JPH10106346A - 銀系導体ペースト - Google Patents

銀系導体ペースト

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JPH10106346A
JPH10106346A JP28016196A JP28016196A JPH10106346A JP H10106346 A JPH10106346 A JP H10106346A JP 28016196 A JP28016196 A JP 28016196A JP 28016196 A JP28016196 A JP 28016196A JP H10106346 A JPH10106346 A JP H10106346A
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JP
Japan
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powder
silver
sio2
weight
plating
Prior art date
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Pending
Application number
JP28016196A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuji Inagaki
克二 稲垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 白金族貴金属の添加量を増やすことなしに高
い信頼性で耐メッキ性を向上させた銀系導体ペーストを
提供しようとするものである。 【構成】 銀粉末を主成分とする導体粉末100重量部
に対して、SiO2粉末を0.03〜4.0重量部加え
た銀系導体ペーストとする。SiO2粉末は、比表面積
が100m2/g以上の微細粉末とすると、耐メッキ性
を害することが無くて好都合である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、チップ抵抗器他
のチップ状電子部品等の様に、基板上に焼結導体膜を固
着させた後に、この焼結導体膜部にメッキ処理が成され
る用途等に用いられ、メッキ性、耐メッキ液性、メッキ
後密着強度等の耐メッキ性が増強された銀系導体ペース
トに関する。
【0002】
【従来の技術】例えばチップ抵抗器等に於いては、基板
上に固着させて設けた焼成抵抗体の両端末部の接続端部
電極として銀系導体ペーストが用いられていた。この
際、焼成抵抗体端部と接続端部電極との間の相性を良く
し、耐メッキ性等を得る為に、銀系導体ペーストの中に
パラジウム等の白金族貴金属を多量に含有させていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この様に、チップ抵抗
器等においては、後処理でメッキが施される為、メッキ
性、耐メッキ液性やメッキ後の密着強度等の耐メッキ性
は、製品の信頼性を保つ上で大変重要であるが、従来の
様に白金族貴金属の量を増すだけの構成では、分散不良
等の要因で突発的に不良を生じてしまうことがあった。
また、コスト的にも当然不利であった。そこでこの発明
は、徒に白金族貴金属を増量することなく高い信頼性で
耐メッキ性を向上させた銀系導体ペーストを提供するこ
とを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】この発明の目的は、銀粉
末を主成分とする導体粉末100重量部と、SiO2
末0.03〜4.0重量部と、ガラスフリットと、これ
らを分散保持する有機ビヒクルとを含む銀系導体ペース
トによって達成できる。この発明の目的は、SiO2
末粒子の比表面積が100m2/g以上である「請求項
1」の銀系導体ペーストによって達成できる。
【0005】
【発明の実施の形態】この発明によれば、任意の粒子径
の銀粉末を主成分とする導体粉末100重量部に対し
て、0.03重量部から4.0重量部の微細粉末粒子か
ら成るSiO2粉末を加えた銀系導体ペーストとする。
この銀系導体ペーストを焼成すると、微細粉末粒子から
成るSiO2粉末が一様に溶解して、導体粉末の焼結粒
子間を埋める程度の薄いガラス状のSiO2被膜が形成
されるため、メッキ液の焼結膜内への浸入が阻止され
る。SiO2粉末粒子の比表面積が100m2/g以上の
微細粉末であると、メッキ液が浸入するような粗雑な被
膜を形成することが無く、また焼結導体部分へのメッキ
の付着を阻害することが無くて好都合である。尚、4.
0%を越える量のSiO2粉末を加えると、焼結膜表面
のSiO2被膜面積が広くなり、金属粒子露出面積が少
なくなるため、メッキ性が悪くなり、焼結導体表面とメ
ッキ膜との界面で剥離を起こし易くなる。
【0006】
【実施例1】銀粉末100重量部と、SiO2粉末0.
5重量部と、PbO−SiO2系ガラスフリットと、エ
チルセルローズ樹脂とターピネオイルからなる有機ビヒ
クルとを混合して三本ロールに所定回数かけて分散させ
た後、粘度を調整してこの実施例の銀系導体ペーストを
得た。
【0007】この銀系導体ペーストを用いて、25mm角
の96%アルミナ基板上に導体パターンをスクリーン印
