JPS6342517Y2 - - Google Patents
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- JPS6342517Y2 JPS6342517Y2 JP1983083165U JP8316583U JPS6342517Y2 JP S6342517 Y2 JPS6342517 Y2 JP S6342517Y2 JP 1983083165 U JP1983083165 U JP 1983083165U JP 8316583 U JP8316583 U JP 8316583U JP S6342517 Y2 JPS6342517 Y2 JP S6342517Y2
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- capacitors
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- Expired
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
産業上の利用分野
この考案の筒状コンデンサは、あらゆる電気回
路、電子回路に利用されるが、特に集積化や自動
組立にとつて有利な小形のものを主たる対象とす
る。 従来例の構成とする問題点 従来市販されている各種コンデンサは、その用
途に応じて、低容量から高容量まであるが、形状
は種々であつて統一されていない。電子機器の小
形化、高性能化にともない、その回路構成部品の
一つであるコンデンサの小形化、高集積化、自動
組立による高品質化を強く指向している。 既にこうした指向に対応するものとして、粒界
絶縁形半導体材料を用いた円筒形コンデンサが市
販されており、同一形状で各種の静電容量が得ら
れ、また自動挿入が可能であるために大きなメリ
ツトをもつている。 しかし従来の粒界絶縁形半導体円筒形コンデン
サ（形状：外径1.8×5.5、内径1.1〜1.2：単位mm）
では、容量は数万pFが最大であつて、円板形コ
ンデンサ（形状：10φ×0.3t：単位mm）の数十万
pFに遠くおよばない、また従来の粒界絶縁形半
導体円筒素子は機械的に弱く円筒素子の両端への
電極キヤツプ挿入が良好に行なえるには、円筒素
子とキヤツプの両者の間に精密な寸法精度が要求
されるため量産性にも問題がある。 考案の目的 この考案の目的は、小形化、集積化、自動組立
を指向するもので、従来制限されていた容量域を
飛躍的に拡大することができ、しかも機械的強度
を大きく指向することができるコンデンサを安価
に提供することである。 考案の構成 この考案が上記目的を達成するために講じた手
段は、導体または半導体からなる筒体を構成し、
この筒体の内外両面を含む全表面を誘電体層で被
覆し、更に誘電体層の上に一対の電極を形成した
というものである。 静電容量は、表面に形成された誘電体層の誘電
率、および厚みそして電極面積によつて決定する
ことができるので、材料あるいは電極面積を選択
することによつて、同一形状で低容量から高容量
までの広い範囲をカバーすることができる。また
従来の粒界絶縁形半導体円筒形コンデンサでは素
子の肉厚がその円筒形コンデンサの容量に寄与
し、一般に同一形状では高容量になるにつれて、
肉厚は薄くなる傾向があり、このために、高容量
の素子ほど、機械的強度、寸法精度にも問題が生
じてくるが、この考案の構造にすることで、静電
容量は素子の肉厚には依存しないため、機械的強
度を大きく向上することができ、寸法精度も向上
する。この考案の構造の筒状コンデンサを製作す
るに当たり、例えば、円筒形に成形した銅などの
導体あるいは、窒化ケイ素セラミツク、あるい
は、表面再酸化形半導体セラミツク、あるいは他
の半導体セラミツク、あるいは導電性、半導性プ
ラスチツク等の材料を用い、表面を酸化あるい
は、真空蒸着、スパツター、絶縁性フイルム等の
方法あるいは材料を選択することにより、円筒形
素子表面に任意の厚みと誘電率をもつ誘電体層を
形成するができる。従つて用途に応じ、同一形状
で従来の粒界絶縁形半導体円筒形コンデンサに比
べ、高容量から低容量までの容量域を確保するこ
