスパツタリング、真空蒸着、メ
ツキすることによつて電極を形成する方法は、銀
を焼き付ける電極形成方法に比較して、磁器素体
との接着強度が大きい。特に、高温条件（150℃）
下において、その効果には著しいものがある。 また、実施例１〜実施例３から判るように、第
１の導電層が形成される磁器素体は、誘電体であ
るかぎりSrTiO3（チタン酸ストロンチウム）系半
導体磁器であつても、TiO2（酸化チタン）系磁器
であつても、BaTiO3（チタン酸バリウム）系磁
器であつてもよい。 実施例 ４ 実施例１と同様のSrTiO3（チタン酸ストロンチ
ウム）系半導体磁器を用いて、予め加熱する温度
を25℃〜250℃の間で変化させ、それぞれにスパ
ツタリング法によりNiからなる1000Åの厚さの
第１の導電層を形成し、さらに、スパツタリング
法によりCuからなる2μｍの厚さの第２の導電層
を形成し、しかる後、それぞれのコンデンサの電
気的特性tanδ（1KHz）の変化を測定した。 測定結果を第２図に示す。 第２図から判るように、常温（25℃）から加熱
温度を上げてゆくと、電気的特性（tanδ）は良好
になつてゆく。 さらに、加熱温度が150℃以上になると、加熱
温度の変化の電気的特性に及ぼす影響は小さくな
ることが判る。 実施例 ５ 実施例１と同様のSrTiO3（チタン酸ストロンチ
ウム）系半導体磁器を用いて、予め加熱する温度
を200℃とし、スパツタリング法によりCrからな
る第１の導電層の厚さを変えて形成し、さらに、
それぞれにスパツタリング法によりCuからなる
2μｍの厚さの第２の導電層を形成し、しかる後、
それぞれのコンデンサの電気的特性tanδ（1KHz）
の変化を測定した。 測定結果を第３図に示す。 第３図から判るように、第１の導電層の厚さ
が、約500A以上になると電気的特性（tanδ）は
良好になつてゆく。 さらに、約1000Å以上になると、第１の導電層
の層厚の変化の電気的特性に及ぼす影響は小さく
なることが判る。 なお、上述の実施例による効果は第２の導電層
の厚さを変えても同様に得ることができる。 以上のことから明らかなように、本発明によれ
ば、第一の導電層を蒸着法又はスパツタリング法
により形成するに際し、予め磁器素体を150℃〜
250℃の温度に加熱しておいて、磁器素体と密着
性のよいNi、Cr、Ni−Cu、Cu−Al、Cu−
Al2O3、Cu−SiO2の群から選択された一種以上の
物質を磁器素体面に形成するために、単に蒸着法
又はスパツタリング法により金属層を形成するの
に比べて磁器素体と第一電極層との間を強固に結
合させることができ、高温状態においても接着強
度の大きい、かつ電気的特性の良好な磁器コンデ
ンサを得ることができる。 さらに、第１導電層の厚さが1000Å以上の厚さ
になるように蒸着又はスパツタリングを行うと、
さらに電気的特性の良好な磁器コンデンサを得る
ことができる。
Ni又はCrをスパツタリング、真空蒸着し、さら
に、Cu又はNiをスパツタリング、真空蒸着、メ
ツキすることによつて電極を形成する方法は、銀
を焼き付ける電極形成方法に比較して、磁器素体
との接着強度が大きい。特に、高温条件（150℃）
下において、その効果には著しいものがある。 また、実施例１〜実施例３から判るように、第
１の導電層が形成される磁器素体は、誘電体であ
るかぎりSrTiO3（チタン酸ストロンチウム）系半
導体磁器であつても、TiO2（酸化チタン）系磁器
であつても、BaTiO3（チタン酸バリウム）系磁
器であつてもよい。 実施例 ４ 実施例１と同様のSrTiO3（チタン酸ストロンチ
ウム）系半導体磁器を用いて、予め加熱する温度
を25℃〜250℃の間で変化させ、それぞれにスパ
ツタリング法によりNiからなる1000Åの厚さの
第１の導電層を形成し、さらに、スパツタリング
法によりCuからなる2μｍの厚さの第２の導電層
を形成し、しかる後、それぞれのコンデンサの電
気的特性tanδ（1KHz）の変化を測定した。 測定結果を第２図に示す。 第２図から判るように、常温（25℃）から加熱
温度を上げてゆくと、電気的特性（tanδ）は良好
になつてゆく。 さらに、加熱温度が150℃以上になると、加熱
温度の変化の電気的特性に及ぼす影響は小さくな
ることが判る。 実施例 ５ 実施例１と同様のSrTiO3（チタン酸ストロンチ
ウム）系半導体磁器を用いて、予め加熱する温度
を200℃とし、スパツタリング法によりCrからな
る第１の導電層の厚さを変えて形成し、さらに、
それぞれにスパツタリング法によりCuからなる
2μｍの厚さの第２の導電層を形成し、しかる後、
それぞれのコンデンサの電気的特性tanδ（1KHz）
の変化を測定した。 測定結果を第３図に示す。 第３図から判るように、第１の導電層の厚さ
が、約500A以上になると電気的特性（tanδ）は
良好になつてゆく。 さらに、約1000Å以上になると、第１の導電層
の層厚の変化の電気的特性に及ぼす影響は小さく
なることが判る。 なお、上述の実施例による効果は第２の導電層
の厚さを変えても同様に得ることができる。 以上のことから明らかなように、本発明によれ
ば、第一の導電層を蒸着法又はスパツタリング法
により形成するに際し、予め磁器素体を150℃〜
250℃の温度に加熱しておいて、磁器素体と密着
性のよいNi、Cr、Ni−Cu、Cu−Al、Cu−
Al2O3、Cu−SiO2の群から選択された一種以上の
物質を磁器素体面に形成するために、単に蒸着法
又はスパツタリング法により金属層を形成するの
に比べて磁器素体と第一電極層との間を強固に結
合させることができ、高温状態においても接着強
度の大きい、かつ電気的特性の良好な磁器コンデ
ンサを得ることができる。 さらに、第１導電層の厚さが1000Å以上の厚さ
になるように蒸着又はスパツタリングを行うと、
さらに電気的特性の良好な磁器コンデンサを得る
ことができる。
第１図は、本発明の実施例に係わる磁器コンデ
ンサを示す断面図である。第２図は、本発明の第
４の実施例における磁器素体加熱温度と電気的特
性（tanδ）との関係を示すグラフである。第３図
は、本発明の第５の実施例における第１の導電層
の厚さと電気的特性（tanδ）との関係を示すグラ
