JPH0328502Y2 - - Google Patents
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- JPH0328502Y2 JPH0328502Y2 JP1983139351U JP13935183U JPH0328502Y2 JP H0328502 Y2 JPH0328502 Y2 JP H0328502Y2 JP 1983139351 U JP1983139351 U JP 1983139351U JP 13935183 U JP13935183 U JP 13935183U JP H0328502 Y2 JPH0328502 Y2 JP H0328502Y2
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- dielectric layer
- capacitor
- electrode
- common electrode
- cylindrical body
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
産業上の利用分野
本考案は、電子機器の主要構成部品の一つであ
るコンデンサを小形化、高容量化したＣネツトワ
ークコンデンサに関する。 従来例の構成とその問題点 Ｃネツトワークコンデンサは、一つの基体を用
いて形成した、それぞれ独立して回路に使用可能
な複数個の固定コンデンサ群からなるコンデンサ
である。 従来は、角板の一方の面に共通電極を設け、こ
れに対向する他の面に複数個の電極を設けて、こ
の電極にリード線を取り付けることによりコンデ
ンサを形成している。 このＣネツトワークコンデンサをプリント基板
上に挿着する場合、通常コンデンサの基板面はプ
リント基板面に垂直になるように挿着される。こ
こで例えば、１個の容量が10万pFでリード線間
隔2.5mm（電極巾２mm）のＣネツトワークコンデ
ンサを作成すると、たとえ高誘電率材料を用いた
としても電極の長さは７mm程度必要となり、した
がつてコンデンサの高さは８mm程度となり、プリ
ント基板上に挿入したときにIC素子の高さより
高くなるために電子機器の小形化を制限する欠点
があつた。 考案の目的 本考案は前記の従来のＣネツトワークコンデン
サの問題点を解決するために、小形で、集積化、
自動組立による量産化を計ると共にIC素子の高
さより低い高容量のＣネツトワークコンデンサを
安価に得るにある。 考案の構成 本考案は、導体または半導体から成る円筒体の
表面に誘電体層を設け、前記円筒体の内壁面およ
び内壁面に連続する外壁面の一部に共通電極を構
成し、外壁面の前記誘電体層上に複数個の対向電
極を設けて独立した複数個の固定コンデンサ群を
形成し、また前記円筒体を表面再酸化形半導体コ
ンデンサ用セラミツクとしたことを特徴とする。 実施例の説明 本考案を図面に基づいて説明する。 第１図に本考案のＣネツトワークコンデンサを
示す。イ図は縦断面図、ロ図はイ図のＸ−X′線
の断面図を示す。 図において、１は導体または半導体からなる円
筒体、２は誘電体層、３−１は共通電極、３−２
は共通電極に連続する外部電極、３−３は外部電
極、を示す。 本考案は円筒体１の内外の表面に誘電体層２を
構成し、円筒体２の内側の誘電体層２の上に共通
電極３−１を全面に設けると共に連続する外部電
極３−２を外壁面に設け、外壁面上に複数個の対
向電極３−３を設ける。 第１図に示す内部構造を有する素子を採用する
ことにより、静電容量は、表面に形成される誘電
体層の厚みおよび誘電体層の誘電率そして誘電体
層表面に形成される対をなす電極面積の総和によ
つて決定される。したがつて、誘電体のみよりな
る素子あるいは粒界絶縁形半導体素子のように素
子の肉厚によつてその容量は決定されないので、
本考案に示す内部構造の素子では素子の肉厚を自
由に選択しうる。したがつて素子の機械的強度及
び成形性を著しく改善することができる。また本
考案の構造のＣネツトワークコンデンサの容量は
前記の理由により材料、工法あるいは電極面積を
適宜選択することにより同一形状、同一素子数で
一素子当りの容量を高容量から低容量までのコン
デンサを自由に設計することができる。また本考
