JPH0470767B2 - - Google Patents
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- JPH0470767B2 JPH0470767B2 JP17807588A JP17807588A JPH0470767B2 JP H0470767 B2 JPH0470767 B2 JP H0470767B2 JP 17807588 A JP17807588 A JP 17807588A JP 17807588 A JP17807588 A JP 17807588A JP H0470767 B2 JPH0470767 B2 JP H0470767B2
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、セラミツク電子部品用導電性組成物
に関する。詳しくは、本発明は、セラミツク電子
部品用電極の形成に用いられる導電性組成物に関
する。 〔従来の技術〕 電子部品用電極を形成する場合、従来、Ag粉
末に対して8〜30重量%のPd粉末を含有させた
導電性ペーストを用い、Ag/Pdの焼き付け電極
として構成するのが一般的であつた。Ag粉末に
対してPd粉末を含有させる目的は、ハンダ付け
時のハンダ耐熱性を向上させ、銀食われを防止す
ることと、Agのマイグレーシヨンを防止するた
めである。 ところが、セラミツク電子部品の中には、Pd
含有率が高くなると、導電性ペーストの焼き付け
時に、セラミツク素子に焼き付けクラツクを発生
させてしまうことがあつた。しかも、Pd粉末を
含有させる方法をとつても、ハンダ耐熱性が不充
分であり、ハンダ耐熱性を更に向上させるために
は、メツキ処理等の手段により、Ni等の金属層
を形成する必要があつた。 Ag、Pd、Ptを共に含有する導電性組成物とし
ては、ホウケイ酸系ガラスのガラスフリツトと酸
化ビスマスを含有するものとしては、公知である
(特開昭56−52805号)が、これは、ハンダ濡れ
性、密着性の向上を主な目的とするものあるが、
ガラスフリツト等の中に含まれているSiO2及び
Bi2O3がPb系セラミツクス材料のPbOと化合し、
低融点ガラスを形成し表面にガラスが浮き、ハン
ダ付け性が不良になつたり、界面にガラス層を作
り、セラミツク素子との接合不良を起こすという
欠点を内在するものである。また、核粒子表面に
導電性材料をコーテイングした導電性粒子を導電
性ペーストとして利用するときに、その導電性材
料にPt、Pd、Agを含むものが公知である(特開
昭58−178903号)が、これも核粒子として酸化物
を用い、導電性ペーストを安価にし、ハンダ耐熱
性の向上を目的とするものであり、Pb系セラミ
ツクス材料において、ハンダ付け不良ならびにセ
ラミツク素子との接合不良を発生させるという問
題を有するものである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は、以上述べたセラミツク素子の焼き付
けクラツク及びハンダ耐熱性の問題点を除去し、
マイグレーシヨン抑制効果を有し、なお且つ、
PbO系セラミツクス材料にも適用可能な導電性組
成物を提供することを目的にする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、銀系導電性組成物において、銀、パ
ラジウム、白金からなる導電成分の成分比が、銀
80〜94重量%、パラジウム5〜15重量%、白金1
〜5重量%の割合の金属粉末を用い; 無機物として、ZnO20〜50重量%、B2O320〜
60重量%、PbO10〜50重量%からなるガラスフリ
ツトを全体に対して1〜5重量%添加し、金属粉
末とガラスフリツトに対して合計100重量%にな
るようにビヒクルを含有することを特徴とするセ
ラミツク電子部品用導電性組成物である。 〔作 用〕 本発明の銀系セラミツク電子部品用導電性組成
物は、銀、パラジウム、白金からなり、パラジウ
ム成分を一部白金成分が置換することにより、パ
ラジウムによる銀マイグレーシヨン防止と、白金
によるハンダ耐熱性付与効果を有し、且つ、焼き
付けクラツク防止効果をも有するセラミツク電子
部品用導電性組成物を可能にしたものである。同
時に、ガラスフリツトにSiO2及びBi2O3を含有し
ないものを用いることにより、ハンダ付け性劣化
を防止できる。 従来の銀−パラジウム導電性ペーストでは、焼
