JPS59144116A - 還元再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 - Google Patents
還元再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法Info
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- JPS59144116A JPS59144116A JP58019459A JP1945983A JPS59144116A JP S59144116 A JPS59144116 A JP S59144116A JP 58019459 A JP58019459 A JP 58019459A JP 1945983 A JP1945983 A JP 1945983A JP S59144116 A JPS59144116 A JP S59144116A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は磁器コンデンサ、特に小型で大容量が得られ
る還元再酸化型半導体磁器コンデンサに関するものであ
る。
る還元再酸化型半導体磁器コンデンサに関するものであ
る。
元来、磁器コンデンサとしては、溝形、板形のコンデン
サなどの形状のものが実用に供されているが、この形状
のものでは、１μＦ前後の大容量のコンデンサを得よう
とすると形状が著しく大きくなって実用に供し得ないと
いう問題があったっこのため、小型で大容量の得られる
磁器コンデンサとし−Ｃ１積層型磁器コンデンサや半導
体磁器コンデンサが開発され、実用に供されるようにな
っている。積層型磁器コンデンサは、小型で大容量のも
のが製造できるが、セラミックシート上に内部電画を形
成したものを複数積層した後、焼成するという製造上の
制約から、内部電、甑材料としてＡｕ、Ｐｔ、Ｐａなど
高価な高融点の貴金属を使用することになシ、１μＦ程
度の大容量のコンデンサを得ようとすると非常に高価な
ものになシ、特定の用途にしか採用しえないという問題
がある。
サなどの形状のものが実用に供されているが、この形状
のものでは、１μＦ前後の大容量のコンデンサを得よう
とすると形状が著しく大きくなって実用に供し得ないと
いう問題があったっこのため、小型で大容量の得られる
磁器コンデンサとし−Ｃ１積層型磁器コンデンサや半導
体磁器コンデンサが開発され、実用に供されるようにな
っている。積層型磁器コンデンサは、小型で大容量のも
のが製造できるが、セラミックシート上に内部電画を形
成したものを複数積層した後、焼成するという製造上の
制約から、内部電、甑材料としてＡｕ、Ｐｔ、Ｐａなど
高価な高融点の貴金属を使用することになシ、１μＦ程
度の大容量のコンデンサを得ようとすると非常に高価な
ものになシ、特定の用途にしか採用しえないという問題
がある。
他方、半導体磁器コンデンサのうち還元再酸化型半導体
磁器コンデンサは、半導体磁器の表面に再酸化層を形成
し、これを誘電体としたもので、比較的小型であシなが
ら大きな容量が得られ、他の磁器コンデンサと同様無極
性で、耐熱性および周波数特性が良好で、リーク直流が
小さく安価であるなどの利点を有しＣいる。しかしなが
ら、それでも面積容量はたかだか３００μＦ／ｄ程度で
あり、１μＦ前後の大容量になると形状が大きくなると
いう問題があった。還元再酸化型半導体磁器コンデンサ
におけるこの問題を解決する手段として、第１図に示し
だような構造のものが提案されている。図において、１
は板状還元再酸化型半導体磁器の半導体部分、２は再酸
化処理によシ外部表面に形成された誘電体層、６は誘電
体層２の上に形成された非オーム性電極、４は半導体部
分１が外部に露出し°Ｃいる個所に形成されだオーム性
電極である。この構造のコンデンサでは半導体部分１を
露出させ、その表面にオーム性電極４を形成したため、
表面全体が再酸化処理による誘電体層からなるものにく
らべて、面積容量（ＣＧ）が約２倍にな、ｊ）、６００
〜５ｏｏｎＦ／ｉ程度のものが得られる。しかしながら
、半導体部分１を露出するために切削や研磨の工程が必
要になシ、工程数が増えることに伴ってコストアップの
要因になっている。また板状であるだめ切削や研磨の段
階でワレが発生したり、あるいは厚みにバラツキがある
と、多数個の半導体磁器を同時処理したとき、厚みの薄
いものは表面の誘電体層が除去されないとｂつた問題が
あシ、工程管理が難しいといった点が見られる。
磁器コンデンサは、半導体磁器の表面に再酸化層を形成
し、これを誘電体としたもので、比較的小型であシなが
ら大きな容量が得られ、他の磁器コンデンサと同様無極
性で、耐熱性および周波数特性が良好で、リーク直流が
