JPH0415563B2 - - Google Patents
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- JPH0415563B2 JPH0415563B2 JP57085306A JP8530682A JPH0415563B2 JP H0415563 B2 JPH0415563 B2 JP H0415563B2 JP 57085306 A JP57085306 A JP 57085306A JP 8530682 A JP8530682 A JP 8530682A JP H0415563 B2 JPH0415563 B2 JP H0415563B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 38
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 21
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 5
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
＜産業上の利用分野＞
本発明は、半導体磁器にオーミツク焼付電極を
形成するための半導体磁器用導電性ペーストに関
する。 ＜従来の技術＞ 例えばTiO2を主成分とする半導体磁器は、正
の抵抗温度係数を有する正特性半導体磁器、負の
抵抗温度係数を有する負特性半導体磁器または印
加電圧による抵抗値の変化する電圧非直線性半導
体磁器等、電子部品としての有用性が非常に高い
ものである。このような半導体磁器を電子部品と
して用いるには、磁器素体の表面に電極を形成す
ることが必要である。従来、磁器コンデンサで代
表される磁器電子部品において、電極を形成する
場合、銀Agの焼付けまたはニツケルNi等の無電
解メツキ等が一般的であつた。しかしながら、半
導体磁器において、Agの焼付け処理によつて電
極を形成すると、電極と半導体界面との間に電位
障壁層が形成され、半導体磁器自体の持つ電気的
特性が、電極形成により半減してしまう欠点があ
る。しかもこのような電位障壁は、電気的或は熱
的に弱い場合が多く、特に半田付け時等によつて
特性が劣化し、信頼性が悪くなる等の欠点を生じ
る。 この電位障壁層の形成による欠点を除去する手
段として、半導体磁器に対してオーミツク性電極
を形成する方法が試みられている。オーミツク性
電極の形成方法としては、半導体磁器の表面にIn
−Ga合金を塗り付ける方法、In−Ga合金を超音
波ろう付けする方法、半導体磁器に対してNi無
電解メツキ処理を行なつた後に、300〜500℃の温
度条件で熱処理を行なう方法、またはAgペース
ト中にIn−Ga合金を分散させたペーストを半導
体磁器に塗布し、400〜550℃の低温で焼付け処理
を行なう方法等が知られている。 ＜発明が解決しようとする課題＞ しかしながら、In−Ga合金を塗布し或は超音
波ろう付けする方法では、高価なガリウムGaを
使用するためコスト高になること、In−Ga合金
が低融点であるため電極に対して半田付けができ
ないこと、半導体磁器に対する接着強度が極めて
弱いこと等の欠点がある。 次に、Agペースト中にIn−Ga合金を分散させ
たペーストを塗布焼付けする方法は、焼付け時に
In−Ga合金が酸化されるため半田付けができな
いこと、低温焼付けのため半導体磁器に対する接
着強度が弱いこと、ガリウムGaを使用するため
コスト高になること等の欠点がある。 更にNi無電解メツキ方法は、無電解メツキ後
の熱処理によつて電極表面が酸化され、半田付け
性が悪くなること、形成される電極の厚みが薄く
かつNiの固有抵抗値が比較的大きいため電極面
の抵抗が大きくなること、メツキ液への浸漬によ
つて半導体磁器素体が悪影響を受けること等の欠
点がある。 そこで、本発明の課題は、上述した従来の欠点
を除去し、半導体磁器に対して、半田付け性、接
着強度及び電気的特性が良好で、信頼性の高い安
価なオーミツク焼付電極を形成し得る半導体磁器
用導電性ペーストを提供することである。 ＜課題を解決するための手段＞ 上述した課題解決のため、本発明は、半導体磁
器にオーミツク焼付電極を形成するための半導体
磁器用導電性ペーストであつて、 銀粉末100部、ガラスフリツト粉末３部及び有
機質ビヒクル45部に対し、金属のホウ素粉末を２
〜40部の割合で含有することを特徴とする。 この半導体磁器用導電性ペーストを使用して、
半導体磁器に電極を形成するには、銀Ag粉末及
びホウ素粉末Ｂを、ガラスフリツト粉末と共に有
機質ビヒクル中に分散せしめてペーストを調製
し、このペーストをスクリーン印刷等の周知の手
段によつて半導体磁器に塗布した後、焼付け処理
を行なう。焼付け処理は700℃程度の温度条件で