き付けの際に、セラミツク素子に焼き付けクラツ
クを発生しがちであつたが、パラジウム含有率を
15重量%以下に抑えると発生しなくなつたとい
う、新規な知見に基づいて、本発明が為されたも
のである。また、銀のマイグレーシヨン防止のた
めに、パラジウム成分を単に削減することができ
ないものである。 また、Pb系セラミツクス材料用の電極として
用いる場合には、含有するガラスフリツト等に含
まれるSiO2、Bi2O3が、セラミツクス材料に含ま
れるPbOと化合して低融点ガラスを形成し、ハン
ダ付け性を劣化させる。そのため、本発明のセラ
ミツク電子部品用導電性組成物では、SiO2及び
Bi2O3を含まないフリツト無機物からなるもので
ある。 また、本発明により、白金の添加は、ハンダ耐
熱性に関して、パラジウム添加よりも著しい効果
を奏するものであることを発見したものである。
本発明は、以上のような知見に基づいて為された
ものである。 本発明によるセラミツク電子部品用導電性組成
物は、以上のように、銀くわれを低減し、銀のマ
イグレーシヨンを抑え、且つセラミツク素子への
焼き付け時に焼き付けクラツクの生じない電極形
成用の導電性ペーストを提供するものである。 本発明の組成物において、上記のように組成範
囲を限定した理由が次の通りである。 パラジウムの添加量が5重量%未満では、得ら
れる導電性組成物のハンダ耐熱性が不充分とな
り、また、パラジウムの添加量が、15%を越える
と、セラミツク素子に導電性組成物を焼き付ける
ときに、焼き付けクラツクの発生率が多くなる。
そのため、実用的にパラジウムの添加量は、5〜
15重量%の範囲が好適である。 これに対して、白金成分の添加量は、1重量%
未満では、ハンダ耐熱性が不十分であり、白金成
分の添加量が、5重量%を超えると、焼き付けク
ラツクの低減効果が少ない。そのために、白金成
分の添加量は、1〜5重量%の範囲が好適であ
る。 ガラスフリツトを構成するZnOを20〜50重量%
に限定した理由は、20重量%未満では軟化点が低
くなり、良好なガラス−メタルマトリツクスを形
成し難くなり、50重量%を越えると粘度が高くな
り、且つ脆いガラスとなることによる。また、
B2O3を20〜40重量%の範囲に限定した理由は、
20重量%未満では、ガラス化範囲を越えてしま
い、40重量%を越えると、耐水性が低下するため
である。更に、PbOを10〜50重量%の範囲に限定
した理由は、10重量%未満では、粘度が高まり且
つ脆いガラスとなり、50重量%を越えると、軟化
点が低下し、良好なガラス−メタルマトリツクス
を形成し難くなるためである。このようなガラス
フリツトは、全体に対して、1〜5重量%の範囲
で含有するものにする。即ち、1重量%未満で
は、固着強度が低くなるし、5重量%を越えると
ハンダ付け性が低下するためである。 次に、本発明のセラミツク電子部品用導電性組
成物について、比較例を含めて、その組成配合と
耐熱性を比較し、本発明の組成物配合の実施例を
説明するが、本発明は次の説明に限定されるもの
ではない。 実施例 1 第1表に示す組成割合の金属粉末を76重量%、
B2O354重量%、PbO23重量%、ZnO23重量%の
割合からなるガラスフリツトを2重量%混合し、
これらに対して、合計100重量%になるように、、
エチルセルロースの有機バインダーをブチルカル
ビトールアセテートの溶剤に溶解したビヒクルを
添加して、導電性ペーストを作成した。
に関する。詳しくは、本発明は、セラミツク電子
部品用電極の形成に用いられる導電性組成物に関
する。 〔従来の技術〕 電子部品用電極を形成する場合、従来、Ag粉
末に対して8〜30重量%のPd粉末を含有させた
導電性ペーストを用い、Ag/Pdの焼き付け電極
として構成するのが一般的であつた。Ag粉末に
対してPd粉末を含有させる目的は、ハンダ付け
時のハンダ耐熱性を向上させ、銀食われを防止す
ることと、Agのマイグレーシヨンを防止するた
めである。 ところが、セラミツク電子部品の中には、Pd
含有率が高くなると、導電性ペーストの焼き付け
時に、セラミツク素子に焼き付けクラツクを発生
させてしまうことがあつた。しかも、Pd粉末を
含有させる方法をとつても、ハンダ耐熱性が不充
分であり、ハンダ耐熱性を更に向上させるために
は、メツキ処理等の手段により、Ni等の金属層
を形成する必要があつた。 Ag、Pd、Ptを共に含有する導電性組成物とし