小さく安価であるなどの利点を有しＣいる。しかしなが
ら、それでも面積容量はたかだか３００μＦ／ｄ程度で
あり、１μＦ前後の大容量になると形状が大きくなると
いう問題があった。還元再酸化型半導体磁器コンデンサ
におけるこの問題を解決する手段として、第１図に示し
だような構造のものが提案されている。図において、１
は板状還元再酸化型半導体磁器の半導体部分、２は再酸
化処理によシ外部表面に形成された誘電体層、６は誘電
体層２の上に形成された非オーム性電極、４は半導体部
分１が外部に露出し°Ｃいる個所に形成されだオーム性
電極である。この構造のコンデンサでは半導体部分１を
露出させ、その表面にオーム性電極４を形成したため、
表面全体が再酸化処理による誘電体層からなるものにく
らべて、面積容量（ＣＧ）が約２倍にな、ｊ）、６００
〜５ｏｏｎＦ／ｉ程度のものが得られる。しかしながら
、半導体部分１を露出するために切削や研磨の工程が必
要になシ、工程数が増えることに伴ってコストアップの
要因になっている。また板状であるだめ切削や研磨の段
階でワレが発生したり、あるいは厚みにバラツキがある
と、多数個の半導体磁器を同時処理したとき、厚みの薄
いものは表面の誘電体層が除去されないとｂつた問題が
あシ、工程管理が難しいといった点が見られる。
したがって、この発明は上述した従来の欠点を除去し、
小型で大容量の得られる還元再酸化型半導体磁器コンデ
ンサを提供することを目的とする。
小型で大容量の得られる還元再酸化型半導体磁器コンデ
ンサを提供することを目的とする。
すなわち、この発明の要旨とするところは、還元再酸化
型半導体磁器の一面に非オーム性電極を形成するととも
に、他面にアルミニウムを主体としだオーム性焼付は電
極を形成したことを特徴と与 する還元再酸化半導体磁器コンデンサである。
型半導体磁器の一面に非オーム性電極を形成するととも
に、他面にアルミニウムを主体としだオーム性焼付は電
極を形成したことを特徴と与 する還元再酸化半導体磁器コンデンサである。
以下、この発明を実施例に従って詳細に説明する。
実施例
還元再酸化型半導体磁器材料、たとえばＢａＴｉ○３８
４．８−Ｅ−＃％、ＢａＺｒＯ３１５モル％、ＹｚＯ３
０−２モ／ｌ／％の組成比率からなる原料をバインダと
ともに湿式混合粉砕し、その後脱水、整粒した。整粒原
料を１０００Ｋｙ／ｄの圧力で直径１２Ｕ１肉厚０．５
７ｄの円板に成形した。次めで、空気中１３５０’ｃ１
時間の条件で焼成を行い、さらに水素１５容量係、窒素
８５％からなる還元性雰囲気中、１１５０’ｃ、１時間
の条件で還元処理を行い、半導体磁器を得た。
４．８−Ｅ−＃％、ＢａＺｒＯ３１５モル％、ＹｚＯ３
０−２モ／ｌ／％の組成比率からなる原料をバインダと
ともに湿式混合粉砕し、その後脱水、整粒した。整粒原
料を１０００Ｋｙ／ｄの圧力で直径１２Ｕ１肉厚０．５
７ｄの円板に成形した。次めで、空気中１３５０’ｃ１
時間の条件で焼成を行い、さらに水素１５容量係、窒素
８５％からなる還元性雰囲気中、１１５０’ｃ、１時間
の条件で還元処理を行い、半導体磁器を得た。
さらに、半導体磁器の一面に非オーム性電個である銀ペ
ーストをスクリーン印刷で付与し、半導体磁器の他面に
オーム性電極であるアルミニウムペーストをスクリーン
印刷で付与した０このとき各ペーストの印刷面積は９ａ
ｌψとした。そののち、空気中８００ｔ’、３０分間の
条件で電極の焼付けと同時に再酸化処理を行った。
ーストをスクリーン印刷で付与し、半導体磁器の他面に
オーム性電極であるアルミニウムペーストをスクリーン
印刷で付与した０このとき各ペーストの印刷面積は９ａ
ｌψとした。そののち、空気中８００ｔ’、３０分間の
条件で電極の焼付けと同時に再酸化処理を行った。
このようにし′Ｃ得られた容量（Ｃ）を測定したところ
、９６０ｎＦであり、まだ誘電損失（ｔａｎδ）は４．
３チであった。
、９６０ｎＦであり、まだ誘電損失（ｔａｎδ）は４．
３チであった。
第２図〜第６図はこの発明にかかる還元再酸化型半導体
磁器コンデンサを得る製造例を示しだものである。
磁器コンデンサを得る製造例を示しだものである。
第２図は還元処理によって得られた半導体磁器１１を示
し、第６図はこの半導体磁器１１の一面に非オーム性電
極のペースト１２をスクリーン印刷し、他面にオーム性
電極であるアルミニウムを主体とするペースト１６をス
クリーン印刷した状態を示す。第４図はペース）１２．
１３を焼付けると同時に再酸化処理を行い、非オーム性
電極１２とアルミニウムを主体とする焼付は電極１３形
成した状態を示し、この段階で非オーム性電極１２に接
触する半導体磁器１１の領域および側面には誘電体層１
４が形成され、一方アルミニウムを主体とする焼付は電
極１３に対応する半導体磁器１１の領域には誘電体層が
