JPS61183902A - 半導体磁器電子部品、導電性組成物及び半導体磁器の電極形成方法 - Google Patents
半導体磁器電子部品、導電性組成物及び半導体磁器の電極形成方法Info
- Publication number
- JPS61183902A JPS61183902A JP60024099A JP2409985A JPS61183902A JP S61183902 A JPS61183902 A JP S61183902A JP 60024099 A JP60024099 A JP 60024099A JP 2409985 A JP2409985 A JP 2409985A JP S61183902 A JPS61183902 A JP S61183902A
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- Japan
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- electrode
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- Ceramic Capacitors (AREA)
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、バリスタ、サーミスタ等で代表される半導体
磁器電子部品、この半導体磁器電子部品の電極形成用と
して使用される導電性Ｍｉ成物及びこの導電性組成物に
よる電極形成方法に関する。
磁器電子部品、この半導体磁器電子部品の電極形成用と
して使用される導電性Ｍｉ成物及びこの導電性組成物に
よる電極形成方法に関する。
本発明は、半導体磁器に電極を形成する場合に。
銀及びガリウムを含有させることにより、良好なオーム
性接触及び高い信頼性の電極を、量産性良く形成できる
ようにしたものである。
性接触及び高い信頼性の電極を、量産性良く形成できる
ようにしたものである。
従来の技術
従来、磁器コンデンサで代表される磁器電子部品におい
て、電極を形成する場合、銀粉末とガラスフリントと有
機質ビヒクルとから成る銀ペーストを使用し、これを磁
器素体に塗布焼付するのが一般的であった。しかしなが
ら、半導体磁器において、銀ペースト焼付は処理によっ
て電極を形成すると、電極と半導体界面との間に電位障
壁層が形成され、半導体磁器自体の持つ電気的特性が、
電極形成により半減してしまう欠点がある。しかもこの
ような電位障壁は、電気的或は熱的に弱い場合が多く、
特に半田付は時等によって特性が劣化し、信頼性が悪く
なる等の欠点を生じる。
て、電極を形成する場合、銀粉末とガラスフリントと有
機質ビヒクルとから成る銀ペーストを使用し、これを磁
器素体に塗布焼付するのが一般的であった。しかしなが
ら、半導体磁器において、銀ペースト焼付は処理によっ
て電極を形成すると、電極と半導体界面との間に電位障
壁層が形成され、半導体磁器自体の持つ電気的特性が、
電極形成により半減してしまう欠点がある。しかもこの
ような電位障壁は、電気的或は熱的に弱い場合が多く、
特に半田付は時等によって特性が劣化し、信頼性が悪く
なる等の欠点を生じる。
この電位障壁層の形成による欠点を除去する手段として
、半導体磁器に対してオーム性接触電極を形成する方法
が試みられている。その従来例を次に示す。
、半導体磁器に対してオーム性接触電極を形成する方法
が試みられている。その従来例を次に示す。
（イ）Ｉｎ−Ｇａ合金を塗布し或は超音波ろう付けする
方法。
方法。
（ロ）半導体磁器に対し、表面に近づく程、Ｉｎまたは
Ｉｎ−Ｇａの濃度が増加する構造の電極を形成する方法
（西ドイツ特許第１４９０７１３号）。
Ｉｎ−Ｇａの濃度が増加する構造の電極を形成する方法
（西ドイツ特許第１４９０７１３号）。
（ハ） Ａｇペースト中にＩｎ−Ｇａ合金を分散させた
ペーストを半導体磁器に塗布し、４００〜５５０℃の低
温で焼付は処理を行なう方法（西ドイツ特許第１６６５
８８０号）。
ペーストを半導体磁器に塗布し、４００〜５５０℃の低
温で焼付は処理を行なう方法（西ドイツ特許第１６６５
８８０号）。
（ニ）半導体磁器に対してＮｉ無電解メッキ処理を行な
った後に、３００〜５００℃の温度条件で熱処理を行な
う方法。
った後に、３００〜５００℃の温度条件で熱処理を行な
う方法。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、Ｉｎ−Ｇａ合金を塗布し或は超音波ろう
付けする方法、及びＡｇペースト中にＩｎ−Ｇａ合金を
分散させたペーストを塗布焼付けする方法で得られたオ
ーム性接触電極は、Ｉｎ−Ｇａ合金が低融点であるため
、半導体磁器に対する接着強度が極めて弱いこと、電極
が複雑なパターンとなる場合には、適用できないこと等
の問題点がある。
付けする方法、及びＡｇペースト中にＩｎ−Ｇａ合金を
