JPS6129133B2 - - Google Patents
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- JPS6129133B2 JPS6129133B2 JP15229878A JP15229878A JPS6129133B2 JP S6129133 B2 JPS6129133 B2 JP S6129133B2 JP 15229878 A JP15229878 A JP 15229878A JP 15229878 A JP15229878 A JP 15229878A JP S6129133 B2 JPS6129133 B2 JP S6129133B2
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、小型、大容量でかつ製作の容易な粒
界絶縁型半導体磁器コンデンサに関するものであ
る。
界絶縁型半導体磁器コンデンサに関するものであ
る。
近時電気機器の小型化に伴い、電子部品の小型
化も強く要望されている。小型で大容量が得られ
るコンデンサとしては、これまで積層コンデンサ
が汎用されている。しかしより大容量のものを要
求される場合には、小型化にも限度がある。
化も強く要望されている。小型で大容量が得られ
るコンデンサとしては、これまで積層コンデンサ
が汎用されている。しかしより大容量のものを要
求される場合には、小型化にも限度がある。
一般に半導体磁器コンデンサは、他のものと比
較してその容量値にきわめて大きなものが得られ
ることが知られている。しかしこのものは、これ
までいわゆる単板コンデンサとしてしか利用され
ていない。またこの単板コンデンサの場合、半導
体磁器の焼成と容量用電極の付与、焼付とを別工
程で行なつているため、製作が煩雑であるという
欠点を有していた。
較してその容量値にきわめて大きなものが得られ
ることが知られている。しかしこのものは、これ
までいわゆる単板コンデンサとしてしか利用され
ていない。またこの単板コンデンサの場合、半導
体磁器の焼成と容量用電極の付与、焼付とを別工
程で行なつているため、製作が煩雑であるという
欠点を有していた。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであつ
て、半導体粒界絶縁型誘電体磁器に複数孔の通孔
を設け、この通孔に高融点金属よりなる容量用電
極体を挿通し、この電極体を、誘電体磁器の相対
向端面に設けられた外部接続用電極に、その隣り
合うものが異なる外部接続用電極に導電接続され
るようにしたことを特徴とする粒界絶縁型半導体
磁器コンデンサを提供せんとするものである。
て、半導体粒界絶縁型誘電体磁器に複数孔の通孔
を設け、この通孔に高融点金属よりなる容量用電
極体を挿通し、この電極体を、誘電体磁器の相対
向端面に設けられた外部接続用電極に、その隣り
合うものが異なる外部接続用電極に導電接続され
るようにしたことを特徴とする粒界絶縁型半導体
磁器コンデンサを提供せんとするものである。
以下本発明の実施例を、図面を参照しつつ詳述
する。
する。
第１図は本発明に用いる誘電体磁器と容量用電
極とを示したもので、第２図はこれらを結合した
本発明コンデンサを示したものである。
極とを示したもので、第２図はこれらを結合した
本発明コンデンサを示したものである。
図において１は半導体粒界絶縁型誘電体磁器
で、この相対向端面ａ，ｂに貫通する複数個の通
孔２，………２を有している。３ａ，３ｂは高融
点金属よりなる外部接続用電極としての金属平板
で、その一平面上には同じく高融点金属よりなる
容量用電極体４ａ………４ａ，４ｂ………４ｂが
一体に設けられている。この金属平板３ａ，３ｂ
は、前記磁器１の両端面の形状とほぼ一致し、ま
た容量用電極体４ａ，………４ａ，４ｂ，………
４ｂの長さは、磁器１の通孔２，………２の長さ
よりもやや短く選ばれるとともに、それらの位置
は互いに等間隔でズレ合うように選ばれている。
で、この相対向端面ａ，ｂに貫通する複数個の通
孔２，………２を有している。３ａ，３ｂは高融
点金属よりなる外部接続用電極としての金属平板
で、その一平面上には同じく高融点金属よりなる
容量用電極体４ａ………４ａ，４ｂ………４ｂが
一体に設けられている。この金属平板３ａ，３ｂ
は、前記磁器１の両端面の形状とほぼ一致し、ま
た容量用電極体４ａ，………４ａ，４ｂ，………
４ｂの長さは、磁器１の通孔２，………２の長さ
よりもやや短く選ばれるとともに、それらの位置
は互いに等間隔でズレ合うように選ばれている。
このような電極体４ａ，………４ａ，４ｂ，…
……４ｂを、誘電体磁器１の両端面より、それら
が交互に相隣り合うように挿通し、第２図示のよ
うな、半導体磁器コンデンサＣを得る。この場合
前記通孔２，………２中に挿通されている電極体
４ａ，………４ａ，４ｂ，………４ｂの誘電体磁
器１中への固着、保持は、誘電体磁器１を本焼成
する前に電極体を挿通しておき、磁器１を本焼成
する際に生じる焼締り現象によつて結着して行な
う。
……４ｂを、誘電体磁器１の両端面より、それら
が交互に相隣り合うように挿通し、第２図示のよ