形成されず、焼付は電極１３は半導体磁器１１と接触す
る状態となる。
し、第６図はこの半導体磁器１１の一面に非オーム性電
極のペースト１２をスクリーン印刷し、他面にオーム性
電極であるアルミニウムを主体とするペースト１６をス
クリーン印刷した状態を示す。第４図はペース）１２．
１３を焼付けると同時に再酸化処理を行い、非オーム性
電極１２とアルミニウムを主体とする焼付は電極１３形
成した状態を示し、この段階で非オーム性電極１２に接
触する半導体磁器１１の領域および側面には誘電体層１
４が形成され、一方アルミニウムを主体とする焼付は電
極１３に対応する半導体磁器１１の領域には誘電体層が
形成されず、焼付は電極１３は半導体磁器１１と接触す
る状態となる。
したがって、アルミニウムを主体とするペーストを半導
体磁器の表面に付与し、これを焼付けることによって、
誘電体層を形成することなく半導体磁器とオーム性接触
する電極を形成することができ、従来のように誘電体層
を切削、研磨などの手段で除去するという作業が不必要
になシ、しかも大きな容量を得ることができるという利
点を有する。
体磁器の表面に付与し、これを焼付けることによって、
誘電体層を形成することなく半導体磁器とオーム性接触
する電極を形成することができ、従来のように誘電体層
を切削、研磨などの手段で除去するという作業が不必要
になシ、しかも大きな容量を得ることができるという利
点を有する。
アルミニウムを主体とするペーストとしては、たとえば
、アルミニウム粉末、ホウケイ酸鉛系のガラススリット
の固形成分にフェス、有機質ビヒクルを加えて混合した
ものがある。
、アルミニウム粉末、ホウケイ酸鉛系のガラススリット
の固形成分にフェス、有機質ビヒクルを加えて混合した
ものがある。
ホウケイ酸鉛系のガラスフリットの具体的組成としては
、たとえば、ＰｂＯ２’３〜９５重量％、る第１の成分
７５〜９９．８Ｊｉ量チと、アルミ六〇、 ２〜２５重
量％からなるものがある。
、たとえば、ＰｂＯ２’３〜９５重量％、る第１の成分
７５〜９９．８Ｊｉ量チと、アルミ六〇、 ２〜２５重
量％からなるものがある。
アルミニウムを主体とするオーム性電極と接触する半導
体磁器の領域に誘電体層が形成されないのは、焼付は段
階でガラス７ワツトが酸素を取シ込むことによるものと
推定される。
体磁器の領域に誘電体層が形成されないのは、焼付は段
階でガラス７ワツトが酸素を取シ込むことによるものと
推定される。
比較例として、上記した実施例で得られた半導体磁器を
用い、電極形成手段をそれぞれ異ならせて還元再酸化型
半導体磁器コンデンサを製造した。
用い、電極形成手段をそれぞれ異ならせて還元再酸化型
半導体磁器コンデンサを製造した。
下表に容量（Ｃ）と誘電損失（ｔａｎδ）を示しだ。な
お、参考データとして上記実施例のコンデンサの特性も
合わせて示した。
お、参考データとして上記実施例のコンデンサの特性も
合わせて示した。
ここで、比較例１は半導体磁器の両面に銀ペーストをス
クリーン印刷し、５ｏａ−ｃ、３０分間の条件で焼付は
処理したものである。
クリーン印刷し、５ｏａ−ｃ、３０分間の条件で焼付は
処理したものである。
比較例２は半導体磁器の一面に銀ペーストをスクリーン
印刷し、８００’ｃ、５０分間の条件で焼付は処理し、
他面にアルミニウムを溶射したものである。
印刷し、８００’ｃ、５０分間の条件で焼付は処理し、
他面にアルミニウムを溶射したものである。
比較例６は半導体磁器の一面に銀ペーストをスクリーン
印刷し、８００’ｃ＊５０分間の条件で焼付は処理し、
他面に工ｎ−Ｇａ’Ｋｉをこすシ付けて形成したもので
ある。
印刷し、８００’ｃ＊５０分間の条件で焼付は処理し、
他面に工ｎ−Ｇａ’Ｋｉをこすシ付けて形成したもので
ある。
比較例４１−１：半導体磁器の一面に銀ペーストをスク
リーン印刷し、８００ｒ；、５０分間の条件で焼付は処
理し、他面をサンドペーパーで約０．１Ｊ研磨して誘電
体層を除去し、さらに工” Ｇａｆｉ、ｉをこす丸付
け゛Ｃ形成したものである。
リーン印刷し、８００ｒ；、５０分間の条件で焼付は処
理し、他面をサンドペーパーで約０．１Ｊ研磨して誘電
体層を除去し、さらに工” Ｇａｆｉ、ｉをこす丸付
け゛Ｃ形成したものである。
比較例５は半導体磁器の一面に銀ペーストをスクリーン
印刷し、５ｏａｒ：、 ５ａ分間の条件で焼付は処理し
、他面にＡｇ−Ｚｎ−８ｂからなるオーム性電極ペース
トをスクリーン印刷し、４００ｃ。
印刷し、５ｏａｒ：、 ５ａ分間の条件で焼付は処理し
、他面にＡｇ−Ｚｎ−８ｂからなるオーム性電極ペース
トをスクリーン印刷し、４００ｃ。
５０分間の条件で焼付は処理したものである。
上表から明らかなように、この発明にかかる還元再酸化
型半導体磁器コンデンサは比較例１〜５のものにくらべ