分散させたペーストを塗布焼付けする方法で得られたオ
ーム性接触電極は、Ｉｎ−Ｇａ合金が低融点であるため
、半導体磁器に対する接着強度が極めて弱いこと、電極
が複雑なパターンとなる場合には、適用できないこと等
の問題点がある。
更にＮｉ無電解メッキ方法は、無電解メッキ後の熱処理
によって電極表面が酸化され、半田付は性が悪くなるこ
と、形成される電極の厚みが薄くかつ旧の固有抵抗値が
比較的大きいため電極面の抵抗が大きくなること、メッ
キ液への浸漬によって半導体磁器素体が悪影響を受ける
こと等の欠点がある。
によって電極表面が酸化され、半田付は性が悪くなるこ
と、形成される電極の厚みが薄くかつ旧の固有抵抗値が
比較的大きいため電極面の抵抗が大きくなること、メッ
キ液への浸漬によって半導体磁器素体が悪影響を受ける
こと等の欠点がある。
本発明は上述する従来の欠点を除去し、接着強度及び電
気的特性が良好で、信頼性の高いオーム性接触電極を有
する半導体磁器電子部品、このような半導体磁器電子を
得るのに好適な導電性組成物及びこの導電性組成物を用
いた電極形成方法を提供することを目的とする。
気的特性が良好で、信頼性の高いオーム性接触電極を有
する半導体磁器電子部品、このような半導体磁器電子を
得るのに好適な導電性組成物及びこの導電性組成物を用
いた電極形成方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
上述する従来の問題点を解決するため、本発明に係る半
導体磁器電子部品は、オーム性接触電極を有する半導体
磁器電子部品において、前記電極は、銀、ガリウム及び
ニッケルを含有することを特徴とする。
導体磁器電子部品は、オーム性接触電極を有する半導体
磁器電子部品において、前記電極は、銀、ガリウム及び
ニッケルを含有することを特徴とする。
上記のオーム性接触電極を形成するに当って、本発明に
おいては、銀粉末、ガリウム及びニッケルを含有する導
電性組成物を用いる。
おいては、銀粉末、ガリウム及びニッケルを含有する導
電性組成物を用いる。
そして、銀粉末、ガリウム及びニッケルを含有する前記
導電性組成物を、ガラスフリット粉末とともに有機質ビ
ヒクルに分散せしめて導電性ペーストを調製し、このペ
ーストをスクリーン印刷等の手段によって半導体磁器に
塗布し、その後に焼付、処理を行なうことにより、電極
を形成する。焼付処理は３００℃〜７００℃の温度条件
で行なうのが −望ましい。
導電性組成物を、ガラスフリット粉末とともに有機質ビ
ヒクルに分散せしめて導電性ペーストを調製し、このペ
ーストをスクリーン印刷等の手段によって半導体磁器に
塗布し、その後に焼付、処理を行なうことにより、電極
を形成する。焼付処理は３００℃〜７００℃の温度条件
で行なうのが −望ましい。
このようにして形成された電極は、電位障壁を持たない
オーム性接触電極となり、半導体磁器自体の持つ電気的
特性がそのまま取出される。しかも、半導体磁器に対す
る接着強度も大きく、かつ、Ｎｉ無電解メッキの場合と
異なって、メッキ液中へ半導体磁器を浸漬することもな
いので、電極形成工程において半導体磁器が悪影響を受
けることがない。このため、本発明によれば、高信頼度
のオーム性接触電極を有する半導体磁器電子部品を提供
することができる。
オーム性接触電極となり、半導体磁器自体の持つ電気的
特性がそのまま取出される。しかも、半導体磁器に対す
る接着強度も大きく、かつ、Ｎｉ無電解メッキの場合と
異なって、メッキ液中へ半導体磁器を浸漬することもな
いので、電極形成工程において半導体磁器が悪影響を受
けることがない。このため、本発明によれば、高信頼度
のオーム性接触電極を有する半導体磁器電子部品を提供
することができる。
また、本発明に係る導電性組成物は、ペースト化してス
クリーン印刷等の手段によって電極を形成することがで
きるので、複雑な形状の電極構造のものであっても容易
に形成することができる。
クリーン印刷等の手段によって電極を形成することがで
きるので、複雑な形状の電極構造のものであっても容易
に形成することができる。
次に実施例を上げて本発明の内容を更に具体的に説明す
る。
る。
実施例
Ａｇ粉末；１００重量部、ガラスフリット粉末；２重量
部及び有機質ビヒクル：４５重量部の組成比に対し、
Ｇａ、 Ｎｉ粉末の混合割合を変えて各ペーストを調製
した。これらのペーストを５ｒＴｉ０３を主成分とする
半導体磁器の表面に塗布し、空気中で８２０”Ｃ！の温
度条件で焼付け、電圧非直線性抵抗素子を得た。こうし
て得られた電圧非直線性抵抗素子の特性評価を、Ｎｉ無
電解メッキ法による電極を形成した電圧非直線性抵抗素
子のそれと比較して、表１に示しである。
部及び有機質ビヒクル：４５重量部の組成比に対し、
Ｇａ、 Ｎｉ粉末の混合割合を変えて各ペーストを調製
した。これらのペーストを５ｒＴｉ０３を主成分とする