うな、半導体磁器コンデンサＣを得る。この場合
前記通孔２，………２中に挿通されている電極体
４ａ，………４ａ，４ｂ，………４ｂの誘電体磁
器１中への固着、保持は、誘電体磁器１を本焼成
する前に電極体を挿通しておき、磁器１を本焼成
する際に生じる焼締り現象によつて結着して行な
う。
第３図は本発明に用いる誘電体磁器１の他の形
状例を示したもので、容量用電極体４ａ，………
４ａ，４ｂ，………４ｂを挿通する通孔２，……
…２が、磁器１の両端面ａ，ｂに貫通することの
ないように形成したものである。この例によれば
誘電体磁器１の両端面ａ，ｂに存する容量用電極
体がいずれも同電位のもののみとなるため、それ
らを導電接続させることが極めて容易となる。例
えば、先の実施例においてもいえることである
が、金属平板３ａ，３ｂを一切用いず、その端面
ａ，ｂに外部接続用電極（図示せず）を塗布、焼
付したりして行なうことが容易である。
状例を示したもので、容量用電極体４ａ，………
４ａ，４ｂ，………４ｂを挿通する通孔２，……
…２が、磁器１の両端面ａ，ｂに貫通することの
ないように形成したものである。この例によれば
誘電体磁器１の両端面ａ，ｂに存する容量用電極
体がいずれも同電位のもののみとなるため、それ
らを導電接続させることが極めて容易となる。例
えば、先の実施例においてもいえることである
が、金属平板３ａ，３ｂを一切用いず、その端面
ａ，ｂに外部接続用電極（図示せず）を塗布、焼
付したりして行なうことが容易である。
次に本発明コンデンサを製造する方法の具体例
について、第２図示のものを対象として説明す
る。
について、第２図示のものを対象として説明す
る。
先づチタン酸バリウム系あるいはチタン酸スト
ロンチウム系等の半導体磁器を、相対向する両端
面に貫通する複数個の通孔を形成するように成型
（押し出し成型やプレス成型等）する。
ロンチウム系等の半導体磁器を、相対向する両端
面に貫通する複数個の通孔を形成するように成型
（押し出し成型やプレス成型等）する。
次に高融点金属よりなる金属平板の一平面に、
同じく高融点金属よりなる複数個の容量用電極体
を植設したものを２個用意し、これらの容量用電
極体を前記半導体磁器の通孔中にそれぞれ挿通し
て保持する。この場合互いに隣り合う容量用電極
体は、異なる金属平板にそれぞれ植設されたもの
になるようにしなければならない。
同じく高融点金属よりなる複数個の容量用電極体
を植設したものを２個用意し、これらの容量用電
極体を前記半導体磁器の通孔中にそれぞれ挿通し
て保持する。この場合互いに隣り合う容量用電極
体は、異なる金属平板にそれぞれ植設されたもの
になるようにしなければならない。
次にこれを1350〜1450℃の中性あるいは酸化性
雰囲気中で焼成し、半導体磁器を磁器化するとと
もに、焼成により現象生じる焼締りによつて通孔
内の容量用電極体を結着する。
雰囲気中で焼成し、半導体磁器を磁器化するとと
もに、焼成により現象生じる焼締りによつて通孔
内の容量用電極体を結着する。
その後、この磁器の外表面（少なくとも両端
面）に銅、マンガン、ビスマス等の粒界絶縁体化
用金属酸化物を付与し、1000〜1250℃の中性ある
いは還元性雰囲気中で熱処理し、粒界に絶縁層を
生成させて半導体磁器コンデンサを得る。必要に
より金属平板にリード線を接続したり、全体に絶
縁外装を施せばよい。
面）に銅、マンガン、ビスマス等の粒界絶縁体化
用金属酸化物を付与し、1000〜1250℃の中性ある
いは還元性雰囲気中で熱処理し、粒界に絶縁層を
生成させて半導体磁器コンデンサを得る。必要に
より金属平板にリード線を接続したり、全体に絶
縁外装を施せばよい。
また別の製造方法として、通孔を有しない成型
された磁器の相対向端面から、金属平板に植設さ
れている容量用電極体を圧入して挿し込んで保持
するようにし、後、先の例と同様の手段で半導体
磁器コンデンサを得るようにしてもよい。
された磁器の相対向端面から、金属平板に植設さ
れている容量用電極体を圧入して挿し込んで保持
するようにし、後、先の例と同様の手段で半導体
磁器コンデンサを得るようにしてもよい。
なおこれらの製造方法は、いずれも全く焼成さ
れていない半導体磁器中に容量用電極体を挿入
し、後焼成して結着したものとして示したが、半
導体磁器をあらかじめ成型して仮焼したものに電
極体を挿入し、本焼成時に結着させるようにして
もよい。また先の両例では、半導体磁器の磁器化
と金属酸化物による粒界絶縁層の形成とを別工程
で行なつているが、これらを同一工程で、つまり
一回の焼成のみで行なつてもよい。さらに金属酸
化物は、先例のように半導体磁器の外表面に付与
する他、あらかじめ磁器中に混在させておいた
り、磁器の通孔中に挿し込まれる容量用電極体の
外周面に付与しておいたりしてもよい。
れていない半導体磁器中に容量用電極体を挿入
し、後焼成して結着したものとして示したが、半
導体磁器をあらかじめ成型して仮焼したものに電
極体を挿入し、本焼成時に結着させるようにして
もよい。また先の両例では、半導体磁器の磁器化
と金属酸化物による粒界絶縁層の形成とを別工程