とができる。 実施例の説明 この考案の一実施例として、表面再酸化形半導
体セラミツク材料を用いた場合を第１図に示す。
表面は再酸化処理によつて誘電体層１となつてお
り、その内部は、半導体でできた筒体となつてい
る。そして誘電体層の表面に一対の電極を設けて
コンデンサとしている。 試料の調整工程としては、工業用原料の
BaCO3、TiO2、MnO2およびNd2O3粉末等を用
い、 0.91BaTiO3＋0.09Nd2/3TiO3＋0.003MnO2
（mol％） になるように配合し、この粉末を湿式混合、乾
燥、1150℃の温度で仮焼し、BaTiO3−Nd2/3
TiO3−MnO2系仮焼粉末原料を得た。次いで、こ
の仮焼原料粉末を平均2.5μｍの粉末に粉砕した後
P.V.A（ポリビニルアルコール）水溶液をバイン
ダーとして添加、混合し32メツシユパスに整粒
し、その整粒粉末を1ton／cm2の圧力で円柱形に成
形し（直径2.4mmφ、内径0.9mmφ、長さ7.4mm）、
これらの成形体を空気中、1300℃の加熱処理した
後90％N2−10％H2の混合ガス気流中において
1100℃の温度で２時間焼成して、直径1.8mmφ、
内径0.6φmm、長さ5.5mmの円柱形半導体セラミツ
クを得た。これを空気中860℃〜1100℃の温度で、
２〜４時間の保持時間で酸化し、表面に種々の厚
みの高抵抗の絶縁層を有する表面再酸化形半導体
セラミツクを得た。 なお、この考案の具体的実施例で使用した試料
は下記の第１表に示す再酸化温度、保持時間で酸
化したものを用いた。
路、電子回路に利用されるが、特に集積化や自動
組立にとつて有利な小形のものを主たる対象とす
る。 従来例の構成とする問題点 従来市販されている各種コンデンサは、その用
途に応じて、低容量から高容量まであるが、形状
は種々であつて統一されていない。電子機器の小
形化、高性能化にともない、その回路構成部品の
一つであるコンデンサの小形化、高集積化、自動
組立による高品質化を強く指向している。 既にこうした指向に対応するものとして、粒界
絶縁形半導体材料を用いた円筒形コンデンサが市
販されており、同一形状で各種の静電容量が得ら
れ、また自動挿入が可能であるために大きなメリ
ツトをもつている。 しかし従来の粒界絶縁形半導体円筒形コンデン
サ（形状：外径1.8×5.5、内径1.1〜1.2：単位mm）
では、容量は数万pFが最大であつて、円板形コ
ンデンサ（形状：10φ×0.3t：単位mm）の数十万
pFに遠くおよばない、また従来の粒界絶縁形半
導体円筒素子は機械的に弱く円筒素子の両端への
電極キヤツプ挿入が良好に行なえるには、円筒素
子とキヤツプの両者の間に精密な寸法精度が要求
されるため量産性にも問題がある。 考案の目的 この考案の目的は、小形化、集積化、自動組立
を指向するもので、従来制限されていた容量域を
飛躍的に拡大することができ、しかも機械的強度
を大きく指向することができるコンデンサを安価
に提供することである。 考案の構成 この考案が上記目的を達成するために講じた手
段は、導体または半導体からなる筒体を構成し、
この筒体の内外両面を含む全表面を誘電体層で被
覆し、更に誘電体層の上に一対の電極を形成した
というものである。 静電容量は、表面に形成された誘電体層の誘電
率、および厚みそして電極面積によつて決定する
ことができるので、材料あるいは電極面積を選択
することによつて、同一形状で低容量から高容量
までの広い範囲をカバーすることができる。また
従来の粒界絶縁形半導体円筒形コンデンサでは素
子の肉厚がその円筒形コンデンサの容量に寄与
し、一般に同一形状では高容量になるにつれて、
肉厚は薄くなる傾向があり、このために、高容量
の素子ほど、機械的強度、寸法精度にも問題が生
じてくるが、この考案の構造にすることで、静電
容量は素子の肉厚には依存しないため、機械的強
度を大きく向上することができ、寸法精度も向上
する。この考案の構造の筒状コンデンサを製作す
るに当たり、例えば、円筒形に成形した銅などの
導体あるいは、窒化ケイ素セラミツク、あるい
は、表面再酸化形半導体セラミツク、あるいは他
の半導体セラミツク、あるいは導電性、半導性プ
ラスチツク等の材料を用い、表面を酸化あるい
は、真空蒸着、スパツター、絶縁性フイルム等の
