JPH0562804A - 半導体磁器用オーミツク性電極材料およびそれを用いた半導体磁器素子 - Google Patents

半導体磁器用オーミツク性電極材料およびそれを用いた半導体磁器素子

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JPH0562804A
JPH0562804A JP33418891A JP33418891A JPH0562804A JP H0562804 A JPH0562804 A JP H0562804A JP 33418891 A JP33418891 A JP 33418891A JP 33418891 A JP33418891 A JP 33418891A JP H0562804 A JPH0562804 A JP H0562804A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 良好なオーミック接触を示しかつ良好な耐湿
特性を示すオーミック性電極を有する半導体磁器素子を
提供する。 【構成】 半導体磁器素子は、たとえばチタン酸バリウ
ム系半導体磁器などの半導体磁器を含み、この半導体磁
器の表面には、オーミック性電極が形成される。このオ
ーミック性電極は、アルミニウムが48〜96重量%お
よびけい素が4〜52重量%からなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体磁器用オーミッ
ク性電極材料およびそれを用いた半導体磁器素子に関
し、特に、良好なオーミック性接触を示す半導体磁器用
オーミック性電極材料およびそれを用いたたとえば正特
性サーミスタ,バリスタ,抵抗体などの半導体磁器素子
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体磁器、たとえば、チタン酸バリウ
ム系半導体磁器、酸化亜鉛系半導体磁器、チタン酸スト
ロンチウム系半導体磁器、酸化錫系半導体磁器、酸化鉄
系半導体磁器、酸化チタン系半導体磁器、酸化ニッケル
系半導体磁器など、各種の半導体磁器の電極材料として
は、オーミック性接触を示す電極材料が用いられる。
【0003】このようなオーミック性接触を示す電極材
料には、たとえば、In−Ga合金、ニッケルの無電解
メッキ、オーミック銀ペースト、アルミニウムペースト
などがある。
【0004】これらの電極材料のなかでアルミニウムペ
ーストからなる電極材料は、半導体磁器の表面に印刷な
どで塗布されたのち600〜800℃で焼付けられるこ
とによって、電極として形成される。このアルミニウム
電極は、固有抵抗値が卑金属のなかでもっとも低く、コ
ストも低く、安価な卑金属電極材料という特徴を有す
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルミ
ニウム電極は、耐湿寿命特性が悪いため、高湿度では抵
抗値が上昇するという問題があり、実用には至っていな
い。
【0006】それゆえに、この発明の主たる目的は、良
好なオーミック性接触を示しかつ良好な耐湿特性を示
す、半導体磁器用オーミック性電極材料を提供すること
である。
【0007】この発明の他の目的は、良好なオーミック
性接触を示しかつ良好な耐湿特性を示すオーミック性電
極を有する、半導体磁器素子を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
磁器用オーミック性電極材料は、アルミニウムが48〜
96重量%およびけい素が4〜52重量%からなる、半
導体磁器用オーミック性電極材料である。
【0009】また、この発明にかかる半導体磁器素子
は、半導体磁器およびこの半導体磁器の表面に形成され
るオーミック性電極を含み、このオーミック性電極は、
アルミニウムが48〜96重量%およびけい素が4〜5
2重量%からなる。
【0010】アルミニウムとけい素とを上記した範囲に
限定したのは、アルミニウムが48重量%未満でけい素
が52重量%を超えると、良好なオーミック性接触が得
られないとともに、耐湿特性が劣化するからである。ま
た、アルミニウムが96重量%を超えてけい素が4重量
%未満になると、耐湿特性が劣化するからである。した
がって、電極材料成分のアルミニウムとけい素との割合
は、アルミニウムを48〜96重量%の範囲とし、けい
素を4〜52重量%の範囲とした。
【0011】
【発明の効果】この発明によれば、良好なオーミック性
接触を示しかつ良好な耐湿特性を示す、半導体磁器用オ
ーミック電極材料が得られる。
【0012】さらに、この発明によれば、良好なオーミ
ック性接触を示しかつ良好な耐湿特性を示すオーミック
性電極を有する、半導体磁器素子が得られる。
【0013】この発明の上述の目的およびその他の目
的,特徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかなろう。
【0014】
【実施例】実施例1 まず、アルミニウムおよびけい素の各粉末を準備し、こ
れらを表1に示す割合で調合して、金属粉末を得た。こ
の場合、粒径が5〜30μmで平均粒径が10μmのア
ルミニウム粉末と、粒径が0.5〜10.0μmで平均
粒径が6μmのけい素粉末とを用いた。
【0015】
【表1】
【0016】これら金属粉末にそれぞれ低融点ガラスフ
リットおよび有機ビヒクルを加えて、それぞれのペース
トとした。この場合、低融点ガラスフリットとしては、
平均粒径が10μmのほうけい酸鉛系ガラスフリットを
用い、有機ビヒクルとしては、エチルセルロースをα−
テレピネオールで溶解させたものを用いた。また、金属
粉末、低融点ガラスフリットおよび有機ビヒクルは、金
属粉末を70重量%、低融点ガラスフリットを10重量
%および有機ビヒクルを20重量%の割合で混合した。
【0017】一方、大きさが13mmφで抵抗値が20
0Ωの円板状のチタン酸バリウム系半導体磁器の両面
に、それぞれ、In−Ga合金を擦り付けて電極を形成
し、オーミック性接触の測定のための標準試料とした。
【0018】さらに、上述したものと同じ構造のチタン
酸バリウム系半導体磁器の両面に、それぞれ、表1に示
した配合比で調製したペーストを印刷し塗布し、空気中
600℃、800℃の各温度で30分間の条件で焼付け
て電極を形成し、オーミック性接触の測定のための試料
とした。
【0019】そして、標準試料および各試料の抵抗値を
抵抗測定器で測定した。この場合、半導体磁器の両面の
電極に、抵抗測定器の測定端子を当接し、25℃±0.