半導体磁器の表面に塗布し、空気中で８２０”Ｃ！の温
度条件で焼付け、電圧非直線性抵抗素子を得た。こうし
て得られた電圧非直線性抵抗素子の特性評価を、Ｎｉ無
電解メッキ法による電極を形成した電圧非直線性抵抗素
子のそれと比較して、表１に示しである。
また、Ａｇ粉末；１００重量部、Ｇａ粉末；１０重量部
、旧粉末；２重量部、ガラスフリット粉末；２重量部、
有機質ビヒクル：４５重量部の組成比のものについて、
焼付温度を変えたときの特性評価を表２に示しである。
、旧粉末；２重量部、ガラスフリット粉末；２重量部、
有機質ビヒクル：４５重量部の組成比のものについて、
焼付温度を変えたときの特性評価を表２に示しである。
表１．２において、ＥＩＯは電圧非直線性抵抗素子にｌ
ｏｍＡの電流が流れた時、素子の両端に現われる電圧で
ある。αは電圧非直線性係数であり、次の式から算出さ
れる。
ｏｍＡの電流が流れた時、素子の両端に現われる電圧で
ある。αは電圧非直線性係数であり、次の式から算出さ
れる。
α＝］ ／ （ｌｏｇ Ｅ＋ｏ／Ｅ＋ ）但しＥｌは素
子に１ｍＡの電流を流した時の電圧 電極強度は粘着テープによるピーリングテストによって
測定した。また耐パルス性はＯ→５０Ｖ（ピーク値）の
パルスを１０サイクル印加した場合のＥＩＯ値の変化を
百分率で示しである。
子に１ｍＡの電流を流した時の電圧 電極強度は粘着テープによるピーリングテストによって
測定した。また耐パルス性はＯ→５０Ｖ（ピーク値）の
パルスを１０サイクル印加した場合のＥＩＯ値の変化を
百分率で示しである。
表 １
表 ２
凡例 × ； 弱い
Δ ； やや弱い
０ ； 強い
表１から明らかなように、本発明に係る導電性組成物及
び電極形成法によって電極を形成した試料Ｎ００２〜６
．９〜１２は、従来のＮ１無電解メアギ電極と比較して
、同等以上のオーム性接触特性を示していることが解る
。特に、試料Ｎ００２〜５．９〜１１のものは、電極強
度も非常に高くなっている。
び電極形成法によって電極を形成した試料Ｎ００２〜６
．９〜１２は、従来のＮ１無電解メアギ電極と比較して
、同等以上のオーム性接触特性を示していることが解る
。特に、試料Ｎ００２〜５．９〜１１のものは、電極強
度も非常に高くなっている。
また、Ｇａ；２５重量部、Ｎｉ；２０重量部以以上含有
させた試料Ｎ０８６．１３は、オーム性接触特性は良好
なものの、電極強度が低く、実用上、問題となる。
させた試料Ｎ０８６．１３は、オーム性接触特性は良好
なものの、電極強度が低く、実用上、問題となる。
次に表２かられかるように、Ａｇ粉末：１００重量部、
Ｇａ粉末；１０重量部、旧粉末；２重量部の割合で含有
させた本発明組成範囲の試料Ｎ００４においても、焼付
温度が３００℃未満であると、電極強度が低くなり、ま
た、７００℃を超過すると、ＥＩＯ値が高くなり、対パ
ルス性も１０％以上の変化を示すようになり、実用性が
失われる。つまり、本発明に係る導電性組成物を含有す
る導電性ペーストを使用して電極を形成する場合、Ａｇ
量；１００重量部、Ｇａｆｉ；２〜２０重鼠部、旧量；
０．１−１０重量部の範囲とし、３００〜７００℃の温
度条件で焼付は処理を行なうことにより、実用上、良好
な特性が得られることが解る。
Ｇａ粉末；１０重量部、旧粉末；２重量部の割合で含有
させた本発明組成範囲の試料Ｎ００４においても、焼付
温度が３００℃未満であると、電極強度が低くなり、ま
た、７００℃を超過すると、ＥＩＯ値が高くなり、対パ
ルス性も１０％以上の変化を示すようになり、実用性が
失われる。つまり、本発明に係る導電性組成物を含有す
る導電性ペーストを使用して電極を形成する場合、Ａｇ
量；１００重量部、Ｇａｆｉ；２〜２０重鼠部、旧量；
０．１−１０重量部の範囲とし、３００〜７００℃の温
度条件で焼付は処理を行なうことにより、実用上、良好
な特性が得られることが解る。
なお、本発明の導電性組成物により形成されたオーム性
接触電極は、半田付性が従来の銀電極に比べて悪くなる
が、半田付けの必要な場合は、本発明によって形成され
た電極の半田付は領域上等に、銀電極を形成することに
よって容易に解決できるので１問題はない。
接触電極は、半田付性が従来の銀電極に比べて悪くなる
が、半田付けの必要な場合は、本発明によって形成され
た電極の半田付は領域上等に、銀電極を形成することに
よって容易に解決できるので１問題はない。
発明の効果
以上述べたように、本発明は、半導体磁器に対して銀を
主成分とする電極を形成する場合に、ガリウム及びニー
２ケルを含有させることにより、接着強度及び電気的特
性が良好で、熱的に安定な信頼性の高いオーム性接触電
極を持つ半導体磁器電子部品、このような半導体磁器電
子部品を得るのに好適な導電性組成物及び電極形成方法
を提供することができる。
主成分とする電極を形成する場合に、ガリウム及びニー
２ケルを含有させることにより、接着強度及び電気的特
