JPS58201202A - 半導体磁器用導電性ペースト - Google Patents
半導体磁器用導電性ペーストInfo
- Publication number
- JPS58201202A JPS58201202A JP8530682A JP8530682A JPS58201202A JP S58201202 A JPS58201202 A JP S58201202A JP 8530682 A JP8530682 A JP 8530682A JP 8530682 A JP8530682 A JP 8530682A JP S58201202 A JPS58201202 A JP S58201202A
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- JP
- Japan
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- semiconductor porcelain
- electrode
- conductive composition
- semiconductor
- alloy
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- Conductive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主として、を導体磁器の電極形成に使用され
る導電性組成物及びその電極形成方法に関する。
る導電性組成物及びその電極形成方法に関する。
半導体磁器は、ｉＥの抵抗温度係数を有するＩＦ特性半
導体磁器、負の抵抗温度係数を有する負特性半導体磁器
または印加電圧により抵抗値の変化する電圧非直線性半
導体磁器等、電子部品としての有用性が非常に高いもの
である。このような半導体磁器を電子部品として用いる
には、磁器素体の表面に電極を形成することが必要であ
る。従来、磁器コンデンサで代表される磁器電子部品に
おいて、′１１Ｌ極を形成する場合、銀Ａｇの焼付けま
たはニラクルＮｉｌの無電解メッキ等が一般的であった
。しかしながら、半導体磁器において、八８の焼付は処
理によって電極を形成するＬ′；電極と半導体界面との
間に電位障壁層が形成され、半導体磁？ 器内体の持つ電気的特性が、電極形成により半減してし
まう欠点がある。しかもこのような電位障壁は、電気的
或は熱的に弱い場合が多く、特に半田付は時等によって
特性が劣化し、信頼性が悪くなる等の欠点を生じる。
導体磁器、負の抵抗温度係数を有する負特性半導体磁器
または印加電圧により抵抗値の変化する電圧非直線性半
導体磁器等、電子部品としての有用性が非常に高いもの
である。このような半導体磁器を電子部品として用いる
には、磁器素体の表面に電極を形成することが必要であ
る。従来、磁器コンデンサで代表される磁器電子部品に
おいて、′１１Ｌ極を形成する場合、銀Ａｇの焼付けま
たはニラクルＮｉｌの無電解メッキ等が一般的であった
。しかしながら、半導体磁器において、八８の焼付は処
理によって電極を形成するＬ′；電極と半導体界面との
間に電位障壁層が形成され、半導体磁？ 器内体の持つ電気的特性が、電極形成により半減してし
まう欠点がある。しかもこのような電位障壁は、電気的
或は熱的に弱い場合が多く、特に半田付は時等によって
特性が劣化し、信頼性が悪くなる等の欠点を生じる。
この電位障壁層の形成による欠点を除去する手段として
、半導体磁器に対してオーミック性電極を形成する方法
が試みられている。オーミック性電極の形成方法として
は、半導体磁器の表面にＩｎ−Ｇａ合金を塗り付ける方
法、Ｉｎ−Ｇａ合金をａ踵波ろう付けする方法、半導体
磁器に対してＮｉ無電解メッキ処理を行なった後に、３
００〜５００℃の温度条件で熱処理を行なう方法、また
はＡｇペースト中にＩｎ−Ｇａ合金を分散させたペース
トを半導体磁器に塗布し、４００〜５５０°Ｃの低温で
焼付は処理を行なう方法等が知られている。
、半導体磁器に対してオーミック性電極を形成する方法
が試みられている。オーミック性電極の形成方法として
は、半導体磁器の表面にＩｎ−Ｇａ合金を塗り付ける方
法、Ｉｎ−Ｇａ合金をａ踵波ろう付けする方法、半導体
磁器に対してＮｉ無電解メッキ処理を行なった後に、３
００〜５００℃の温度条件で熱処理を行なう方法、また
はＡｇペースト中にＩｎ−Ｇａ合金を分散させたペース
トを半導体磁器に塗布し、４００〜５５０°Ｃの低温で
焼付は処理を行なう方法等が知られている。
しかしながら、Ｉｎ −Ｇａ合金を塗布し或は超ｆ￥波
