JP5556854B2 - セラミック電子部品の製造方法及びセラミック電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、セラミック電子部品の製造方法及びセラミック電子部品に関する。

従来、セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品が種々の用途に使用されている。例えば特許文献１には、その一例として、誘電体セラミック層を構成するセラミックよりも、大きく粒成長したセラミックが内部電極層内に配置された積層セラミックコンデンサが開示されている。特許文献１には、内部電極層内に大きく粒成長したセラミックを配することにより誘電体セラミック層と内部電極層との間の層間剥離（デラミネーション）を抑制できる旨が記載されている。

特開２００３−７７７６１号公報

近年、セラミック電子部品の信頼性をさらに高めたいという要望が高まってきている。

本発明は、セラミック電子部品の信頼性の改善を図ることを主な目的とする。

本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、第１及び第２の主面、第１及び第２の側面並びに第１及び第２の端面を有するセラミック素体と、セラミック素体内に配されており、第１の端面から一の方向に沿って延びる第１の内部電極と、第１の内部電極とセラミック層を介して対向するようにセラミック素体内に配されており、第２の端面から一の方向に沿って延びる第２の内部電極と、第１の端面の上に設けられており、第１の内部電極と接続された第１の外部電極と、第２の端面の上に設けられており、第２の内部電極と接続された第２の外部電極とを備え、セラミック素体が、第１の内部電極を貫通しており、第１の内部電極を介して隣り合うセラミック層を架橋している架橋部を有するセラミック電子部品の製造方法に関する。本発明に係るセラミック電子部品の製造方法では、第１または第２の内部電極を構成するための導電性ペースト層が表面上に形成された、セラミック素体を構成するためのセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートを積層することによりグリーンシート積層体を作製する。グリーンシート積層体を焼成することによりセラミック素体を作製する焼成工程を行う。焼成工程において、グリーンシート積層体の表層が、グリーンシート積層体の中央部よりも先に焼成されるような速度でグリーンシート積層体を加熱する。

本発明に係るセラミック電子部品の製造方法のある特定の局面では、焼成工程におけるグリーンシート積層体が、少なくとも５００℃以上の温度領域において、５０℃／秒〜１５０℃／秒で昇温される。

本発明に係るセラミック電子部品の製造方法の別の特定の局面では、導電性ペースト層の第１または第２の内部電極の第１または第２の端面側の端部を構成するための部分が、導電性ペースト層の第１または第２の内部電極の一の方向における中央部を構成するための部分よりも厚くなるように、導電性ペースト層を形成する。

本発明に係るセラミック電子部品の製造方法の他の特定の局面では、導電性ペースト層は、セラミック成分を含む。

本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック素体と、第１の内部電極と、第２の内部電極と、第１の外部電極と、第２の外部電極とを備える。セラミック素体は、第１及び第２の主面、第１及び第２の側面並びに第１及び第２の端面を有する。第１の内部電極は、セラミック素体内に配されている。第１の内部電極は、第１の端面から一の方向に沿って延びている。第２の内部電極は、第１の内部電極とセラミック層を介して対向するようにセラミック素体内に配されている。第２の内部電極は、第２の端面から一の方向に沿って延びている。第１の外部電極は、第１の端面の上に設けられている。第１の外部電極は、第１の内部電極と接続されている。第２の外部電極は、第２の端面の上に設けられている。第２の外部電極は、第２の内部電極と接続されている。セラミック素体は、架橋部を有する。架橋部は、第１の内部電極を貫通している。架橋部は、第１の内部電極を介して隣り合うセラミック層を架橋している。第１の内部電極は、第１の対向部と、第１の引き出し部とを有する。第１の対向部は、第２の内部電極とセラミック層を介して対向している。第１の引き出し部は、第１の対向部よりも第１の端面側に位置している。第１の引き出し部は、第１の外部電極に接続されている。第１の引き出し部における架橋部の単位面積あたりの数が、第１の対向部における架橋部の単位面積あたりの数よりも少ない。

本発明に係るセラミック電子部品のある特定の局面では、第１の引き出し部の第１の端面側の端部が、第１の対向部の一の方向における中央部よりも厚い。

本発明に係るセラミック電子部品の他の特定の局面では、第１の引き出し部における架橋部の単位面積あたりの数が、第１の対向部における架橋部の単位面積あたりの１／５以下である。