5℃の温度で抵抗値を測定した。それから、標準試料の
抵抗値に対する各試料の抵抗値の比を求めた。その比を
オーミック性として表1に示した。この抵抗値の比が小
さい程オーミック性接触がよいが、その比が1.3以内
のものについては、オーミック性接触があるとした。
【0020】次に、大きさが20mm×15mm×4m
mの角板状のアルミナ板の表面に、4mmのギャップを
隔てて銀からなる2つの対向電極を形成し、これらの対
向電極間を橋絡するように、上述の各ペーストを印刷し
塗布し、空気中600℃、800℃の各温度で30分間
の条件で焼付けて電極を形成し、電極の固有抵抗値を測
定する試料とした。そして、各試料の対向電極間に電導
度計を用いて、各試料の電極の固有抵抗値を測定した。
その結果を表1に示した。
【0021】さらに、耐湿特性を評価するために、上述
のオーミック性を測定した試料および固有抵抗値を測定
した試料と同じものを用いて、温度60℃、相対湿度9
5%の環境下に2000時間放置し、初期の電極のオー
ミック性および固有抵抗値に対する変化率を求めた。そ
の結果を表1に示した。
【0022】なお、表1中、*印を付した試料番号はこ
の発明の範囲外のものであり、それ以外はこの発明の範
囲内のものである。
【0023】表1から、試料番号1−1のように、アル
ミニウムが24重量%でけい素が76重量%のもので
は、600℃の焼付け温度ではオーミック性が得られ
ず、固有抵抗値も高い値になり、耐湿特性においても、
オーミック性の特性変化率が大きく、固有抵抗値は無限
大となる。また、試料番号1−2のように、800℃の
焼付け温度でも、オーミック性が得られず、固有抵抗値
も高い値になる。
【0024】また、試料番号7−1および7−2のよう
にアルミニウムのみでは、オーミック性が得られかつ固
有抵抗値も低いレベルであるが、耐湿特性の劣化がみら
れる。
【0025】これに対して、この発明の範囲内のもの
は、良好なオーミック性が得られ、固有抵抗値も低いレ
ベルであり、さらに耐湿特性も優れている。
【0026】実施例2 この実施例では、電極材料中のガラスフリットの種類に
よって、電極のオーミック性に優劣があるかどうかを評
価した。
【0027】すなわち、この実施例では、表2に示すよ
うに、電極材料中のガラスフリットとして、ほうけい酸
鉛,ほうけい酸亜鉛,ほうけい酸鉛亜鉛(ほうけい酸鉛
中の酸化鉛の20重量%を酸化亜鉛で置換したもの),
ほうけい酸鉛亜鉛(ほうけい酸鉛中の酸化鉛の80重量
%を酸化亜鉛で置換したもの)あるいはほうけい酸ビス
マスを用いた。なお、この実施例では、アルミニウムお
よびけい素からなる主成分にガラスフリットを混合した
固形成分80重量%に、有機ビヒクルを20重量%の割
合で混合して、ペーストを得た。そして、上述の実施例
1と同様にして、ペーストで電極を形成した。この場
合、ペーストの焼付け温度は、600℃とした。
【0028】
【表2】
【0029】そして、上述の実施例1と同様にして、各
特性を測定した。この結果を表2に示した。
【0030】表2に示す結果から明らかなように、電極
のオーミック性を改良するためには、ガラスフリットと
して、ほうけい酸鉛,ほうけい酸亜鉛あるいはほうけい
酸鉛亜鉛を使用することができるが、ほうけい酸ビスマ
スを使用することができない。
【0031】なお、電極材料中のガラスフリットの含有
量は、10〜50重量%の範囲が好ましい。すなわち、
ガラスフリットの含有量が10重量%未満では、耐湿性
が悪くなるとともに接着強度が劣化し、その含有量が5
0重量%を超えると、固有抵抗値が高くなるとともにオ
ーミック性が得られないからである。
【0032】実施例3 この実施例では、本願発明にかかる電極および従来例に
よる電極について、それぞれマイグレーションに対する
特性を評価した。
【0033】まず、本願発明にかかる電極材料として、
表3の試料番号9−1から9−4に示す割合で調合した