ろう付けする方法では、高価なガリウムＧａを使用する
ためコスト高になること、Ｉｎ−Ｇａ合金が低融点であ
るため電極に対して半田付けができないこと、半導体磁
器に対する接着強度が極めて弱いこと等の欠点がある。
ろう付けする方法では、高価なガリウムＧａを使用する
ためコスト高になること、Ｉｎ−Ｇａ合金が低融点であ
るため電極に対して半田付けができないこと、半導体磁
器に対する接着強度が極めて弱いこと等の欠点がある。
次に、Ａｇペースト中にＩｎ−Ｇａ合金を分散させたペ
ーストを塗布焼付けする方法は、焼付は時にＩｎ−Ｇａ
合金が酸化されるため半Ｈ１付けができないこと、低温
焼イ・１けのため半導体磁器に対する接着強度が弱いこ
と、ガリウムＧａを使用するためコスト高になること等
の欠点がある。
ーストを塗布焼付けする方法は、焼付は時にＩｎ−Ｇａ
合金が酸化されるため半Ｈ１付けができないこと、低温
焼イ・１けのため半導体磁器に対する接着強度が弱いこ
と、ガリウムＧａを使用するためコスト高になること等
の欠点がある。
更にＮ１無電解メッキ方法は、無電解メッキ後の熱処理
によって電極表面が酸化され、半田イ・１け性が悪くな
ること、形成される電極の厚みが薄くかつＮｉの固有抵
抗値が比較的大きいため電極面の抵抗が大きくなること
、メッキ液への浸漬によって半導体磁器素体が悪影響を
受けること等の欠点かある。
によって電極表面が酸化され、半田イ・１け性が悪くな
ること、形成される電極の厚みが薄くかつＮｉの固有抵
抗値が比較的大きいため電極面の抵抗が大きくなること
、メッキ液への浸漬によって半導体磁器素体が悪影響を
受けること等の欠点かある。
本発明は上述する従来の欠点を除去し、崖−導体磁器に
対して、半田付は性、接着強度及び電気的特性が良好で
、信頼性の高い安価なオーミック性または準オーミック
性電極を形成し得る導電性組成物及び電極形成方法を提
供することを目的とする。
対して、半田付は性、接着強度及び電気的特性が良好で
、信頼性の高い安価なオーミック性または準オーミック
性電極を形成し得る導電性組成物及び電極形成方法を提
供することを目的とする。
ト記目的を達成するため、本発明に係る導電性組成物は
、銀及びホウ素を含有することを特徴とする。
、銀及びホウ素を含有することを特徴とする。
この導電性組成物を使用して、半導体磁器に電極を形成
するには、銀Ａｇ粉末及びホウ素粉末Ｂを、ガラスフリ
ット粉末と共に有機質ビヒクル中に分散せしめてペース
トを調製し、このペーストをスクリーン印刷等の周知の
手段によって半導体磁器に塗布した後、焼付は処理を行
なう。焼付は処理は７００℃程度の温度条件で行なうの
が望ましい。
するには、銀Ａｇ粉末及びホウ素粉末Ｂを、ガラスフリ
ット粉末と共に有機質ビヒクル中に分散せしめてペース
トを調製し、このペーストをスクリーン印刷等の周知の
手段によって半導体磁器に塗布した後、焼付は処理を行
なう。焼付は処理は７００℃程度の温度条件で行なうの
が望ましい。
このようにして形成された電極は、半田付は性が良好で
、半導体磁器に対する接着強度が大きく、かつ半導体磁
器に対して電位障壁を持たないオーミック性電極となり
、半導体磁器自体の持つ電気的特性がそのまま取出され
る。しかも、 ＋Ｘ７＋価な６ａを使用する必要がない
ので、従来のＩｎ−ｆ：＋ａ金合金用いる方法に比べて
安価になる。また、本発明によって得られた電極は、焼
付は温度が７００°Ｃ前後であるから、例えば正特性サ
ーミスタのように、２００℃程度の温度条件で使用され
る半導体磁器においても、従来と異なって、特性か変化
することがない。更に、Ｎ１儒電解メツキの場合と異な
って、メッキ液中へ半導体磁器を浸漬することもないの
で、電極形成工程において半導体磁器が悪影響を受ける
ことがない。このため１本発明によれば、高信頼度のオ
ーミック性極を形成することが可能になる。また、ペー
スト化してスクリーン印刷等の手段によって電極を形成
することかできるので、複雑な形状の電極構造のもので
あっても容易に形成することかできる。
、半導体磁器に対する接着強度が大きく、かつ半導体磁
器に対して電位障壁を持たないオーミック性電極となり
、半導体磁器自体の持つ電気的特性がそのまま取出され
る。しかも、 ＋Ｘ７＋価な６ａを使用する必要がない
ので、従来のＩｎ−ｆ：＋ａ金合金用いる方法に比べて
安価になる。また、本発明によって得られた電極は、焼
付は温度が７００°Ｃ前後であるから、例えば正特性サ
ーミスタのように、２００℃程度の温度条件で使用され
る半導体磁器においても、従来と異なって、特性か変化
することがない。更に、Ｎ１儒電解メツキの場合と異な
