JPS6240424Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6240424Y2 JPS6240424Y2 JP4664981U JP4664981U JPS6240424Y2 JP S6240424 Y2 JPS6240424 Y2 JP S6240424Y2 JP 4664981 U JP4664981 U JP 4664981U JP 4664981 U JP4664981 U JP 4664981U JP S6240424 Y2 JPS6240424 Y2 JP S6240424Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- reduction
- semiconductor
- semiconductor ceramic
- reoxidation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 55
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 claims description 27
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 19
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は小型で大容量が得られるコンデン
サ、特に還元再酸化型の半導体磁器コンデンサに
関するものである。
サ、特に還元再酸化型の半導体磁器コンデンサに
関するものである。
大容量のコンデンサ、たとえば１μＦ前後容量
を有するコンデンサとしては、フイルムコンデン
サ、電解コンデンサ、積層磁器コンデンサなどが
ある。
を有するコンデンサとしては、フイルムコンデン
サ、電解コンデンサ、積層磁器コンデンサなどが
ある。
しかしながら、このうち、フイルムコンデンサ
は全体形状が大きいものとなり、小型化に相反す
るものである。また熱に弱いという欠点が見られ
る。電解コンデンサは方向性を有し、周波数特性
が悪く、リーク電流も大きいという問題を有して
いる。さらに、積層磁器コンデンサは内部電極に
高価なAu，Pt，Pdなどの高融点貴金属を用いる
ため、１μＦ程度の大容量のものを得ようとする
と非常に高価なものとなり、特定の用途にしか用
いることができない。
は全体形状が大きいものとなり、小型化に相反す
るものである。また熱に弱いという欠点が見られ
る。電解コンデンサは方向性を有し、周波数特性
が悪く、リーク電流も大きいという問題を有して
いる。さらに、積層磁器コンデンサは内部電極に
高価なAu，Pt，Pdなどの高融点貴金属を用いる
ため、１μＦ程度の大容量のものを得ようとする
と非常に高価なものとなり、特定の用途にしか用
いることができない。
他方、大容量のコンデンサとして還元再酸化型
の半導体磁器コンデンサがあることは知られてい
る。この種のコンデンサは比較的小型でありなが
ら大容量が得られ、また耐熱性を有するとともに
方向性を持たず、さらには周波数特性が良好であ
ること、リーク電流が小さいこと、および安価で
あることなどの特徴を持つている。
の半導体磁器コンデンサがあることは知られてい
る。この種のコンデンサは比較的小型でありなが
ら大容量が得られ、また耐熱性を有するとともに
方向性を持たず、さらには周波数特性が良好であ
ること、リーク電流が小さいこと、および安価で
あることなどの特徴を持つている。
しかしながらこのような長所を有しながら、面
積容量は高々300nF／cm2程度であり、やはり１μ
Ｆ程度の大容量のものを得ようとすると形状が大
きいものとなつてしまう。
積容量は高々300nF／cm2程度であり、やはり１μ
Ｆ程度の大容量のものを得ようとすると形状が大
きいものとなつてしまう。
このような問題を改善するために、第１図に示
すような構造からなる還元再酸化型半導体磁器コ
ンデンサが提案されている。第１図に従つて説明
すると、１は還元再酸化型半導体磁器であり、２
はその半導体部分、３は再酸化処理により外部表
面に形成された誘電体部分、４はこの誘電体部分
に対応してその上に形成された電極、５は半導体
部分１が外部に露出している個所に形成されたオ
ーム性電極であり、電極４とは所定のギヤツプを
おいて形成されている。
すような構造からなる還元再酸化型半導体磁器コ
ンデンサが提案されている。第１図に従つて説明
すると、１は還元再酸化型半導体磁器であり、２
はその半導体部分、３は再酸化処理により外部表
面に形成された誘電体部分、４はこの誘電体部分
