JPS6250052B2 - - Google Patents
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- JPS6250052B2 JPS6250052B2 JP407281A JP407281A JPS6250052B2 JP S6250052 B2 JPS6250052 B2 JP S6250052B2 JP 407281 A JP407281 A JP 407281A JP 407281 A JP407281 A JP 407281A JP S6250052 B2 JPS6250052 B2 JP S6250052B2
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Landscapes
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、巻き込み型セラミツクコンデンサ
に関し、特にいわゆる貫通タイプの巻き込み型セ
ラミツクコンデンサに関する。
に関し、特にいわゆる貫通タイプの巻き込み型セ
ラミツクコンデンサに関する。
第1図および第2図は、それぞれ、従来の貫通
タイプの巻き込み型セラミツクコンデンサの製造
に用いられるセラミツクグリーンシートの内部電
極形成状態を示す平面図である。第3図ないし第
7図は第1図および第2図のセラミツクグリーン
シートを巻き込んで貫通タイプのセラミツクコン
デンサを製造する過程を示す図解図である。
タイプの巻き込み型セラミツクコンデンサの製造
に用いられるセラミツクグリーンシートの内部電
極形成状態を示す平面図である。第3図ないし第
7図は第1図および第2図のセラミツクグリーン
シートを巻き込んで貫通タイプのセラミツクコン
デンサを製造する過程を示す図解図である。
第1図および第2図を参照して説明すると、2
枚の未焼成のセラミツクグリーンシート1,2の
各一方表面上には、それぞれ、内部電極3,4が
形成される。第1のセラミツクグリーンシート1
に形成される第1内部電極3は、第1のセラミツ
クグリーンシート1の一方表面上において右側縁
部6にギヤツプを残して形成される。また、第2
のセラミツクグリーンシート2に形成される第2
内部電極4は、第2のセラミツクグリーンシート
2の一方表面上において左側縁部9にギヤツプを
残して形成される。第1のセラミツクグリーンシ
ート1は、図面に示す方向のまま第2のセラミツ
クグリーンシート2上に重ねられる。そして、第
3図に示すように、芯11が用意され、上述の2
枚重ねにされた第1および第2のセラミツクグリ
ーンシート1,2は、それぞれの始端部5,8か
ら芯11に巻き込まれる。このような巻回が第1
および第2のセラミツクグリーンシート1,2の
それぞれの終端部7,10まで行なわれると、芯
11が抜き取られる。第4図に示すように、上述
のような巻回によつて得られた棒状の巻き込み体
13は中空部12を有し、その一方端面13aに
は第1内部電極3の左側縁が表出し、他方端面1
3bには第2内部電極4の右側縁が表出する。こ
の巻き込み体13は焼成される。
枚の未焼成のセラミツクグリーンシート1,2の
各一方表面上には、それぞれ、内部電極3,4が
形成される。第1のセラミツクグリーンシート1
に形成される第1内部電極3は、第1のセラミツ
クグリーンシート1の一方表面上において右側縁
部6にギヤツプを残して形成される。また、第2
のセラミツクグリーンシート2に形成される第2
内部電極4は、第2のセラミツクグリーンシート
2の一方表面上において左側縁部9にギヤツプを
残して形成される。第1のセラミツクグリーンシ
ート1は、図面に示す方向のまま第2のセラミツ
クグリーンシート2上に重ねられる。そして、第
3図に示すように、芯11が用意され、上述の2
枚重ねにされた第1および第2のセラミツクグリ
ーンシート1,2は、それぞれの始端部5,8か
ら芯11に巻き込まれる。このような巻回が第1
および第2のセラミツクグリーンシート1,2の
それぞれの終端部7,10まで行なわれると、芯
11が抜き取られる。第4図に示すように、上述
のような巻回によつて得られた棒状の巻き込み体
13は中空部12を有し、その一方端面13aに
は第1内部電極3の左側縁が表出し、他方端面1
3bには第2内部電極4の右側縁が表出する。こ
の巻き込み体13は焼成される。
上述のように焼成された巻き込み体13は、第