本発明に係るセラミック電子部品のさらに他の特定の局面では、第１の引き出し部における架橋部の単位面積あたりの数が、第１の対向部における架橋部の単位面積あたりの１／１０以下である。

本発明に係るセラミック電子部品のさらに別の特定の局面では、第１の引き出し部の第１の端面側の端部に架橋部が設けられていない。

本発明に係るセラミック電子部品のまた他の特定の局面では、架橋部は、セラミック成分及びガラス成分の少なくとも一方を含む。

本発明に係るセラミック電子部品のまた別の特定の局面では、第２の内部電極は、第２の対向部と、第２の引き出し部とを有する。第２の対向部は、第１の対向部とセラミック層を介して対向している。第２の引き出し部は、第２の対向部よりも第２の端面側に位置している。第２の引き出し部は、第２の外部電極に接続されている。第２の引き出し部における架橋部の単位面積あたりの数が、第２の対向部における架橋部の単位面積あたりの数よりも少ない。

本発明に係るセラミック電子部品のさらにまた他の特定の局面では、第２の引き出し部の第２の端面側の端部が、第２の対向部の一の方向における中央部よりも厚い。

本発明に係るセラミック電子部品のさらにまた別の特定の局面では、第２の引き出し部の第２の端面側の端部に架橋部が設けられていない。

本発明によれば、セラミック電子部品の信頼性の改善を図ることができる。

本発明の一実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。 図１の線ＩＩ−ＩＩ部分の略図的断面図である。 図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩ部分の略図的断面図である。 本発明の一実施形態におけるセラミック電子部品の製造方法を説明するための略図的断面図である。

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。

また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。

図１は、本実施形態に係るセラミック電子部品１の略図的斜視図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩ部分の略図的断面図である。図３は、図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩ部分の略図的断面図である。

セラミック電子部品１は、セラミック素体１０を備えている。セラミック素体１０は、互いに平行な第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆ（図２を参照）を有する。具体的には、セラミック素体１０は、略直方体状である。セラミック素体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆとを有する。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとは、互いに平行である。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄは、それぞれ、長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。第１の側面１０ｃと第２の側面１０ｄとは、互いに平行である。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆは、それぞれ、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。第１の端面１０ｅと第２の端面１０ｆとは互いに平行である。

なお、「略直方体」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。

セラミック素体１０は、適宜のセラミック材料により構成することができる。セラミック素体１０を構成するセラミック材料は、セラミック電子部品１の特性などにより適宜選択される。

例えば、セラミック電子部品１がセラミックコンデンサである場合は、セラミック素体１０を、誘電体セラミックを主成分とする材料により構成することができる。誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３などが挙げられる。セラミック素体１０には、例えば、Ｍｎ化合物、Ｃｏ化合物、希土類元素化合物、Ｓｉ化合物などの副成分を適宜添加されていてもよい。

図２及び図３に示されるように、セラミック素体１０の内部には、第１及び第２の内部電極１１，１２が設けられている。第１及び第２の内部電極１１，１２は、それぞれ、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って設けられている。第１及び第２の内部電極１１，１２は、厚み方向Ｔにおいてセラミック層１０ｇを介して対向している。第１の内部電極１１は、第１の端面１０ｅに引き出されている。第１の内部電極１１は、第１の端面１０ｅから長さ方向Ｌに沿って延びている。第１の内部電極１１は、第２の端面１０ｆ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄには引き出されていない。

第２の内部電極１２は、第２の端面１０ｆに引き出されている。第２の内部電極１２は、第２の端面１０ｆから長さ方向Ｌに沿って延びている。第２の内部電極１２は、第１の端面１０ｅ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄには引き出されていない。このため、セラミック素体１０の長さ方向Ｌにおける両端部には、第１及び第２の内部電極１１，１２のうちの一方のみが設けられた領域が存在している。

第１の内部電極１１は、第１の外部電極１３に接続されている。第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅの上に設けられている。本実施形態では、第１の外部電極１３は、第１の端面１０ｅの上のみならず、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの上にも設けられている。