って、メッキ液中へ半導体磁器を浸漬することもないの
で、電極形成工程において半導体磁器が悪影響を受ける
ことがない。このため１本発明によれば、高信頼度のオ
ーミック性極を形成することが可能になる。また、ペー
スト化してスクリーン印刷等の手段によって電極を形成
することかできるので、複雑な形状の電極構造のもので
あっても容易に形成することかできる。
次に実施例を上げて本発明の内容を更に具体的に説明す
る。
る。
Ａｇ粉末１００部、ガラスフリット粉末３部及びイｊ機
買上ヒクル４５部の組成比に対し５Ｂ粉末の混合割合を
変えて各ペーストを調製した。これらのペーストをＴｉ
Ｏ２を主成分とする半導体磁器の表面に塗布し、空気中
で７００℃の温度条件で焼イ４け、電圧非直線性抵抗素
子を得た。こうして得られた電圧非直線性抵抗素子の特
性評価を、Ｔｎ−Ｇａ合金電極を形成した電圧非直線性
抵抗素子のそれと比較して、表１に示しである。
買上ヒクル４５部の組成比に対し５Ｂ粉末の混合割合を
変えて各ペーストを調製した。これらのペーストをＴｉ
Ｏ２を主成分とする半導体磁器の表面に塗布し、空気中
で７００℃の温度条件で焼イ４け、電圧非直線性抵抗素
子を得た。こうして得られた電圧非直線性抵抗素子の特
性評価を、Ｔｎ−Ｇａ合金電極を形成した電圧非直線性
抵抗素子のそれと比較して、表１に示しである。
表１において、ＥＩＯは電圧非直線性抵抗素イに１０ｍ
Ａの電流が流れた時、素子の両端に現われる電圧である
。αは電圧非直線性係数であり１次の式から算出される
。
Ａの電流が流れた時、素子の両端に現われる電圧である
。αは電圧非直線性係数であり１次の式から算出される
。
α＝１ ／ （ｌｏｇ ＥＩＱ／Ｅｌ ）但しＥｌは素
子に１ｍＡの電流を流した時の電圧 電極強度は粘着テープによるピーリングテストによって
測定した。また耐パルス性は０−１００Ｖ（ビーク仙）
のパルスを１０サイクル印加した場合のＥＩＱ値の変化
を百分率で示しである。
子に１ｍＡの電流を流した時の電圧 電極強度は粘着テープによるピーリングテストによって
測定した。また耐パルス性は０−１００Ｖ（ビーク仙）
のパルスを１０サイクル印加した場合のＥＩＱ値の変化
を百分率で示しである。
焼イ・ｊけ７１！Ｊ＆；７００°Ｃ
表１から明らかなように、本発明に係る導電性組成物で
電極を形成した試料ＮＯ２〜８は、従来のＩｎ−Ｇａ合
金電極としたものと比較して、゛電極強度が非常に高く
なる。しかもＥＩＱ（ｔ（Ｉ、α伯及び翻パルス性にお
いて、従来のＩｎ −Ｇａ合金電極と比較して、勝ると
も劣らない優れた特性を示し、Ｉｎ−Ｇａ合金電極と同
等のオーム性接触電極が得られることが解る。また、耐
パルス性が優れていることからも明らかなように、信頼
性も非常に高くなっている。
電極を形成した試料ＮＯ２〜８は、従来のＩｎ−Ｇａ合
金電極としたものと比較して、゛電極強度が非常に高く
なる。しかもＥＩＱ（ｔ（Ｉ、α伯及び翻パルス性にお
いて、従来のＩｎ −Ｇａ合金電極と比較して、勝ると
も劣らない優れた特性を示し、Ｉｎ−Ｇａ合金電極と同
等のオーム性接触電極が得られることが解る。また、耐
パルス性が優れていることからも明らかなように、信頼
性も非常に高くなっている。
以Ｉ：述へたように、本発明に係る導電性組成物は、銀
及びホウ素を含有することを特徴とするから、半導体磁
器に対して、半田付は性、接着強塵及び電、気菌特性が
良好で、信頼性の高い安価なオーミック性または準オー
ミック性電極を形成し得る導電性組成物及び電極形成方
法を提供することかできる。
及びホウ素を含有することを特徴とするから、半導体磁
器に対して、半田付は性、接着強塵及び電、気菌特性が
良好で、信頼性の高い安価なオーミック性または準オー
ミック性電極を形成し得る導電性組成物及び電極形成方
法を提供することかできる。
Claims (3)
- （１） 銀及びホウ素を含有することを特徴とする導
電性組成物。 - （２） ガラスフリントを含有することを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の導電性組成物。 - （３） 銀粉末及びホウ素粉末及びガラスフリント粉末
を有機質ビヒクル中に分散せしめたペーストを半導体磁
器に塗布した後、焼付は処理を行なうことを特徴とする
