JP2014204113A - 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 - Google Patents
積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014204113A JP2014204113A JP2013122443A JP2013122443A JP2014204113A JP 2014204113 A JP2014204113 A JP 2014204113A JP 2013122443 A JP2013122443 A JP 2013122443A JP 2013122443 A JP2013122443 A JP 2013122443A JP 2014204113 A JP2014204113 A JP 2014204113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- internal electrode
- side margin
- ceramic
- internal
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 135
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 18
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、積層セラミックキャパシタ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による積層セラミックキャパシタは、対向する第１側面及び第２側面、上記第１側面と第２側面とを連結する第３端面及び第４端面を有するセラミック本体と、上記セラミック本体の内部に形成され、上記第３端面または第４端面に一端が露出する複数個の内部電極と、上記第１側面及び第２側面から上記内部電極の端部まで形成された第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部と、を含み、上記セラミック本体の幅方向において、上記内部電極の両端部は酸化領域を含み、上記内部電極の中で最上部及び最下部の内部電極を除外した容量形成に寄与する内部電極の上記酸化領域の中で最大長さＬｍａｘが３μｍ以下、長さの標準偏差が１μｍ以下であることができる。
【選択図】図２
【解決手段】本発明による積層セラミックキャパシタは、対向する第１側面及び第２側面、上記第１側面と第２側面とを連結する第３端面及び第４端面を有するセラミック本体と、上記セラミック本体の内部に形成され、上記第３端面または第４端面に一端が露出する複数個の内部電極と、上記第１側面及び第２側面から上記内部電極の端部まで形成された第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部と、を含み、上記セラミック本体の幅方向において、上記内部電極の両端部は酸化領域を含み、上記内部電極の中で最上部及び最下部の内部電極を除外した容量形成に寄与する内部電極の上記酸化領域の中で最大長さＬｍａｘが３μｍ以下、長さの標準偏差が１μｍ以下であることができる。
【選択図】図２
Description
本発明は、積層セラミックキャパシタ及びその製造方法に関するもので、より詳細には、誘電特性に優れた高容量の積層セラミックキャパシタ及びその製造方法に関する。
一般に、キャパシタ、インダクタ、圧電体素子、バリスタまたはサーミスタなどのセラミック材料を用いる電子部品は、セラミック材料からなるセラミック本体、本体の内部に形成された内部電極及び上記内部電極と接続されるようにセラミック本体表面に設置された外部電極を備える。
セラミック電子部品の中で積層セラミックキャパシタは、積層された複数の誘電体層、一誘電体層を介して対向配置される内部電極及び上記内部電極と電気的に接続された外部電極を含む。
積層セラミックキャパシタは、小型でありながら、高容量が保障され、実装が容易であるという長所から、コンピュータ、ＰＤＡ、携帯電話などの移動通信装置の部品として広く用いられている。
最近は、電子製品が小型化及び多機能化されるにつれ、チップ部品も小型化及び高機能化の傾向にあるため、積層セラミックキャパシタにもサイズが小さく容量が大きい高容量の製品が求められている。
一般に、積層セラミックキャパシタは以下のように製造されることができる。まず、セラミックグリーンシートを製造し、セラミックグリーンシート上に導電性ペーストを印刷して内部電極を形成する。内部電極が形成されたセラミックグリーンシートを数十から数百層重畳されるように積み上げてグリーンセラミック積層体を製作する。その後、グリーンセラミック積層体を高温及び高圧で圧搾して硬いグリーンセラミック積層体を製作し、切断工程を経てグリーンチップを製造する。次いで、グリーンチップを可塑及び焼成してから外部電極を形成することで、積層セラミックキャパシタを完成させる。
しかし、上記のような製造方法によって積層セラミックキャパシタを形成する場合、内部電極先端の酸化層の長さが不規則に形成されるため、誘電特性が低下する現象が著しいという問題がある。
下記先行技術文献には、セラミック電子部品の絶縁抵抗の劣化を抑制するために、内部電極両端部の長さ及び高さ方向において金属酸化物が固溶されてなる異常領域の占有率が８５％以上であることが開示されているが、内部電極の幅方向の両端部における酸化層の長さが調節されないため、誘電特性の低下問題は依然として解決されていない。
本発明は、誘電特性に優れた高容量の積層セラミックキャパシタ及びその製造方法を提供することをその目的とする。
本発明の一形態は、対向する第１側面及び第２側面、上記第１側面と第２側面とを連結する第３端面及び第４端面を有するセラミック本体と、上記セラミック本体の内部に形成され、上記第３端面または第４端面に一端が露出する複数個の内部電極と、上記第１側面及び第２側面から上記内部電極の端部まで形成された第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部と、を含み、上記セラミック本体の幅方向において、上記内部電極の両端部は酸化領域を含み、上記内部電極の中で最上部及び最下部の内部電極を除外した容量形成に寄与する内部電極の上記酸化領域は、最大長さＬｍａｘが３μｍ以下、長さの標準偏差が１μｍ以下である積層セラミックキャパシタを提供する。
上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は、平均厚さが１８μｍ以下であることができる。
上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は、セラミックスラリーで形成されることができる。
上記内部電極は、一端が上記第３端面に露出し、他端が上記第４端面から所定間隔を置いて形成される第１内部電極と、一端が第４端面に露出し、他端が上記第３端面から所定間隔を置いて形成される第２内部電極と、を含むことができる。
本発明の他の形態は、複数個のストライプ状の第１内部電極パターンが所定間隔を置いて形成された第１セラミックグリーンシート及び複数個のストライプ状の第２内部電極パターンが所定間隔を置いて形成された第２セラミックグリーンシートを用意する段階と、上記ストライプ状の第１内部電極パターンと上記ストライプ状の第２内部電極パターンが交差するように上記第１セラミックグリーンシートと上記第２セラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層体を形成する段階と、上記ストライプ状の第１内部電極パターン及び第２内部電極パターンを横切って第１内部電極及び第２内部電極が一定幅を有し、上記幅方向に上記第１内部電極及び第２内部電極の末端が露出した側面を有するように上記セラミックグリーンシート積層体を切断する段階と、上記第１内部電極及び第２内部電極の末端が露出した側面にセラミックスラリーで第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部を形成する段階と、を含み、上記セラミック本体の幅方向において、上記内部電極の両端部は酸化領域を含み、上記内部電極の中で最上部及び最下部の内部電極を除外した容量形成に寄与する内部電極の上記酸化領域は、最大長さＬｍａｘが３μｍ以下、長さの標準偏差が１μｍ以下である積層セラミックキャパシタの製造方法を提供する。
上記セラミックグリーンシート積層体を形成する段階は、上記ストライプ状の第１内部電極パターンの中心部と上記ストライプ状の第２内部電極パターン間の所定間隔が重畳されるように積層されることができる。