5図に示すように、その中空部12に絶縁円筒1
4が挿入定着される。この絶縁円筒14はその中
心部に中心孔14aを有する。そして、第6図に
示すように、この中心孔14aに中心導体15が
挿通される。この中心導体15において巻き込み
体13の一方端面13a側に突出する部分は、一
方端面13aに表出する第1内部電極3とたとえ
ばはんだ付けなどによつて電気的に接続される。
次に、第7図に示すように、巻き込み体13には
円筒状の外部端子16が設けられる。この外部端
子16の内底部は巻き込み体13の他方端面13
bに表出する第2内部電極4と電気的に接続され
る。なお、この外部端子16は、中心導体15お
よび巻き込み体13の一方端面13aに表出する
第1内部電極3とは電気的に絶縁されている。以
上のようにして、貫通タイプの巻き込み型セラミ
ツクコンデンサが得られる。
5図に示すように、その中空部12に絶縁円筒1
4が挿入定着される。この絶縁円筒14はその中
心部に中心孔14aを有する。そして、第6図に
示すように、この中心孔14aに中心導体15が
挿通される。この中心導体15において巻き込み
体13の一方端面13a側に突出する部分は、一
方端面13aに表出する第1内部電極3とたとえ
ばはんだ付けなどによつて電気的に接続される。
次に、第7図に示すように、巻き込み体13には
円筒状の外部端子16が設けられる。この外部端
子16の内底部は巻き込み体13の他方端面13
bに表出する第2内部電極4と電気的に接続され
る。なお、この外部端子16は、中心導体15お
よび巻き込み体13の一方端面13aに表出する
第1内部電極3とは電気的に絶縁されている。以
上のようにして、貫通タイプの巻き込み型セラミ
ツクコンデンサが得られる。
上述のように、従来の貫通タイプの巻き込み型
セラミツクコンデンサは、絶縁円筒14および外
部端子16を必要とするため、高価になるという
欠点があつた。また、これら絶縁円筒14および
外部端子16の取り付け工程によつて生産性が低
下するという欠点もあつた。
セラミツクコンデンサは、絶縁円筒14および外
部端子16を必要とするため、高価になるという
欠点があつた。また、これら絶縁円筒14および
外部端子16の取り付け工程によつて生産性が低
下するという欠点もあつた。
それゆえに、この発明の主たる目的は、上述の
ような欠点を解消し、小型大容量の特性を有し、
かつ安価にしかも簡単に製造できる巻き込み型セ
ラミツクコンデンサを提供することである。
ような欠点を解消し、小型大容量の特性を有し、
かつ安価にしかも簡単に製造できる巻き込み型セ
ラミツクコンデンサを提供することである。
この発明は、要約すれば、第1および第2の2
枚のセラミツクシートを巻き込んで棒状のセラミ
ツク素体を形成し、少なくともその一部が上述の
棒状のセラミツク素体の両端面に表出するように
第1のセラミツクシートの外周面とこれに接する
第2のセラミツクシートの内周面との間に第1の
内部電極を形成し、少なくともその一部が棒状の
セラミツク素体の外周面に表出するように第1の
セラミツクシートの内周面と第2のセラミツクシ
ートの外周面との間に第2の内部電極を形成する
ようにしたものである。
枚のセラミツクシートを巻き込んで棒状のセラミ
ツク素体を形成し、少なくともその一部が上述の
棒状のセラミツク素体の両端面に表出するように
第1のセラミツクシートの外周面とこれに接する
第2のセラミツクシートの内周面との間に第1の
内部電極を形成し、少なくともその一部が棒状の
セラミツク素体の外周面に表出するように第1の
セラミツクシートの内周面と第2のセラミツクシ
ートの外周面との間に第2の内部電極を形成する
ようにしたものである。
この発明の上述の目的およびその他の目的と特
徴は、図面を参照して行なう以下の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
徴は、図面を参照して行なう以下の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
第8図および第9図はこの発明の一実施例の巻
き込み型セラミツクコンデンサの製造に用いられ
るセラミツクグリーンシートの内部電極形成状態
を示す平面図である。これら第8図および第9図
に示すようなセラミツクグリーンシート17およ
び23を構成するセラミツク誘電体材料として
は、チタン酸バリウム系が一般的であるが、その