に対応してその上に形成された電極、５は半導体
部分１が外部に露出している個所に形成されたオ
ーム性電極であり、電極４とは所定のギヤツプを
おいて形成されている。
しかしながら、この構造にかかる半導体磁器コ
ンデンサによれば、再酸化工程で半導体磁器の全
体に再酸化層からなる誘電体部分３が形成される
ため、オーム性電極５を形成するためこの誘電体
部分３の一部を除去しなければならない。一般に
この誘電体部分３の厚みは50μｍ程度であるた
め、除去処理が非常に面倒となる。またこのオー
ム性電極５はある程度大きくしないと周波数特性
の低下が見られ、第１図に示したものではかなり
大きな面積で半導体部分２を露出させておかなけ
ればならず、誘電体部分３の剥離加工が一層困難
となる。
ンデンサによれば、再酸化工程で半導体磁器の全
体に再酸化層からなる誘電体部分３が形成される
ため、オーム性電極５を形成するためこの誘電体
部分３の一部を除去しなければならない。一般に
この誘電体部分３の厚みは50μｍ程度であるた
め、除去処理が非常に面倒となる。またこのオー
ム性電極５はある程度大きくしないと周波数特性
の低下が見られ、第１図に示したものではかなり
大きな面積で半導体部分２を露出させておかなけ
ればならず、誘電体部分３の剥離加工が一層困難
となる。
また、第２図に示すような還元再酸化型半導体
磁器コンデンサも提案されている。これは円板状
の還元再酸化型半導体磁器６の中心に透孔７を形
成したもので、透孔７の内壁に露出している半導
体部分８にオーム性電極９を形成する一方、外部
表面に再酸化処理により形成された誘電体部分１
０の上に電極１１を形成したものである。この電
極１１はオーム性電極９と所定のギヤツプを置い
て形成されている。
磁器コンデンサも提案されている。これは円板状
の還元再酸化型半導体磁器６の中心に透孔７を形
成したもので、透孔７の内壁に露出している半導
体部分８にオーム性電極９を形成する一方、外部
表面に再酸化処理により形成された誘電体部分１
０の上に電極１１を形成したものである。この電
極１１はオーム性電極９と所定のギヤツプを置い
て形成されている。
この種の半導体磁器コンデンサは第１図のもの
にくらべて、その容量を約３倍程度大きくするこ
とができるが、あらかじめ還元再酸化処理を施す
前に透孔７を形成していたとしても、透孔７の内
壁に形成されている誘電体部分（図示せず）の剥
離処理を行なわなければならず、また還元再酸化
処理を終えたのちに透孔７を形成することは、一
旦磁器化したものの穴あけ作業が非能率的なもの
であることから、工業的には不適当なものであ
る。
にくらべて、その容量を約３倍程度大きくするこ
とができるが、あらかじめ還元再酸化処理を施す
前に透孔７を形成していたとしても、透孔７の内
壁に形成されている誘電体部分（図示せず）の剥
離処理を行なわなければならず、また還元再酸化
処理を終えたのちに透孔７を形成することは、一
旦磁器化したものの穴あけ作業が非能率的なもの
であることから、工業的には不適当なものであ
る。
したがつて、この考案はかかる従来例の欠点を
解消した構造からなる還元再酸化型半導体磁器コ
ンデンサを提供することを目的とする。
解消した構造からなる還元再酸化型半導体磁器コ
ンデンサを提供することを目的とする。
すなわち、この考案の要旨とするところは、筒
状の還元再酸化型半導体磁器の表面が一端を除い
て誘電体層部分になつており、前記一端面は半導
体部分が露呈しており、誘電体層部分には電極が
形成される一方、半導体部分には前記電極とギヤ
ツプをおいてオーム性電極が形成されている還元
再酸化型半導体磁器コンデンサである。
状の還元再酸化型半導体磁器の表面が一端を除い
て誘電体層部分になつており、前記一端面は半導
体部分が露呈しており、誘電体層部分には電極が
形成される一方、半導体部分には前記電極とギヤ
ツプをおいてオーム性電極が形成されている還元
再酸化型半導体磁器コンデンサである。
以下、この考案を図示した一実施例に従つて詳
細に説明する。
細に説明する。
第３図において、１２は筒状、たとえば円筒状
の還元再酸化型半導体磁器、１３はこの半導体磁
器１２の半導体部分、１４は半導体磁器１２の表
面に形成された誘電体層部分であり、筒状の半導
体磁器１２の一端面１２ａを除いて形成されてお
り、通常再酸化処理により形成される。１５は電
極であり、誘電体層部分１４の上に形成されてい
る。１６はオーム性電極であり、半導体磁器１２
の一端面に露呈している半導体部分１３の上に形
成されており、このオーム性電極１６は電極１５
と電気的接触しないようにギヤツプＧをおいて形