上記セラミックグリーンシート積層体を切断する段階は、上記セラミックグリーンシート積層体が上記第１内部電極及び第２内部電極の末端が露出した側面を有する棒状積層体になるように行われ、上記第１及び第２サイドマージン部を形成する段階の後に、上記第１内部電極の中心部及び第２内部電極間の所定間隔を同一の切断線で切断して第１内部電極または第２内部電極の一端がそれぞれ露出した第３端面または第４端面を有する積層体になるように切断する段階が行われることができる。
上記セラミックグリーンシート積層体を切断する段階は、上記セラミックグリーンシートを上記第１内部電極及び第２内部電極の末端が露出した側面を有する棒状積層体になるように切断する段階及び上記棒状積層体を上記第１内部電極の中心部及び上記第２内部電極間の所定間隔を同一の切断線で切断して第１内部電極または第２内部電極の一端がそれぞれ露出した第３端面または第４端面を有する積層体になるように切断する段階で行われ、上記第１及び第２サイドマージン部を形成する段階は、上記積層体に対して行われることができる。
上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部を形成する段階は、上記第１内部電極及び第２内部電極の末端が露出した側面にセラミックスラリーを塗布して行われることができる。
上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部を形成する段階は、上記第１内部電極及び第２内部電極の末端が露出した側面をセラミックスラリーにディッピングして行われることができる。
上記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は、平均厚さが１８μｍ以下であることができる。
本発明の一形態によると、積層セラミックキャパシタにおいて内部電極先端の酸化領域の長さを調節するとともに、分布を均一にすることで、誘電特性に優れた高容量の積層セラミックキャパシタを具現することができるようになる。
また、積層セラミックキャパシタにおいて内部電極末端から第１側面または第２側面までの距離は小さく形成されることができる。これにより、相対的にセラミック本体内に形成される内部電極の重畳面積を広く形成することができる。
なお、相対的に残留炭素の除去が困難である角部の最外郭に配置される内部電極末端から第１側面または第２側面までの距離が非常に小さく形成されるため、残留炭素の除去が容易に行われることができる。これにより、残留炭素の濃度散布が小さくなって同一の微細構造を維持することができ、内部電極の連結性を向上させることができる。
さらに、最外郭に配置される内部電極の末端から上記第１側面または第２側面までの最短距離を一定厚さを有するように確保することで、耐湿特性を確保し、内部欠陥を減らすことができる。また、外部電極の形成時に放射クラックの発生可能性を減少させ、外部衝撃に対する機械的強度を確保することができる。
本発明の一形態によると、積層された複数個の第１及び第２内部電極とセラミックグリーンシートは同時に切断されて上記内部電極の末端が一直線に置かれることができる。その後、内部電極の末端が露出する面に第１及び第２サイドマージン部が形成されることができる。上記サイドマージン部の厚さは、セラミックスラリーの量によって容易に調節されることができる。
上記内部電極は、誘電体層の幅方向に対して全体的に形成されることができるため、内部電極間の重畳面積を形成するのに容易であり、内部電極による段差の発生を減らすことができる。
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。なお、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
図１は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示した概略的な斜視図であり、図２は図１のＢ−Ｂ’線に沿った断面図であり、図３は図２のＱ領域の拡大図であり、図４は図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図であり、図５は図１に示された積層セラミックキャパシタを構成する一誘電体層を示した上部平面図である。
図１から図５を参照すると、本実施形態による積層セラミックキャパシタは、セラミック本体１１０と、上記セラミック本体の内部に形成される複数個の内部電極１２１、１２２と、上記セラミック本体の外表面に形成される外部電極１３１、１３２と、を含む。
上記セラミック本体１１０は、対向する第１側面１及び第２側面２と、上記第１側面と第２側面とを連結する第３端面３及び第４端面４と、を有することができる。
上記セラミック本体１１０の形状は、特に制限されないが、図面に示されているように直方体状であることができる。
上記セラミック本体１１０の内部に形成された複数個の内部電極１２１、１２２は、その一端がセラミック本体の第３端面３または第４端面４に露出する。
上記内部電極１２１、１２２は、異なる極性を有する第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を一対にすることができる。第１内部電極１２１の一端は第３端面３に露出し、第２内部電極１２２の一端は第４端面４に露出することができる。上記第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の他端は、第３端面３または第４端面４から一定間隔を置いて形成される。これに対する具体的な事項は後述する。
上記セラミック本体の第３端面３及び第４端面４には、第１及び第２外部電極１３１、１３２が形成されて上記内部電極と電気的に連結されることができる。
上記セラミック本体の内部には複数個の内部電極が形成されており、上記複数個の内部電極の各末端から上記第１側面または第２側面までの距離ｄ１は１８μｍ以下であることができる。これは、複数個の内部電極の末端から上記第１側面または第２側面までの平均距離ｄ１が平均１８μｍ以下であることを意味する。
上記内部電極の末端は、上記セラミック本体の第１側面１または第２側面２に向かう内部電極の一領域を意味する。上記内部電極の末端から第１側面または第２側面までの領域は、第１サイドマージン部１１３または第２サイドマージン部１１４と称することができる。
内部電極末端から第１側面１または第２側面２までの距離ｄ１は、複数個の内部電極間において多少の差異はあるが、本発明の一実施形態によると、その偏差がないか小さいという特徴を有する。このような特徴は、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法によってさらに明確に理解されることができる。
本発明の一実施形態によると、上記セラミック本体１１０は、複数の誘電体層１１２が積層された積層体１１１と、上記積層体の両側面に形成される第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４と、を含むことができる。この場合、上記複数個の内部電極の各末端から上記第１側面または第２側面までの距離ｄ１は、第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４によって形成されるもので、これは上記第１サイドマージン部１１３または第２サイドマージン部１１４の厚さに該当するようになる。
上記積層体１１１を構成する複数の誘電体層１１２は、焼結された状態で、隣接する誘電体層間の境界が確認できないほど一体化されていることができる。
上記積層体１１１の長さは上記セラミック本体１１０の長さに該当し、上記セラミック本体１１０の長さはセラミック本体の第３端面３から第４端面４までの距離に該当する。即ち、セラミック本体１１０の第３及び第４端面は積層体１１１の第３端面及び第４端面と理解されてもよい。
上記積層体１１１は、複数の誘電体層１１２の積層によって形成されるもので、上記誘電体層１１２の長さは、セラミック本体の第３端面３と第４端面４との距離を形成する。
本発明の一実施形態によると、これに制限されないが、セラミック本体の長さは４００〜１４００μｍであることができる。より具体的には、セラミック本体の長さは４００〜８００μｍであるか、６００〜１４００μｍであることができる。
上記誘電体層上に内部電極１２１、１２２が形成されることができ、内部電極１２１、１２２は、焼結によって一誘電体層を介して上記セラミック本体内部に形成されることができる。