第２の内部電極１２は、第２の外部電極１４に接続されている。第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆの上に設けられている。本実施形態では、第２の外部電極１４は、第２の端面１０ｆの上のみならず、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの上にも設けられている。

第１及び第２の内部電極１１，１２並びに第１及び第２の外部電極１３，１４は、それぞれ、適宜の導電材料により構成することができる。具体的には、第１及び第２の内部電極１１，１２並びに第１及び第２の外部電極１３，１４は、それぞれ、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｓｎなどの少なくとも一種により構成することができる。第１及び第２の外部電極１３，１４のそれぞれは、例えば、複数の導電層の積層体により構成されていてもよい。

図２に示されるように、第１の内部電極１１は、第１の対向部１１ａと、第１の引き出し部１１ｂとを有する。第１の引き出し部１１ｂは、第１の対向部１１ａよりも第１の端面１０ｅ側（Ｌ１側）に位置している。第１の引き出し部１１ｂの第１の端面１０ｅ側の端部は、第１の対向部１１ａの長さ方向Ｌにおける中央部よりも厚い。第１の内部電極１１は、第１の引き出し部１１ｂにおいて第１の外部電極１３と電気的に接続されている。

第２の内部電極１２は、第２の対向部１２ａと、第２の引き出し部１２ｂとを有する。第２の引き出し部１２ｂは、第２の対向部１２ａよりも第２の端面１０ｆ側（Ｌ２側）に位置している。第２の引き出し部１２ｂの第２の端面１０ｆ側の端部は、第２の対向部１２ａの長さ方向Ｌにおける中央部よりも厚い。第２の内部電極１２は、第２の引き出し部１２ｂにおいて第２の外部電極１４と電気的に接続されている。

第１の対向部１１ａと第２の対向部１２ａとは、セラミック層１０ｇを介して対向している。第１の引き出し部１１ｂは、第２の内部電極１２の第１の端面１０ｅ側（Ｌ１側）の先端よりもＬ１側に位置している。このため、第１の引き出し部１１ｂは、第２の内部電極１２とは対向していない。第２の引き出し部１２ｂは、第１の内部電極１１の第２の端面１０ｆ側（Ｌ２側）の先端よりもＬ２側に位置している。このため、第２の引き出し部１２ｂは、第１の内部電極１１とは対向していない。

セラミック素体１０は、複数の第１の架橋部１０ｈと、複数の第２の架橋部１０ｊとを有する。複数の第１の架橋部１０ｈは、それぞれ、第１の内部電極１１を貫通しており、その第１の内部電極１１を介して隣り合うセラミック層１０ｇ同士を架橋している。複数の第２の架橋部１０ｊは、それぞれ、第２の内部電極１２を貫通しており、その第２の内部電極１２を介して隣り合うセラミック層１０ｇ同士を架橋している。これら第１及び第２の架橋部１０ｈ、１０ｊによって、隣り合うセラミック層１０ｇが固定されている。よって、セラミック層１０ｇと内部電極１１，１２との層間剥離（デラミネーション）が発生することが抑制されている。その結果、優れた信頼性が実現されている。

なお、第１及び第２の架橋部１０ｈ、１０ｊは、それぞれ、例えば、セラミック成分やガラス成分により構成することができる。第１及び第２の架橋部１０ｈ、１０ｊは、例えば、セラミック層１０ｇと主成分が同じであるセラミック成分（所謂共材）を含んでいてもよい。

なお、第１及び第２の架橋部１０ｈ、１０ｊに加えて、空隙が、第１及び第２の内部電極１１、１２を貫通して形成される場合もある。

ところで、セラミック層と内部電極とのデラミネーションを抑制する観点からは、内部電極の全体にわたって架橋部を設けることが好ましい。しかしながら、引き出し部に架橋部を設けた場合、内部電極と外部電極との電気的接続の確実性が低下する場合がある。