案の構造を有するＣネツトワークコンデンサを作
成するための材料あるいは方法として例えば銅な
どの導体、あるいは窒化ケイ素セラミツクス、あ
るいは表面再酸化形半導体セラミツクコンデンサ
材料あるいは他の半導体セラミツク材料又は導電
性、半導性プラスチツク等の材料を用い、これら
の表面を酸化あるいは真空蒸着、スパツタリン
グ、絶縁性フイルムの塗布などの方法あるいは材
料を用いて前記材料の表面に任意の厚みと誘電率
をもつ誘電体層を形成することができ、コンデン
サの用途に応じ、前記の材料、方法を組み合わせ
て自由にＣネツトワークコンデンサを作成するこ
とができる。 以下本考案を実施例を挙げて具体的に説明す
る。 本考案の一実施例として、表面再酸化形半導体
セラミツクコンデンサ材料を用い円筒形の円筒体
２１に成形し、Ｃネツトワークコンデンサとなし
た時を第２図に示す。イ図は縦断面、ロ図はイ図
Ｙ−Y′線の断面図、を示す。円筒体２１の表面
は、再酸化処理によつて誘電体層２になつてお
り、その内部は半導体１であり、内壁面と内壁面
に連続して外壁面の一部の表面誘電体層の表面に
銀電極を付与し共通電極２３−１とし、外壁面の
共通電極部以外の部分に６個の共通電極とそれぞ
れ対になる銀電極２３−３を付与することにより
Ｃネツトワークコンデンサとしている。 試料の調整工程としては、工業用原料の
BaTiO3、TiO2、MnO2およびNd2O5粉末を用
い、 0.91BaTiO3＋0.09Nd2/3TiO3＋0.003MnO2
（mol％） の組成になるよう配合し、この粉末を湿式混合、
乾燥、1150℃の温度で仮焼し、BaTiO3−Nd2/3
TiO3−MnO2系仮焼粉末を得た。次いでこの仮焼
原料粉末を粉砕した後、PVA（ポリビニルアルコ
ール）水溶液をバインダーとして添加混合し32メ
ツシユパスに整粒し、この整粒粉末を1ton／cm2の
圧力で円筒形に成形（外径3.9mmφ、内径1.9mm
φ、長さ27mm）し、これらの円筒体を空気中1300
℃の温度で一次焼成した後に、90％N2−10％H2
の還元雰囲気中で1100℃の温度で２時間焼成して
（外径3.0mmφ、内径1.5mmφ、長さ21mm）円筒形
半導体磁器を得た。次にこの半導体磁器を下記の
第１表に示す三次焼成条件（再酸化）で空気中で
焼成し酸化し半導体磁器表面に誘電体層を設け
た。
るコンデンサを小形化、高容量化したＣネツトワ
ークコンデンサに関する。 従来例の構成とその問題点 Ｃネツトワークコンデンサは、一つの基体を用
いて形成した、それぞれ独立して回路に使用可能
な複数個の固定コンデンサ群からなるコンデンサ
である。 従来は、角板の一方の面に共通電極を設け、こ
れに対向する他の面に複数個の電極を設けて、こ
の電極にリード線を取り付けることによりコンデ
ンサを形成している。 このＣネツトワークコンデンサをプリント基板
上に挿着する場合、通常コンデンサの基板面はプ
リント基板面に垂直になるように挿着される。こ
こで例えば、１個の容量が10万pFでリード線間
隔2.5mm（電極巾２mm）のＣネツトワークコンデ
ンサを作成すると、たとえ高誘電率材料を用いた
としても電極の長さは７mm程度必要となり、した
がつてコンデンサの高さは８mm程度となり、プリ
ント基板上に挿入したときにIC素子の高さより
高くなるために電子機器の小形化を制限する欠点
があつた。 考案の目的 本考案は前記の従来のＣネツトワークコンデン
サの問題点を解決するために、小形で、集積化、
自動組立による量産化を計ると共にIC素子の高
さより低い高容量のＣネツトワークコンデンサを
安価に得るにある。 考案の構成 本考案は、導体または半導体から成る円筒体の
表面に誘電体層を設け、前記円筒体の内壁面およ
び内壁面に連続する外壁面の一部に共通電極を構
成し、外壁面の前記誘電体層上に複数個の対向電
極を設けて独立した複数個の固定コンデンサ群を
形成し、また前記円筒体を表面再酸化形半導体コ
ンデンサ用セラミツクとしたことを特徴とする。 実施例の説明 本考案を図面に基づいて説明する。 第１図に本考案のＣネツトワークコンデンサを
示す。イ図は縦断面図、ロ図はイ図のＸ−X′線
の断面図を示す。 図において、１は導体または半導体からなる円
筒体、２は誘電体層、３−１は共通電極、３−２
