JPH0588746B2 - - Google Patents
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- JPH0588746B2 JPH0588746B2 JP60159240A JP15924085A JPH0588746B2 JP H0588746 B2 JPH0588746 B2 JP H0588746B2 JP 60159240 A JP60159240 A JP 60159240A JP 15924085 A JP15924085 A JP 15924085A JP H0588746 B2 JPH0588746 B2 JP H0588746B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
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- Conductive Materials (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は、厚膜Cuペースト用の導電性組成物、
更に詳しくは、半田濡れ性と引張り強度に優れた
厚膜Cuペースト用の導電性組成物に関する。 〔発明の背景〕 厚膜導電ペーストとして、Auペースト、Ag・
Pbペーストは各種分野に用いられているが、こ
れ等貴金属ペーストは比較的高価である。これに
対し、Cuを主成分とするCuペーストは、N2雰囲
気中等の不活性雰囲気中で焼成する必要はある
が、安価で導電性が高く、誘電体上にも製膜可能
で、半田付けもでき半田により金属間化合物を生
成する等の利点があり、導電性ペーストのコスト
ダウンを計る上で有力な材料である。 このCuペーストのうち、Cu粉末、ガラスフリ
ツト、有機ビヒクルからなる所謂ガラスボンドタ
イプのペーストは、ガラスと基板との接合力で導
電パターンを基板上に被着させるものであるが、
一般にガラス成分が導電パターン表面に浮上り易
く、半田濡れ性(半田付け性)を劣化させる上、
基板との接着強度にも問題がある。 そこで、半田濡れ性と接着強度の改善のため
に、ガラスボンドタイプのCuペーストにBi2O3を
添加・混入することが、一部で試みられており、
且つ発明者等もこれを試みたが、Bi2O3の添加量
を、導電性組成物(有機溶剤に分散・混入前の組
成物)の5wt%程度以上としなければ、半田濡れ
性と接着強度の充分な改善が見られないものであ
つた。しかしながら、Bi2O3の添加量が増すと、
Cu粉末の全体に占める割合が低下して必然的に
シート抵抗値の増大を招いて、導電率を低下させ
るという欠点を招来する。また、Bi2O3は半田付
け時の加熱によつて、 2Bi2O3+3Sn→4Bi+3SnO3 の酸化ビスマス還元反応が徐々に進行して、接着
強度を劣化させる上、導電パターン内のガラスネ
ツトワークを脆弱化させ易いという欠点もあり、
Bi2O3の添加量を多くすることには、信頼性の点
で問題があることは否めなかつた。 〔発明の目的〕 本発明は上記の点に鑑み成されたもので、Bi2
O3等の添加量をさほどまで増大させることなく
して充分な導電性を保証し、且つ、半田濡れ性
と、引張り強度(接着強度)の良好な、厚膜Cu
ペースト用の導電性組成物を提供するにある。 〔発明の概要〕 本発明者等は、種々検討の結果、添加物として
Bi2O3とSb2O3とを所定比率で添加することによ
つて上記の目的が達成されることを見出した。本
発明の導電性組成物は、92wt%以上のCu粉末と、
1.5〜2.0wt%のガラスフリツトと、3.0〜4.5wt%
のBi2O3および0.05〜1.0wt%のSb2O3を含有して
なる添加物とからなる(前記添加物はV2O5を含
まない)ものである。 〔発明の実施例〕 本発明に用いられる導電性組成物の主成分とな
るCu粉末は、(有機ビヒクルを含まない)導電性
組成物に対し92wt%以上、望ましくは、93〜
95.45wt%とされる。これはCu成分が多い程導電
率が良好となるからであり、また、Cu粉末の粒
径は、0.3〜1.5μmの範囲のものが選定され、必要
に応じ粒径の異なるCu粉末が調合して用いられ
る。 ガラスボンデイングのためのガラスフリツトと
しては、ホウケイ酸鉛ガラスに代表される各種低