行なうのが望ましい。 このようにして形成された電極は、半田付け性
が良好で、半導体磁器に対する接着強度が大き
く、かつ、半導体磁器に対して電位障壁を持たな
いオーミツク電極となり、半導体磁器自体の持つ
電気的特性がそのまま取出される。オーミツク電
極の形成には、ガラスフリツトに含まれ得る酸化
ホウ素とは別に、金属のホウ素を含ませたことが
大きな役割を果たしていると推測される。金属の
ホウ素の代りに、酸化ホウ素を用いた場合は、良
好なオーミツク電極が形成できなかつた。 しかも、高価なGaを使用する必要がないので、
従来のIn−Ga合金を用いる方法に比べて安価に
なる。また、本発明によつて得られた電極は、焼
付け温度が700℃前後であるから、例えば正特性
サーミスタのように、200℃程度の温度条件で使
用される半導体磁器においても、従来と異なつ
て、特性が変化することがない。更に、Ni無電
解メツキの場合と異なつて、メツキ液中へ半導体
磁器を浸漬することもないので、電極形成工程に
おいて半導体磁器が悪影響を受けることがない。
このため、本発明によれば、高信類度のオーミツ
ク電極を形成することが可能になる。また、ペー
スト化してスクリーン印刷等の手段によつて電極
を形成することができるので、複雑な形状の電極
構造のものであつても容易に形成することができ
る。 次に実施例を上げて本発明の内容を更に具体的
に説明する。 ＜実施例＞ Ag粉末100部、ガラスフリツト粉末３部及び有
機質ビヒクル45部の組成比に対し、金属のＢ粉末
の混合割合を変えて各ペーストを調製した。これ
らのペーストをTiO2を主成分とする半導体磁器
の表面に塗布し、空気中で700℃の温度条件で焼
付け、電圧非直線性抵抗素子を得た。こうして得
られた電圧非直線性抵抗素子の特性評価を、In−
Ga合金電極を形成した電圧非直線性抵抗素子の
それと比較して、表１に示してある。 表１において、E10は電圧非直線性抵抗素子に
10mAの電流が流れた時、素子の両端に現われる
電圧である。αは電圧非直線性係数であり、次の
式から算出される。 α＝１／（log E10／E1） 但しE1は素子に1mAの電流を流した時
の電圧 電極強度は粘着テープによるピーリングテスト
によつて測定した。また耐パルス性は０→100V
（ピーク値）のパルスを10サイクル印加した場合
のE10値の変化を百分率で示してある。
形成するための半導体磁器用導電性ペーストに関
する。 ＜従来の技術＞ 例えばTiO2を主成分とする半導体磁器は、正
の抵抗温度係数を有する正特性半導体磁器、負の
抵抗温度係数を有する負特性半導体磁器または印
加電圧による抵抗値の変化する電圧非直線性半導
体磁器等、電子部品としての有用性が非常に高い
ものである。このような半導体磁器を電子部品と
して用いるには、磁器素体の表面に電極を形成す
ることが必要である。従来、磁器コンデンサで代
表される磁器電子部品において、電極を形成する
場合、銀Agの焼付けまたはニツケルNi等の無電
解メツキ等が一般的であつた。しかしながら、半
導体磁器において、Agの焼付け処理によつて電
極を形成すると、電極と半導体界面との間に電位
障壁層が形成され、半導体磁器自体の持つ電気的
特性が、電極形成により半減してしまう欠点があ
る。しかもこのような電位障壁は、電気的或は熱
的に弱い場合が多く、特に半田付け時等によつて
特性が劣化し、信頼性が悪くなる等の欠点を生じ
る。 この電位障壁層の形成による欠点を除去する手
段として、半導体磁器に対してオーミツク性電極
を形成する方法が試みられている。オーミツク性
電極の形成方法としては、半導体磁器の表面にIn
−Ga合金を塗り付ける方法、In−Ga合金を超音
波ろう付けする方法、半導体磁器に対してNi無
電解メツキ処理を行なつた後に、300〜500℃の温
度条件で熱処理を行なう方法、またはAgペース
ト中にIn−Ga合金を分散させたペーストを半導
体磁器に塗布し、400〜550℃の低温で焼付け処理
を行なう方法等が知られている。 ＜発明が解決しようとする課題＞ しかしながら、In−Ga合金を塗布し或は超音
波ろう付けする方法では、高価なガリウムGaを
使用するためコスト高になること、In−Ga合金
が低融点であるため電極に対して半田付けができ
ないこと、半導体磁器に対する接着強度が極めて
弱いこと等の欠点がある。 次に、Agペースト中にIn−Ga合金を分散させ
たペーストを塗布焼付けする方法は、焼付け時に
In−Ga合金が酸化されるため半田付けができな
いこと、低温焼付けのため半導体磁器に対する接
着強度が弱いこと、ガリウムGaを使用するため
コスト高になること等の欠点がある。 更にNi無電解メツキ方法は、無電解メツキ後
の熱処理によつて電極表面が酸化され、半田付け
性が悪くなること、形成される電極の厚みが薄く
かつNiの固有抵抗値が比較的大きいため電極面
