JP5590055B2 - 積層セラミックコンデンサの製造方法及び積層セラミックコンデンサ - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態における、表面上に導電層が配されたセラミックグリーンシートの略図的平面図である。図2は、本実施形態におけるセラミックグリーンシートの積層態様を説明するための模式的平面図である。図3は、本実施形態におけるマザー積層体の略図的分解側面図である。図4は、本実施形態における生のチップの略図的斜視図である。図5は、本実施形態における生のチップの幅方向及び厚み方向に沿った略図的断面図である。図6は、本実施形態における生のチップの長さ方向及び厚み方向に沿った略図的断面図である。図7は、本実施形態における生のチップの長さ方向及び幅方向に沿った略図的断面図である。図8は、本実施形態における生のセラミック素体の略図的斜視図である。
まず、図1に示すセラミックグリーンシート20を用意する。このセラミックグリーンシート20は、セラミックペーストをダイコーター法、グラビアコーター法、マイクログラビアコーター法などの印刷法によりシート状に印刷し、乾燥させることにより作製することができる。
次に、図3に示されるように、表面上に導電層21が形成されていないセラミックグリーンシート20を複数枚積層する。その後に、図2及び図3に示されるように、表面上に複数の導電層21が形成されたセラミックグリーンシート20を複数枚積層する。この際に、積層方向であるz方向において隣り合うセラミックグリーンシート20の上に配された導電層21がx方向及びy方向のそれぞれに沿って半周期ずつずれるようにする。その後、図3に示されるように、表面上に導電層21が形成されていないセラミックグリーンシート20をさらに複数枚積層する。これにより、内部に導電層21を有するマザーブロック22を作製する。
次に、マザーブロック22をx方向及びy方向に沿って切断することにより、マザーブロック22から、図4〜図7に示す生のチップ23を作製する。具体的には、マザーブロック22を、各導電層21のy方向(第2の方向)における中央において、x方向(第1の方向)に沿って延びる複数のカットラインL1(図2を参照)に沿って切断する。それと共に、各導電層21のx方向における中央においてy方向に沿って延びるカットラインL2に沿って切断する。これらカットラインL1,L2における切断を行うことにより、マザーブロック22を複数の生のチップ23に分断する。
次に、図8に示されるように、第1または第2の内部電極25,26が露出した側面24c、24dの上に、セラミック層27a、27bを形成する。これにより、内部電極25,26が端面24e、24fにのみ露出している生のセラミック素体28を作製する。
次に、生のセラミック素体28を焼成することにより、図9に示す、第1及び第2の内部電極25,26を有するセラミック素体10を得る。その後、第1及び第2の外部電極13,14を形成することにより積層セラミックコンデンサを完成させる。なお、第1及び第2の外部電極13,14は、めっき法、ディップ法などにより導電性ペーストを塗布した後に焼成する方法等により形成することができる。
図9は、本施形態において製造された積層セラミックコンデンサの略図的斜視図である。図10は、本実施形態において製造された積層セラミックコンデンサの長さ方向及び厚み方向に沿った略図的断面図である。図11は、本実施形態において製造された積層セラミックコンデンサの幅方向及び厚み方向に沿った略図的断面図である。図12は、本実施形態において製造された積層セラミックコンデンサの長さ方向及び幅方向に沿った略図的断面図である。
図15は、変形例におけるセラミックグリーンシートの積層態様を説明するための模式的平面図である。図15に示すように、ひとつのセラミックグリーンシート20に導電層21をひとつのみ設けてもよい。その場合は、積層方向において隣り合う導電層21をx方向及びy方向の両方にずらしさえすれば、ずらす量は特に限定されない。
上記実施形態に係る積層セラミックコンデンサ1を、上記実施形態において説明した方法で、以下の各条件で1000個作製した。
セラミック素体10の長さ方向寸法:5mm
内部電極25,26の厚み(断面において蛍光X線により測定した値):0.3μm
隣り合う導電層21間の間隔:20μm
セラミックグリーンシート20の積層枚数:500枚
セラミックグリーンシート20の焼成後の厚み:1.5μm、0.7μmまたは0.5μm
セラミックグリーンシート20を、導電層21が積層方向において重なるように積層したこと以外は上記実施例と同様にして積層セラミックコンデンサを1000個作製した。その後、実施例と同様にして、作製した1000個のサンプルからランダムに抽出した100個のサンプルのそれぞれについて、第1及び第2の内部電極間の短絡の有無を検査し、短絡発生率を求めた。結果を下記の表1に示す。