融点ガラスが適用可能で、例えば、PbO−SiO2
−B2O3系ガラス、PbO−SiO2系ガラス、PbO−
B2O3−ZnO系ガラス、ZnO−B2O3系ガラス等々
を用いることができるが、望ましくは、ガラスフ
リツト全体に対し、PbOが50wt%以上含まれた
ものが選択される。また、該ガラスフリツトの軟
化点(Softening Point)は、低い温度のものが
選定され、後述する本発明の厚膜Cuペーストの
焼成温度から見て、その軟化点が250〜400℃低い
範囲のものが選定される。これは、比重の大きい
PbOが多く、且つ軟化点が低いと、焼成時に導電
パターン内部でガラス成分の基板側への沈下・流
動が相当に期待できるからである。また、このガ
ラスフリツトは、導電性組成物全体に対し、1.5
〜2.0wt%の割合とされる。 半田付け性、接着強度改善のために添加される
Bi2O3およびSb2O3は、前者が導電性組成物全体
に対し、3.0〜4.5wt%の割合に、また、後者が
0.05〜1.0wt%の割合とされ、各々は、粒径2μm
以下のものが用いられ、導電率を相当に高いもの
とするときには、Sb2O3は0.2wt%以下とされる。 即ち、本発明の導電性組成物は、上記した重量
比のCu粉末、ガラスフリツト、Bi2O3、Sb2O3が
混合され、これに必要に応じて、微量の分散剤、
消泡剤が添加されて調合される。そして、このよ
うに作製された導電性組成物100重量部に対して、
有機ビヒクルを12〜16重量部加えて、有機ビヒク
ル中に導電性組成物を分散・混合して、導電ペー
ストとされる。この導電ペーストは、スクリーン
印刷・乾燥後、ピーク温度830〜950℃で焼成され
る。 上記した本発明による導電性組成物を用いた導
電ペーストを焼成して得られた導電パターンは、
充分な導電性と、良好な半田濡れ性、引張り強度
を示し、これは、全体としてCu粉末の含有率を
大きくできること、Bi2O3、Sb2O3が焼成時に溶
融し、この両酸化物の溶融によつてガラス成分の
粘度が低下して、ガラス成分が基板側へ移行し易
くなり、導電パターン表面部にガラス成分が殆ん
ど浮き上らないこと等が相俟つてなるものと推測
される。即ち、上記Bi2O3とSb2O3との融点M.P
と沸点B.Pと焼成温度との関係は、 M.P<焼成温度<B.P の関係にあり、両者はガラス成分の軟化と共に、
一部ガラスに溶け込むように作用する。よつて、
ガラス成分が基板側に集中して、充分な接着強度
を保証すると共に、この反作用として導電パター
ン表面には金属成分(Cu)が集中することにな
つて充分な半田濡れ性を保証する。勿論、この
際、前述したガラスフリツト自体の成分・軟化点
も重要なフアクターとなり、望ましくは、前述し
た条件が満たされる。 一方、この半田付け性と接着強度の向上と、導
電性の向上とは相反する関係にあり、Bi2O3と
Sb2O3を多くすると、導電性は劣下する。従つ
て、本発明においては、Bi2O3は3.0〜4.5wt%と
される。これはBi2O3が多いと前述した従来欠点
が露呈するからである。そして、Bi2O3の不足分
を補うものとして、Sb2O3が0.05〜1.0wt%添加さ
れる。このSb2O3はBi2O3との協働で両酸化物を
合わせて見ても比較的少い量で(Bi2O3を単独で
半田付け性と接着強度向上のための添加剤とした
ものに比して)、半田付け性と接着強度の改善が
なされる。しかし、Sb2O3は1.0wt%を越えると、
シート抵抗を3mΩ/□/15μm以上とすることが
実験で確認され(勿論、この程度でも、Ag−Pb
ペーストに比してはるかに良好なものであるが)、
Cuペーストに本来求められるべき高導電率を満
足させるには、1.0wt%以下、望ましくは、0.2wt
%以下であることが実験で確認された。 また、導電ペーストの焼成温度も重要なフアク
ターとなり、830℃以上であると、Cu粒子同志の
結合が良好となつて、シート抵抗値を、約
2.6mΩ/□/15μm以下として、充分な導電性を
満足させることが確認された。また、焼成温度が
950℃以下であると、高温加熱によるガラス成分
の導電パターン表面への浮上りも少なく、さほど
まで半田付け性を劣化させることがないことが確
認された。 (実施例 1) Cu粉末として、粒径0.77μm、比表面積0.68