の抵抗が大きくなること、メツキ液への浸漬によ
つて半導体磁器素体が悪影響を受けること等の欠
点がある。 そこで、本発明の課題は、上述した従来の欠点
を除去し、半導体磁器に対して、半田付け性、接
着強度及び電気的特性が良好で、信頼性の高い安
価なオーミツク焼付電極を形成し得る半導体磁器
用導電性ペーストを提供することである。 ＜課題を解決するための手段＞ 上述した課題解決のため、本発明は、半導体磁
器にオーミツク焼付電極を形成するための半導体
磁器用導電性ペーストであつて、 銀粉末100部、ガラスフリツト粉末３部及び有
機質ビヒクル45部に対し、金属のホウ素粉末を２
〜40部の割合で含有することを特徴とする。 この半導体磁器用導電性ペーストを使用して、
半導体磁器に電極を形成するには、銀Ag粉末及
びホウ素粉末Ｂを、ガラスフリツト粉末と共に有
機質ビヒクル中に分散せしめてペーストを調製
し、このペーストをスクリーン印刷等の周知の手
段によつて半導体磁器に塗布した後、焼付け処理
を行なう。焼付け処理は700℃程度の温度条件で
行なうのが望ましい。 このようにして形成された電極は、半田付け性
が良好で、半導体磁器に対する接着強度が大き
く、かつ、半導体磁器に対して電位障壁を持たな
いオーミツク電極となり、半導体磁器自体の持つ
電気的特性がそのまま取出される。オーミツク電
極の形成には、ガラスフリツトに含まれ得る酸化
ホウ素とは別に、金属のホウ素を含ませたことが
大きな役割を果たしていると推測される。金属の
ホウ素の代りに、酸化ホウ素を用いた場合は、良
好なオーミツク電極が形成できなかつた。 しかも、高価なGaを使用する必要がないので、
従来のIn−Ga合金を用いる方法に比べて安価に
なる。また、本発明によつて得られた電極は、焼
付け温度が700℃前後であるから、例えば正特性
サーミスタのように、200℃程度の温度条件で使
用される半導体磁器においても、従来と異なつ
て、特性が変化することがない。更に、Ni無電
解メツキの場合と異なつて、メツキ液中へ半導体
磁器を浸漬することもないので、電極形成工程に
おいて半導体磁器が悪影響を受けることがない。
このため、本発明によれば、高信類度のオーミツ
ク電極を形成することが可能になる。また、ペー
スト化してスクリーン印刷等の手段によつて電極
を形成することができるので、複雑な形状の電極
構造のものであつても容易に形成することができ
る。 次に実施例を上げて本発明の内容を更に具体的
に説明する。 ＜実施例＞ Ag粉末100部、ガラスフリツト粉末３部及び有
機質ビヒクル45部の組成比に対し、金属のＢ粉末
の混合割合を変えて各ペーストを調製した。これ
らのペーストをTiO2を主成分とする半導体磁器
の表面に塗布し、空気中で700℃の温度条件で焼
付け、電圧非直線性抵抗素子を得た。こうして得
られた電圧非直線性抵抗素子の特性評価を、In−
Ga合金電極を形成した電圧非直線性抵抗素子の
それと比較して、表１に示してある。 表１において、E10は電圧非直線性抵抗素子に
10mAの電流が流れた時、素子の両端に現われる
電圧である。αは電圧非直線性係数であり、次の
式から算出される。 α＝１／（log E10／E1） 但しE1は素子に1mAの電流を流した時
の電圧 電極強度は粘着テープによるピーリングテスト
によつて測定した。また耐パルス性は０→100V
（ピーク値）のパルスを10サイクル印加した場合
のE10値の変化を百分率で示してある。
【表】
表１から明らかなように、本発明に係る半導体
磁器用導電性ペーストを用いて電極を形成した試
料No.２〜８は、従来のIn−Ga合金電極としたも
のと比較して、電極強度が非常に高くなる。しか
もE10値、α値及び耐パルス性において、従来の
In−Ga合金電極と比較して、勝るとも劣らない
優れた特性を示し、In−Ga合金電極と同等のオ
ーム性接触電極が得られることが解る。また、耐
パルス性が優れていることからも明らかなよう
に、信頼性も非常に高くなつている。 ＜発明の効果＞ 以上述べたように、本発明に係る半導体磁器用
導電性ペーストは、銀粉末100部、ガラスフリツ
ト粉末３部及び有機質ビヒクル45部に対し、金属
のホウ素粉末を２〜40部の割合で含有するから、
半導体磁器に対して、半田付け性、接着強度及び
電気的特性が良好で、信頼性の高い安価なオーミ
ツク電極を形成し得る半導体磁器用導電性ペース
トを提供することができる。
磁器用導電性ペーストを用いて電極を形成した試
料No.２〜８は、従来のIn−Ga合金電極としたも
のと比較して、電極強度が非常に高くなる。しか
もE10値、α値及び耐パルス性において、従来の
In−Ga合金電極と比較して、勝るとも劣らない
優れた特性を示し、In−Ga合金電極と同等のオ
ーム性接触電極が得られることが解る。また、耐
パルス性が優れていることからも明らかなよう