主成分およびガラフスリットからなる固形成分80重量
%に、有機ビヒクルを20重量%の割合で調合して、ペ
ーストを得た。そして、上述の各実施例と同様にして、
円板状の半導体磁器の両面にそれぞれ電極を形成した。
この場合、ペーストの焼付け温度は、600℃とした。
【0034】
【表3】
【0035】一方、従来例として、表3の試料番号9−
5に示す割合で調合した銀および亜鉛からなる主成分と
ガラスフリットとからなる固形成分80重量%に、有機
ビヒクルを20重量%の割合で調合してペーストを得
た。そして、上述と同様にして、円板状の半導体磁器の
両面にそれぞれ電極を形成した。
【0036】さらに、他の従来例として、円板状の半導
体磁器の両面に、それぞれ、下層がニッケル無電解メッ
キ膜で上層が銀焼付け電極である2層電極を形成した。
【0037】そして、それらの電極について、マイグレ
ーションに対する特性を評価した。この場合、濃塩酸2
00グラムを純水200グラムで希釈し、これをデシケ
ータの底に入れ、一方、デシケータの上部に電極を有す
る半導体磁器(試料)を設置し、電極間に140Vの電
圧を100時間印加した。このとき、試料の両面の電極
の移動によって電極間が短絡したものを「不良」とし、
短絡しなかったものを「良」とした。この結果を表3に
示した。
【0038】表3に示す結果から明らかなように、この
発明にかかる電極材料では、マイグレーションを防止す
ることができるという効果を奏する。
【0039】なお、ガラスフリットとしてのほうけい酸
鉛は、酸化ほう素(B2 3 )が2.0〜45.0重量
%、酸化けい素(SiO2 )が1.0〜25.0重量
%、および酸化鉛(PbO)が40.0〜87.0重量
%からなり、
【0040】また、ガラスフリットとしてのほうけい酸
亜鉛は、酸化ほう素(B2 3 )が2.0〜45.0重
量%、酸化けい素(SiO2 )が1.0〜25.0重量
%、および酸化亜鉛(ZnO)が10.0〜60.0重
量%からなる。
【0041】さらに、ガラスフリットとしてのほうけい
酸鉛亜鉛は、上述のほうけい酸鉛中の酸化鉛の一部を酸
化亜鉛で置換したものである。
【0042】また、上述の実施例では、半導体磁器とし
てチタン酸バリウム系半導体磁器が用いられているが、
この発明では、チタン酸バリウム系半導体磁器以外に、
たとえば、酸化亜鉛系半導体磁器、チタン酸ストロンチ
ウム系半導体磁器、酸化錫系半導体磁器、酸化鉄系半導
体磁器、酸化チタン系半導体磁器、酸化ニッケル系半導
体磁器などの半導体磁器が用いられてもよい。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルミニウムが48〜96重量%、およ
    びけい素が4〜52重量%からなる、半導体磁器用オー
    ミック性電極材料。
  2. 【請求項2】 アルミニウムが48〜96重量%および
    けい素が4〜52重量%からなる主成分に対して、ガラ
    スフリットが10〜50重量%添加含有されている、請
    求項1の半導体磁器用オーミック性電極材料。
  3. 【請求項3】 半導体磁器、および前記半導体磁器の表
    面に形成されるオーミック性電極を含み、前記オーミッ
    ク性電極は、アルミニウムが48〜96重量%およびけ
    い素が4〜52重量%からなる、半導体磁器素子。
  4. 【請求項4】 前記オーミック性電極は、アルミニウム
    が48〜96重量%およびけい素が4〜52重量%から
    なる導電成分に対して、ガラスフリットが10〜50重
    量%添加含有されている、請求項3の半導体磁器素子。
JP33418891A 1990-11-30 1991-11-21 半導体磁器用オーミツク性電極材料およびそれを用いた半導体磁器素子 Pending JPH0562804A (ja)

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