ては、ホウケイ酸系ガラスのガラスフリツトと酸
化ビスマスを含有するものとしては、公知である
(特開昭56−52805号)が、これは、ハンダ濡れ
性、密着性の向上を主な目的とするものあるが、
ガラスフリツト等の中に含まれているSiO2及び
Bi2O3がPb系セラミツクス材料のPbOと化合し、
低融点ガラスを形成し表面にガラスが浮き、ハン
ダ付け性が不良になつたり、界面にガラス層を作
り、セラミツク素子との接合不良を起こすという
欠点を内在するものである。また、核粒子表面に
導電性材料をコーテイングした導電性粒子を導電
性ペーストとして利用するときに、その導電性材
料にPt、Pd、Agを含むものが公知である(特開
昭58−178903号)が、これも核粒子として酸化物
を用い、導電性ペーストを安価にし、ハンダ耐熱
性の向上を目的とするものであり、Pb系セラミ
ツクス材料において、ハンダ付け不良ならびにセ
ラミツク素子との接合不良を発生させるという問
題を有するものである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は、以上述べたセラミツク素子の焼き付
けクラツク及びハンダ耐熱性の問題点を除去し、
マイグレーシヨン抑制効果を有し、なお且つ、
PbO系セラミツクス材料にも適用可能な導電性組
成物を提供することを目的にする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、銀系導電性組成物において、銀、パ
ラジウム、白金からなる導電成分の成分比が、銀
80〜94重量%、パラジウム5〜15重量%、白金1
〜5重量%の割合の金属粉末を用い; 無機物として、ZnO20〜50重量%、B2O320〜
60重量%、PbO10〜50重量%からなるガラスフリ
ツトを全体に対して1〜5重量%添加し、金属粉
末とガラスフリツトに対して合計100重量%にな
るようにビヒクルを含有することを特徴とするセ
ラミツク電子部品用導電性組成物である。 〔作 用〕 本発明の銀系セラミツク電子部品用導電性組成
物は、銀、パラジウム、白金からなり、パラジウ
ム成分を一部白金成分が置換することにより、パ
ラジウムによる銀マイグレーシヨン防止と、白金
によるハンダ耐熱性付与効果を有し、且つ、焼き
付けクラツク防止効果をも有するセラミツク電子
部品用導電性組成物を可能にしたものである。同
時に、ガラスフリツトにSiO2及びBi2O3を含有し
ないものを用いることにより、ハンダ付け性劣化
を防止できる。 従来の銀−パラジウム導電性ペーストでは、焼
き付けの際に、セラミツク素子に焼き付けクラツ
クを発生しがちであつたが、パラジウム含有率を
15重量%以下に抑えると発生しなくなつたとい
う、新規な知見に基づいて、本発明が為されたも
のである。また、銀のマイグレーシヨン防止のた
めに、パラジウム成分を単に削減することができ
ないものである。 また、Pb系セラミツクス材料用の電極として
用いる場合には、含有するガラスフリツト等に含
まれるSiO2、Bi2O3が、セラミツクス材料に含ま
れるPbOと化合して低融点ガラスを形成し、ハン
ダ付け性を劣化させる。そのため、本発明のセラ
ミツク電子部品用導電性組成物では、SiO2及び
Bi2O3を含まないフリツト無機物からなるもので
ある。 また、本発明により、白金の添加は、ハンダ耐
熱性に関して、パラジウム添加よりも著しい効果
を奏するものであることを発見したものである。
本発明は、以上のような知見に基づいて為された
ものである。 本発明によるセラミツク電子部品用導電性組成
物は、以上のように、銀くわれを低減し、銀のマ
イグレーシヨンを抑え、且つセラミツク素子への
焼き付け時に焼き付けクラツクの生じない電極形
成用の導電性ペーストを提供するものである。 本発明の組成物において、上記のように組成範
囲を限定した理由が次の通りである。 パラジウムの添加量が5重量%未満では、得ら
れる導電性組成物のハンダ耐熱性が不充分とな
り、また、パラジウムの添加量が、15%を越える
と、セラミツク素子に導電性組成物を焼き付ける
ときに、焼き付けクラツクの発生率が多くなる。
そのため、実用的にパラジウムの添加量は、5〜
15重量%の範囲が好適である。 これに対して、白金成分の添加量は、1重量%
未満では、ハンダ耐熱性が不十分であり、白金成
分の添加量が、5重量%を超えると、焼き付けク