方法あるいは材料を選択することにより、円筒形
素子表面に任意の厚みと誘電率をもつ誘電体層を
形成するができる。従つて用途に応じ、同一形状
で従来の粒界絶縁形半導体円筒形コンデンサに比
べ、高容量から低容量までの容量域を確保するこ
とができる。 実施例の説明 この考案の一実施例として、表面再酸化形半導
体セラミツク材料を用いた場合を第１図に示す。
表面は再酸化処理によつて誘電体層１となつてお
り、その内部は、半導体でできた筒体となつてい
る。そして誘電体層の表面に一対の電極を設けて
コンデンサとしている。 試料の調整工程としては、工業用原料の
BaCO3、TiO2、MnO2およびNd2O3粉末等を用
い、 0.91BaTiO3＋0.09Nd2/3TiO3＋0.003MnO2
（mol％） になるように配合し、この粉末を湿式混合、乾
燥、1150℃の温度で仮焼し、BaTiO3−Nd2/3
TiO3−MnO2系仮焼粉末原料を得た。次いで、こ
の仮焼原料粉末を平均2.5μｍの粉末に粉砕した後
P.V.A（ポリビニルアルコール）水溶液をバイン
ダーとして添加、混合し32メツシユパスに整粒
し、その整粒粉末を1ton／cm2の圧力で円柱形に成
形し（直径2.4mmφ、内径0.9mmφ、長さ7.4mm）、
これらの成形体を空気中、1300℃の加熱処理した
後90％N2−10％H2の混合ガス気流中において
1100℃の温度で２時間焼成して、直径1.8mmφ、
内径0.6φmm、長さ5.5mmの円柱形半導体セラミツ
クを得た。これを空気中860℃〜1100℃の温度で、
２〜４時間の保持時間で酸化し、表面に種々の厚
みの高抵抗の絶縁層を有する表面再酸化形半導体
セラミツクを得た。 なお、この考案の具体的実施例で使用した試料
は下記の第１表に示す再酸化温度、保持時間で酸
化したものを用いた。
【表】
第１表に示す各々の条件で再酸化処理を施した
表面再酸化形半導体セラミツク素子における誘電
体層１の内面、端面、外面に対し、互いに約0.8
mmの間隔を設ける状態で各々約0.20cm2の面積の銀
電極を焼付けてコンデンサ素子とした。なお従来
例として、第２図に示す構造をもち円筒形セラミ
ツク素子と同一外形を有する粒界絶縁形半導体円
筒形セラミツク４のコンデンサを用いた。その内
径は1.2mmφで容量を算出する有効電極長さloは
3.0mmであつた。 第２表に種々の条件で再酸化した円柱形コンデ
ンサの諸特性を示す。第３表は同一形状の円筒形
コンデンサ（実施例）と粒界絶縁形半導体円筒形
コンデンサ（従来例）との容量を比較したもので
ある。
表面再酸化形半導体セラミツク素子における誘電
体層１の内面、端面、外面に対し、互いに約0.8
mmの間隔を設ける状態で各々約0.20cm2の面積の銀
電極を焼付けてコンデンサ素子とした。なお従来
例として、第２図に示す構造をもち円筒形セラミ
ツク素子と同一外形を有する粒界絶縁形半導体円
筒形セラミツク４のコンデンサを用いた。その内
径は1.2mmφで容量を算出する有効電極長さloは
3.0mmであつた。 第２表に種々の条件で再酸化した円柱形コンデ
ンサの諸特性を示す。第３表は同一形状の円筒形
コンデンサ（実施例）と粒界絶縁形半導体円筒形
コンデンサ（従来例）との容量を比較したもので
ある。
【表】
【表】
なお、上記実施例では、コンデンサ材料として
表面再酸化半導体セラミツクを用いたが、他の導
体、半導体と誘電体の組み合わせでもよく、また
電極材料としても上記実施例に用いた銀電極のみ
に限定するものではない。また、第３図に示すよ
うな電極構造でもよく第１図に示す実施例の構造
のみに限定するものではない。 考案の効果 この考案によれば次の効果がある。すなわち、
従来の粒界絶縁形半導体円筒形コンデンサに比
べ、高容量のコンデンサを得ることができる。ま
た電極面積を調節あるいは、誘電率の違う材料を
用いることにより、従来の粒界絶縁形半導体コン
デンサに比べより高い容量域から低い容量域まで
のコンデンサを得ることができる。また従来の粒
界絶縁形半導体円筒形コンデンサに比べると素子
の肉厚が容量に直接関係しないために、肉厚に厚
くすることで機械的強度の大きい円筒コンデンサ
素子の製作も容易であり、寸法精度の向上も容易