て大きな容量が得られＣおシ、小型で大容量のコンデン
サが得られることがわかる。
型半導体磁器コンデンサは比較例１〜５のものにくらべ
て大きな容量が得られＣおシ、小型で大容量のコンデン
サが得られることがわかる。
第５図〜第６図はこの発明の他の実施例にかかる還元再
酸化型半導体磁器コンデンサを示したものである。
酸化型半導体磁器コンデンサを示したものである。
図において、２１は角板形の還元再酸化型半導体磁器、
２２はたとえば銀の焼付は電極からなる非オーム性電極
、２６ｖ′ｉ、アルミニウムを主体とするオーム性焼付
は電極、２４．２５はリード線である。半導体磁器２１
は半導体部分２１＆と誘電体層２１ｂからなり、誘電体
層２１１）は半導体磁器２１の表裏面２７ａ、 ２７１
）および貫通孔２６の壁面部分に形成されている。半導
体磁器の表裏面２７ａ、２７１）には、表裏面に開口す
る貫通孔２６を撓曲し′Ｃ半導体磁器２１の表面寸法よ
シ若干小さな寸法の非オーム性電極２２が形成され、両
者は貫通孔２６の壁面に形成された非オーム性の導電部
２８によ多連結され′Ｃいる。オーム性電極２６は半導
体磁器２１の相対する端面に形成され、リード線２４に
よ多連結されている。
２２はたとえば銀の焼付は電極からなる非オーム性電極
、２６ｖ′ｉ、アルミニウムを主体とするオーム性焼付
は電極、２４．２５はリード線である。半導体磁器２１
は半導体部分２１＆と誘電体層２１ｂからなり、誘電体
層２１１）は半導体磁器２１の表裏面２７ａ、 ２７１
）および貫通孔２６の壁面部分に形成されている。半導
体磁器の表裏面２７ａ、２７１）には、表裏面に開口す
る貫通孔２６を撓曲し′Ｃ半導体磁器２１の表面寸法よ
シ若干小さな寸法の非オーム性電極２２が形成され、両
者は貫通孔２６の壁面に形成された非オーム性の導電部
２８によ多連結され′Ｃいる。オーム性電極２６は半導
体磁器２１の相対する端面に形成され、リード線２４に
よ多連結されている。
上記した構成は、厚み方向に形成された貫通孔を有する
角板形還元再酸化型半導体磁器と、該角板形半導体磁器
の表裏面および該表裏面に開口する前記貫通孔の壁面に
形成され、かつ相互に導通してなる非オーム性電極と、
前記角板形半導体磁器の少なくとも一端面に形成され、
かつ前記非オーム性電極と絶縁されたアルミニウムを主
体とするオーム性焼付電極とからなることを特徴とする
ものであり、この種形状のコンデンサも上記した実施例
と同様大容量のものが得られ、小型化が図れる。
角板形還元再酸化型半導体磁器と、該角板形半導体磁器
の表裏面および該表裏面に開口する前記貫通孔の壁面に
形成され、かつ相互に導通してなる非オーム性電極と、
前記角板形半導体磁器の少なくとも一端面に形成され、
かつ前記非オーム性電極と絶縁されたアルミニウムを主
体とするオーム性焼付電極とからなることを特徴とする
ものであり、この種形状のコンデンサも上記した実施例
と同様大容量のものが得られ、小型化が図れる。
第７図〜第８図はこの発明のさらに他の実施例にかかる
還元再酸化型半導体磁器コンデンサを示したものである
。
還元再酸化型半導体磁器コンデンサを示したものである
。
図において、６１は角板形の還元再酸化型半導体磁器、
３２．３３．３４は非オーム性電極、３５゜３７．３８
はアルミニウムを主体とするオーム性焼付は電極、５
９．４０．４１は貫通孔である。還元再酸化型半導体磁
器６１は、第８図に示すように、半導体部分３１ａと誘
電体層３１ｂとからなり、誘電体層３１１）は半導体磁
器３１の表裏面および貫通孔３９，４０．４１の壁面部
分に形成されている。非オーム性電極３２．３３．３４
は、相互にある間隔をおいて誘電体層５Ｉｂ上にそれぞ
れ形成され、表裏面上の相対する非オーム性成極６２ａ
と５２ｂ、５５ＦＬと３３ｂ、３４ａと３４ｂはそれぞ
れ貫通孔３９．４０．４１の壁面上に形成された導電部
４５．４４．４５によシミ気的に連結され−Ｃいる。な
お、導電部４３．４４．４５は必らずしも形成する必要
はなく、金属ビンを各貫通孔に挿入し、ろう付け、ハン
ダ付けなどによシ固定して相対する非オーム性電極を接
続するようにし”Ｃもよい。貫通孔４０．４Ｌ ４２は
相互にある間隔を２いて半導体磁器６１をその厚み方向
に貫通して形成され′Ｃいる。４−ム性電極６５は半導
体磁器の端面の半導体部分６１＆上に形成されている。
３２．３３．３４は非オーム性電極、３５゜３７．３８
はアルミニウムを主体とするオーム性焼付は電極、５
９．４０．４１は貫通孔である。還元再酸化型半導体磁
器６１は、第８図に示すように、半導体部分３１ａと誘
電体層３１ｂとからなり、誘電体層３１１）は半導体磁
器３１の表裏面および貫通孔３９，４０．４１の壁面部
分に形成されている。非オーム性電極３２．３３．３４