本発明の一実施形態によると、上記セラミック本体１１０の幅方向において、上記内部電極１２１、１２２の両端部は酸化領域Ｏを含み、上記内部電極１２１、１２２の中で最上部及び最下部の内部電極を除外した容量形成に寄与する内部電極の上記酸化領域は、最大長さＬｍａｘが３μｍ以下、長さの標準偏差が１μｍ以下であることができる。
上記酸化領域Ｏは、上記セラミック本体１１０の焼成過程または熱処理工程時に誘電体層１１２のセラミックに含まれる金属酸化物と上記内部電極１２１、１２２を構成する金属とが反応して形成されることができる。
上記酸化領域Ｏは金属酸化物を含み、上記金属酸化物は特に制限されないが、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、リチウム（Ｌｉ）、珪素（Ｓｉ）、チタニウム（Ｔｉ）及びバリウム（Ｂａ）で構成された群より選択された一つ以上の酸化物であることができる。
上記酸化領域Ｏは、電子顕微鏡によって観察されることができ、内部電極と異なる色彩を示すことから、上記内部電極と区別されることができる。
図２、図３及び図５では、上記酸化領域Ｏを内部電極１２１、１２２と区別するために異なる線で示した。
上記酸化領域Ｏは、最大長さＬｍａｘが３μｍ以下、長さの標準偏差が１μｍ以下であることができる。
本発明の一実施形態によると、上記酸化領域Ｏの最大長さＬｍａｘが３μｍ以下、長さの標準偏差が１μｍ以下になるように調節することで、上記酸化領域Ｏの不規則な形成を防いで誘電特性の低下問題を防止することができる。
即ち、上記酸化領域の長さを調節するとともに、分布を均一にすることで、誘電特性に優れた高容量の積層セラミックキャパシタを具現することができる。
上記酸化領域Ｏの最大長さＬｍａｘが３μｍを超過する場合は、積層セラミックキャパシタの静電容量が低下するという問題が発生する可能性があり、内部電極の端部と第１サイドマージン部１１３または第２サイドマージン部１１４とが接する接合部にクラックが発生するおそれがある。
また、上記酸化領域Ｏの長さの標準偏差が１μｍを超過する場合は、上記酸化領域が不規則に形成されることにより、誘電特性が低下するという問題が発生する可能性がある。
本発明の一実施形態によると、上記酸化領域Ｏの最大長さＬｍａｘが３μｍ以下、長さの標準偏差が１μｍ以下になるように調節する方法は、特に制限されないが、例えば、セラミック本体の焼成時に酸素分圧を調節することで具現することができる。
上記酸化領域Ｏの最大長さＬｍａｘ及び長さの標準偏差を測定は、上記内部電極１２１、１２２の中で最上部及び最下部の内部電極を除外した容量形成に寄与する内部電極の上記酸化領域に対してのみ行われることができる。
上記酸化領域Ｏは、上記セラミック本体１１０の幅方向において、上記内部電極１２１、１２２の両端部に形成されることができるが、上記内部電極１２１、１２２の中で最上部及び最下部の内部電極の場合は、上記内部電極全体に酸化領域が形成されることもできる。
この場合、上記内部電極１２１、１２２の中で最上部及び最下部の内部電極は、上記酸化領域によって積層セラミックキャパシタの容量形成に寄与できなくなる。
即ち、上記内部電極１２１、１２２の中で最上部及び最下部の内部電極は、その全体に酸化領域が形成されるため、上記酸化領域Ｏの最大長さＬｍａｘ及び長さの標準偏差を測定する際に除外される。
上記酸化領域Ｏの最大長さＬｍａｘ及び長さの標準偏差は、図２に示されているように、セラミック本体１１０の幅方向断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンして測定することができる。
例えば、図２のように、セラミック本体１１０の幅及び厚さ方向（Ｗ−Ｔ）の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンしたイメージから上記内部電極１２１、１２２の中で最上部及び最下部の内部電極を除外した容量形成に寄与する内部電極の上記酸化領域の長さを測定することで、最大長さＬｍａｘ及び長さの標準偏差を得ることができる。
図５を参照すると、誘電体層１１２に第１内部電極１２１が形成されていることが分かる。上記第１内部電極１２１は、誘電体層の長さ方向に対して全体的に形成されない。即ち、第１内部電極１２１の一端はセラミック本体の第４端面４から所定間隔ｄ２を置いて形成されることができ、第１内部電極１２１の他端は第３端面３まで形成されて第３端面３に露出することができる。
積層体の第３端面３に露出した第１内部電極の他端は、第１外部電極１３１と連結される。
第１内部電極と反対に、第２内部電極１２２の一端は第３端面３から所定間隔を置いて形成され、第２内部電極１２２の他端は第４端面４に露出して第２外部電極１３２と連結される。
上記誘電体層１１２は、第１内部電極１２１の幅と同一幅を有することができる。即ち、上記第１内部電極１２１は、誘電体層１１２の幅方向に対して全体的に形成されることができる。誘電体層の幅及び内部電極の幅は、セラミック本体の第１側面及び第２側面を基準とする。
本発明の一実施形態によると、これに制限されないが、誘電体層の幅及び内部電極の幅は１００〜９００μｍであることができる。より具体的には、誘電体層の幅及び内部電極の幅は、１００〜５００μｍであるか、１００〜９００μｍであることができる。
セラミック本体が小型化されるにつれ、サイドマージン部の厚さが積層セラミックキャパシタの電気的特性に影響を及ぼす可能性がある。本発明の一実施形態によると、サイドマージン部の厚さが１８μｍ以下に形成されて小型化された積層セラミックキャパシタの特性を向上させることができる。
本発明の一実施形態において、内部電極及び誘電体層は同時に切断されて形成されるもので、内部電極の幅及び誘電体層の幅は同一に形成されることができる。これに対するより具体的な事項は後述する。
本実施形態において、誘電体層の幅は、内部電極の幅と同様に積層体の第１及び第２側面に内部電極の末端が露出することができる。上記内部電極の末端が露出した積層体の両側面には、第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４が形成されることができる。
上記の通り、上記複数個の内部電極の各末端から上記第１側面または第２側面までの距離ｄ１は、上記第１サイドマージン部１１３または第２サイドマージン部１１４の厚さに該当する。
上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４の厚さは、１８μｍ以下であることができる。上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４の厚さが小さいほど、相対的にセラミック本体内に形成される内部電極の重畳面積が広くなることができる。
上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４は、積層体１１１の側面に露出する内部電極において起こり得るショットを防止できる厚さを有していれば、特に制限されず、例えば、２μｍ以上の厚さを有することができる。
上記第１及び第２サイドマージン部の厚さが２μｍ未満であると、外部衝撃に対する機械的強度が低下するおそれがあり、上記第１及び第２サイドマージン部の厚さが１８μｍを超過すると、相対的に内部電極の重畳面積が減少して積層セラミックキャパシタの高容量を確保することが困難になる可能性がある。
本発明の一実施形態によると、上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４は、セラミックスラリーで形成されることができる。上記セラミックスラリーの量を調節することで、上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４の厚さを容易に調節し、１８μｍ以下に薄く形成することができる。
上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４の厚さは、上記マージン部それぞれの平均厚さを意味することができる。
上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４の平均厚さは、図２に示されているように、セラミック本体１１０の幅方向断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンして測定することができる。
例えば、図２のように、セラミック本体１１０の幅及び厚さ方向（Ｗ−Ｔ）の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でスキャンしたイメージから抽出した任意の第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４に対し、セラミック本体の厚さ方向に上中下の任意の３つの地点の厚さを測定して平均値を得ることができる。