性が良好で、熱的に安定な信頼性の高いオーム性接触電
極を持つ半導体磁器電子部品、このような半導体磁器電
子部品を得るのに好適な導電性組成物及び電極形成方法
を提供することができる。
Claims (8)
- （１）オーム性接触電極を有する半導体磁器電子部品に
おいて、前記電極は、銀、ガリウム及びニッケルを含有
することを特徴とする半導体磁器電子部品。 - （２）前記電極は、ガラスを含有することを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の半導体磁器電子部品。 - （３）前記電極は、銀１００重量部に対し、ガリウムを
２〜２０重量部、ニッケルを０．１〜１０重量部含有す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
に記載の半導体磁器電子部品。 - （４）銀粉末、ガリウム及びニッケルを含有することを
特徴とする導電性組成物。 - （５）ガラスフリットを含有することを特徴とする特許
請求の範囲第４項に記載の導電性組成物。 - （６）銀粉末１００重量部に対し、ガリウムを２〜２０
重量部、ニッケルを０．１〜１０重量部含有することを
特徴とする特許請求の範囲第４項または第５項に記載の
導電性組成物。 - （７）銀粉末、ガリウム、ニッケル及びガラスフリット
を有機質ビヒクル中に分散せしめた導電性ペーストを、
半導体磁器に塗布し、３００℃〜７００℃の温度条件で
焼付処理を行なうことを特徴とする半導体磁器の電極形
成方法。 - （８）前記導電性ペーストは、前記銀粉末１００重量部
に対し前記ガリウムを２〜２０重量部、前記ニッケルを
０．１〜１０重量部の範囲で含有させたものでなること
を特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の半導体磁器
の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60024099A JPH0756841B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 半導体磁器電子部品、導電性組成物及び半導体磁器電子部品の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60024099A JPH0756841B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 半導体磁器電子部品、導電性組成物及び半導体磁器電子部品の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183902A true JPS61183902A (ja) | 1986-08-16 |
| JPH0756841B2 JPH0756841B2 (ja) | 1995-06-14 |
Family
ID=12128922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60024099A Expired - Lifetime JPH0756841B2 (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 半導体磁器電子部品、導電性組成物及び半導体磁器電子部品の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0756841B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5173288A (en) * | 1974-12-20 | 1976-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | n gatasankabutsuseramitsukuhandotaino denkyokuzairyo |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP60024099A patent/JPH0756841B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5173288A (en) * | 1974-12-20 | 1976-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | n gatasankabutsuseramitsukuhandotaino denkyokuzairyo |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0756841B2 (ja) | 1995-06-14 |
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