フである。 なお、図面に用いられている符号において、１
は磁器素体、２は第１の導電層、３は第２の導電
層、４，５はリード線、６は半田である。
ンサを示す断面図である。第２図は、本発明の第
４の実施例における磁器素体加熱温度と電気的特
性（tanδ）との関係を示すグラフである。第３図
は、本発明の第５の実施例における第１の導電層
の厚さと電気的特性（tanδ）との関係を示すグラ
フである。 なお、図面に用いられている符号において、１
は磁器素体、２は第１の導電層、３は第２の導電
層、４，５はリード線、６は半田である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁器素体を150℃〜250℃の温度に加熱し、 前記加熱された磁器素体の表面に、Ni、Cr、
Ni−Cu、Cu−Al、Cu−Al2O3、Cu−SiO2の群
から選択された一種以上の物質からなる第１導電
層を、蒸着法又はスパツタリング法により形成
し、 前記第１導電層の上にNi、Cu、Ni−Cuの群か
ら選択された物質であつて前記第１導電層の物質
と異なる物質からなる第２導電層を、メツキ法、
蒸着法又はスパツタリング法により形成すること
を特徴とする磁器コンデンサの電極形成方法。 ２ 前記磁器素体を150℃〜250℃の温度に加熱
し、加熱された前記磁器素体の表面に、Ni、Cr、
Ni−Cu、Cu−Al、Cu−Al2O3、Cu−SiO2の群
から選択された一種以上の物質からなる第１導電
層を、蒸着法又はスパツタリング法により、約
1000Å以上の厚みに形成する特許請求の範囲第１
項記載の磁器コンデンサの電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7066380A JPS56167318A (en) | 1980-05-27 | 1980-05-27 | Porcelain capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7066380A JPS56167318A (en) | 1980-05-27 | 1980-05-27 | Porcelain capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56167318A JPS56167318A (en) | 1981-12-23 |
| JPH0133929B2 true JPH0133929B2 (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=13438120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7066380A Granted JPS56167318A (en) | 1980-05-27 | 1980-05-27 | Porcelain capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56167318A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4604676A (en) * | 1984-10-02 | 1986-08-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic capacitor |
| JPH01220814A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Murata Mfg Co Ltd | 磁器コンデンサ |
| JPH07120598B2 (ja) * | 1990-01-10 | 1995-12-20 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
| JP3018830B2 (ja) * | 1993-06-14 | 2000-03-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
| JP6098208B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2017-03-22 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| CN112609148B (zh) * | 2020-12-09 | 2022-11-01 | 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司柳州局 | 一种新型输电铁塔用材Ni-Cu-AT13涂层的制备方法及Ni-Cu-AT13涂层 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50121797A (ja) * | 1974-03-13 | 1975-09-23 | ||
| JPS54152145A (en) * | 1978-05-22 | 1979-11-30 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of forming electrode for electronic component |
-
1980
- 1980-05-27 JP JP7066380A patent/JPS56167318A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50121797A (ja) * | 1974-03-13 | 1975-09-23 | ||
| JPS54152145A (en) * | 1978-05-22 | 1979-11-30 | Tdk Electronics Co Ltd | Method of forming electrode for electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56167318A (en) | 1981-12-23 |
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