積層セラミックキャパシタの容量を最大限にするためには、誘電体層を薄膜化する方法や薄膜化された誘電体層を高積層化する方法、内部電極のカバレッジを向上させる方法などが考慮されている。また、容量を形成する内部電極の重畳面積を向上させる方法も考慮されている。内部電極の重畳面積を増やすためには、内部電極が形成されていないマージン部の領域を最小限にしなければならない。特に、積層セラミックキャパシタが小型化されるほど、内部電極の重畳領域を増やすためには、マージン部の領域を最小限にしなければならない。
本実施形態によると、誘電体層の幅方向全体に内部電極が形成され、サイドマージン部の厚さが１８μｍ以下に設定されるため、内部電極の重畳面積が広いという特徴を有するようになる。
一般に、誘電体層が高積層化されるほど、誘電体層及び内部電極の厚さは薄くなる。これにより、内部電極がショットされる現象が頻繁に起こり得る。また、誘電体層一部のみに内部電極が形成される場合、内部電極による段差が発生するため、絶縁抵抗の加速寿命または信頼性が低下する可能性がある。
しかし、本実施形態によると、薄膜の内部電極及び誘電体層を形成しても、誘電体層の幅方向に対して内部電極が全体的に形成されるため、内部電極の重畳面積が広くなって積層セラミックキャパシタの容量を大きくすることができる。
また、内部電極による段差を減少させることで、絶縁抵抗の加速寿命が向上するため、容量特性及び信頼性に優れた積層セラミックキャパシタを提供することができる。
以下では、本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法について説明する。
図６ａから図６ｆは本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示した断面図及び斜視図である。
図６ａに示されているように、セラミックグリーンシート２１２ａ上に所定間隔ｄ４を置いて複数個のストライプ状の第１内部電極パターン２２１ａを形成する。上記複数個のストライプ状の第１内部電極パターン２２１ａは平行に形成されることができる。
上記所定間隔ｄ４は、内部電極が異なる極性を有する外部電極と絶縁されるための距離で、図２に示されたｄ２×２の距離と理解されることができる。
上記セラミックグリーンシート２１２ａは、セラミックパウダー、有機溶剤及び有機バインダを含むセラミックペーストで形成されることができる。
上記セラミックパウダーは、高い誘電率を有する物質で、これに制限されないが、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系材料や鉛複合ペロブスカイト系材料、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系材料などを用いることができ、好ましくは、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）パウダーを用いることができる。上記セラミックグリーンシート２１２ａが焼成されると、セラミック本体を構成する誘電体層１１２になる。
ストライプ状の第１内部電極パターン２２１ａは、導電性金属を含む内部電極ペーストによって形成されることができる。上記導電性金属は、これに制限されないが、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）またはこれらの合金であることができる。
上記セラミックグリーンシート２１２ａ上にストライプ状の第１内部電極パターン２２１ａを形成する方法としては、特に制限されないが、例えば、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを通じて形成されることができる。
また、図面に示されてはいないが、他のセラミックグリーンシート２１２ａ上に所定間隔を置いて複数個のストライプ状の第２内部電極パターン２２２ａを形成することができる。
以下では、第１内部電極パターン２２１ａが形成されたセラミックグリーンシートを第１セラミックグリーンシート、第２内部電極パターン２２２ａが形成されたセラミックグリーンシートを第２セラミックグリーンシートと称することができる。
次に、図６ｂに示されているように、ストライプ状の第１内部電極パターン２２１ａとストライプ状の第２内部電極パターン２２２ａが交差積層されるように第１及び第２セラミックグリーンシートを交互に積層することができる。
その後、上記ストライプ状の第１内部電極パターン２２１ａは第１内部電極１２１を形成することができ、ストライプ状の第２内部電極パターン２２２ａは第２内部電極１２２を形成することができる。
図６ｃは本発明の一実施形態によって第１及び第２セラミックグリーンシートが積層されたセラミックグリーンシート積層体２１０を示した断面図であり、図６ｄは第１及び第２セラミックグリーンシートが積層されたセラミックグリーンシート積層体２１０を示した斜視図である。
図６ｃ及び図６ｄを参照すると、複数個の平行なストライプ状の第１内部電極パターン２２１ａが印刷された第１セラミックグリーンシートと複数個の平行なストライプ状の第２内部電極パターン２２２ａが印刷された第２セラミックグリーンシートは交互に積層されている。
より具体的には、第１セラミックグリーンシートに印刷されたストライプ状の第１内部電極パターン２２１ａの中央部と第２セラミックグリーンシートに印刷されたストライプ状の第２内部電極パターン２２２ａとの間隔ｄ４が重畳されるように積層されることができる。
次いで、図６ｄに示されているように、上記セラミックグリーンシート積層体２１０は、複数個のストライプ状の第１内部電極パターン２２１ａ及びストライプ状の第２内部電極パターン２２２ａを横断するように切断されることができる。即ち、上記セラミックグリーンシート積層体２１０は、Ｃ１−Ｃ１の切断線に沿って棒状積層体２２０になるように切断されることができる。
より具体的には、ストライプ状の第１内部電極パターン２２１ａ及びストライプ状の第２内部電極パターン２２２ａは長さ方向に切断されて一定の幅を有する複数個の内部電極に分割されることができる。このとき、積層されたセラミックグリーンシートも内部電極パターンとともに切断される。これにより、誘電体層は、内部電極の幅と同一幅を有するように形成されることができる。
上記棒状積層体２２０の切断面に第１及び第２内部電極の末端が露出することができる。上記棒状積層体の切断面は、それぞれ棒状積層体の第１側面及び第２側面と称することができる。
参考までに、上記セラミックグリーンシート積層体を焼成した後、棒状積層体になるように切断されることができる。また、上記セラミックグリーンシートを棒状積層体になるように切断した後、焼成を行うこともできる。上記焼成は、これに制限されないが、１１００℃〜１３００℃のＮ２−Ｈ２雰囲気下で行われることができる。
次に、図６ｅに示されているように、上記棒状積層体２２０の第１及び第２側面それぞれに第１サイド部２１３ａ及び第２サイドマージン部２１４ａを形成することができる。第２サイドマージン部２１４ａは、明確に図示せず、その輪郭を点線で示した。
上記棒状積層体２２０の第１及び第２側面は、図２に示された積層体１１１の第１側面１及び第２側面２に対応するものと理解されてもよい。
上記第１及び第２サイドマージン部２１３ａ、２１４ａは、棒状積層体２２０にセラミック粉末を含むセラミックスラリーで形成されることができる。
上記セラミックスラリーは、セラミックパウダー、有機バインダー及び有機溶剤を含むもので、第１及び第２サイドマージン部２１３ａ、２１４ａが所望する厚さを有するようにセラミックスラリーの量を調節することができる。
上記棒状積層体２２０の第１及び第２側面にセラミックスラリー塗布して第１及び第２サイドマージン部２１３ａ、２１４ａを形成することができる。上記セラミックスラリーの塗布方法は、特に制限されないが、例えば、スプレー方式で噴射したり、ローラを用いて塗布することができる。
また、上記棒状積層体をセラミックスラリーにディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）して棒状積層体の第１及び第２側面に第１及び第２サイドマージン部２１３ａ、２１４ａを形成することができる。
上記の通り、上記第１及び第２サイドマージン部の厚さは、１８μｍ以下に形成されることができる。上記第１及び第２サイドマージン部の厚さは、上記内部電極の末端が露出する棒状積層体の第１側面または第２側面から決定されることができる。