m2/g、タツプ密度3.61g/c.c.の三井金属鉱業(株)
製のS−841201PNを、94.6wt%、ガラスフリツ
トとして、旭硝子(株)製の低融点ガラス、ASF−
1370(ガラスフリツト全体を100重量部として、
B2O3が10、PbOが50、SiO2が35、Al2O3が5重
量部で、軟化点が600℃)を、1.77wt%、Bi2O3
を3.55wt%、Sb2O3を0.06wt%とし、微量の分散
剤を添加した導電性組成物を調合した。調合に際
しては、ガラスフリツト、Bi2O3粉末、Sb2O3粉
末をボールミルで8時間以上粉砕した後、Cu粉
末を加えて導電性組成物とし、これを、α−テル
ピネオールにエチルセルロースを溶解させた有機
ビヒクルに混合し、三本ロールミルにて充分混
合・分散して導電ペーストを作製した。この有機
ビヒクルは、導電性組成物100重量部に対して、
14.2重量部とした。 上記のように作製した導電ペーストを、京セラ
(株)製の96%アルミナ基板上に、200メツシユステ
ンレススクリーンで、スキージ硬度60、ギヤツプ
0.4mm、印刷スピード40mm/sec、印圧4Kgの印刷
条件で、導電パターンを形成し、10分間レベリン
グした後、120℃で20〜30分乾燥した。これを、
850℃、900℃、930℃の各ピーク焼成温度で、ピ
ーク温度保持時間を5〜10分とし、昇温速度を約
40℃/minとし、60分プロフイルで焼成した。ま
た、焼成後の導電パターンの膜厚は13〜15μmと
した。この導電パターンのシート抵抗値を4端子
法による電圧値の読み取りで行ない、引張り強度
試験を、2mm□の導電パターン上に0.8φの折曲げ
スズメツキ銅線を半田付けしてこれを引剥すピー
ル試験法を行なつた。また、半田濡れ性試験のた
め、千住金属(株)製のクリーム半田、SPT−2063
を用いてこれを印刷し、これをリフロー条件、ピ
ーク230±10℃、200℃以上のアツプ時間を30〜
60secとして半田付けを行ない、導電パターン表
面の半田付け状態を拡大観察した。 以上による実験結果は、下記の表−1の通り
で、
更に詳しくは、半田濡れ性と引張り強度に優れた
厚膜Cuペースト用の導電性組成物に関する。 〔発明の背景〕 厚膜導電ペーストとして、Auペースト、Ag・
Pbペーストは各種分野に用いられているが、こ
れ等貴金属ペーストは比較的高価である。これに
対し、Cuを主成分とするCuペーストは、N2雰囲
気中等の不活性雰囲気中で焼成する必要はある
が、安価で導電性が高く、誘電体上にも製膜可能
で、半田付けもでき半田により金属間化合物を生
成する等の利点があり、導電性ペーストのコスト
ダウンを計る上で有力な材料である。 このCuペーストのうち、Cu粉末、ガラスフリ
ツト、有機ビヒクルからなる所謂ガラスボンドタ
イプのペーストは、ガラスと基板との接合力で導
電パターンを基板上に被着させるものであるが、
一般にガラス成分が導電パターン表面に浮上り易
く、半田濡れ性(半田付け性)を劣化させる上、
基板との接着強度にも問題がある。 そこで、半田濡れ性と接着強度の改善のため
に、ガラスボンドタイプのCuペーストにBi2O3を
添加・混入することが、一部で試みられており、
且つ発明者等もこれを試みたが、Bi2O3の添加量
を、導電性組成物(有機溶剤に分散・混入前の組
成物)の5wt%程度以上としなければ、半田濡れ
性と接着強度の充分な改善が見られないものであ
つた。しかしながら、Bi2O3の添加量が増すと、
Cu粉末の全体に占める割合が低下して必然的に
シート抵抗値の増大を招いて、導電率を低下させ
るという欠点を招来する。また、Bi2O3は半田付
け時の加熱によつて、 2Bi2O3+3Sn→4Bi+3SnO3 の酸化ビスマス還元反応が徐々に進行して、接着
強度を劣化させる上、導電パターン内のガラスネ
ツトワークを脆弱化させ易いという欠点もあり、
Bi2O3の添加量を多くすることには、信頼性の点
で問題があることは否めなかつた。 〔発明の目的〕 本発明は上記の点に鑑み成されたもので、Bi2
O3等の添加量をさほどまで増大させることなく
して充分な導電性を保証し、且つ、半田濡れ性
と、引張り強度(接着強度)の良好な、厚膜Cu
ペースト用の導電性組成物を提供するにある。 〔発明の概要〕 本発明者等は、種々検討の結果、添加物として