他、酸化チタン系、チタン酸カルシウム系、チタ
ン酸ストロンチウム系、チタン酸鉛系、アルミナ
系なども用いられる。これらセラミツク誘電体材
料を用いて、たとえば数10ミクロンの厚さをもつ
セラミツクグリーンシートにするために、これら
誘電体材料100部に対して、ポリビニールブチラ
ル10部、ジオクチルフタレート5部、エタノール
50部を加え、耐溶剤性のあるボールミルで48時間
混合紛砕した後、得られた混合スラリを真空脱泡
し、ポリエチレンフイルム上にドクターブレード
法でシートを作成し、これを乾燥させる。さらに
ポリエチレンフイルムから剥離することによつ
て、セラミツクグリーンシートが得られる。
き込み型セラミツクコンデンサの製造に用いられ
るセラミツクグリーンシートの内部電極形成状態
を示す平面図である。これら第8図および第9図
に示すようなセラミツクグリーンシート17およ
び23を構成するセラミツク誘電体材料として
は、チタン酸バリウム系が一般的であるが、その
他、酸化チタン系、チタン酸カルシウム系、チタ
ン酸ストロンチウム系、チタン酸鉛系、アルミナ
系なども用いられる。これらセラミツク誘電体材
料を用いて、たとえば数10ミクロンの厚さをもつ
セラミツクグリーンシートにするために、これら
誘電体材料100部に対して、ポリビニールブチラ
ル10部、ジオクチルフタレート5部、エタノール
50部を加え、耐溶剤性のあるボールミルで48時間
混合紛砕した後、得られた混合スラリを真空脱泡
し、ポリエチレンフイルム上にドクターブレード
法でシートを作成し、これを乾燥させる。さらに
ポリエチレンフイルムから剥離することによつ
て、セラミツクグリーンシートが得られる。
第1のセラミツクグリーンシート17に形成さ
れる第1の内部電極18は、第1のセラミツクグ
リーンシート17の一方表面上において始端部1
9と終端部20とにそれぞれ所定のギヤツプを残
して形成される。第2のセラミツクグリーンシー
ト23に形成される第2の内部電極24は、第2
のセラミツクグリーンシート23の一方表面上に
おいて始端部26と左側縁部28と右側縁部29
とにそれぞれ所定のギヤツプを残して形成され
る。なお、第2のセラミツクグリーシート23の
終端部27には、第2の内部電極24から終端ま
で帯状に細い外部導出電極25が形成される。こ
の外部引出電極25は第1および第2のセラミツ
クグリーンシート17,23を重ね合せた後巻回
して得られる巻き込み体30(第10図参照)の
外周面に表出するものである。この外部引出電極
25は少なくとも巻き込み体30の外周面の一部
に形成されていればよい。したがつて、外部引出
電極25を巻き込み体30の全周に形成したけれ
ば、その長さLは少なくとも巻き込み体30の外
周よりも長く形成されるのが好ましい。また、こ
の外部引出電極25にはんだ付けを行うに当つて
は接着強度が大きく、はんだ付け可能な電極、た
とえば銀から構成されていることが好ましい。こ
の銀電極はガラスフリツトを含む銀ペーストを付
着させ、たとえば800℃、30分間焼き付けするこ
とにより得られる。したがつて、後述するよう
に、外部引出電極25が白金、パラジウム、また
はそれらの合金などの高融点の貴金属類よりなる
ものでは、十分な接着強度が得られないため、こ
の外部引出電極25の上に、たとえば上述したよ
うな接着強度が大きく、はんだ付け性のよい銀電
極を形成した構成がとられる。
れる第1の内部電極18は、第1のセラミツクグ
リーンシート17の一方表面上において始端部1
9と終端部20とにそれぞれ所定のギヤツプを残
して形成される。第2のセラミツクグリーンシー
ト23に形成される第2の内部電極24は、第2
のセラミツクグリーンシート23の一方表面上に
おいて始端部26と左側縁部28と右側縁部29
とにそれぞれ所定のギヤツプを残して形成され
る。なお、第2のセラミツクグリーシート23の
終端部27には、第2の内部電極24から終端ま
で帯状に細い外部導出電極25が形成される。こ
の外部引出電極25は第1および第2のセラミツ
クグリーンシート17,23を重ね合せた後巻回
して得られる巻き込み体30(第10図参照)の
外周面に表出するものである。この外部引出電極
25は少なくとも巻き込み体30の外周面の一部
に形成されていればよい。したがつて、外部引出
電極25を巻き込み体30の全周に形成したけれ
ば、その長さLは少なくとも巻き込み体30の外