成されている。
の還元再酸化型半導体磁器、１３はこの半導体磁
器１２の半導体部分、１４は半導体磁器１２の表
面に形成された誘電体層部分であり、筒状の半導
体磁器１２の一端面１２ａを除いて形成されてお
り、通常再酸化処理により形成される。１５は電
極であり、誘電体層部分１４の上に形成されてい
る。１６はオーム性電極であり、半導体磁器１２
の一端面に露呈している半導体部分１３の上に形
成されており、このオーム性電極１６は電極１５
と電気的接触しないようにギヤツプＧをおいて形
成されている。
したがつて、この構成によれば、電極１５と電
極１６との間で容量が得られることが理解でき
る。特にこの構成において、一端面１２ａに露呈
している半導体部分１３の上にオーム性電極１６
を形成しているため、筒状半導体磁器１２の外表
面に形成されている誘電体層部分１４により構成
される容量のほとんどすべてを引き出すことがで
きる。また半導体磁器１２の上にオーム性電極１
６を形成する場合、この構成によれば半導体部分
１３の上に容易に形成することができる。つま
り、再酸化処理により誘電体層部分が筒状半導体
磁器１２の全表面に形成されることになるが、一
端面１２ａを研磨などの手段で除去するだけで半
導体部分１３を露呈することができ、この一端面
１２ａにオーム性電極１６を形成すれば上記した
ように大きな容量を得ることができる。
極１６との間で容量が得られることが理解でき
る。特にこの構成において、一端面１２ａに露呈
している半導体部分１３の上にオーム性電極１６
を形成しているため、筒状半導体磁器１２の外表
面に形成されている誘電体層部分１４により構成
される容量のほとんどすべてを引き出すことがで
きる。また半導体磁器１２の上にオーム性電極１
６を形成する場合、この構成によれば半導体部分
１３の上に容易に形成することができる。つま
り、再酸化処理により誘電体層部分が筒状半導体
磁器１２の全表面に形成されることになるが、一
端面１２ａを研磨などの手段で除去するだけで半
導体部分１３を露呈することができ、この一端面
１２ａにオーム性電極１６を形成すれば上記した
ように大きな容量を得ることができる。
かかる構成からなる還元再酸化型半導体磁器コ
ンデンサの製造例を以下に説明する。
ンデンサの製造例を以下に説明する。
還元再酸化型半導体磁器を構成する材料とし
て、たとえばBaTiO3−BaZrO3系を用い、円筒状
に成型する。この成型体をまず空気中1330℃で焼
成し、さらに1150℃の温度にて還元熱処理して半
導体化し、900℃の温度で再酸化処理を行ない表
面のみ誘電体層部分を形成する。こののち筒状還
元再酸化型半導体磁器の外側、内側および他端面
に銀ペーストを塗布、焼付けして電極を形成す
る。さらに一端面の誘電体層部分を除去して半導
体部分を露呈し、この半導体部分の上に、たとえ
ばAg−Zn−Sb系の銀系オーム性電極を形成すれ
ばコンデンサを得ることができる。
て、たとえばBaTiO3−BaZrO3系を用い、円筒状
に成型する。この成型体をまず空気中1330℃で焼
成し、さらに1150℃の温度にて還元熱処理して半
導体化し、900℃の温度で再酸化処理を行ない表
面のみ誘電体層部分を形成する。こののち筒状還
元再酸化型半導体磁器の外側、内側および他端面
に銀ペーストを塗布、焼付けして電極を形成す
る。さらに一端面の誘電体層部分を除去して半導
体部分を露呈し、この半導体部分の上に、たとえ
ばAg−Zn−Sb系の銀系オーム性電極を形成すれ
ばコンデンサを得ることができる。
第４図は第３図のコンデンサの両端にキヤツプ
端子１７，１８を装置した状態を示したもので、
リード線１９，２０をコンデンサ本体からアキシ
ヤル状に導出している。その他の構成については
第３図のものと同じであるから説明を省略する。
また、第３図ではコンデンサとして円筒状のも
のについて説明したが、円筒状のものに限られる
ことはなく、角筒状、三角状、四角状などその他
筒状のもので構成することができることはいうま
でもない。
端子１７，１８を装置した状態を示したもので、
リード線１９，２０をコンデンサ本体からアキシ
ヤル状に導出している。その他の構成については
第３図のものと同じであるから説明を省略する。
また、第３図ではコンデンサとして円筒状のも
のについて説明したが、円筒状のものに限られる
ことはなく、角筒状、三角状、四角状などその他
筒状のもので構成することができることはいうま
でもない。
次に具体的な実測例にもとづいてこの考案の効
果を考察する。材料をBaTiO3−BaZrO3系とし、
その単位面積当たりの容量としておよそ300nF／