ラツクの低減効果が少ない。そのために、白金成
分の添加量は、1〜5重量%の範囲が好適であ
る。 ガラスフリツトを構成するZnOを20〜50重量%
に限定した理由は、20重量%未満では軟化点が低
くなり、良好なガラス−メタルマトリツクスを形
成し難くなり、50重量%を越えると粘度が高くな
り、且つ脆いガラスとなることによる。また、
B2O3を20〜40重量%の範囲に限定した理由は、
20重量%未満では、ガラス化範囲を越えてしま
い、40重量%を越えると、耐水性が低下するため
である。更に、PbOを10〜50重量%の範囲に限定
した理由は、10重量%未満では、粘度が高まり且
つ脆いガラスとなり、50重量%を越えると、軟化
点が低下し、良好なガラス−メタルマトリツクス
を形成し難くなるためである。このようなガラス
フリツトは、全体に対して、1〜5重量%の範囲
で含有するものにする。即ち、1重量%未満で
は、固着強度が低くなるし、5重量%を越えると
ハンダ付け性が低下するためである。 次に、本発明のセラミツク電子部品用導電性組
成物について、比較例を含めて、その組成配合と
耐熱性を比較し、本発明の組成物配合の実施例を
説明するが、本発明は次の説明に限定されるもの
ではない。 実施例 1 第1表に示す組成割合の金属粉末を76重量%、
B2O354重量%、PbO23重量%、ZnO23重量%の
割合からなるガラスフリツトを2重量%混合し、
これらに対して、合計100重量%になるように、、
エチルセルロースの有機バインダーをブチルカル
ビトールアセテートの溶剤に溶解したビヒクルを
添加して、導電性ペーストを作成した。
【表】
これらの導電性ペーストに対して、EIAJ(日本
電子機械工業会)規格RC−3402の規定に従つて、
ハンダに対する耐熱性を測定した。その結果を第
1図に示す。 これより、本発明によるセラミツク電子部品用
導電性組成物にしたがう白金成分添加は、ハンダ
耐熱性に関して、パラジウム添加よりも著しい効
果を示すことが明らかにされた。 実施例 2 次に、実施例1と同様、第2表に示す組成割合
の金属粉末を76重量%、実施例1で用いた同じガ
ラスフリツトを2重量%混合し、これらに対し
て、合計100重量%になるように、実施例1で用
いたと同じビヒクルを添加して、導電性ペースト
を作成した。このようにして作製した導電性ペー
ストを、セラミツク素子に適用し、750℃で焼成
し、焼き付けを行なつた。焼き付けた導電性パタ
ーンについて、顕微鏡により、焼き付けクラツク
を観測した。その得られた結果を第2表に示す。
電子機械工業会)規格RC−3402の規定に従つて、
ハンダに対する耐熱性を測定した。その結果を第
1図に示す。 これより、本発明によるセラミツク電子部品用
導電性組成物にしたがう白金成分添加は、ハンダ
耐熱性に関して、パラジウム添加よりも著しい効
果を示すことが明らかにされた。 実施例 2 次に、実施例1と同様、第2表に示す組成割合
の金属粉末を76重量%、実施例1で用いた同じガ
ラスフリツトを2重量%混合し、これらに対し
て、合計100重量%になるように、実施例1で用
いたと同じビヒクルを添加して、導電性ペースト
を作成した。このようにして作製した導電性ペー
ストを、セラミツク素子に適用し、750℃で焼成
し、焼き付けを行なつた。焼き付けた導電性パタ
ーンについて、顕微鏡により、焼き付けクラツク
を観測した。その得られた結果を第2表に示す。
【表】
以上の結果から、白金成分をパラジウムと置換
して用いると、ハンダ耐熱性が、著しく向上する
ものであるが、一方、焼き付けクラツク発生を抑
制する効果は、それ程でなく、ただ、パラジウム
添加量を抑制すると、焼き付けクラツクを抑制で
きることが明らかにされた。 〔発明の効果〕 本発明のセラミツク電子部品用導電性組成物
は、その特定の組成、即ち、Pdの一部を置換し、
Pt成分を含有させることにより、セラミツク素
子への焼き付け時に生じる焼き付けクラツクを防
止し、同時に、ハンダ耐熱性を向上した導電性ペ
ーストを提供できること、また、同時に、銀マイ
グレーシヨンを防止できる導電性ペーストを提供
できたなどの技術的な効果が得られた。
して用いると、ハンダ耐熱性が、著しく向上する
ものであるが、一方、焼き付けクラツク発生を抑
制する効果は、それ程でなく、ただ、パラジウム
添加量を抑制すると、焼き付けクラツクを抑制で