ここで、本実施形態では、各第１の内部電極１１において、第１の外部電極１３と電気的に接続されている、第１の引き出し部１１ｂにおける架橋部１０ｈの単位面積あたりの数が、第１の対向部１１ａにおける架橋部１０ｈの単位面積あたりの数よりも少ない。このため、第１の内部電極１１と第１の外部電極１３との安定的な接続及び第１の内部電極１１と第１の外部電極１３との間の低い電気抵抗を維持しつつ、第１の内部電極１１とセラミック層１０ｇとのデラミネーションを抑制することができる。

なお、第１の対向部１１ａにおける架橋部１０ｈの単位面積あたりの数は、図２に示す断面の中央部分の一定面積、たとえば縦５０μｍ×横１０μｍに含まれる、第１の対向部１１ａの架橋部１０ｈの数とすることができる。そして、第１の引き出し部１１ｂにおける架橋部１０ｈの単位面積あたりの数は、上記した第１の対向部１１ａにおける架橋部１０ｈの数を数えた図２に示す断面の中央部分の一定面積（例えば、縦５０μｍ×横１０μｍ）を、図２において第１の端面１０ｅに接するまで左方向に水平移動させた、同じ一定面積（縦５０μｍ×横１０μｍ）に含まれる、第１の引き出し部１１ｂの架橋部１０ｈの数とすることができる。

また、各第２の内部電極１２において、第２の外部電極１４と電気的に接続されている、第２の引き出し部１２ｂにおける架橋部１０ｊの単位面積あたりの数が、第２の対向部１２ａにおける架橋部１０ｊの単位面積あたりの数よりも少ない。このため、第２の内部電極１２と第２の外部電極１４との安定的な接続及び第２の内部電極１２と第２の外部電極１４との間の低い電気抵抗を維持しつつ、第２の内部電極１２とセラミック層１０ｇとのデラミネーションを抑制することができる。

なお、第２の対向部１２ａにおける架橋部１０ｊの単位面積あたりの数は、図２に示す断面の中央部分の一定面積、たとえば縦５０μｍ×横１０μｍに含まれる、第２の対向部１２ａの架橋部１０ｊの数とすることができる。そして、第２の引き出し部１２ｂにおける架橋部１０ｊの単位面積あたりの数は、上記した第２の対向部１２ａにおける架橋部１０ｊの数を数えた図２に示す断面の中央部分の一定面積（縦５０μｍ×横１０μｍ）を、図２において第２の端面１０ｆに接するまで右方向に水平移動させた、同じ一定面積（縦５０μｍ×横１０μｍ）に含まれる、第２の引き出し部１２ｂの架橋部１０ｊの数とすることができる。

内部電極１１，１２とセラミック層１０ｇとのデラミネーションを抑制する観点からは、第１の引き出し部１１ｂにおける架橋部１０ｈの単位面積あたりの数が、第１の対向部１１ａにおける架橋部１０ｈの単位面積あたりの数の１／５以下であることが好ましく、１／１０以下であることがより好ましい。第１の引き出し部１１ｂの第１の端面１０ｅ側の端部に架橋部１０ｈが実質的に設けられていないことが好ましい。第２の引き出し部１２ｂにおける架橋部１０ｊの単位面積あたりの数が、第２の対向部１２ａにおける架橋部１０ｊの単位面積あたりの数の１／５以下であることが好ましく、１／１０以下であることがより好ましい。第２の引き出し部１２ｂの第２の端面１０ｆ側の端部に架橋部１０ｊが実質的に設けられていないことが好ましい。

なお、セラミック電子部品１の製造方法は、特に限定されない。セラミック電子部品１は、例えば、以下の要領で製造することができる。

まず、セラミックグリーンシート２０（図４を参照）を用意する。セラミックグリーンシート２０は、例えば、セラミックペーストをスクリーン印刷法などの印刷法により印刷することにより作製することができる。

次に、セラミックグリーンシート２０の上に導電性ペーストをスクリーン印刷法などの印刷法により塗布することにより、第１または第２の内部電極１１，１２を構成するための導電性ペースト層２１，２２を形成する。導電性ペースト層２１，２２は、後の焼成工程において架橋部１０ｈ、１０ｊを構成する共材としてのセラミック成分やガラス成分を含んでいることが好ましい。