cm2が得られる還元再酸化型半導体磁器のものを用
いた。
果を考察する。材料をBaTiO3−BaZrO3系とし、
その単位面積当たりの容量としておよそ300nF／
cm2が得られる還元再酸化型半導体磁器のものを用
いた。
第５図〜第６図はこの半導体磁器を用いてコン
デンサを構成した具体例を示したものである。こ
のうち、第５図のものは円筒状の還元再酸化型半
導体磁器コンデンサの従来例、第６図のものはこ
の考案にかかるものであり図中の番号１２〜１６
は第３図〜第４図のものと対応する。また第５図
〜第６図には各半導体磁器および電極の寸法を明
示した。単位はすべてmmである。
デンサを構成した具体例を示したものである。こ
のうち、第５図のものは円筒状の還元再酸化型半
導体磁器コンデンサの従来例、第６図のものはこ
の考案にかかるものであり図中の番号１２〜１６
は第３図〜第４図のものと対応する。また第５図
〜第６図には各半導体磁器および電極の寸法を明
示した。単位はすべてmmである。
第５図、第６図に示した各コンデンサの容量を
測定したところ、第５図のものは0.35μＦ、第６
図のものは1.30μＦであつた。
測定したところ、第５図のものは0.35μＦ、第６
図のものは1.30μＦであつた。
このようにこの考案にかかるもの（第６図示
例）では従来例（第５図示例）にくらべて約3.7
倍程度容量の大きいコンデンサが得られており、
この考案によつて大きな効果が得られていること
がわかる。
例）では従来例（第５図示例）にくらべて約3.7
倍程度容量の大きいコンデンサが得られており、
この考案によつて大きな効果が得られていること
がわかる。
これは従来例として示した第５図のものは誘電
体層部分１４のほとんど全面に電極１５を形成し
ているが、半導体部分１３の上に直接オーム性電
極を形成する構成をとつていないことによるもの
と考えられる。
体層部分１４のほとんど全面に電極１５を形成し
ているが、半導体部分１３の上に直接オーム性電
極を形成する構成をとつていないことによるもの
と考えられる。
一方、この考案にかかる第６図のものに大きな
容量が得られるのは、一端面に露呈している半導
体部分１３の上にオーム性電極１６を形成するこ
とによつて、誘電体層部分１４により構成される
容量のほとんどすべてを効率よく引き出すことが
できることによるものと考えられ、しかも誘電体
層部分１４とオーム性電極１６との間に発生する
電気力線の分布が大きい容量を獲得できる配置に
なつていることによるものであると考えられる。
したがつて設計に当つては筒状半導体磁器の内
径、外径および長さの各寸法比を選択することに
留意する必要があることはいうまでもない。
容量が得られるのは、一端面に露呈している半導
体部分１３の上にオーム性電極１６を形成するこ
とによつて、誘電体層部分１４により構成される
容量のほとんどすべてを効率よく引き出すことが
できることによるものと考えられ、しかも誘電体
層部分１４とオーム性電極１６との間に発生する
電気力線の分布が大きい容量を獲得できる配置に
なつていることによるものであると考えられる。
したがつて設計に当つては筒状半導体磁器の内
径、外径および長さの各寸法比を選択することに
留意する必要があることはいうまでもない。
以上の説明から明らかなように、この考案にか
かる還元再酸化型半導体磁器コンデンサによれ
ば、一方の電極をオーム性電極としているため、
オーム性電極を用いていない同形状のものにくら
べて大きな容量のコンデンサが得られる。また、
この考案の構成によれば、オーム性電極を形成す
る個所を筒状半導体磁器の一端面としているた
め、通常還元再酸化処理によつて形成される誘電
体層部分の除去が行いやすいとともに、オーム性
電極の形成も容易である。
かる還元再酸化型半導体磁器コンデンサによれ
ば、一方の電極をオーム性電極としているため、
オーム性電極を用いていない同形状のものにくら
べて大きな容量のコンデンサが得られる。また、
この考案の構成によれば、オーム性電極を形成す
る個所を筒状半導体磁器の一端面としているた
め、通常還元再酸化処理によつて形成される誘電
体層部分の除去が行いやすいとともに、オーム性
電極の形成も容易である。
第１図、第２図はそれぞれ従来例にかかる還元
再酸化型半導体磁器コンデンサの断面図、第３図
はこの考案の一実施例にかかる還元再酸化型半導
体磁器コンデンサの断面図、第４図はこの考案の
応用例を示す断面図、第５図、第６図は還元再酸
化型半導体磁器コンデンサの容量を測定した具体
的構成例を示し、第５図は従来例、第６図はこの
考案にかかるものである。 １２……還元再酸化型半導体磁器、１３……半
