JPS58201202A - 半導体磁器用導電性ペースト - Google Patents
半導体磁器用導電性ペーストInfo
- Publication number
- JPS58201202A JPS58201202A JP8530682A JP8530682A JPS58201202A JP S58201202 A JPS58201202 A JP S58201202A JP 8530682 A JP8530682 A JP 8530682A JP 8530682 A JP8530682 A JP 8530682A JP S58201202 A JPS58201202 A JP S58201202A
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- JP
- Japan
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- semiconductor porcelain
- electrode
- conductive composition
- semiconductor
- alloy
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- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主として、を導体磁器の電極形成に使用され
る導電性組成物及びその電極形成方法に関する。
る導電性組成物及びその電極形成方法に関する。
半導体磁器は、iEの抵抗温度係数を有するIF特性半
導体磁器、負の抵抗温度係数を有する負特性半導体磁器
または印加電圧により抵抗値の変化する電圧非直線性半
導体磁器等、電子部品としての有用性が非常に高いもの
である。このような半導体磁器を電子部品として用いる
には、磁器素体の表面に電極を形成することが必要であ
る。従来、磁器コンデンサで代表される磁器電子部品に
おいて、′11L極を形成する場合、銀Agの焼付けま
たはニラクルNilの無電解メッキ等が一般的であった
。しかしながら、半導体磁器において、八8の焼付は処
理によって電極を形成するL′;電極と半導体界面との
間に電位障壁層が形成され、半導体磁? 器内体の持つ電気的特性が、電極形成により半減してし
まう欠点がある。しかもこのような電位障壁は、電気的
或は熱的に弱い場合が多く、特に半田付は時等によって
特性が劣化し、信頼性が悪くなる等の欠点を生じる。
導体磁器、負の抵抗温度係数を有する負特性半導体磁器
または印加電圧により抵抗値の変化する電圧非直線性半
導体磁器等、電子部品としての有用性が非常に高いもの
である。このような半導体磁器を電子部品として用いる
には、磁器素体の表面に電極を形成することが必要であ
る。従来、磁器コンデンサで代表される磁器電子部品に
おいて、′11L極を形成する場合、銀Agの焼付けま
たはニラクルNilの無電解メッキ等が一般的であった
。しかしながら、半導体磁器において、八8の焼付は処
理によって電極を形成するL′;電極と半導体界面との
間に電位障壁層が形成され、半導体磁? 器内体の持つ電気的特性が、電極形成により半減してし
まう欠点がある。しかもこのような電位障壁は、電気的
或は熱的に弱い場合が多く、特に半田付は時等によって
特性が劣化し、信頼性が悪くなる等の欠点を生じる。
この電位障壁層の形成による欠点を除去する手段として
、半導体磁器に対してオーミック性電極を形成する方法
が試みられている。オーミック性電極の形成方法として
は、半導体磁器の表面にIn−Ga合金を塗り付ける方
法、In−Ga合金をa踵波ろう付けする方法、半導体
磁器に対してNi無電解メッキ処理を行なった後に、3
00〜500℃の温度条件で熱処理を行なう方法、また
はAgペースト中にIn−Ga合金を分散させたペース
トを半導体磁器に塗布し、400〜550°Cの低温で
焼付は処理を行なう方法等が知られている。
、半導体磁器に対してオーミック性電極を形成する方法
が試みられている。オーミック性電極の形成方法として
は、半導体磁器の表面にIn−Ga合金を塗り付ける方
法、In−Ga合金をa踵波ろう付けする方法、半導体
磁器に対してNi無電解メッキ処理を行なった後に、3
00〜500℃の温度条件で熱処理を行なう方法、また
はAgペースト中にIn−Ga合金を分散させたペース
トを半導体磁器に塗布し、400〜550°Cの低温で
焼付は処理を行なう方法等が知られている。
しかしながら、In −Ga合金を塗布し或は超f¥波
ろう付けする方法では、高価なガリウムGaを使用する
ためコスト高になること、In−Ga合金が低融点であ
るため電極に対して半田付けができないこと、半導体磁
器に対する接着強度が極めて弱いこと等の欠点がある。
ろう付けする方法では、高価なガリウムGaを使用する
ためコスト高になること、In−Ga合金が低融点であ
るため電極に対して半田付けができないこと、半導体磁
器に対する接着強度が極めて弱いこと等の欠点がある。
次に、Agペースト中にIn−Ga合金を分散させたペ
ーストを塗布焼付けする方法は、焼付は時にIn−Ga
合金が酸化されるため半H1付けができないこと、低温
焼イ・1けのため半導体磁器に対する接着強度が弱いこ
と、ガリウムGaを使用するためコスト高になること等
の欠点がある。
ーストを塗布焼付けする方法は、焼付は時にIn−Ga
合金が酸化されるため半H1付けができないこと、低温
焼イ・1けのため半導体磁器に対する接着強度が弱いこ
と、ガリウムGaを使用するためコスト高になること等
の欠点がある。
更にN1無電解メッキ方法は、無電解メッキ後の熱処理
によって電極表面が酸化され、半田イ・1け性が悪くな
ること、形成される電極の厚みが薄くかつNiの固有抵
抗値が比較的大きいため電極面の抵抗が大きくなること
、メッキ液への浸漬によって半導体磁器素体が悪影響を
受けること等の欠点かある。
によって電極表面が酸化され、半田イ・1け性が悪くな
ること、形成される電極の厚みが薄くかつNiの固有抵
抗値が比較的大きいため電極面の抵抗が大きくなること