次に、導電性ペースト層２１，２２が形成されていないセラミックグリーンシート２０と、導電性ペースト層２１が形成されたセラミックグリーンシート２０と、導電性ペースト層２２が形成されたセラミックグリーンシート２０とを適宜積層することによりグリーンシート積層体を作製する。積層後、グリーンシート積層体にプレスを施してもよい。

次に、グリーンシート積層体を焼成することにより、内部に第１及び第２の内部電極１１，１２を有するセラミック素体１０を作製する。この焼成工程において、グリーンシート積層体の表層が、グリーンシート積層体の中央部よりも先に焼成されるような高い速度でグリーンシート積層体を加熱する。例えば、グリーンシート積層体への加熱温度は、少なくとも５００℃以上の焼成温度領域において、５０℃／秒〜１５０℃／秒で昇温される。そうすることにより、グリーンシートの中央部においては、導電性ペースト層２１，２２に含まれていたセラミック成分やガラス成分が凝集し、架橋部１０ｈ、１０ｊが形成される。一方、引き出し部１１ｂ、１２ｂの端面１０ｅ、１０ｆ側の端部においては、中央部よりも焼成速度が高くなるため、セラミック成分やガラス成分などが凝集して架橋部が生じ難い。従って、引き出し部１１ｂ、１２ｂの端面１０ｅ、１０ｆ側の端部における架橋部１０ｈ、１０ｊの数が相対的に少ない内部電極１１，１２を有するセラミック素体１０を完成させることができる。

第１及び第２の外部電極１３，１４は、例えば、セラミック素体１０の上に、導電性ペーストを塗布し、焼成することにより形成することもできるし、メッキにより形成することもできる。また、第１及び第２の外部電極１３，１４は、グリーンシート積層体の上に導電性ペーストを塗布しておき、グリーンシート積層体とともに導電性ペースト層を焼成することにより形成してもよい。

引き出し部１１ｂ、１２ｂの端面１０ｅ、１０ｆ側の端部における架橋部１０ｈ、１０ｊの数をより少なくする観点からは、導電性ペースト層２１，２２の、第１または第２の内部電極１１，１２の第１または第２の端面１０ｅ、１０ｆ側の端部を構成するための部分が、導電性ペースト層２１，２２の第１または第２の内部電極１１，１２の長さ方向Ｌにおける中央部を構成するための部分よりも厚くなるように導電性ペースト層２１，２２を形成することが好ましい。導電性ペースト層２１，２２の、第１または第２の内部電極１１，１２の第１または第２の端面１０ｅ、１０ｆ側の端部を構成するための部分の厚みが、導電性ペースト層２１，２２の第１または第２の内部電極１１，１２の長さ方向Ｌにおける中央部を構成するための部分の厚みの１．５倍〜２．５倍であることが好ましく、１．８倍〜２．２倍であることがより好ましい。

また、引き出し部１１ｂ、１２ｂの端部を厚くすることにより、引き出し部１１ｂ、１２ｂの外部電極１３，１４における電気抵抗を低くすることができる。

１…セラミック電子部品
１０…セラミック素体
１０ａ…第１の主面
１０ｂ…第２の主面
１０ｃ…第１の側面
１０ｄ…第２の側面
１０ｅ…第１の端面
１０ｆ…第２の端面
１０ｇ…セラミック層
１０ｈ…第１の架橋部
１０ｊ…第２の架橋部
１１…第１の内部電極
１１ａ…第１の対向部
１１ｂ…第１の引き出し部
１２…第２の内部電極
１２ａ…第２の対向部
１２ｂ…第２の引き出し部
１３…第１の外部電極
１４…第２の外部電極
２０…セラミックグリーンシート
２１，２２…導電性ペースト層

Claims (13)