は共通電極に連続する外部電極、３−３は外部電
極、を示す。 本考案は円筒体１の内外の表面に誘電体層２を
構成し、円筒体２の内側の誘電体層２の上に共通
電極３−１を全面に設けると共に連続する外部電
極３−２を外壁面に設け、外壁面上に複数個の対
向電極３−３を設ける。 第１図に示す内部構造を有する素子を採用する
ことにより、静電容量は、表面に形成される誘電
体層の厚みおよび誘電体層の誘電率そして誘電体
層表面に形成される対をなす電極面積の総和によ
つて決定される。したがつて、誘電体のみよりな
る素子あるいは粒界絶縁形半導体素子のように素
子の肉厚によつてその容量は決定されないので、
本考案に示す内部構造の素子では素子の肉厚を自
由に選択しうる。したがつて素子の機械的強度及
び成形性を著しく改善することができる。また本
考案の構造のＣネツトワークコンデンサの容量は
前記の理由により材料、工法あるいは電極面積を
適宜選択することにより同一形状、同一素子数で
一素子当りの容量を高容量から低容量までのコン
デンサを自由に設計することができる。また本考
案の構造を有するＣネツトワークコンデンサを作
成するための材料あるいは方法として例えば銅な
どの導体、あるいは窒化ケイ素セラミツクス、あ
るいは表面再酸化形半導体セラミツクコンデンサ
材料あるいは他の半導体セラミツク材料又は導電
性、半導性プラスチツク等の材料を用い、これら
の表面を酸化あるいは真空蒸着、スパツタリン
グ、絶縁性フイルムの塗布などの方法あるいは材
料を用いて前記材料の表面に任意の厚みと誘電率
をもつ誘電体層を形成することができ、コンデン
サの用途に応じ、前記の材料、方法を組み合わせ
て自由にＣネツトワークコンデンサを作成するこ
とができる。 以下本考案を実施例を挙げて具体的に説明す
る。 本考案の一実施例として、表面再酸化形半導体
セラミツクコンデンサ材料を用い円筒形の円筒体
２１に成形し、Ｃネツトワークコンデンサとなし
た時を第２図に示す。イ図は縦断面、ロ図はイ図
Ｙ−Y′線の断面図、を示す。円筒体２１の表面
は、再酸化処理によつて誘電体層２になつてお
り、その内部は半導体１であり、内壁面と内壁面
に連続して外壁面の一部の表面誘電体層の表面に
銀電極を付与し共通電極２３−１とし、外壁面の
共通電極部以外の部分に６個の共通電極とそれぞ
れ対になる銀電極２３−３を付与することにより
Ｃネツトワークコンデンサとしている。 試料の調整工程としては、工業用原料の
BaTiO3、TiO2、MnO2およびNd2O5粉末を用
い、 0.91BaTiO3＋0.09Nd2/3TiO3＋0.003MnO2
（mol％） の組成になるよう配合し、この粉末を湿式混合、
乾燥、1150℃の温度で仮焼し、BaTiO3−Nd2/3
TiO3−MnO2系仮焼粉末を得た。次いでこの仮焼
原料粉末を粉砕した後、PVA（ポリビニルアルコ
ール）水溶液をバインダーとして添加混合し32メ
ツシユパスに整粒し、この整粒粉末を1ton／cm2の
圧力で円筒形に成形（外径3.9mmφ、内径1.9mm
φ、長さ27mm）し、これらの円筒体を空気中1300
℃の温度で一次焼成した後に、90％N2−10％H2
の還元雰囲気中で1100℃の温度で２時間焼成して
（外径3.0mmφ、内径1.5mmφ、長さ21mm）円筒形
半導体磁器を得た。次にこの半導体磁器を下記の
第１表に示す三次焼成条件（再酸化）で空気中で
焼成し酸化し半導体磁器表面に誘電体層を設け
た。
【表】
この表面再酸化磁器に、第３図に示すように、
共通電極として円筒形磁器の内壁全面とこれに連
続するように、円筒の外壁に端より3.9mm、1.3mm
の部分まで誘電体層表面に電極材を付与し、円筒
の共通電極と、しない部分に円筒の外壁を一周す
る約2.0mmの幅をもつ電極材を付与する部分を６
ケ所設け、その他の残りの部分に、幅約0.5mmの
電極材を付与しない部分を７ケ所設けることによ
り、外壁上に共通電極部を除き互いに独立した６
ケの電極を設けるように電極材を付与した。これ
を800℃の温度で電極焼付を行ない、Ｃネツトワ
ークコンデンサを得た。前記実施例に記載した円
筒形は実施例の１つであり、これ以外に例えば第
３図、第４図に示すように断面が長方形または楕