、メッキ液への浸漬によって半導体磁器素体が悪影響を
受けること等の欠点かある。
本発明は上述する従来の欠点を除去し、崖−導体磁器に
対して、半田付は性、接着強度及び電気的特性が良好で
、信頼性の高い安価なオーミック性または準オーミック
性電極を形成し得る導電性組成物及び電極形成方法を提
供することを目的とする。
対して、半田付は性、接着強度及び電気的特性が良好で
、信頼性の高い安価なオーミック性または準オーミック
性電極を形成し得る導電性組成物及び電極形成方法を提
供することを目的とする。
ト記目的を達成するため、本発明に係る導電性組成物は
、銀及びホウ素を含有することを特徴とする。
、銀及びホウ素を含有することを特徴とする。
この導電性組成物を使用して、半導体磁器に電極を形成
するには、銀Ag粉末及びホウ素粉末Bを、ガラスフリ
ット粉末と共に有機質ビヒクル中に分散せしめてペース
トを調製し、このペーストをスクリーン印刷等の周知の
手段によって半導体磁器に塗布した後、焼付は処理を行
なう。焼付は処理は700℃程度の温度条件で行なうの
が望ましい。
するには、銀Ag粉末及びホウ素粉末Bを、ガラスフリ
ット粉末と共に有機質ビヒクル中に分散せしめてペース
トを調製し、このペーストをスクリーン印刷等の周知の
手段によって半導体磁器に塗布した後、焼付は処理を行
なう。焼付は処理は700℃程度の温度条件で行なうの
が望ましい。
このようにして形成された電極は、半田付は性が良好で
、半導体磁器に対する接着強度が大きく、かつ半導体磁
器に対して電位障壁を持たないオーミック性電極となり
、半導体磁器自体の持つ電気的特性がそのまま取出され
る。しかも、 +X7+価な6aを使用する必要がない
ので、従来のIn−f:+a金合金用いる方法に比べて
安価になる。また、本発明によって得られた電極は、焼
付は温度が700°C前後であるから、例えば正特性サ
ーミスタのように、200℃程度の温度条件で使用され
る半導体磁器においても、従来と異なって、特性か変化
することがない。更に、N1儒電解メツキの場合と異な
って、メッキ液中へ半導体磁器を浸漬することもないの
で、電極形成工程において半導体磁器が悪影響を受ける
ことがない。このため1本発明によれば、高信頼度のオ
ーミック性極を形成することが可能になる。また、ペー
スト化してスクリーン印刷等の手段によって電極を形成
することかできるので、複雑な形状の電極構造のもので
あっても容易に形成することかできる。
、半導体磁器に対する接着強度が大きく、かつ半導体磁
器に対して電位障壁を持たないオーミック性電極となり
、半導体磁器自体の持つ電気的特性がそのまま取出され
る。しかも、 +X7+価な6aを使用する必要がない
ので、従来のIn−f:+a金合金用いる方法に比べて
安価になる。また、本発明によって得られた電極は、焼
付は温度が700°C前後であるから、例えば正特性サ
ーミスタのように、200℃程度の温度条件で使用され
る半導体磁器においても、従来と異なって、特性か変化
することがない。更に、N1儒電解メツキの場合と異な
って、メッキ液中へ半導体磁器を浸漬することもないの
で、電極形成工程において半導体磁器が悪影響を受ける
ことがない。このため1本発明によれば、高信頼度のオ
ーミック性極を形成することが可能になる。また、ペー
スト化してスクリーン印刷等の手段によって電極を形成
することかできるので、複雑な形状の電極構造のもので
あっても容易に形成することかできる。
次に実施例を上げて本発明の内容を更に具体的に説明す
る。
る。
Ag粉末100部、ガラスフリット粉末3部及びイj機
買上ヒクル45部の組成比に対し5B粉末の混合割合を
変えて各ペーストを調製した。これらのペーストをTi
O2を主成分とする半導体磁器の表面に塗布し、空気中
で700℃の温度条件で焼イ4け、電圧非直線性抵抗素
子を得た。こうして得られた電圧非直線性抵抗素子の特
性評価を、Tn−Ga合金電極を形成した電圧非直線性
抵抗素子のそれと比較して、表1に示しである。
買上ヒクル45部の組成比に対し5B粉末の混合割合を
変えて各ペーストを調製した。これらのペーストをTi
O2を主成分とする半導体磁器の表面に塗布し、空気中
で700℃の温度条件で焼イ4け、電圧非直線性抵抗素
子を得た。こうして得られた電圧非直線性抵抗素子の特
性評価を、Tn−Ga合金電極を形成した電圧非直線性
抵抗素子のそれと比較して、表1に示しである。
表1において、EIOは電圧非直線性抵抗素イに10m
Aの電流が流れた時、素子の両端に現われる電圧である
。αは電圧非直線性係数であり1次の式から算出される
。
Aの電流が流れた時、素子の両端に現われる電圧である
。αは電圧非直線性係数であり1次の式から算出される
。
α=1 / (log EIQ/El )但しElは素
子に1mAの電流を流した時の電圧 電極強度は粘着テープによるピーリングテストによって
測定した。また耐パルス性は0−100V(ビーク仙)
のパルスを10サイクル印加した場合のEIQ値の変化
を百分率で示しである。
子に1mAの電流を流した時の電圧 電極強度は粘着テープによるピーリングテストによって
測定した。また耐パルス性は0−100V(ビーク仙)
のパルスを10サイクル印加した場合のEIQ値の変化
を百分率で示しである。
焼イ・jけ71!J&;700°C
表1から明らかなように、本発明に係る導電性組成物で
電極を形成した試料NO2〜8は、従来のIn−Ga合
金電極としたものと比較して、゛電極強度が非常に高く
なる。しかもEIQ(t(I、α伯及び翻パルス性にお
いて、従来のIn −Ga合金電極と比較して、勝ると
も劣らない優れた特性を示し、In−Ga合金電極と同
等のオーム性接触電極が得られることが解る。また、耐
パルス性が優れていることからも明らかなように、信頼
性も非常に高くなっている。
電極を形成した試料NO2〜8は、従来のIn−Ga合
金電極としたものと比較して、゛電極強度が非常に高く
なる。しかもEIQ(t(I、α伯及び翻パルス性にお
いて、従来のIn −Ga合金電極と比較して、勝ると
も劣らない優れた特性を示し、In−Ga合金電極と同