Bi2O3とSb2O3とを所定比率で添加することによ
つて上記の目的が達成されることを見出した。本
発明の導電性組成物は、92wt%以上のCu粉末と、
1.5〜2.0wt%のガラスフリツトと、3.0〜4.5wt%
のBi2O3および0.05〜1.0wt%のSb2O3を含有して
なる添加物とからなる(前記添加物はV2O5を含
まない)ものである。 〔発明の実施例〕 本発明に用いられる導電性組成物の主成分とな
るCu粉末は、(有機ビヒクルを含まない)導電性
組成物に対し92wt%以上、望ましくは、93〜
95.45wt%とされる。これはCu成分が多い程導電
率が良好となるからであり、また、Cu粉末の粒
径は、0.3〜1.5μmの範囲のものが選定され、必要
に応じ粒径の異なるCu粉末が調合して用いられ
る。 ガラスボンデイングのためのガラスフリツトと
しては、ホウケイ酸鉛ガラスに代表される各種低
融点ガラスが適用可能で、例えば、PbO−SiO2
−B2O3系ガラス、PbO−SiO2系ガラス、PbO−
B2O3−ZnO系ガラス、ZnO−B2O3系ガラス等々
を用いることができるが、望ましくは、ガラスフ
リツト全体に対し、PbOが50wt%以上含まれた
ものが選択される。また、該ガラスフリツトの軟
化点(Softening Point)は、低い温度のものが
選定され、後述する本発明の厚膜Cuペーストの
焼成温度から見て、その軟化点が250〜400℃低い
範囲のものが選定される。これは、比重の大きい
PbOが多く、且つ軟化点が低いと、焼成時に導電
パターン内部でガラス成分の基板側への沈下・流
動が相当に期待できるからである。また、このガ
ラスフリツトは、導電性組成物全体に対し、1.5
〜2.0wt%の割合とされる。 半田付け性、接着強度改善のために添加される
Bi2O3およびSb2O3は、前者が導電性組成物全体
に対し、3.0〜4.5wt%の割合に、また、後者が
0.05〜1.0wt%の割合とされ、各々は、粒径2μm
以下のものが用いられ、導電率を相当に高いもの
とするときには、Sb2O3は0.2wt%以下とされる。 即ち、本発明の導電性組成物は、上記した重量
比のCu粉末、ガラスフリツト、Bi2O3、Sb2O3が
混合され、これに必要に応じて、微量の分散剤、
消泡剤が添加されて調合される。そして、このよ
うに作製された導電性組成物100重量部に対して、
有機ビヒクルを12〜16重量部加えて、有機ビヒク
ル中に導電性組成物を分散・混合して、導電ペー
ストとされる。この導電ペーストは、スクリーン
印刷・乾燥後、ピーク温度830〜950℃で焼成され
る。 上記した本発明による導電性組成物を用いた導
電ペーストを焼成して得られた導電パターンは、
充分な導電性と、良好な半田濡れ性、引張り強度
を示し、これは、全体としてCu粉末の含有率を
大きくできること、Bi2O3、Sb2O3が焼成時に溶
融し、この両酸化物の溶融によつてガラス成分の
粘度が低下して、ガラス成分が基板側へ移行し易
くなり、導電パターン表面部にガラス成分が殆ん
ど浮き上らないこと等が相俟つてなるものと推測
される。即ち、上記Bi2O3とSb2O3との融点M.P
と沸点B.Pと焼成温度との関係は、 M.P<焼成温度<B.P の関係にあり、両者はガラス成分の軟化と共に、
一部ガラスに溶け込むように作用する。よつて、
ガラス成分が基板側に集中して、充分な接着強度
を保証すると共に、この反作用として導電パター
ン表面には金属成分(Cu)が集中することにな
つて充分な半田濡れ性を保証する。勿論、この
際、前述したガラスフリツト自体の成分・軟化点
も重要なフアクターとなり、望ましくは、前述し
た条件が満たされる。 一方、この半田付け性と接着強度の向上と、導
電性の向上とは相反する関係にあり、Bi2O3と
Sb2O3を多くすると、導電性は劣下する。従つ
て、本発明においては、Bi2O3は3.0〜4.5wt%と
される。これはBi2O3が多いと前述した従来欠点
が露呈するからである。そして、Bi2O3の不足分
を補うものとして、Sb2O3が0.05〜1.0wt%添加さ
れる。このSb2O3はBi2O3との協働で両酸化物を
合わせて見ても比較的少い量で(Bi2O3を単独で
半田付け性と接着強度向上のための添加剤とした