その後、図６ｅ及び図６ｆに示されているように、第１及び第２サイドマージン部２１３ａ、２１４ａが形成された上記棒状積層体２２０をＣ２−Ｃ２の切断線に沿って個別のチップサイズに適するように切断することができる。図６ｃは、上記Ｃ２−Ｃ２の切断線の位置を把握するのに参照されることができる。
棒状積層体２２０をチップサイズに切断することにより、積層体１１１及び積層体の両側面に形成された第１及び第２サイドマージン部１１３、１１４を有するセラミック本体が形成されることができる。
上記棒状積層体２２０をＣ２−Ｃ２の切断線に沿って切断することで、重畳された第１内部電極の中央部と第２内部電極との間に形成された所定間隔ｄ４が同一の切断線によって切断されることができる。他の観点では、第２内部電極の中央部と第１内部電極との間に形成された所定間隔が同一の切断線によって切断されることができる。
これにより、第１内部電極及び第２内部電極の一端は、Ｃ２−Ｃ２の切断線に沿った切断面に交互に露出することができる。上記第１内部電極が露出した面は図５に示された積層体の第３端面３、上記第２内部電極が露出した面は図５に示された積層体の第４端面４と理解することができる。
上記棒状積層体２２０をＣ２−Ｃ２の切断線に沿って切断することで、ストライプ状の第１内部電極パターン２２１ａ間の所定間隔ｄ４は半分に切断され、第１内部電極１２１の一端が第４端面から所定間隔ｄ２を形成するようにする。また、第２内部電極１２２が第３端面から所定間隔を形成するようにする。
その後、上記第１及び第２内部電極の一端と連結されるように上記第３端面及び第４端面それぞれに外部電極を形成することができる。
本実施形態のように、棒状積層体２２０に第１及び第２サイドマージン部を形成し、チップサイズに切断する場合、一回の工程を通じて複数個の積層体１１１にサイドマージン部を形成することができる。
また、図面に示されてはいないが、第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部を形成する前に、棒状積層体をチップサイズに切断して複数個の積層体を形成することもできる。
即ち、棒状積層体を、重畳された第１内部電極の中央部と第２内部電極との間に形成された所定間隔が同一の切断線によって切断されるように切断することができる。これにより、第１内部電極及び第２内部電極の一端は、切断面に交互に露出することができる。
次に、上記積層体の第１及び第２側面に第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部を形成することができる。第１及び第２サイドマージン部の形成方法は上述した通りである。
その後、上記第１内部電極が露出した積層体の第３端面及び上記第２内部電極が露出した積層体の第４端面にそれぞれ外部電極を形成することができる。
本発明の他の実施形態によると、積層体の第１及び第２側面を通じて第１及び第２内部電極の末端が露出する。積層された複数個の第１及び第２内部電極は、同時に切断されて上記内部電極の末端が一直線に置かれることができる。その後、上記積層体の第１及び第２側面に第１及び第２サイドマージン部が一括に形成される。上記積層体及び上記第１及び第２サイドマージン部によってセラミック本体が形成される。即ち、上記第１及び第２サイドマージン部は、セラミック本体の第１及び第２側面を形成するようになる。
これにより、本実施形態によると、上記複数個の内部電極の末端からセラミック本体の第１及び第２側面までの距離は一定に形成されることができる。また、上記第１及び第２サイドマージン部は、セラミックペーストによって形成されるため、薄い厚さを有するように形成されることができる。
また、上記セラミック本体を焼成する過程において酸素分圧を調節することで、上記内部電極の中で最上部及び最下部の内部電極を除外した容量形成に寄与する内部電極の上記酸化領域の最大長さＬｍａｘが３μｍ以下、長さの標準偏差が１μｍ以下になるように調節することができる。
これにより、本発明の一実施形態によると、内部電極先端の酸化領域の長さを調節するとともに、分布を均一にすることで、誘電特性に優れた高容量の積層セラミックキャパシタを具現することができるようになる。
下記表１は、積層セラミックキャパシタの内部電極の上記酸化領域の最大長さＬｍａｘ及び長さの標準偏差による静電容量（誘電特性）及び信頼性を比較したものである。
表１において、誘電特性の評価は１ｋＨｚ、０．５Ｖで行われ、信頼性評価はチップの研磨後、破壊分析時にクラックが発生したか否かを評価したもので、具体的には、３２０℃の鉛槽に２秒入れた後、熱衝撃クラック発生の有無を試験する方法で行われた。
上記表１から分かるように、上記酸化領域の最大長さＬｍａｘが３μｍ以下、長さの標準偏差が１μｍ以下を満たす場合、誘電特性が向上して高容量の積層セラミックキャパシタを具現することができ、信頼性も向上する。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
１１０ セラミック本体
１１１ 積層体
１１２ 誘電体層
１１３、１１４ 第１及び第２サイドマージン部
１２１、１２２ 第１及び第２内部電極
１３１、１３２ 第１及び第２外部電極
２１２ａ セラミックグリーンシート
２２１ａ、２２２ａ ストライプ状の第１及び第２内部電極パターン
２１０ セラミックグリーンシート積層体
２２０ 棒状積層体
Ｏ 酸化領域
Ｌｍａｘ 酸化領域における最大長さ
１１１ 積層体
１１２ 誘電体層
１１３、１１４ 第１及び第２サイドマージン部
１２１、１２２ 第１及び第２内部電極
１３１、１３２ 第１及び第２外部電極
２１２ａ セラミックグリーンシート
２２１ａ、２２２ａ ストライプ状の第１及び第２内部電極パターン
２１０ セラミックグリーンシート積層体
２２０ 棒状積層体
Ｏ 酸化領域
Ｌｍａｘ 酸化領域における最大長さ
下記先行技術文献には、セラミック電子部品の絶縁抵抗の劣化を抑制するために、内部電極両端部の長さ及び高さ方向において金属酸化物が固溶されてなる異相領域の占有率が８５％以上であることが開示されているが、内部電極の幅方向の両端部における酸化層の長さが調節されないため、誘電特性の低下問題は依然として解決されていない。
上記第１サイドマージン部１１３及び第２サイドマージン部１１４は、積層体１１１の側面に露出する内部電極において起こり得るショートを防止できる厚さを有していれば、特に制限されず、例えば、２μｍ以上の厚さを有することができる。
一般に、誘電体層が高積層化されるほど、誘電体層及び内部電極の厚さは薄くなる。これにより、内部電極がショートする現象が頻繁に起こり得る。また、誘電体層一部のみに内部電極が形成される場合、内部電極による段差が発生するため、絶縁抵抗の加速寿命または信頼性が低下する可能性がある。
Claims (11)
- 対向する第１側面及び第２側面、前記第１側面と第２側面とを連結する第３端面及び第４端面を有するセラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に形成され、前記第３端面または第４端面に一端が露出する複数個の内部電極と、
前記第１側面及び第２側面から前記内部電極の端部まで形成された第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部と、を含み、
前記セラミック本体の幅方向において、前記内部電極の両端部は酸化領域を含み、前記内部電極の中で最上部及び最下部の内部電極を除外した容量形成に寄与する内部電極の前記酸化領域は、最大長さＬｍａｘが３μｍ以下、長さの標準偏差が１μｍ以下である、積層セラミックキャパシタ。 - 前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は、平均厚さが１８μｍ以下である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は、セラミックスラリーで形成される、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記内部電極は、一端が前記第３端面に露出し、他端が前記第４端面から所定間隔を置いて形成される第１内部電極と、一端が第４端面に露出し、他端が前記第３端面から所定間隔を置いて形成される第２内部電極と、を含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 複数個のストライプ状の第１内部電極パターンが所定間隔を置いて形成された第１セラミックグリーンシート及び複数個のストライプ状の第２内部電極パターンが所定間隔を置いて形成された第２セラミックグリーンシートを用意する段階と、