刷して乾燥後、コンベア炉に入れて850゜Cで焼成して
複数のテストピースを得た。先ず、一つのテストピース
をニッケルメッキ(ワット浴)した後半田メッキ(AS
浴)して、その付き具合を肉眼で観察した所、メッキ性
は良好であった。次いで、メッキを施したテストピース
を220゜Cに保持した2Ag/62Sn/36Pb半田
溶解層に5秒間浸漬した後、0.6mmφ半田メッキ軟導
線を半田付けし、この軟導線を90度折り曲げて引っ張
り、ピール方式によりメッキ後の焼結導体膜の密着強度
を測定した所、4.2m2/2mm□であった。又、耐メ
ッキ液性を評価すべく、テストピースを10%塩酸液に
12分間浸漬後、半田付けしたものの密着強度を測定す
ると4.8m2/2mm□であり、24分間浸漬した場合
は4.5m2/2mm□であった。
【0008】
【実施例2】銀粉末98重量部と、パラジウム粉末2重
量部と、SiO2粉末0.05重量部とを用い、実施例
1と同様にしてこの実施例の銀系導体ペーストを得、基
板上に導体パターンを焼成したテストピースを複数作
り、評価してみると、メッキ性は良好、メッキ後の密着
強度は4.0m2/2mm□、10%塩酸液12分間浸漬
後の密着強度は4.7m2/2mm□、24分間浸漬後の
密着強度は4.3m2/2mm□であった。
【0009】
【実施例3】銀粉末98重量部と、パラジウム粉末2重
量部と、SiO2粉末0.5重量部とを用意して、実施
例1と同様にしてこの実施例の銀系導体ペーストを得、
パターン焼成したテストピースを作って評価した所、メ
ッキ性は良好、メッキ後の密着強度は4.3m2/2mm
□、10%塩酸液12分間浸漬後の密着強度は4.8m
2/2mm□、24分間浸漬後の密着強度は4.4m2/2
mm□であった。
【0010】
【実施例4】銀粉末98重量部と、パラジウム粉末2重
量部と、SiO2粉末1.0重量部とを用いたこの実施
例の銀系導体ペーストを作り、これを用いた複数のテス
トピースを用意して評価した所、メッキ性は良好、メッ
キ後の密着強度は4.2m2/2mm□、10%塩酸液1
2分間浸漬後の密着強度は4.8m2/2mm□、24分
間浸漬後の密着強度は4.5m2/2mm□であった。
【0011】
【実施例5】銀粉末98重量部と、パラジウム粉末2重
量部と、SiO2粉末4.0重量部とを用いてこの実施
例の銀系導体ペーストを作り、テストピースを用意して
評価した所、メッキ性は良好、メッキ後の密着強度は
3.2m2/2mm□、10%塩酸液12分間浸漬後の密
着強度は5.1m2/2mm□、24分間浸漬後の密着強
度は4.6m2/2mm□であった。
【0012】
【比較例1】銀粉末98重量部と、パラジウム粉末2重
量部と、SiO2粉末5.0重量部とを用いて実施例1
と同様にして銀系導体ペーストを得、テストピースを作
って評価した所、メッキは付かない部分がありメッキ性
不良であった。又、メッキ後の密着強度は2.1m2
2mm□、10%塩酸液12分間浸漬後の密着強度は3.
5m2/2mm□、24分間浸漬後の密着強度は3.0m2
/2mm□と好ましくない値であった。これは、SiO2
粉末の添加量が4.0重量部を越えると、焼結膜表面部
に存在するSiO2溶融物が多すぎて焼結導体表面積が
少なくなりメッキ性が悪くなるためと思われる。
【0013】
【比較例2】銀粉末98重量部と、パラジウム粉末2重
量部を用い、SiO2粉末を用いないで銀系導体ペース
トを作り、テストピースを用意して評価した所、メッキ
性は良好なものの、メッキ後の密着強度は2.8m2
2mm□、10%塩酸液12分間浸漬後の密着強度は3.
7m2/2mm□と好ましく無く、24分間浸漬後にあっ
ては剥離してしまった。この例と、実施例2とを比較す
るに、SiO2粉末を0.05重量部添加しただけで密
着強度が格段に向上することが判る。
【0014】
【発明の効果】以上の通りこの発明によれば、微細粉末
粒子から成るなSiO2粉末を少量添加することによ
り、焼結膜部に適度な被膜が形成されて耐メッキ性が向
上するため、白金族貴金属などを多量に添加せずに、高
い信頼性でかつ経済的に耐メッキ性を向上させた銀系導
体ペーストを提供できる効果が得られる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 銀粉末を主成分とする導体粉末100重
    量部と、SiO2粉末0.03〜4.0重量部と、ガラ
    スフリットと、これらを分散保持する有機ビヒクルとを
    含む銀系導体ペースト。
  2. 【請求項2】 SiO2粉末粒子の比表面積が100m2
    /g以上である「請求項1」の銀系導体ペースト。
JP28016196A 1996-09-30 1996-09-30 銀系導体ペースト Pending JPH10106346A (ja)

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JP28016196A JPH10106346A (ja) 1996-09-30 1996-09-30 銀系導体ペースト

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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