半導体磁器の電極形成ノコ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8530682A JPS58201202A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 半導体磁器用導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8530682A JPS58201202A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 半導体磁器用導電性ペースト |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3053287A Division JPH04211101A (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | 電圧非直線性抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58201202A true JPS58201202A (ja) | 1983-11-24 |
| JPH0415563B2 JPH0415563B2 (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=13854908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8530682A Granted JPS58201202A (ja) | 1982-05-20 | 1982-05-20 | 半導体磁器用導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58201202A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01276537A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 厚膜導体及び薄膜導体の接続方法並びにプラズマ放電発光装置 |
| EP0761617A1 (en) * | 1995-09-05 | 1997-03-12 | Cookson Matthey Ceramics Plc | Method and composition for forming electrically conducting silver tracks on glass |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329383A (en) * | 1976-09-01 | 1978-03-18 | Sanshin Kasei Kk | Plywood of alminium and plastic plate |
| JPS5585439A (en) * | 1978-09-18 | 1980-06-27 | Toshiba Corp | Glass adhering conductor paste |
-
1982
- 1982-05-20 JP JP8530682A patent/JPS58201202A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329383A (en) * | 1976-09-01 | 1978-03-18 | Sanshin Kasei Kk | Plywood of alminium and plastic plate |
| JPS5585439A (en) * | 1978-09-18 | 1980-06-27 | Toshiba Corp | Glass adhering conductor paste |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01276537A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 厚膜導体及び薄膜導体の接続方法並びにプラズマ放電発光装置 |
| EP0761617A1 (en) * | 1995-09-05 | 1997-03-12 | Cookson Matthey Ceramics Plc | Method and composition for forming electrically conducting silver tracks on glass |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0415563B2 (ja) | 1992-03-18 |
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