前記ストライプ状の第１内部電極パターンと前記ストライプ状の第２内部電極パターンが交差するように前記第１セラミックグリーンシート及び前記第２セラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層体を形成する段階と、
前記ストライプ状の第１内部電極パターン及び第２内部電極パターンを横切って第１内部電極及び第２内部電極が一定幅を有し、前記幅方向に前記第１内部電極及び第２内部電極の末端が露出した側面を有するように前記セラミックグリーンシート積層体を切断する段階と、
前記第１内部電極及び第２内部電極の末端が露出した側面にセラミックスラリーで第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部を形成する段階と、を含み、前記セラミック本体の幅方向において、前記内部電極の両端部は酸化領域を含み、前記内部電極の中で最上部及び最下部の内部電極を除外した容量形成に寄与する内部電極の前記酸化領域は、最大長さＬｍａｘが３μｍ以下、長さの標準偏差が１μｍ以下である、積層セラミックキャパシタの製造方法。 - 前記セラミックグリーンシート積層体を形成する段階は、前記ストライプ状の第１内部電極パターンの中心部と前記ストライプ状の第２内部電極パターンとの所定間隔が重畳されるように積層される、請求項５に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
- 前記セラミックグリーンシート積層体を切断する段階は、前記セラミックグリーンシート積層体が前記第１内部電極及び第２内部電極の末端が露出した側面を有する棒状積層体になるように行われ、
前記第１及び第２サイドマージン部を形成する段階の後に、前記第１内部電極の中心部と第２内部電極との所定間隔を同一の切断線に切断して第１内部電極または第２内部電極の一端がそれぞれ露出した第３端面または第４端面を有する積層体になるように切断する段階が行われる、請求項５に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。 - 前記セラミックグリーンシート積層体を切断する段階は、前記セラミックグリーンシートを前記第１内部電極及び第２内部電極の末端が露出した側面を有する棒状積層体になるように切断する段階及び前記棒状積層体を前記第１内部電極の中心部と前記第２内部電極との所定間隔を同一の切断線に切断して第１内部電極または第２内部電極の一端がそれぞれ露出した第３端面または第４端面を有する積層体になるように切断する段階で行われ、
前記第１及び第２サイドマージン部を形成する段階は、前記積層体に対して行われる、請求項５に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。 - 前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部を形成する段階は、前記第１内部電極及び第２内部電極の末端が露出した側面にセラミックスラリーを塗布して行われる、請求項５に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
- 前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部を形成する段階は、前記第１内部電極及び第２内部電極の末端が露出した側面をセラミックスラリーにディッピングして行われる、請求項５に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
- 前記第１サイドマージン部及び第２サイドマージン部は、平均厚さが１８μｍ以下である、請求項５に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2013-0038322 | 2013-04-08 | ||
| KR1020130038322A KR101548797B1 (ko) | 2013-04-08 | 2013-04-08 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014204113A true JP2014204113A (ja) | 2014-10-27 |
Family
ID=51654281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013122443A Pending JP2014204113A (ja) | 2013-04-08 | 2013-06-11 | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9384897B2 (ja) |
| JP (1) | JP2014204113A (ja) |
| KR (1) | KR101548797B1 (ja) |
| CN (2) | CN107578919B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017059815A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | Tdk株式会社 | 積層電子部品 |
| JP2017059632A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | Tdk株式会社 | 積層電子部品 |
| JP2018037492A (ja) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2018067566A (ja) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| KR20180114835A (ko) | 2017-04-11 | 2018-10-19 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| JP2019161235A (ja) * | 2016-08-30 | 2019-09-19 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2019195038A (ja) * | 2018-04-30 | 2019-11-07 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層型キャパシタ |
| JP2021097246A (ja) * | 2019-04-26 | 2021-06-24 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101854519B1 (ko) * | 2015-05-29 | 2018-05-03 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
| JP6665438B2 (ja) * | 2015-07-17 | 2020-03-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| US9997297B2 (en) * | 2015-09-15 | 2018-06-12 | Tdk Corporation | Multilayer electronic component |
| KR101762032B1 (ko) * | 2015-11-27 | 2017-07-26 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조 방법 |
| US10510487B2 (en) * | 2015-12-25 | 2019-12-17 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi-layer ceramic electronic component and method of producing the same |
| KR101813366B1 (ko) * | 2016-04-01 | 2018-01-30 | 삼성전기주식회사 | 적층 전자부품 및 그 제조방법 |
| JP2017204560A (ja) | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP6976053B2 (ja) * | 2016-12-14 | 2021-12-01 | Tdk株式会社 | 積層電子部品 |