であるため、従来の粒界絶縁形半導体円筒コンデ
ンサの生産において問題になり易い電極キヤツプ
挿入も容易であるため、量産性も著しく向上す
る。
表面再酸化半導体セラミツクを用いたが、他の導
体、半導体と誘電体の組み合わせでもよく、また
電極材料としても上記実施例に用いた銀電極のみ
に限定するものではない。また、第３図に示すよ
うな電極構造でもよく第１図に示す実施例の構造
のみに限定するものではない。 考案の効果 この考案によれば次の効果がある。すなわち、
従来の粒界絶縁形半導体円筒形コンデンサに比
べ、高容量のコンデンサを得ることができる。ま
た電極面積を調節あるいは、誘電率の違う材料を
用いることにより、従来の粒界絶縁形半導体コン
デンサに比べより高い容量域から低い容量域まで
のコンデンサを得ることができる。また従来の粒
界絶縁形半導体円筒形コンデンサに比べると素子
の肉厚が容量に直接関係しないために、肉厚に厚
くすることで機械的強度の大きい円筒コンデンサ
素子の製作も容易であり、寸法精度の向上も容易
であるため、従来の粒界絶縁形半導体円筒コンデ
ンサの生産において問題になり易い電極キヤツプ
挿入も容易であるため、量産性も著しく向上す
る。
第１図はこの考案の実施例の断面図、第２図は
比較例（従来例）の断面図、第３図は別の実施例
の断面図である。 １……誘電体層、２……筒体、３……電極。
比較例（従来例）の断面図、第３図は別の実施例
の断面図である。 １……誘電体層、２……筒体、３……電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 導体または半導体からなる筒体と、この筒体
の内外両面を含む全表面を被覆する誘電体層
と、この誘電体層の上に形成した一対の電極と
を備えた筒状コンデンサ。 (2) 前記筒体および誘電体層が表面再酸化形半導
体セラミツクからつくられている実用新案登録
請求の範囲第(1)項記載の筒状コンデンサ。 (3) 前記筒体が円筒である実用新案登録請求の範
囲第(1)項または第(2)項記載の筒状コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8316583U JPS59187122U (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 筒状コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8316583U JPS59187122U (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 筒状コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59187122U JPS59187122U (ja) | 1984-12-12 |
| JPS6342517Y2 true JPS6342517Y2 (ja) | 1988-11-08 |
Family
ID=30213124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8316583U Granted JPS59187122U (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 筒状コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59187122U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6240424Y2 (ja) * | 1981-03-31 | 1987-10-16 |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP8316583U patent/JPS59187122U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59187122U (ja) | 1984-12-12 |
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