は、相互にある間隔をおいて誘電体層５Ｉｂ上にそれぞ
れ形成され、表裏面上の相対する非オーム性成極６２ａ
と５２ｂ、５５ＦＬと３３ｂ、３４ａと３４ｂはそれぞ
れ貫通孔３９．４０．４１の壁面上に形成された導電部
４５．４４．４５によシミ気的に連結され−Ｃいる。な
お、導電部４３．４４．４５は必らずしも形成する必要
はなく、金属ビンを各貫通孔に挿入し、ろう付け、ハン
ダ付けなどによシ固定して相対する非オーム性電極を接
続するようにし”Ｃもよい。貫通孔４０．４Ｌ ４２は
相互にある間隔を２いて半導体磁器６１をその厚み方向
に貫通して形成され′Ｃいる。４−ム性電極６５は半導
体磁器の端面の半導体部分６１＆上に形成されている。
半導体磁器１の一方の表面には、非オーム性電極６２と
５５．５３と３４の間の半導体部分３１ａ上にオーム性
電極５７．５８が形成されている。なお、このオーム性
電極５７．５８は必ずしも形成する必要はない。
５５．５３と３４の間の半導体部分３１ａ上にオーム性
電極５７．５８が形成されている。なお、このオーム性
電極５７．５８は必ずしも形成する必要はない。
この種のコンデンサ４２は、３個のコンデンサが一体的
に形成された構造になっている。各コンデンサは還元再
酸化半導体磁器の表裏面に対向電極を形成したものにく
らべ、４倍以上の容量を有し、非オーム性電極３２．６
６．５４を接続した場合にはその３倍の容量を得ること
ができる。
に形成された構造になっている。各コンデンサは還元再
酸化半導体磁器の表裏面に対向電極を形成したものにく
らべ、４倍以上の容量を有し、非オーム性電極３２．６
６．５４を接続した場合にはその３倍の容量を得ること
ができる。
上記した構成は、厚み方向に形成された複数の貫通孔を
有する角板状の還元再酸化型半導体磁器と、該半導体磁
器の表裏面に、該表裏面に開口する前記貫通孔の各開口
部を包囲して相互に所定間隔をおいて形成された複数の
非オーム性電極と、前記半導体磁器の端面の少なくとも
一部、または前記半導体磁器の端面の少なくとも一部お
よび表裏面の一部に、前記非オーム性電極から絶縁し′
Ｃ形成されたアルミニウムを主体とするオーム性焼付は
電極とからなるユニットを含む還元再酸化型半導体磁器
コンデンサであ）、第２図〜第４図に示した実施例にも
とづくコンデンサと同様大容量化が図れるものである。
有する角板状の還元再酸化型半導体磁器と、該半導体磁
器の表裏面に、該表裏面に開口する前記貫通孔の各開口
部を包囲して相互に所定間隔をおいて形成された複数の
非オーム性電極と、前記半導体磁器の端面の少なくとも
一部、または前記半導体磁器の端面の少なくとも一部お
よび表裏面の一部に、前記非オーム性電極から絶縁し′
Ｃ形成されたアルミニウムを主体とするオーム性焼付は
電極とからなるユニットを含む還元再酸化型半導体磁器
コンデンサであ）、第２図〜第４図に示した実施例にも
とづくコンデンサと同様大容量化が図れるものである。
第９図はこの発明のさらにまた他の実施例にかかる還元
再酸化型半導体磁器コンデンサを示したものである。
再酸化型半導体磁器コンデンサを示したものである。
図において、５１は一面が平面状で他面が凹凸状の還元
再酸化型半導体磁器であり、５２は半導体磁器５１の一
面に形成された誘電体層、５３は誘電体層５２の上に形
成された非オーム性電極、５４は半導体磁器５１の他面
の凹凸状面に形成されたアルミニウムを主体とするオー
ム性焼付は電極である。
再酸化型半導体磁器であり、５２は半導体磁器５１の一
面に形成された誘電体層、５３は誘電体層５２の上に形
成された非オーム性電極、５４は半導体磁器５１の他面
の凹凸状面に形成されたアルミニウムを主体とするオー
ム性焼付は電極である。
この種のコンデンサについても、上記した各実施例のコ
ンデンサと同様大容量化が図れる。
ンデンサと同様大容量化が図れる。
なお、上記各実施例におい′Ｃ，Ｃ−オーム付は電極の
上にハンダによｌ−ド線を取シ付けるなどの目的で銀電
極を形成してもよい。
上にハンダによｌ−ド線を取シ付けるなどの目的で銀電
極を形成してもよい。
以上の説明から明らかなようにこの発明によれば、還元
再酸化型半導体磁器の一面に非オーム性電極を形成する
とともに、他面にアルミニウムを主体としたオーム性焼
付は電極を形成したことを特許とするものであシ、従来
のこのＳコンデンサにくらべて大容量化が図れ、同じ容
量のコンデンサを得る場合小型化が図れる。
再酸化型半導体磁器の一面に非オーム性電極を形成する
とともに、他面にアルミニウムを主体としたオーム性焼
付は電極を形成したことを特許とするものであシ、従来
のこのＳコンデンサにくらべて大容量化が図れ、同じ容
量のコンデンサを得る場合小型化が図れる。
第１図は従来例を示す断面図、第２図〜第４図はこの発