| JP6959079B2 (ja) * | 2017-09-07 | 2021-11-02 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品、セラミック電子部品の検査装置、セラミック電子部品の検査方法およびセラミック電子部品の製造方法 |
| CN110797191A (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-14 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电容器及制造多层陶瓷电容器的方法 |
| KR102609156B1 (ko) * | 2018-08-29 | 2023-12-04 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 |
| KR102597153B1 (ko) * | 2018-08-03 | 2023-11-02 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 |
| KR102543977B1 (ko) * | 2018-08-09 | 2023-06-15 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 |
| KR102497972B1 (ko) * | 2018-08-09 | 2023-02-09 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 |
| KR102495669B1 (ko) * | 2018-08-10 | 2023-02-03 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 |
| KR20190121225A (ko) * | 2018-11-23 | 2019-10-25 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
| KR102551222B1 (ko) * | 2018-12-17 | 2023-07-03 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 |
| JP7183051B2 (ja) * | 2019-01-22 | 2022-12-05 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| KR20190116135A (ko) | 2019-07-17 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터. |
| KR20190116139A (ko) * | 2019-07-22 | 2019-10-14 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| KR102284127B1 (ko) | 2019-12-18 | 2021-07-30 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조 방법 |
| JP2022016003A (ja) * | 2020-07-10 | 2022-01-21 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JP2022142215A (ja) * | 2021-03-16 | 2022-09-30 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ、実装基板および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035850A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2011023707A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-02-03 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
| WO2011071144A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品 |
| WO2011114809A1 (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-22 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03284813A (ja) * | 1990-03-14 | 1991-12-16 | Fujikin Sofuto Kk | コンデンサ |
| JP3716746B2 (ja) | 2001-01-19 | 2005-11-16 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2002231570A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Kyocera Corp | 積層型電子部品およびその製法 |
| JP2005045094A (ja) | 2003-07-24 | 2005-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層形コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2007042743A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Tdk Corp | 積層電子部品 |
| KR101120004B1 (ko) * | 2009-06-19 | 2012-02-22 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 전자부품 |
| KR101187939B1 (ko) * | 2011-03-09 | 2012-10-08 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
| KR101141342B1 (ko) * | 2011-03-09 | 2012-05-03 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
-
2013
- 2013-04-08 KR KR1020130038322A patent/KR101548797B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-11 JP JP2013122443A patent/JP2014204113A/ja active Pending
- 2013-06-21 US US13/924,474 patent/US9384897B2/en active Active
- 2013-07-04 CN CN201710724730.XA patent/CN107578919B/zh active Active
- 2013-07-04 CN CN201310278662.0A patent/CN104103422B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035850A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2011023707A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-02-03 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
| WO2011071144A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品 |
| WO2011114809A1 (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-22 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017059632A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | Tdk株式会社 | 積層電子部品 |
