JPH02306606A - 半導体磁器電子部品および導電性組成物 - Google Patents
半導体磁器電子部品および導電性組成物Info
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- JPH02306606A JPH02306606A JP1126719A JP12671989A JPH02306606A JP H02306606 A JPH02306606 A JP H02306606A JP 1126719 A JP1126719 A JP 1126719A JP 12671989 A JP12671989 A JP 12671989A JP H02306606 A JPH02306606 A JP H02306606A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はバリスタ、サーミスタ等で代表される半導体磁
器電子部品および、その電極用導電性組成物に関するも
のである。
器電子部品および、その電極用導電性組成物に関するも
のである。
〔従来の技術及び、発明が解決しようとする課題〕従来
、半導体磁器電子部品においては、オーム性電極として
Ａｇ−Ｉｎ、 Ａｇ−Ｇａ、八ｇ−１ｎ Ｇａ、 Ａ
ｇ−Ｚｎ−５ｂ−ＡＩ、 Ａｇ−５ｎ、 ＡＩ、 Ｚｎ
、 Ｓｎ、 Ｃｕ、 Ｎｉ等を焼き付けにより構成した
ものや、Ｎｉ無電界メッキにより形成したものがある。
、半導体磁器電子部品においては、オーム性電極として
Ａｇ−Ｉｎ、 Ａｇ−Ｇａ、八ｇ−１ｎ Ｇａ、 Ａ
ｇ−Ｚｎ−５ｂ−ＡＩ、 Ａｇ−５ｎ、 ＡＩ、 Ｚｎ
、 Ｓｎ、 Ｃｕ、 Ｎｉ等を焼き付けにより構成した
ものや、Ｎｉ無電界メッキにより形成したものがある。
しかしながら、前記焼き付けによる電極においては、強
度を受は持つガラス組成により電気的特性、電極強度が
左右され、その最良組成範囲が狭いなどの不具合があり
、また、Ｎｌ無電界メッキの場合、下地電極がメッキ液
に浸食されるという問題点があった。
度を受は持つガラス組成により電気的特性、電極強度が
左右され、その最良組成範囲が狭いなどの不具合があり
、また、Ｎｌ無電界メッキの場合、下地電極がメッキ液
に浸食されるという問題点があった。
さらに、上記焼き付けで電極形成するオーム性電極にお
いてＡＩ、 Ｚｎ、八ｇ−Ｚｎ、 Ａｇ−Ａｌ、 Ａｇ
−５ｎなどの卑金属を混合したペーストを使用する場合
、一般にガラスとして８□０ｌ−５ｉＯ１−ＰｂＯ，Ｂ
ｉｇＯ＋系ガラスが使用されているが、この場合Ｚｎ、
Ａ１． Ｓｎはガラス中のＰｂＯ＋ Ｂｔｚ０３を還
元しＺｎ、 Ａｔ、 Ｓｎは酸化されるため、電極強度
が小さくなる現象や初期電気特性が悪くなる場合が多々
あった。
いてＡＩ、 Ｚｎ、八ｇ−Ｚｎ、 Ａｇ−Ａｌ、 Ａｇ
−５ｎなどの卑金属を混合したペーストを使用する場合
、一般にガラスとして８□０ｌ−５ｉＯ１−ＰｂＯ，Ｂ
ｉｇＯ＋系ガラスが使用されているが、この場合Ｚｎ、
Ａ１． Ｓｎはガラス中のＰｂＯ＋ Ｂｔｚ０３を還
元しＺｎ、 Ａｔ、 Ｓｎは酸化されるため、電極強度
が小さくなる現象や初期電気特性が悪くなる場合が多々
あった。
本発明は、上述する従来の欠点を除去し、オーム性接触
を有する金属が酸化されに＜＜、電気的特性が良好で、
電極強度（接着強度）の高いオーム性電極を有する半導
体磁器電子部品および、その電極用導電性組成物を提供
することを目的とするものである。
を有する金属が酸化されに＜＜、電気的特性が良好で、
電極強度（接着強度）の高いオーム性電極を有する半導
体磁器電子部品および、その電極用導電性組成物を提供
することを目的とするものである。
本発明は、オーム性接触電極、を有する半導体磁器電子
部品において、前記電極がＡｇとＺｎ、＾ｌ、 Ｇａ等
のオーム性接触する性質を有する金属元素の少なくとも
一種類以上とを含有する焼き付け電極であって、Ｚｎと
同じか又は、これよりも酸化されやすいＳｒ等の金属の
酸化物を主成分とするガラスを含有することを特徴とす
る半導体磁器電子部品である。