周よりも長く形成されるのが好ましい。また、こ
の外部引出電極25にはんだ付けを行うに当つて
は接着強度が大きく、はんだ付け可能な電極、た
とえば銀から構成されていることが好ましい。こ
の銀電極はガラスフリツトを含む銀ペーストを付
着させ、たとえば800℃、30分間焼き付けするこ
とにより得られる。したがつて、後述するよう
に、外部引出電極25が白金、パラジウム、また
はそれらの合金などの高融点の貴金属類よりなる
ものでは、十分な接着強度が得られないため、こ
の外部引出電極25の上に、たとえば上述したよ
うな接着強度が大きく、はんだ付け性のよい銀電
極を形成した構成がとられる。
上述した第1および第2の内部電極18,24
の形成方法としては、電極を構成する金属を含む
ペーストを印刷あるいは塗布する方法が一般的に
用いられる。そのための電極材料としては、その
後の焼成工程において課せられる高温において
も、セラミツクグリーンシート17,23との反
応や、酸化を生じないように、高融点の貴金属
類、たとえば、白金、パラジウム、またはそれら
の合金などを用いなければならない。しかしなが
ら、比較的低温で焼結されるセラミツク材料もす
でに開発されており、このようなセラミツク材料
を第1および第2のセラミツクグリーンシート1
7,23の材料として用いるならば、比較的安価
な銀系、ニツケル系、アルミニウム系等の金属材
料も有利に用いることができる。
の形成方法としては、電極を構成する金属を含む
ペーストを印刷あるいは塗布する方法が一般的に
用いられる。そのための電極材料としては、その
後の焼成工程において課せられる高温において
も、セラミツクグリーンシート17,23との反
応や、酸化を生じないように、高融点の貴金属
類、たとえば、白金、パラジウム、またはそれら
の合金などを用いなければならない。しかしなが
ら、比較的低温で焼結されるセラミツク材料もす
でに開発されており、このようなセラミツク材料
を第1および第2のセラミツクグリーンシート1
7,23の材料として用いるならば、比較的安価
な銀系、ニツケル系、アルミニウム系等の金属材
料も有利に用いることができる。
その他の内部電極形成方法としては、スパツタ
リング法、蒸着法、イオンプレーテイング法など
が用いられ得る。
リング法、蒸着法、イオンプレーテイング法など
が用いられ得る。
次に、第2のセラミツクグリーンシート23
は、図面に示す方向のまま第1のセラミツクグリ
ーンシート17上に重ねられる。そして、巻き芯
(図示せず)が用意され、上述の2枚重ねにされ
た第1および第2のセラミツクグリーンシート1
7,23は巻き芯上にそれぞれの始端部19,2
6から巻き込まれる。このとき、第2のセラミツ
クグリーンシート23において第2の内部電極が
形成される面が常に外側に向くように巻き込みが
行なわれる。これは、後に詳細に説明するが巻き
込み体30(第10図参照)の外周面に外部引出
電極25を表出させるためである。なお、各セラ
ミツクグリーンシート17,23の各始端部1
9,26にはギヤツプが形成されているため、巻
き込みによつて第1および第2の内部電極18,
24が短絡することはない。ところで、巻き芯
(図示せず)は、セラミツクグリーンシート1
7,23の巻き込み工程における形態保持の機能
を果たすものであり、焼成工程の前に抜き取られ
る場合と、そのまま一緒に焼成工程に付される場
合とがある。この巻き芯の材料としては、セラミ
ツクグリーンシート17,23と一緒に焼成を行
なわない限り、特に限定されない。セラミツクグ
リーンシート17,23と一緒に焼成を行なう場
合には、耐熱性を考慮して、好ましくはセラミツ
ク材料が用いられる。このセラミツク材料は、未
焼成のものでも焼成済みのものでもよい。巻き芯
の材料として、未焼成のセラミツク材料を用いる
場合には、セラミツクグリーンシート17,23
と焼成収縮率を一致させるために、セラミツクグ
リーンシート17,23に用いた材料、バインダ
と同一のものを用いるのが好ましい。なお、巻き
芯は円柱に限るものではなく、たとえば角柱など
であつても良い。
は、図面に示す方向のまま第1のセラミツクグリ
ーンシート17上に重ねられる。そして、巻き芯
(図示せず)が用意され、上述の2枚重ねにされ
た第1および第2のセラミツクグリーンシート1
7,23は巻き芯上にそれぞれの始端部19,2
6から巻き込まれる。このとき、第2のセラミツ
クグリーンシート23において第2の内部電極が