ものに比して)、半田付け性と接着強度の改善が
なされる。しかし、Sb2O3は1.0wt%を越えると、
シート抵抗を3mΩ/□/15μm以上とすることが
実験で確認され(勿論、この程度でも、Ag−Pb
ペーストに比してはるかに良好なものであるが)、
Cuペーストに本来求められるべき高導電率を満
足させるには、1.0wt%以下、望ましくは、0.2wt
%以下であることが実験で確認された。 また、導電ペーストの焼成温度も重要なフアク
ターとなり、830℃以上であると、Cu粒子同志の
結合が良好となつて、シート抵抗値を、約
2.6mΩ/□/15μm以下として、充分な導電性を
満足させることが確認された。また、焼成温度が
950℃以下であると、高温加熱によるガラス成分
の導電パターン表面への浮上りも少なく、さほど
まで半田付け性を劣化させることがないことが確
認された。 (実施例 1) Cu粉末として、粒径0.77μm、比表面積0.68
m2/g、タツプ密度3.61g/c.c.の三井金属鉱業(株)
製のS−841201PNを、94.6wt%、ガラスフリツ
トとして、旭硝子(株)製の低融点ガラス、ASF−
1370(ガラスフリツト全体を100重量部として、
B2O3が10、PbOが50、SiO2が35、Al2O3が5重
量部で、軟化点が600℃)を、1.77wt%、Bi2O3
を3.55wt%、Sb2O3を0.06wt%とし、微量の分散
剤を添加した導電性組成物を調合した。調合に際
しては、ガラスフリツト、Bi2O3粉末、Sb2O3粉
末をボールミルで8時間以上粉砕した後、Cu粉
末を加えて導電性組成物とし、これを、α−テル
ピネオールにエチルセルロースを溶解させた有機
ビヒクルに混合し、三本ロールミルにて充分混
合・分散して導電ペーストを作製した。この有機
ビヒクルは、導電性組成物100重量部に対して、
14.2重量部とした。 上記のように作製した導電ペーストを、京セラ
(株)製の96%アルミナ基板上に、200メツシユステ
ンレススクリーンで、スキージ硬度60、ギヤツプ
0.4mm、印刷スピード40mm/sec、印圧4Kgの印刷
条件で、導電パターンを形成し、10分間レベリン
グした後、120℃で20〜30分乾燥した。これを、
850℃、900℃、930℃の各ピーク焼成温度で、ピ
ーク温度保持時間を5〜10分とし、昇温速度を約
40℃/minとし、60分プロフイルで焼成した。ま
た、焼成後の導電パターンの膜厚は13〜15μmと
した。この導電パターンのシート抵抗値を4端子
法による電圧値の読み取りで行ない、引張り強度
試験を、2mm□の導電パターン上に0.8φの折曲げ
スズメツキ銅線を半田付けしてこれを引剥すピー
ル試験法を行なつた。また、半田濡れ性試験のた
め、千住金属(株)製のクリーム半田、SPT−2063
を用いてこれを印刷し、これをリフロー条件、ピ
ーク230±10℃、200℃以上のアツプ時間を30〜
60secとして半田付けを行ない、導電パターン表
面の半田付け状態を拡大観察した。 以上による実験結果は、下記の表−1の通り
で、
【表】
930℃の焼成条件で、半田付け性に若干問題があ
る以外には、他は総べて良好な結果を示した。こ
こで、○印は、シート抵抗においては、18〜
2.0mΩ/□/15μm以下、半田付け性においては
全面半田被着、引張り強度においては、3〜5
Kg/2mm□以上のものをそれぞれ指している。 (実施例 2) Sb2O3を0.12wt%とし、他は総べて実験例1と
同等の条件で試験を行なつた結果、表−2に示す
ように総べて良好な結果を示した。
る以外には、他は総べて良好な結果を示した。こ
こで、○印は、シート抵抗においては、18〜
2.0mΩ/□/15μm以下、半田付け性においては
全面半田被着、引張り強度においては、3〜5
Kg/2mm□以上のものをそれぞれ指している。 (実施例 2) Sb2O3を0.12wt%とし、他は総べて実験例1と
同等の条件で試験を行なつた結果、表−2に示す
ように総べて良好な結果を示した。
以上詳述したように、本発明の導電性組成物に
よれば、Cu粉末にガラスフリツトを混合した組
成物に、添加物としてBi2O3とSb2O3とを所定比
率で添加したので、半田濡れ性と接着強度が改善
され、かつ良好な導電率が得られる。