等のオーム性接触電極が得られることが解る。また、耐
パルス性が優れていることからも明らかなように、信頼
性も非常に高くなっている。
以I:述へたように、本発明に係る導電性組成物は、銀
及びホウ素を含有することを特徴とするから、半導体磁
器に対して、半田付は性、接着強塵及び電、気菌特性が
良好で、信頼性の高い安価なオーミック性または準オー
ミック性電極を形成し得る導電性組成物及び電極形成方
法を提供することかできる。
及びホウ素を含有することを特徴とするから、半導体磁
器に対して、半田付は性、接着強塵及び電、気菌特性が
良好で、信頼性の高い安価なオーミック性または準オー
ミック性電極を形成し得る導電性組成物及び電極形成方
法を提供することかできる。
Claims (3)
- (1) 銀及びホウ素を含有することを特徴とする導
電性組成物。 - (2) ガラスフリントを含有することを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の導電性組成物。 - (3) 銀粉末及びホウ素粉末及びガラスフリント粉末
を有機質ビヒクル中に分散せしめたペーストを半導体磁
器に塗布した後、焼付は処理を行なうことを特徴とする
半導体磁器の電極形成ノコ法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8530682A JPS58201202A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 半導体磁器用導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8530682A JPS58201202A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 半導体磁器用導電性ペースト |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3053287A Division JPH04211101A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 電圧非直線性抵抗素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58201202A true JPS58201202A (ja) | 1983-11-24 |
JPH0415563B2 JPH0415563B2 (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=13854908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8530682A Granted JPS58201202A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 半導体磁器用導電性ペースト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58201202A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01276537A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 厚膜導体及び薄膜導体の接続方法並びにプラズマ放電発光装置 |
EP0761617A1 (en) * | 1995-09-05 | 1997-03-12 | Cookson Matthey Ceramics Plc | Method and composition for forming electrically conducting silver tracks on glass |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5329383A (en) * | 1976-09-01 | 1978-03-18 | Sanshin Kasei Kk | Plywood of alminium and plastic plate |
JPS5585439A (en) * | 1978-09-18 | 1980-06-27 | Toshiba Corp | Glass adhering conductor paste |
-
1982
- 1982-05-20 JP JP8530682A patent/JPS58201202A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5329383A (en) * | 1976-09-01 | 1978-03-18 | Sanshin Kasei Kk | Plywood of alminium and plastic plate |
JPS5585439A (en) * | 1978-09-18 | 1980-06-27 | Toshiba Corp | Glass adhering conductor paste |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01276537A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 厚膜導体及び薄膜導体の接続方法並びにプラズマ放電発光装置 |
EP0761617A1 (en) * | 1995-09-05 | 1997-03-12 | Cookson Matthey Ceramics Plc | Method and composition for forming electrically conducting silver tracks on glass |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0415563B2 (ja) | 1992-03-18 |
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