導体部分、１４……誘電体層部分、１５……電
極、１６……オーム性電極。
再酸化型半導体磁器コンデンサの断面図、第３図
はこの考案の一実施例にかかる還元再酸化型半導
体磁器コンデンサの断面図、第４図はこの考案の
応用例を示す断面図、第５図、第６図は還元再酸
化型半導体磁器コンデンサの容量を測定した具体
的構成例を示し、第５図は従来例、第６図はこの
考案にかかるものである。 １２……還元再酸化型半導体磁器、１３……半
導体部分、１４……誘電体層部分、１５……電
極、１６……オーム性電極。
Claims (1)
- 筒状の還元再酸化型半導体磁器の表面が一端面
を除いて誘電体層部分になつており、前記一端面
は半導体部分が露呈しており、誘電体層部分には
電極が形成される一方、半導体部分には前記電極
とギヤツプをおいてオーム性電極が形成されてい
る還元再酸化型半導体磁器コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4664981U JPS6240424Y2 (ja) | 1981-03-31 | 1981-03-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4664981U JPS6240424Y2 (ja) | 1981-03-31 | 1981-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57159233U JPS57159233U (ja) | 1982-10-06 |
| JPS6240424Y2 true JPS6240424Y2 (ja) | 1987-10-16 |
Family
ID=29843482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4664981U Expired JPS6240424Y2 (ja) | 1981-03-31 | 1981-03-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6240424Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59187122U (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | 松下電器産業株式会社 | 筒状コンデンサ |
-
1981
- 1981-03-31 JP JP4664981U patent/JPS6240424Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57159233U (ja) | 1982-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4533931A (en) | Reduction reoxidation type semiconductor ceramic condenser | |
| JPS6240424Y2 (ja) | ||
| JPS6240423Y2 (ja) | ||
| JPS6311699Y2 (ja) | ||
| JPH0314037Y2 (ja) | ||
| JPS6311700Y2 (ja) | ||
| JPS59193015A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPS61170057A (ja) | 縦型キヤパシタ− | |
| JPS6314458Y2 (ja) | ||
| JPS6342517Y2 (ja) | ||
| JPS6325720Y2 (ja) | ||
| JPS6211257A (ja) | マイクロ波集積回路 | |
| JPH0328502Y2 (ja) | ||
| JPS6342516Y2 (ja) | ||
| JPS6141223Y2 (ja) | ||
| JPH0547458Y2 (ja) | ||
| JPH0115163Y2 (ja) | ||
| JPS6373924U (ja) | ||
| JPH0731537Y2 (ja) | ヒューズ付き固体電解コンデンサ | |
| JPS6225877Y2 (ja) | ||
| JPS6214929B2 (ja) | ||
| JPS63177027U (ja) | ||
| JPS5993123U (ja) | チツプ状磁器コンデンサ | |
| JPS5872830U (ja) | 磁器コンデンサ | |
| JPS6250052B2 (ja) |