に、信頼性も非常に高くなつている。 ＜発明の効果＞ 以上述べたように、本発明に係る半導体磁器用
導電性ペーストは、銀粉末100部、ガラスフリツ
ト粉末３部及び有機質ビヒクル45部に対し、金属
のホウ素粉末を２〜40部の割合で含有するから、
半導体磁器に対して、半田付け性、接着強度及び
電気的特性が良好で、信頼性の高い安価なオーミ
ツク電極を形成し得る半導体磁器用導電性ペース
トを提供することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体磁器にオーミツク焼付電極を形成する
ための半導体磁器用導電性ペーストであつて、 銀粉末100部、ガラスフリツト粉末３部及び有
機質ビヒクル45部に対し、金属のホウ素粉末を２
〜40部の割合で含有すること を特徴とする半導体磁器用導電性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8530682A JPS58201202A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 半導体磁器用導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8530682A JPS58201202A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 半導体磁器用導電性ペースト |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3053287A Division JPH04211101A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 電圧非直線性抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58201202A JPS58201202A (ja) | 1983-11-24 |
| JPH0415563B2 true JPH0415563B2 (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=13854908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8530682A Granted JPS58201202A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 半導体磁器用導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58201202A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01276537A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 厚膜導体及び薄膜導体の接続方法並びにプラズマ放電発光装置 |
| GB9518033D0 (en) * | 1995-09-05 | 1995-11-08 | Cookson Matthey Ceramics Plc | Composition |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329383A (en) * | 1976-09-01 | 1978-03-18 | Sanshin Kasei Kk | Plywood of alminium and plastic plate |
| JPS5585439A (en) * | 1978-09-18 | 1980-06-27 | Toshiba Corp | Glass adhering conductor paste |
-
1982
- 1982-05-20 JP JP8530682A patent/JPS58201202A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329383A (en) * | 1976-09-01 | 1978-03-18 | Sanshin Kasei Kk | Plywood of alminium and plastic plate |
| JPS5585439A (en) * | 1978-09-18 | 1980-06-27 | Toshiba Corp | Glass adhering conductor paste |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58201202A (ja) | 1983-11-24 |
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