部品において、前記電極がＡｇとＺｎ、＾ｌ、 Ｇａ等
のオーム性接触する性質を有する金属元素の少なくとも
一種類以上とを含有する焼き付け電極であって、Ｚｎと
同じか又は、これよりも酸化されやすいＳｒ等の金属の
酸化物を主成分とするガラスを含有することを特徴とす
る半導体磁器電子部品である。
また、本発明は、ＡＭ粉末とＺｎ、 ＡＩ、 Ｇａ等の
オーム性接触する性質を有する金属元素の少なくとも一
種類以上の粉末とを含有し、Ｚｎと同じが又は、これよ
りも酸化されやすいＳｒ等の金属の酸化物とを主成分と
するガラス粉末を含有することを特徴とする導電性組成
物である。
オーム性接触する性質を有する金属元素の少なくとも一
種類以上の粉末とを含有し、Ｚｎと同じが又は、これよ
りも酸化されやすいＳｒ等の金属の酸化物とを主成分と
するガラス粉末を含有することを特徴とする導電性組成
物である。
本発明の半導体磁器電子部品において電極を形成するに
は、半導体磁器表面に上記金属粉末とガラス粉末を含有
するペーストを塗布し、大気中で焼き付ける。
は、半導体磁器表面に上記金属粉末とガラス粉末を含有
するペーストを塗布し、大気中で焼き付ける。
はんだ付け性を確保するためには、上記ペーストを塗布
乾燥後、Ａ、を主成分としたペーストを塗布し乾燥して
、大気中で焼き付ける。
乾燥後、Ａ、を主成分としたペーストを塗布し乾燥して
、大気中で焼き付ける。
本発明に係わるＺｎ、 Ｓｒなどの酸化されやすい金属
の酸化物を主成分としたガラスを含有するペーストによ
り電極を半導体電子部品に形成することによって、鉛ガ
ラスを使用した場合と比較し電気特性、電極強度につい
て著しい向上が見られる（第１表を参照）。
の酸化物を主成分としたガラスを含有するペーストによ
り電極を半導体電子部品に形成することによって、鉛ガ
ラスを使用した場合と比較し電気特性、電極強度につい
て著しい向上が見られる（第１表を参照）。
次に、実施例により本発明についてさらに具体的に説明
する。
する。
（実施例１）
ＳｒＴｉＯｓ系のバリスタ用半導体磁器に従来使用され
ているＰｂＯ系、 Ｂｉ２Ｏ３系゛ガラスを使用したＡ
ｇ−Ｚｎ、 Ａｇ−Ａｌ、へｇ−Ｇａ＆ｌｌ成のペース
トを塗布したものと、本発明に係わるＺｎＯあるいはＳ
ｒＯを主成分とするガラスを使用したペーストを塗布し
たものとを用意し、さらにａｇを主成分とするペースト
を塗布しＡｇ−”Ｚｎ、 Ａｇ−Ｇａは６００℃で、Ａ
ｇ−Ａｌは８００℃でそれぞれ１０ｓｉｎ大気中で焼き
付けた（バリスタ素地）。
ているＰｂＯ系、 Ｂｉ２Ｏ３系゛ガラスを使用したＡ
ｇ−Ｚｎ、 Ａｇ−Ａｌ、へｇ−Ｇａ＆ｌｌ成のペース
トを塗布したものと、本発明に係わるＺｎＯあるいはＳ
ｒＯを主成分とするガラスを使用したペーストを塗布し
たものとを用意し、さらにａｇを主成分とするペースト
を塗布しＡｇ−”Ｚｎ、 Ａｇ−Ｇａは６００℃で、Ａ
ｇ−Ａｌは８００℃でそれぞれ１０ｓｉｎ大気中で焼き
付けた（バリスタ素地）。
このようにして得られたバリスタ素子の電気特性及び電
極強度を評価した。その結果を第１表に示す。また、第
１表には比較のためオーム性金属の代表であるＩｎ −
Ｇａのバリスタ特性を示した。なお、各ガラスの組成は
第２表に示すとおりである。
極強度を評価した。その結果を第１表に示す。また、第
１表には比較のためオーム性金属の代表であるＩｎ −
Ｇａのバリスタ特性を示した。なお、各ガラスの組成は
第２表に示すとおりである。
以下余白
第２表
試料１１ｍ１〜６は、従来のガラスを使用したものであ
り、７〜１２は本発明に係わるガラスを使用したもので
ある。
り、７〜１２は本発明に係わるガラスを使用したもので
ある。
第１表において、Ｅｒａはバリスタ素子にＬＯｍ＾の電
流が流れたときに素子の両端に現れる電圧である。αは
電圧非直線係数であり、次式から算出される。
流が流れたときに素子の両端に現れる電圧である。αは
電圧非直線係数であり、次式から算出される。
ｌｏｇ（Ｅ ｏ／ Ｅ＋）
ここでＥｌは、素子に１ｍＡの電流を流したときの電圧
である。
である。
電極強度は、φ０．５ ｔｍのリード線を２４０℃の共