で行なつているが、これらを同一工程で、つまり
一回の焼成のみで行なつてもよい。さらに金属酸
化物は、先例のように半導体磁器の外表面に付与
する他、あらかじめ磁器中に混在させておいた
り、磁器の通孔中に挿し込まれる容量用電極体の
外周面に付与しておいたりしてもよい。
本発明粒界絶縁型半導体磁器コンデンサは、以
上の説明から明らかなように、複数個の対向する
容量用電極体を誘電体磁器中に埋設するようにし
たもので、従来の積層コンデンサや単板型半導体
磁器コンデンサに比較して、その容量値を著るし
く大きくでき、それだけ小型化を可能にできるも
のである。また本発明のものは、積層コンデンサ
のような複雑な製造工程を必要としないので、そ
の製作も容易である等、その効果は大きい。
上の説明から明らかなように、複数個の対向する
容量用電極体を誘電体磁器中に埋設するようにし
たもので、従来の積層コンデンサや単板型半導体
磁器コンデンサに比較して、その容量値を著るし
く大きくでき、それだけ小型化を可能にできるも
のである。また本発明のものは、積層コンデンサ
のような複雑な製造工程を必要としないので、そ
の製作も容易である等、その効果は大きい。
なお本発明は、図面に示した構造のものに限ら
ず、本発明の趣旨を逸脱しない程度の設計変更は
任意に行ない得る。特に容量用電極体の形状や材
質は任意で、要は誘電体磁器の焼成によつて変形
することなく、かつ容量用電極として使用できる
ものであればいかなるものでもよく、必要によ
り、例えば本来容量用電極材として適したもので
なくても、その外周面に容量用電極材としてすぐ
れたものを被覆させたものを用いる等してもよ
い。また容量用電極体は、できるだけ密で細くか
つ数の多い方が好ましい。
ず、本発明の趣旨を逸脱しない程度の設計変更は
任意に行ない得る。特に容量用電極体の形状や材
質は任意で、要は誘電体磁器の焼成によつて変形
することなく、かつ容量用電極として使用できる
ものであればいかなるものでもよく、必要によ
り、例えば本来容量用電極材として適したもので
なくても、その外周面に容量用電極材としてすぐ
れたものを被覆させたものを用いる等してもよ
い。また容量用電極体は、できるだけ密で細くか
つ数の多い方が好ましい。
第１図は本発明粒界絶縁型半導体磁器コンデン
サの一実施例を示す分解斜視図、第２図は完成品
の側断面図、第３図は本発明に用いる誘電体磁器
の形状例を示す側断面図である。 １−誘電体磁器、２−通孔、３ａ，３ｂ−金属
平板、４ａ，４ｂ−容量用電極体。
サの一実施例を示す分解斜視図、第２図は完成品
の側断面図、第３図は本発明に用いる誘電体磁器
の形状例を示す側断面図である。 １−誘電体磁器、２−通孔、３ａ，３ｂ−金属
平板、４ａ，４ｂ−容量用電極体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 相対向端面に向つて伸びる複数個の通孔を有
してなる半導体粒界絶縁型誘電体磁器と、この誘
電体磁器の前記相対向端面にそれぞれ設けられた
外部接続用電極と、前記誘電体磁器の各通孔に挿
通された高融点金属よりなる容量用電極体とより
なり、 この容量用電極体は、隣り合うものが互いに異
なる前記外部接続用電極に導電接続されているこ
とを特徴とする粒界絶縁型半導体磁器コンデン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15229878A JPS5577127A (en) | 1978-12-06 | 1978-12-06 | Grain boundary insulating semiconductor porcelain capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15229878A JPS5577127A (en) | 1978-12-06 | 1978-12-06 | Grain boundary insulating semiconductor porcelain capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5577127A JPS5577127A (en) | 1980-06-10 |
| JPS6129133B2 true JPS6129133B2 (ja) | 1986-07-04 |
Family
ID=15537459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15229878A Granted JPS5577127A (en) | 1978-12-06 | 1978-12-06 | Grain boundary insulating semiconductor porcelain capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5577127A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153618A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-07-03 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ及びコンデンサの製造方法 |