形成される面が常に外側に向くように巻き込みが
行なわれる。これは、後に詳細に説明するが巻き
込み体30(第10図参照)の外周面に外部引出
電極25を表出させるためである。なお、各セラ
ミツクグリーンシート17,23の各始端部1
9,26にはギヤツプが形成されているため、巻
き込みによつて第1および第2の内部電極18,
24が短絡することはない。ところで、巻き芯
(図示せず)は、セラミツクグリーンシート1
7,23の巻き込み工程における形態保持の機能
を果たすものであり、焼成工程の前に抜き取られ
る場合と、そのまま一緒に焼成工程に付される場
合とがある。この巻き芯の材料としては、セラミ
ツクグリーンシート17,23と一緒に焼成を行
なわない限り、特に限定されない。セラミツクグ
リーンシート17,23と一緒に焼成を行なう場
合には、耐熱性を考慮して、好ましくはセラミツ
ク材料が用いられる。このセラミツク材料は、未
焼成のものでも焼成済みのものでもよい。巻き芯
の材料として、未焼成のセラミツク材料を用いる
場合には、セラミツクグリーンシート17,23
と焼成収縮率を一致させるために、セラミツクグ
リーンシート17,23に用いた材料、バインダ
と同一のものを用いるのが好ましい。なお、巻き
芯は円柱に限るものではなく、たとえば角柱など
であつても良い。
第10図は第8図および第9のセラミツクグリ
ーンシート17,23を巻き込んで得られる巻き
込み体を示す斜視図である。第8図ないし第10
図から明らかなように、巻き込み体30の外周面
の一部には、第2の内部電極24の外部引出電極
25が表示する。外部引出電極25は外部回路と
の電気的導通状態が図られるから、少なくとも外
部表面は接着強度が大きくはんだ付け可能な金
属、たとえば焼付銀から構成されるのが好まし
い。また、巻き込み体30の一方端面30aには
第1の内部電極18の左側縁21が表出し、他方
端面30bには第1の内部電極18の右側縁22
が表出する。しかし、第2の内部電極24は第2
のセラミツクグリーンシート23の左側縁部28
および右側縁部29においてギヤツプを有して形
成されるため、巻き込み体30の内端面30a,
30bに表出することはない。この棒状の巻き込
み体30は焼成され、その各端面30aおよび3
0bに外部取出し電極を形成することによつて貫
通タイプの巻き込み型セラミツクコンデンサが得
られる。
ーンシート17,23を巻き込んで得られる巻き
込み体を示す斜視図である。第8図ないし第10
図から明らかなように、巻き込み体30の外周面
の一部には、第2の内部電極24の外部引出電極
25が表示する。外部引出電極25は外部回路と
の電気的導通状態が図られるから、少なくとも外
部表面は接着強度が大きくはんだ付け可能な金
属、たとえば焼付銀から構成されるのが好まし
い。また、巻き込み体30の一方端面30aには
第1の内部電極18の左側縁21が表出し、他方
端面30bには第1の内部電極18の右側縁22
が表出する。しかし、第2の内部電極24は第2
のセラミツクグリーンシート23の左側縁部28
および右側縁部29においてギヤツプを有して形
成されるため、巻き込み体30の内端面30a,
30bに表出することはない。この棒状の巻き込
み体30は焼成され、その各端面30aおよび3
0bに外部取出し電極を形成することによつて貫
通タイプの巻き込み型セラミツクコンデンサが得
られる。
第11図は第10図に示す巻き込み体30から
得られた巻き込み型セラミツクコンデンサを示す
断面図である。前述のように焼成された巻き込み
体30の両端面30a,30bには、それぞれ、
第1および第2外部電極皮膜31,32が形成さ
れる。外部電極皮膜31,32の形成は、一般的
に、銀ペーストを巻き込み体30の両端部30a
および30bに付着させ、たとえば800℃の温度
で30分間焼き付けすることにより行なわれる。こ
のように外部電極皮膜31,32が形成されたと
き、第1外部電極皮膜31は第1の内部電極18
の左側縁21と接する状態となり、第2外部電極
皮膜32は第1の内部電極18の右側縁22と接
する状態となる。したがつて、第1外部電極皮膜
31と第2外部電極皮膜32とは電気的に接続さ
れることになる。この状態で得られたセラミツク
コンデンサは回路基板等に直接はんだ付等によつ
て接続回定されるチツプ型セラミツクコンデンサ
として用いることができる。
得られた巻き込み型セラミツクコンデンサを示す