晶はんだで電極面に並行につけ、リード線を引き剥がす
ように引っ張ったときの最大荷重である。
晶はんだで電極面に並行につけ、リード線を引き剥がす
ように引っ張ったときの最大荷重である。
第１表から明らかなように、従来のガラスを使用した試
料は、Ｅｌ。の値がＩｎ −Ｇａに比べ大きいか、ある
いは電極強度が小さくなっており、バリスタ特性と電極
強度が共に良好となるものはなかった。
料は、Ｅｌ。の値がＩｎ −Ｇａに比べ大きいか、ある
いは電極強度が小さくなっており、バリスタ特性と電極
強度が共に良好となるものはなかった。
一方、本発明に係わる試料魚７〜１２については、電極
強度も太きくＥ、。値もＩｎ −Ｇａとほぼ同じ値を示
し、いずれも良好である。
強度も太きくＥ、。値もＩｎ −Ｇａとほぼ同じ値を示
し、いずれも良好である。
（実施例２）
次に、導電性組成物を八ｇ、 Ｚｎ、 ＺｎＯ系ガラス
に固定しガラス添加量を変化させた場合の電気特性及び
電極強度について評価した（６００′ｃ１０ｍｉｎ、大
気中焼き付け）。
に固定しガラス添加量を変化させた場合の電気特性及び
電極強度について評価した（６００′ｃ１０ｍｉｎ、大
気中焼き付け）。
その結果を第３表に示した。
以下余白
第３表
本発明に係わるガラスを使用したものでは、ガス添加量
が１ｗｔ％〈試料ｍｌ ３）から比較的電極強度も良好
でかつ、電気特性も良好である。但し、ガラス添加量が
５０ｗｔ％を超えると電極強度が多少弱（なっている、
そして、ガラス添加量が５〜３４ｗｔ％では、電気特性
及び電極強度が最も良好となっている。
が１ｗｔ％〈試料ｍｌ ３）から比較的電極強度も良好
でかつ、電気特性も良好である。但し、ガラス添加量が
５０ｗｔ％を超えると電極強度が多少弱（なっている、
そして、ガラス添加量が５〜３４ｗｔ％では、電気特性
及び電極強度が最も良好となっている。
以上の結果から、Ｚｎの代゛わりにＡＩやＧａを使用し
た場合も同様の結果が得られ、また、ＺｎＯ系ガラスの
代わりにＳｒＯ系ガラスを使用した場合も同様の結果が
得られるものである。
た場合も同様の結果が得られ、また、ＺｎＯ系ガラスの
代わりにＳｒＯ系ガラスを使用した場合も同様の結果が
得られるものである。
（発明の効果〕
以上述べたように本発明では、オーム性接触を有する半
導体磁器電子部品の電極におい°ζ、Ａｇ粉末とＺｎ，
Ａｌ，Ｇａ等のオーム性接触する性質を有する金属元素
の少なくとも一種類以上の粉末とを含有し、Ｚｎと同じ
か又は、これよりも酸化されやすいＳ「等の金属の酸化
物とを主成分とするガラス粉末を含有することにより従
来のガラスを使用したものに比べて、その電気的特性に
おいても電極強度においても良好なものを容易に得るこ
とができ、またガラス組成も広い範囲に設定でき、電極
形成の量産性にも優れたものとなるなどの効果がある。
導体磁器電子部品の電極におい°ζ、Ａｇ粉末とＺｎ，
Ａｌ，Ｇａ等のオーム性接触する性質を有する金属元素
の少なくとも一種類以上の粉末とを含有し、Ｚｎと同じ
か又は、これよりも酸化されやすいＳ「等の金属の酸化
物とを主成分とするガラス粉末を含有することにより従
来のガラスを使用したものに比べて、その電気的特性に
おいても電極強度においても良好なものを容易に得るこ
とができ、またガラス組成も広い範囲に設定でき、電極
形成の量産性にも優れたものとなるなどの効果がある。
Claims (2)
- （１）オーム性接触電極を有する半導体磁器電子部品に
おいて、前記電極がＡｇとＺｎ，Ａｌ，Ｇａ等のオーム
性接触する性質を有する金属元素の少なくとも一種類以
上とを含有する焼き付け電極であって、Ｚｎと同じか又
は、これよりも酸化されやすいＳｒ等の金属の酸化物を
主成分とするガラスを含有することを特徴とする半導体
磁器電子部品。 - （２）Ａｇ粉末とＺｎ，Ａｌ，Ｇａ等のオーム性接触す
る性質を有する金属元素の少なくとも一種類以上の粉末
とを含有し、Ｚｎと同じか又は、これよりも酸化されや
すいＳｒ等の金属の酸化物とを主成分とするガラス粉末