きることが明らかにされた。 〔発明の効果〕 本発明のセラミツク電子部品用導電性組成物
は、その特定の組成、即ち、Pdの一部を置換し、
Pt成分を含有させることにより、セラミツク素
子への焼き付け時に生じる焼き付けクラツクを防
止し、同時に、ハンダ耐熱性を向上した導電性ペ
ーストを提供できること、また、同時に、銀マイ
グレーシヨンを防止できる導電性ペーストを提供
できたなどの技術的な効果が得られた。
第1図は、本発明のセラミツク電子部品用導電
性組成物ついて、ハンダ耐熱性を測定した結果を
示すグラフである。
性組成物ついて、ハンダ耐熱性を測定した結果を
示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 銀系導電性組成物において、 銀、パラジウム、白金からなる導電成分の成分
比が、銀80〜94重量%、パラジウム5〜15重量
%、白金1〜5重量%の割合の金属粉末を用い; 無機物として、ZnO20〜50重量%、B2O320〜
60重量%、PbO10〜50重量%からなるガラスフリ
ツトを全体に対して1〜5重量%添加し、金属粉
末とガラスフリツトに対して合計100重量%にな
るようにビヒクルを含有することを特徴とするセ
ラミツク電子部品用導電性組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17807588A JPH0228913A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | セラミック電子部品用導電性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17807588A JPH0228913A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | セラミック電子部品用導電性組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0228913A JPH0228913A (ja) | 1990-01-31 |
JPH0470767B2 true JPH0470767B2 (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=16042183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17807588A Granted JPH0228913A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | セラミック電子部品用導電性組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0228913A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6517931B1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-02-11 | Ferro Corporation | Silver ink for forming electrodes |
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CN111739675B (zh) * | 2020-06-19 | 2021-03-05 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | 一种厚膜电阻浆料 |
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1988
- 1988-07-19 JP JP17807588A patent/JPH0228913A/ja active Granted
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Publication number | Publication date |
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JPH0228913A (ja) | 1990-01-31 |
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