断面図である。前述のように焼成された巻き込み
体30の両端面30a,30bには、それぞれ、
第1および第2外部電極皮膜31,32が形成さ
れる。外部電極皮膜31,32の形成は、一般的
に、銀ペーストを巻き込み体30の両端部30a
および30bに付着させ、たとえば800℃の温度
で30分間焼き付けすることにより行なわれる。こ
のように外部電極皮膜31,32が形成されたと
き、第1外部電極皮膜31は第1の内部電極18
の左側縁21と接する状態となり、第2外部電極
皮膜32は第1の内部電極18の右側縁22と接
する状態となる。したがつて、第1外部電極皮膜
31と第2外部電極皮膜32とは電気的に接続さ
れることになる。この状態で得られたセラミツク
コンデンサは回路基板等に直接はんだ付等によつ
て接続回定されるチツプ型セラミツクコンデンサ
として用いることができる。
次に、第1電極キヤツプ33が第1外部電極皮
膜31と電気的接触した状態で巻き込み体30の
一方端部30aにかぶせられる。第2電極キヤツ
プ34も同様に、第2外部電極皮膜32と電気的
接触した状態で巻き込み体30の他方端部30b
にかぶせられる。この状態での第1および第2外
部電極キヤツプ33,34の各外部電極皮膜3
1,32に対する電気的接続および巻き込み体3
0に対する機械的保持を確実にするために、各外
部電極キヤツプ33,34と各外部電極皮膜3
1,32とがそれぞれたとえばはんだ付けされる
のが好ましい。この状態のセラミツクコンデンサ
についてもチツプ型セラミツクコンデンサと同様
に回路基板等に直接接続固定する使用が考えられ
る。このほか第11図に破線で示したように、ハ
トメ型端子を外部引出電極25と電気的導通状態
で接続固定することも許される。かかる構造のセ
ラミツクコンデンサについて、その使用態様は特
に図示しないが、回路基板やシヤーシ等の貫通孔
を竪型に配置することができ、ハトメ型端子が係
止片となり、はんだ付けすることにより電気接続
した態様を採ることができる。
膜31と電気的接触した状態で巻き込み体30の
一方端部30aにかぶせられる。第2電極キヤツ
プ34も同様に、第2外部電極皮膜32と電気的
接触した状態で巻き込み体30の他方端部30b
にかぶせられる。この状態での第1および第2外
部電極キヤツプ33,34の各外部電極皮膜3
1,32に対する電気的接続および巻き込み体3
0に対する機械的保持を確実にするために、各外
部電極キヤツプ33,34と各外部電極皮膜3
1,32とがそれぞれたとえばはんだ付けされる
のが好ましい。この状態のセラミツクコンデンサ
についてもチツプ型セラミツクコンデンサと同様
に回路基板等に直接接続固定する使用が考えられ
る。このほか第11図に破線で示したように、ハ
トメ型端子を外部引出電極25と電気的導通状態
で接続固定することも許される。かかる構造のセ
ラミツクコンデンサについて、その使用態様は特
に図示しないが、回路基板やシヤーシ等の貫通孔
を竪型に配置することができ、ハトメ型端子が係
止片となり、はんだ付けすることにより電気接続
した態様を採ることができる。
次に、第1リード線35が第1外部電極キヤツ
プ33に接続され、第2リード線36が第2電極
キヤツプ34に接続される。このリード線35,
36と、外部電極キヤツプ33,34とは、たと
えば溶接により接続される。なお、各リード線3
5,36のひき出し方向は、第11図に想像線で
2種類の態様を示すように変更することもでき、
したがつて各リード線35,36のひき出し方向
は、アキシヤル方向またはラジアル方向のいずれ
でもよい。
プ33に接続され、第2リード線36が第2電極
キヤツプ34に接続される。このリード線35,
36と、外部電極キヤツプ33,34とは、たと
えば溶接により接続される。なお、各リード線3
5,36のひき出し方向は、第11図に想像線で
2種類の態様を示すように変更することもでき、
したがつて各リード線35,36のひき出し方向
は、アキシヤル方向またはラジアル方向のいずれ
でもよい。
この構成によれば、リード線35と36とは、
各電極キヤツプ33,34、各外部電極皮膜3
1,32、第1の内部電極18を介して電気的に
接続されている。しかし、リード線35と外部引
出電極25との間、あるいはリード線36と外部
引出電極25との間には容量が発生することにな
り、貫通タイプのコンデンサが得られる。
各電極キヤツプ33,34、各外部電極皮膜3