明にかかる還元再酸化型半導体磁器コンデンサを得る製
造例を説明するための断面図であシ、特に第４図は完成
した状態を示したものである。第５図〜第６図はこの発
明の他の実施例を示し、第５図は斜視図、第６図は第５
図の工〜工線断面図、第７図〜第８図はこの発明のさら
に他の実施例を示し、第７図は斜視図、第８図は第７図
ｎ−ｎ線断面図、第９図はこの発明のさらにまた他の実
施例の斜視図である。 １１は還元再酸化型半導体磁器、１２は非オーム性成極
、１３はアルミニウムを主体とするオーム性焼付は電極
、１４は誘電体層。 特許出願人 株式会社 村田良作ｊ弁 第１図 ６ 第２図 第５図
明にかかる還元再酸化型半導体磁器コンデンサを得る製
造例を説明するための断面図であシ、特に第４図は完成
した状態を示したものである。第５図〜第６図はこの発
明の他の実施例を示し、第５図は斜視図、第６図は第５
図の工〜工線断面図、第７図〜第８図はこの発明のさら
に他の実施例を示し、第７図は斜視図、第８図は第７図
ｎ−ｎ線断面図、第９図はこの発明のさらにまた他の実
施例の斜視図である。 １１は還元再酸化型半導体磁器、１２は非オーム性成極
、１３はアルミニウムを主体とするオーム性焼付は電極
、１４は誘電体層。 特許出願人 株式会社 村田良作ｊ弁 第１図 ６ 第２図 第５図
Claims (1)
- 還元再酸化型半導体磁器の一面に非オーム性電極を形成
するとともに、能面にアルミニウムを主体としたオーム
性焼付は電極を形成したことを特徴とする還元再酸化型
半導体磁器コンデンサっ
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019459A JPS59144116A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
| US06/577,020 US4533931A (en) | 1983-02-07 | 1984-02-06 | Reduction reoxidation type semiconductor ceramic condenser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58019459A JPS59144116A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59144116A true JPS59144116A (ja) | 1984-08-18 |
| JPH0220132B2 JPH0220132B2 (ja) | 1990-05-08 |
Family
ID=11999896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58019459A Granted JPS59144116A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4533931A (ja) |
| JP (1) | JPS59144116A (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8601640A (nl) * | 1986-06-24 | 1988-01-18 | Philips Nv | Elektronische komponent met draadaansluitingen. |
| JPH0616459B2 (ja) * | 1987-07-23 | 1994-03-02 | 株式会社村田製作所 | 磁器コンデンサの製造方法 |
| JPH0562804A (ja) * | 1990-11-30 | 1993-03-12 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体磁器用オーミツク性電極材料およびそれを用いた半導体磁器素子 |
| US6954346B2 (en) | 1997-04-08 | 2005-10-11 | Xzy Attenuators, Llc | Filter assembly |
| US7321485B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-01-22 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
| US9054094B2 (en) | 1997-04-08 | 2015-06-09 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit |
| US7301748B2 (en) | 1997-04-08 | 2007-11-27 | Anthony Anthony A | Universal energy conditioning interposer with circuit architecture |
| US6018448A (en) * | 1997-04-08 | 2000-01-25 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package |
| US6603646B2 (en) * | 1997-04-08 | 2003-08-05 | X2Y Attenuators, Llc | Multi-functional energy conditioner |
| US7110227B2 (en) * | 1997-04-08 | 2006-09-19 | X2Y Attenuators, Llc | Universial energy conditioning interposer with circuit architecture |
| US20030161086A1 (en) | 2000-07-18 | 2003-08-28 | X2Y Attenuators, Llc | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package |
| US7336467B2 (en) * | 2000-10-17 | 2008-02-26 | X2Y Attenuators, Llc | Energy pathway arrangement |
| US7110235B2 (en) * | 1997-04-08 | 2006-09-19 | Xzy Altenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
| US7274549B2 (en) * | 2000-12-15 | 2007-09-25 | X2Y Attenuators, Llc | Energy pathway arrangements for energy conditioning |
| US7336468B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-02-26 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
| US6606011B2 (en) * | 1998-04-07 | 2003-08-12 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit assembly |
| US7042703B2 (en) * | 2000-03-22 | 2006-05-09 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning structure |
| US7106570B2 (en) * | 1997-04-08 | 2006-09-12 | Xzy Altenuators, Llc | Pathway arrangement |
| US6894884B2 (en) * | 1997-04-08 | 2005-05-17 | Xzy Attenuators, Llc | Offset pathway arrangements for energy conditioning |
| US6650525B2 (en) * | 1997-04-08 | 2003-11-18 | X2Y Attenuators, Llc | Component carrier |
| EP1070389B1 (en) * | 1998-04-07 | 2007-12-05 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Component carrier |
| US7427816B2 (en) | 1998-04-07 | 2008-09-23 | X2Y Attenuators, Llc | Component carrier |
| US6157528A (en) * | 1999-01-28 | 2000-12-05 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Polymer fuse and filter apparatus |