を含有することを特徴とする導電性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126719A JPH02306606A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 半導体磁器電子部品および導電性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126719A JPH02306606A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 半導体磁器電子部品および導電性組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02306606A true JPH02306606A (ja) | 1990-12-20 |
Family
ID=14942176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1126719A Pending JPH02306606A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 半導体磁器電子部品および導電性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02306606A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114393A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Taiyo Yuden Co Ltd | バリスタ及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58201201A (ja) * | 1982-05-20 | 1983-11-24 | ティーディーケイ株式会社 | 電圧非直線性抵抗素子 |
| JPS61112301A (ja) * | 1984-11-06 | 1986-05-30 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線抵抗体用電極材料 |
| JPS62290105A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線抵抗体用電極材料 |
-
1989
- 1989-05-22 JP JP1126719A patent/JPH02306606A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58201201A (ja) * | 1982-05-20 | 1983-11-24 | ティーディーケイ株式会社 | 電圧非直線性抵抗素子 |
| JPS61112301A (ja) * | 1984-11-06 | 1986-05-30 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線抵抗体用電極材料 |
| JPS62290105A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-17 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線抵抗体用電極材料 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114393A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Taiyo Yuden Co Ltd | バリスタ及びその製造方法 |
| TWI416547B (zh) * | 2008-11-10 | 2013-11-21 | Taiyo Yuden Kk | Rheostat and its manufacturing method |
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