1,32、第1の内部電極18を介して電気的に
接続されている。しかし、リード線35と外部引
出電極25との間、あるいはリード線36と外部
引出電極25との間には容量が発生することにな
り、貫通タイプのコンデンサが得られる。
また、第12図は他の貫通タイプのコンデンサ
を示したもので、次に新たに説明する構成以外は
第11図示のものと同様あるいは類以の構成から
なる。つまり、37は外部端子で、巻き込み体3
0の外周形状と相似形をなすもので、図示のもの
は円形状である。外部端子37は外部引出電極2
5と電気的導通状態で接続固定される。また、3
8は貫通端子であり、巻き込み体30の貫通孔に
挿通固定されている。アキシヤル方向に引き出さ
れている貫通端子38は外部電極皮膜31,32
と、たとえばはんだ付けにより電気的に接続され
ている。かかる構造より、外部端子37と貫通端
子38との間で容量が発生し、貫通タイプのコン
デンサが得られる。
を示したもので、次に新たに説明する構成以外は
第11図示のものと同様あるいは類以の構成から
なる。つまり、37は外部端子で、巻き込み体3
0の外周形状と相似形をなすもので、図示のもの
は円形状である。外部端子37は外部引出電極2
5と電気的導通状態で接続固定される。また、3
8は貫通端子であり、巻き込み体30の貫通孔に
挿通固定されている。アキシヤル方向に引き出さ
れている貫通端子38は外部電極皮膜31,32
と、たとえばはんだ付けにより電気的に接続され
ている。かかる構造より、外部端子37と貫通端
子38との間で容量が発生し、貫通タイプのコン
デンサが得られる。
なお、上述の実施例では第8図に示ように、第
1の内部電極18は、その左側端21および右側
端22がすべて第1のグリーンシート17の両端
部にまで延びるように形成されている。これは、
各外部電極皮膜31,32と、第1の内部電極1
8との電気的接触を良好にするためであるが、第
1の内部電極18の少なくとも一部が各外部電極
皮膜31,32と電気的に接触していれば良く、
第1の内部電極18は第8図のような形成態様に
拘束されるものではない。
1の内部電極18は、その左側端21および右側
端22がすべて第1のグリーンシート17の両端
部にまで延びるように形成されている。これは、
各外部電極皮膜31,32と、第1の内部電極1
8との電気的接触を良好にするためであるが、第
1の内部電極18の少なくとも一部が各外部電極
皮膜31,32と電気的に接触していれば良く、
第1の内部電極18は第8図のような形成態様に
拘束されるものではない。
以上のように、この発明によれば、第1の内部
電極の少なくとも一部をセラミツク素体の両端面
に表出させるようにし、第2の内部電極の少なく
とも一部をセラミツク素体の外周面に表出させる
ようにしたので、従来の巻き込み型セラミツクコ
ンデンサに比べて構成が簡単でかつ安価なしかも
生産性の高い巻き込み型セラミツクコンデンサを
得ることができる。
電極の少なくとも一部をセラミツク素体の両端面
に表出させるようにし、第2の内部電極の少なく
とも一部をセラミツク素体の外周面に表出させる
ようにしたので、従来の巻き込み型セラミツクコ
ンデンサに比べて構成が簡単でかつ安価なしかも
生産性の高い巻き込み型セラミツクコンデンサを
得ることができる。
第1図および第2図はそれぞれ従来の貫通タイ
プの巻き込み型セラミツクコンデンサの製造に用
いられるセラミツクグリーンシートの内部電極形
成状態を示す平面図である。第3図ないし第7図
は第1図および第2図のセラミツクグリーンシー
トを巻き込んで貫通タイプのセラミツクコンデン
サを製造する過程を示す図解図である。第8図お
よび第9図はこの発明の一実施例の巻き込み型セ
ラミツクコンデンサの製造に用いられるセラミツ
クグリーンシートの内部電極形成状態を示す平面
図である。第10図は第8図および第9図のセラ
ミツクグリーンシートを巻き込んで得られた巻き
込み体を示す斜視図である。第11図は第10図
に示す巻き込み体30から得られた巻き込み型セ
ラミツクコンデンサを示す断面図である。第12
図は同じく第10図に示す巻き込み体30から得
られた巻き込み型セラミツクコンデンサを示す一
部断面図である。 図において、17は第1のセラミツクグリーン
シート、23は第2のセラミツクグリーンシー
ト、18は第1の内部電極、24は第2の内部電
極、25は外部引出電極、30は巻き込み体を示
す。