| JP2009054980A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-03-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ素子及びコンデンサ素子の製造方法 |
| JP2009076850A (ja) * | 2007-06-14 | 2009-04-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2009088034A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
| US7903387B2 (en) | 2007-08-20 | 2011-03-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Capacitor having microstructures |
| US8027145B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-09-27 | Taiyo Yuden Co., Ltd | Capacitor element and method of manufacturing capacitor element |
| WO2015064200A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5432002B2 (ja) | 2010-02-25 | 2014-03-05 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ及びその製造方法 |
-
1978
- 1978-12-06 JP JP15229878A patent/JPS5577127A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153618A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-07-03 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ及びコンデンサの製造方法 |
| JP2009076850A (ja) * | 2007-06-14 | 2009-04-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2009054980A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-03-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ素子及びコンデンサ素子の製造方法 |
| US8027145B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-09-27 | Taiyo Yuden Co., Ltd | Capacitor element and method of manufacturing capacitor element |
| US7903387B2 (en) | 2007-08-20 | 2011-03-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Capacitor having microstructures |
| JP2009088034A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
| JP4493686B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2010-06-30 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ及びその製造方法 |
| US8555474B2 (en) | 2007-09-27 | 2013-10-15 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method of manufacturing capacitor element |
| WO2015064200A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ |
| US9818537B2 (en) | 2013-10-30 | 2017-11-14 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5577127A (en) | 1980-06-10 |
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