よれば、Cu粉末にガラスフリツトを混合した組
成物に、添加物としてBi2O3とSb2O3とを所定比
率で添加したので、半田濡れ性と接着強度が改善
され、かつ良好な導電率が得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 92wt%以上のCu粉末と、1.5〜2.0wt%のガ
ラスフリツトと、3.0〜4.5wt%のBi2O3および
0.05〜1.0wt%のSb2O3を含有してなる添加物とか
らなる (前記添加物はV2O5を含まない) ことを特徴とする導電性組成物。 2 前記ガラスフリツトはPbOを含み、該ガラス
フリツト全体に対し、PbOは50wt%以上配合さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の導電性組成物。 3 前記導電性組成物を用いた導電ペーストの焼
成温度に対し、前記ガラスフリツトの軟化点は、
250〜400℃低い温度であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の導電性組成物。 4 前記導電性組成物を用いた導電ペーストの焼
成温度は、830〜950℃であることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の導電性組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15924085A JPS6220571A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 導電性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15924085A JPS6220571A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 導電性組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6220571A JPS6220571A (ja) | 1987-01-29 |
JPH0588746B2 true JPH0588746B2 (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15689407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15924085A Granted JPS6220571A (ja) | 1985-07-18 | 1985-07-18 | 導電性組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6220571A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2568075B2 (ja) * | 1986-11-20 | 1996-12-25 | 旭硝子株式会社 | 導体用組成物 |
JP2618019B2 (ja) * | 1988-09-22 | 1997-06-11 | 住友金属鉱山株式会社 | メッキ下地用導電性塗料およびそれを用いるメッキ方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61107607A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | 田中マツセイ株式会社 | 導体組成物 |
-
1985
- 1985-07-18 JP JP15924085A patent/JPS6220571A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61107607A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | 田中マツセイ株式会社 | 導体組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6220571A (ja) | 1987-01-29 |
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