| US7113383B2 (en) * | 2000-04-28 | 2006-09-26 | X2Y Attenuators, Llc | Predetermined symmetrically balanced amalgam with complementary paired portions comprising shielding electrodes and shielded electrodes and other predetermined element portions for symmetrically balanced and complementary energy portion conditioning |
| US6549389B2 (en) * | 2000-08-15 | 2003-04-15 | X2Y Attenuators, Llc | Electrode arrangement for circuit energy conditioning |
| CN1481603A (zh) | 2000-10-17 | 2004-03-10 | X2Y˥��������˾ | 屏蔽汞齐和被屏蔽的能量路径及用于单个或多个带公共参考节点电路的其它元件 |
| US7193831B2 (en) | 2000-10-17 | 2007-03-20 | X2Y Attenuators, Llc | Energy pathway arrangement |
| US7180718B2 (en) | 2003-01-31 | 2007-02-20 | X2Y Attenuators, Llc | Shielded energy conditioner |
| WO2005002018A2 (en) | 2003-05-29 | 2005-01-06 | X2Y Attenuators, Llc | Connector related structures including an energy |
| US7675729B2 (en) | 2003-12-22 | 2010-03-09 | X2Y Attenuators, Llc | Internally shielded energy conditioner |
| KR20070107746A (ko) | 2005-03-01 | 2007-11-07 | 엑스2와이 어테뉴에이터스, 엘.엘.씨 | 내부 중첩된 조절기 |
| US7817397B2 (en) | 2005-03-01 | 2010-10-19 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioner with tied through electrodes |
| WO2006099297A2 (en) | 2005-03-14 | 2006-09-21 | X2Y Attenuators, Llc | Conditioner with coplanar conductors |
| CN101395683A (zh) | 2006-03-07 | 2009-03-25 | X2Y衰减器有限公司 | 能量调节装置结构 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5679423A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-30 | Tdk Electronics Co Ltd | Semiconductor condenser |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3529218A (en) * | 1967-07-28 | 1970-09-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ceramic rectifier and a method for preparing the same |
-
1983
- 1983-02-07 JP JP58019459A patent/JPS59144116A/ja active Granted
-
1984
- 1984-02-06 US US06/577,020 patent/US4533931A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5679423A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-30 | Tdk Electronics Co Ltd | Semiconductor condenser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4533931A (en) | 1985-08-06 |
| JPH0220132B2 (ja) | 1990-05-08 |
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