マザーブロックの切断をダイシングにより行ったこと以外は、比較例1と同様にして積層セラミックコンデンサを1000個作製した。その後、実施例と同様にして、作製した1000個のサンプルからランダムに抽出した100個のサンプルのそれぞれについて、第1及び第2の内部電極間の短絡の有無を検査し、短絡発生率を求めた。結果を下記の表1に示す。
10…セラミック素体
10a、10b…主面
10c、10d…側面
10e、10f…端面
10g…セラミック層
13…第1の外部電極
14…第2の外部電極
20…セラミックグリーンシート
21…導電層
22…マザーブロック
23…生のチップ
24…チップ本体
24a、24b…主面
24c、24d…側面
24e、24f…端面
25…第1の内部電極
26…第2の内部電極
27a、27b…セラミック層
28…セラミック素体
29…セラミック層
L1,L2…カットライン
Claims (8)
- 第1の方向及び前記第1の方向に対して垂直な第2の方向に沿った矩形状の導電層が表面上に形成されたセラミックグリーンシートを用意する工程と、
前記セラミックグリーンシートを、隣り合う前記セラミックグリーンシートの前記導電
層が前記第1及び第2の方向のそれぞれに沿ってずれるように複数積層してマザーブロックを作製する工程と、
前記マザーブロックを、積層方向において隣り合う前記導電層の一方が位置し、他方が位置しない部分において、前記第1の方向に沿って切断すると共に、積層方向において隣り合う前記導電層の他方が位置し、一方が位置しない部分において、前記第2の方向に沿って切断することにより、前記積層方向において隣り合う前記導電層の一方から形成された第1の内部電極が露出している一方、前記積層方向において隣り合う前記導電層の他方から形成された第2の内部電極が露出していない第1の端面及び第1の側面と、前記第2の内部電極が露出している一方、前記第1の内部電極が露出していない第2の端面及び第2の側面とを有する直方体状のチップを作製する工程とを備え、前記チップの前記第1及び第2の側面の上に絶縁層を形成した後に焼成する、積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記絶縁層としてセラミック層を形成する、請求項1に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 前記セラミック層を、セラミックグリーンシートを貼り付けることにより形成する、請求項2に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 前記セラミック層を、セラミックペーストを塗布することにより形成する、請求項3に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 前記マザーブロックの切断を押切りにより行う、請求項1〜4のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 前記セラミックグリーンシートの厚みを前記導電層の厚みよりも大きくする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 長さ方向及び幅方向に沿って延びる第1及び第2の主面と、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる第1及び第2の側面と、幅方向及び厚み方向に沿って延びる第1及び第2の端面とを有する直方体状のセラミック素体と、
前記セラミック素体の内部において厚み方向に沿って相互に間隔をおいて配された複数の第1及び第2の内部電極と、
を備え、
前記第1の内部電極は、前記第1の端面に露出している一方、前記第2の端面には露出
しておらず、
前記第2の内部電極は、前記第2の端面に露出している一方、前記第1の端面には露出
しておらず、
前記第1の内部電極の幅方向の一方側における端部は、前記第2の内部電極の幅方向の
一方側における端部よりも幅方向における外側に位置し、一方、前記第1の内部電極の幅
方向の他方側における端部は、前記第2の内部電極の幅方向の他方側における端部よりも
幅方向における内側に位置し、前記第1の内部電極の幅方向の他方側の端部の厚みが残りの部分よりも厚く、前記第2の内部電極の幅方向の一方側の厚みが、第2の内部電極の他の部分よりも厚い、積層セラミックコンデンサ。 - 前記第1及び第2の内部電極間の距離が前記第1及び第2の内部電極のそれぞれの厚み
以上の請求項7に記載の積層セラミックコンデンサ。
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