プの巻き込み型セラミツクコンデンサの製造に用
いられるセラミツクグリーンシートの内部電極形
成状態を示す平面図である。第3図ないし第7図
は第1図および第2図のセラミツクグリーンシー
トを巻き込んで貫通タイプのセラミツクコンデン
サを製造する過程を示す図解図である。第8図お
よび第9図はこの発明の一実施例の巻き込み型セ
ラミツクコンデンサの製造に用いられるセラミツ
クグリーンシートの内部電極形成状態を示す平面
図である。第10図は第8図および第9図のセラ
ミツクグリーンシートを巻き込んで得られた巻き
込み体を示す斜視図である。第11図は第10図
に示す巻き込み体30から得られた巻き込み型セ
ラミツクコンデンサを示す断面図である。第12
図は同じく第10図に示す巻き込み体30から得
られた巻き込み型セラミツクコンデンサを示す一
部断面図である。 図において、17は第1のセラミツクグリーン
シート、23は第2のセラミツクグリーンシー
ト、18は第1の内部電極、24は第2の内部電
極、25は外部引出電極、30は巻き込み体を示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 第1および第2のセラミツクシートが巻き込
まれてなる形態をとり、巻回状態において前記第
1のセラミツクシートの外周面と前記第2のセラ
ミツクシートの内周面とで、および前記第1のセ
ラミツクシートの内周面と前記第2のセラミツク
シートの外周面とで相互に接し、かつ両端面と外
周面とを有する棒状のセラミツク素体と、 前記第1のセラミツクシートの外周面とこれに
接する前記第2のセラミツクシートの内周面との
間に形成され、かつ少なくともその一部が前記棒
状のセラミツク素体の両端面に表出する第1の内
部電極と、 前記第1のセラミツクシートの内周面と前記第
2のセラミツクシートの外周面との間に形成さ
れ、かつ少なくともその一部が前記棒状のセラミ
ツク素体の外周面に表出する第2の内部電極とを
備えた、巻き込み型セラミツクコンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP407281A JPS57117230A (en) | 1981-01-13 | 1981-01-13 | Wound-type ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP407281A JPS57117230A (en) | 1981-01-13 | 1981-01-13 | Wound-type ceramic capacitor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57117230A JPS57117230A (en) | 1982-07-21 |
JPS6250052B2 true JPS6250052B2 (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=11574599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP407281A Granted JPS57117230A (en) | 1981-01-13 | 1981-01-13 | Wound-type ceramic capacitor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57117230A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5268638A (en) * | 1991-07-15 | 1993-12-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for particle beam testing of substrates for liquid crystal displays "LCD" |
-
1981
- 1981-01-13 JP JP407281A patent/JPS57117230A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57117230A (en) | 1982-07-21 |
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