| JP2017059815A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | Tdk株式会社 | 積層電子部品 |
| US10535470B2 (en) | 2016-08-30 | 2020-01-14 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi-layer ceramic capacitor and method of producing the same |
| JP2018037492A (ja) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| US11335507B2 (en) | 2016-08-30 | 2022-05-17 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi-layer ceramic capacitor and method of producing the same |
| US10373761B2 (en) | 2016-08-30 | 2019-08-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi-layer ceramic capacitor and method of producing the same |
| JP2019161235A (ja) * | 2016-08-30 | 2019-09-19 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2018067566A (ja) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| US10622152B2 (en) | 2016-10-17 | 2020-04-14 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi-layer ceramic capacitor and method of producing the same |
| JP2021097250A (ja) * | 2017-04-11 | 2021-06-24 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| US10923278B2 (en) | 2017-04-11 | 2021-02-16 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi-layer ceramic capacitor |
| JP2018182016A (ja) * | 2017-04-11 | 2018-11-15 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR20180114835A (ko) | 2017-04-11 | 2018-10-19 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| JP7167227B2 (ja) | 2017-04-11 | 2022-11-08 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| US11715593B2 (en) | 2017-04-11 | 2023-08-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi-layer ceramic capacitor |
| JP2019195038A (ja) * | 2018-04-30 | 2019-11-07 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層型キャパシタ |
| JP2021097246A (ja) * | 2019-04-26 | 2021-06-24 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP7162690B2 (ja) | 2019-04-26 | 2022-10-28 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140121728A (ko) | 2014-10-16 |
| CN104103422A (zh) | 2014-10-15 |
| CN107578919B (zh) | 2019-06-04 |
| CN104103422B (zh) | 2017-12-12 |
| US20140301014A1 (en) | 2014-10-09 |
| CN107578919A (zh) | 2018-01-12 |
| US9384897B2 (en) | 2016-07-05 |
| KR101548797B1 (ko) | 2015-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014204113A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| JP5632046B2 (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| JP6812477B2 (ja) | 積層セラミックキャパシタ、積層セラミックキャパシタの製造方法、及び積層セラミックキャパシタの実装基板 | |
| JP5653886B2 (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| JP5551296B1 (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| JP5512625B2 (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| JP5420619B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP5654102B2 (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| JP2015146454A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| JP2018139312A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| JP5825322B2 (ja) | 積層セラミックキャパシタ、その製造方法及び積層セラミックキャパシタの実装基板 | |
| JP2012253338A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP2012253337A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP2021002645A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| JP2019102798A (ja) | 積層セラミックキャパシタ | |
| JP2017085129A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2021010000A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| KR101922867B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 | |
| JP2021044533A (ja) | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 | |
| KR20130058430A (ko) | 적층 세라믹 전자부품 | |
| JP2013214698A (ja) | 内部電極用導電性ペースト組成物及びそれを含む積層セラミック電子部品 | |
| JP5414940B1 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| KR101565725B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
| JP6940398B2 (ja) | コンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141209 |