1. 第１及び第２の主面、第１及び第２の側面並びに第１及び第２の端面を有するセラミック素体と、
   前記セラミック素体内に配されており、前記第１の端面から一の方向に沿って延びる第１の内部電極と、
   前記第１の内部電極とセラミック層を介して対向するように前記セラミック素体内に配されており、前記第２の端面から前記一の方向に沿って延びる第２の内部電極と、
   前記第１の端面の上に設けられており、前記第１の内部電極と接続された第１の外部電極と、
   前記第２の端面の上に設けられており、前記第２の内部電極と接続された第２の外部電極と、
   を備え、
   前記セラミック素体が、前記第１の内部電極を貫通しており、前記第１の内部電極を介して隣り合う前記セラミック層を架橋している架橋部を有するセラミック電子部品の製造方法であって、
   前記第１または第２の内部電極を構成するための導電性ペースト層が表面上に形成された、前記セラミック素体を構成するためのセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートを積層することによりグリーンシート積層体を作製する工程と、
   前記グリーンシート積層体を焼成することにより前記セラミック素体を作製する焼成工程と、
   を備え、
   前記焼成工程において、前記グリーンシート積層体の表層が、前記グリーンシート積層体の中央部よりも先に焼成されるような速度で前記グリーンシート積層体を加熱する、セラミック電子部品の製造方法。
2. 前記焼成工程における前記グリーンシート積層体が、少なくとも５００℃以上の温度領域において、５０℃／秒〜１５０℃／秒で昇温される、請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
3. 前記導電性ペースト層の前記第１または第２の内部電極の第１または第２の端面側の端部を構成するための部分が、前記導電性ペースト層の前記第１または第２の内部電極の前記一の方向における中央部を構成するための部分よりも厚くなるように、前記導電性ペースト層を形成する、請求項１または２に記載のセラミック電子部品の製造方法。
4. 前記導電性ペースト層は、セラミック成分を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミック電子部品の製造方法。
5. 第１及び第２の主面、第１及び第２の側面並びに第１及び第２の端面を有するセラミック素体と、
   前記セラミック素体内に配されており、前記第１の端面から一の方向に沿って延びる第１の内部電極と、
   前記第１の内部電極とセラミック層を介して対向するように前記セラミック素体内に配されており、前記第２の端面から前記一の方向に沿って延びる第２の内部電極と、
   前記第１の端面の上に設けられており、前記第１の内部電極と接続された第１の外部電極と、
   前記第２の端面の上に設けられており、前記第２の内部電極と接続された第２の外部電極と、
   を備え、
   前記セラミック素体が、前記第１の内部電極を貫通しており、前記第１の内部電極を介して隣り合う前記セラミック層を架橋している架橋部を有し、
   前記第１の内部電極は、
   前記第２の内部電極と前記セラミック層を介して対向している第１の対向部と、
   前記第１の対向部よりも前記第１の端面側に位置しており、第１の外部電極に接続された第１の引き出し部と、
   を有し、
   前記第１の引き出し部における前記架橋部の単位面積あたりの数が、前記第１の対向部における前記架橋部の単位面積あたりの数よりも少ない、セラミック電子部品。
6. 前記第１の引き出し部の前記第１の端面側の端部が、前記第１の対向部の前記一の方向における中央部よりも厚い、請求項５に記載のセラミック電子部品。
7. 前記第１の引き出し部における前記架橋部の単位面積あたりの数が、前記第１の対向部における前記架橋部の単位面積あたりの１／５以下である、請求項５または６に記載のセラミック電子部品。
8. 前記第１の引き出し部における前記架橋部の単位面積あたりの数が、前記第１の対向部における前記架橋部の単位面積あたりの１／１０以下である、請求項７に記載のセラミック電子部品。
9. 前記第１の引き出し部の前記第１の端面側の端部に前記架橋部が設けられていない、請求項５〜８のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
10. 前記架橋部は、セラミック成分及びガラス成分の少なくとも一方を含む、請求項５〜９のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
11. 前記第２の内部電極は、
    前記第１の対向部と前記セラミック層を介して対向している第２の対向部と、
    前記第２の対向部よりも前記第２の端面側に位置しており、前記第２の外部電極に接続された第２の引き出し部と、
    を有し、
    前記第２の引き出し部における前記架橋部の単位面積あたりの数が、前記第２の対向部における前記架橋部の単位面積あたりの数よりも少ない、請求項５〜１０のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
12. 前記第２の引き出し部の前記第２の端面側の端部が、前記第２の対向部の前記一の方向における中央部よりも厚い、請求項１１に記載のセラミック電子部品。
13. 前記第２の引き出し部の前記第２の端面側の端部に前記架橋部が設けられていない、請求項１１または１２に記載のセラミック電子部品。

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