円の中空体、あるいは第５図、第６図に示すよう
に外壁が長方形で内壁が円または外壁が円で内壁
が長方形といつた形状でも良く何ら本実施例のみ
限定するものではない。電極構造も第１図、第２
図、第３図に記載した構造は実施例の１つであ
り、これらの構造以外の例えば第８図、第９図の
構造でも何ら本考案の趣旨に反するものではな
い。電極材料もAg電極材料は実施例の１つであ
つてこれ以外にメツキなどの方法あるいはPdな
どを用いても良く何ら本考案の実施例のみ限定す
るものではない。 以上のように本考案は、従来の角板に比べプリ
ント基板からの高さがはるかに低く、機械的強度
成形性も改善されたＣネツトワークコンデンサの
構造であり、工業的量産性にも優れ、産業的価値
大なるものである。 考案の効果 以上のように本考案の１つには形状と２つには
素体表面部と内部との物性を変えた構造を同時に
採用することにより、従来の角板に比べて、一素
子の容量が同一で、プリント基板よりの高さが、
従来例の８〜９mmに比べ５mm以下のはるかにコン
パクトなＣネツトワークコンデンサを作製するこ
とができる。また本考案の構造にすることにより
容量は素子の肉厚に起因しないために十分な機械
的強度と成形性をもつことができる。
共通電極として円筒形磁器の内壁全面とこれに連
続するように、円筒の外壁に端より3.9mm、1.3mm
の部分まで誘電体層表面に電極材を付与し、円筒
の共通電極と、しない部分に円筒の外壁を一周す
る約2.0mmの幅をもつ電極材を付与する部分を６
ケ所設け、その他の残りの部分に、幅約0.5mmの
電極材を付与しない部分を７ケ所設けることによ
り、外壁上に共通電極部を除き互いに独立した６
ケの電極を設けるように電極材を付与した。これ
を800℃の温度で電極焼付を行ない、Ｃネツトワ
ークコンデンサを得た。前記実施例に記載した円
筒形は実施例の１つであり、これ以外に例えば第
３図、第４図に示すように断面が長方形または楕
円の中空体、あるいは第５図、第６図に示すよう
に外壁が長方形で内壁が円または外壁が円で内壁
が長方形といつた形状でも良く何ら本実施例のみ
限定するものではない。電極構造も第１図、第２
図、第３図に記載した構造は実施例の１つであ
り、これらの構造以外の例えば第８図、第９図の
構造でも何ら本考案の趣旨に反するものではな
い。電極材料もAg電極材料は実施例の１つであ
つてこれ以外にメツキなどの方法あるいはPdな
どを用いても良く何ら本考案の実施例のみ限定す
るものではない。 以上のように本考案は、従来の角板に比べプリ
ント基板からの高さがはるかに低く、機械的強度
成形性も改善されたＣネツトワークコンデンサの
構造であり、工業的量産性にも優れ、産業的価値
大なるものである。 考案の効果 以上のように本考案の１つには形状と２つには
素体表面部と内部との物性を変えた構造を同時に
採用することにより、従来の角板に比べて、一素
子の容量が同一で、プリント基板よりの高さが、
従来例の８〜９mmに比べ５mm以下のはるかにコン
パクトなＣネツトワークコンデンサを作製するこ
とができる。また本考案の構造にすることにより
容量は素子の肉厚に起因しないために十分な機械
的強度と成形性をもつことができる。
第１図は本考案のＣネツトワークコンデンサの
一実施例のイ図は縦断面、ロ図はイ図Ｘ−X′線
の断面図、第２図は本考案のＣネツトワークコン
デンサの第２の実施例の表面再酸化形半導体コン
デンサ材料を用いたときのイ図は縦断面、ロ図は
イ図Ｙ−Y′線の断面図、第３図は本考案の実施
例記載の試料の寸法図のイ図は側面図、ロ図はイ
図のＺ−Z′線の断面図、第４図、第５図、第６
図、第７図は本実施例以外のその他の中空体の断
面図、第８図、第９図は本実施例以外のその他の
電極構造図、を示す。 １：導体又は半導体、２：誘電体層、３−１，
２３−１：共通電極、３−２，２３−２：共通電
極に連続する外部電極、３−３，２３−３：外部
電極、２１：表面再酸化型半導体セラミツクコン
デンサ材料の円筒体。
一実施例のイ図は縦断面、ロ図はイ図Ｘ−X′線
の断面図、第２図は本考案のＣネツトワークコン
デンサの第２の実施例の表面再酸化形半導体コン
デンサ材料を用いたときのイ図は縦断面、ロ図は
イ図Ｙ−Y′線の断面図、第３図は本考案の実施
