JP2018170493A - 積層型キャパシタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】互いに対向する第1及び第2面、第1及び第2面と連結され、互いに対向する第3及び第4面を含み、誘電体層112及び誘電体層を介して交互に配置され、第1及び第2面にそれぞれ露出する第1及び第2内部電極121、122を含むキャパシタ本体と、キャパシタ本体の少なくとも第3及び第4面に形成され、第1及び第2内部電極と直接接する非晶質誘電体薄膜113と、を含む。
【選択図】図4
Description
112 誘電体層
113 非晶質誘電体薄膜
121、122 第1及び第2内部電極
131、132 第1及び第2外部電極
211 キャパシタ本体
211a セラミックグリーンシート積層体
211b 棒状の積層体
211c 個別積層体
212a 第1及び第2セラミックグリーンシート
213 非晶質誘電体薄膜
221a ストライプ状の第1内部電極パターン
222a ストライプ状の第2内部電極パターン
231、232 第1及び第2外部電極
Claims (20)
- 互いに対向する第1及び第2面、前記第1及び第2面と連結され、互いに対向する第3及び第4面を含み、誘電体層、及び前記誘電体層を介して交互に配置され、前記第1及び第2面にそれぞれ露出する第1及び第2内部電極を含むキャパシタ本体と、
前記キャパシタ本体の少なくとも第3及び第4面に形成され、前記第1及び第2内部電極と直接接する非晶質誘電体薄膜と、
を含む、積層型キャパシタ。 - 前記非晶質誘電体薄膜は、Al2O3、Si3N4、パリレン(parylene)、及びこれらの組み合わせからなる群より選択された1種以上の誘電体を含む、請求項1に記載の積層型キャパシタ。
- 前記非晶質誘電体薄膜の最大厚さは、5μm以下(0μmは除く)である、請求項1又は2に記載の積層型キャパシタ。
- 前記非晶質誘電体薄膜は、蒸着により形成される、請求項1から3のいずれか一項に記載の積層型キャパシタ。
- 前記蒸着は、CVD(Chemical Vapor Deposition)、ALD(Atomic Layer Deposition)、及びMVD(Molecular Vapor Deposition)のいずれか1つである、請求項4に記載の積層型キャパシタ。
- 前記キャパシタ本体の第1及び第2面にそれぞれ形成され、前記第1及び第2面に露出する第1及び第2内部電極とそれぞれ接続される第1及び第2外部電極をさらに含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の積層型キャパシタ。
- 前記非晶質誘電体薄膜及び前記キャパシタ本体の誘電体層は、互いに異なる材料を含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の積層型キャパシタ。
- 前記キャパシタ本体の誘電体層は、チタン酸バリウム(BaTiO3)系、鉛複合ペロブスカイト系、及びチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)系粉末のうち少なくとも一つを含む結晶質セラミック粉末を含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の積層型キャパシタ。
- 互いに対向する第1及び第2面、前記第1及び第2面と連結され、互いに対向する第3及び第4面を含み、誘電体層、及び前記誘電体層を介して交互に配置され、前記第1及び第2面にそれぞれ露出する第1及び第2内部電極を含むキャパシタ本体と、
前記キャパシタ本体の第1及び第2面にそれぞれ形成され、前記第1及び第2面に露出する第1及び第2内部電極とそれぞれ接続される第1及び第2外部電極と、
前記第1及び第2内部電極と直接接する非晶質誘電体薄膜と、
を含む、積層型キャパシタ。 - 前記非晶質誘電体薄膜は、Al2O3、Si3N4、及びパリレン(parylene)、及びこれらの組み合わせからなる群より選択された1種以上の誘電体を含む、請求項9に記載の積層型キャパシタ。
- 前記非晶質誘電体薄膜の最大厚さは、5μm以下(0μmは除く)である、請求項9又は10に記載の積層型キャパシタ。
- 前記非晶質誘電体薄膜及び前記キャパシタ本体の誘電体層は、互いに異なる材料を含む、請求項9から11のいずれか一項に記載の積層型キャパシタ。
- 前記キャパシタ本体の誘電体層は、チタン酸バリウム(BaTiO3)系、鉛複合ペロブスカイト系、及びチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)系粉末のうち少なくとも一つを含む結晶質セラミック粉末を含む、請求項9から12のいずれか一項に記載の積層型キャパシタ。
- 複数のストライプ状の第1内部電極パターンが所定の間隔をおいて形成された第1セラミックグリーンシート及び複数のストライプ状の第2内部電極パターンが所定の間隔をおいて形成された第2セラミックグリーンシートを設ける段階と、
前記複数のストライプ状の第1内部電極パターン及び前記複数のストライプ状の第2内部電極パターンが交差するように前記第1セラミックグリーンシートと前記第2セラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層体を形成する段階と、
前記セラミックグリーンシート積層体を前記第1内部電極パターン及び前記第2内部電極パターンの形成方向と直交する方向に切断して、一定の幅を有する複数の第1及び第2内部電極を含み、前記複数の第1及び第2内部電極が前記幅方向に露出する第3及び第4面を有する棒状の積層体を得る段階と、
前記棒状の積層体を前記第1内部電極パターン及び前記第2内部電極パターンの形成方向に平行な方向に切断して、前記複数の第1及び第2内部電極の一端がそれぞれ露出する第1及び第2面を有する個別積層体を得る段階と、
前記個別積層体を焼成してキャパシタ本体を得る段階と、
前記キャパシタ本体の表面に非晶質誘電体薄膜を形成する段階と、
を含む、積層型キャパシタの製造方法。 - 前記非晶質誘電体薄膜は、Al2O3、Si3N4、SiO2、パリレン(parylene)、及びこれらの組み合わせからなる群より選択された1種以上の誘電体を含む、請求項14に記載の積層型キャパシタの製造方法。
- 前記非晶質誘電体薄膜は、蒸着により形成する、請求項14又は15に記載の積層型キャパシタの製造方法。
- 前記蒸着は、CVD(Chemical Vapor Deposition)、ALD(Atomic Layer Deposition)、及びMVD(Molecular Vapor Deposition)のいずれか1つである、請求項16に記載の積層型キャパシタの製造方法。
- 前記セラミックグリーンシート積層体を形成する時、前記複数のストライプ状の第1内部電極パターンのそれぞれの幅方向の中心と前記複数のストライプ状の第2内部電極パターン間の所定の間隔の幅方向の中心とが重なるように積層する、請求項14から17のいずれか一項に記載の積層型キャパシタの製造方法。
- 前記キャパシタ本体の第1及び第2面に形成された非晶質誘電体薄膜を除去する段階と、前記非晶質誘電体薄膜が除去された前記キャパシタ本体の第1及び第2面のそれぞれに第1及び第2外部電極を形成する段階と、をさらに含む、請求項14から18のいずれか一項に記載の積層型キャパシタの製造方法。
- 前記非晶質誘電体薄膜の除去は、ウエットエッチング(wet etching)又はサンドブラスト(sand blast)処理による、請求項19に記載の積層型キャパシタの製造方法。
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