例記載の試料の寸法図のイ図は側面図、ロ図はイ
図のＺ−Z′線の断面図、第４図、第５図、第６
図、第７図は本実施例以外のその他の中空体の断
面図、第８図、第９図は本実施例以外のその他の
電極構造図、を示す。 １：導体又は半導体、２：誘電体層、３−１，
２３−１：共通電極、３−２，２３−２：共通電
極に連続する外部電極、３−３，２３−３：外部
電極、２１：表面再酸化型半導体セラミツクコン
デンサ材料の円筒体。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 導体または半導体からなる円筒体の表面に誘
電体層を設け、前記円筒体の内壁面から前記誘
電体層の端部に連続する共通電極を構成し、前
記誘電体層の端部以外の前記誘電体層上に複数
個の互いに独立し前記共通電極に対向した対向
電極を設けて、独立した複数個の固体コンデン
サ群を形成してなることを特徴とするＣネツト
ワークコンデンサ。 ２ 円筒体を表面再酸化型半導体コンデンサ用セ
ラミツクとしたことを特徴とする実用新案登録
請求の範囲第１項記載のＣネツトワークコンデ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13935183U JPS6048228U (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | Ｃネツトワ−クコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13935183U JPS6048228U (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | Ｃネツトワ−クコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6048228U JPS6048228U (ja) | 1985-04-04 |
| JPH0328502Y2 true JPH0328502Y2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=30312367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13935183U Granted JPS6048228U (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | Ｃネツトワ−クコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6048228U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4823932B1 (ja) * | 1969-05-30 | 1973-07-17 | ||
| JPS58121619A (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-20 | ティーディーケイ株式会社 | 積層型半導体磁器コンデンサとその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4823932U (ja) * | 1971-07-27 | 1973-03-19 |
-
1983
- 1983-09-08 JP JP13935183U patent/JPS6048228U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4823932B1 (ja) * | 1969-05-30 | 1973-07-17 | ||
| JPS58121619A (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-20 | ティーディーケイ株式会社 | 積層型半導体磁器コンデンサとその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6048228U (ja) | 1985-04-04 |
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