JPH0115163Y2 - - Google Patents
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- JPH0115163Y2 JPH0115163Y2 JP1981185390U JP18539081U JPH0115163Y2 JP H0115163 Y2 JPH0115163 Y2 JP H0115163Y2 JP 1981185390 U JP1981185390 U JP 1981185390U JP 18539081 U JP18539081 U JP 18539081U JP H0115163 Y2 JPH0115163 Y2 JP H0115163Y2
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、主として、貫通形コンデンサとして
使用するのに好適な電子部品に関する。
使用するのに好適な電子部品に関する。
従来のこの種の電子部品は、例えば第１図に例
示するように、底部１に貫通孔２を有する段付き
円筒状の外部端子金具３の内部に、厚さ方向の両
面に開口する貫通孔４のまわりに一対の電極５，
６を有する円環状の磁器コンデンサ７を、電極６
が底部１に対接するようにして半田付け固定する
と共に、電極５には磁器コンデンサ７の貫通孔４
内を通つて外部端子金具３内を軸方向に貫通する
貫通導体８のヘツダ部８ａを、半田９によつて接
続固定し、更に外部端子金具３の内部の前記磁器
コンデンサ７のまわりに、絶縁樹脂１０，１１を
充填した構造となつていた。
示するように、底部１に貫通孔２を有する段付き
円筒状の外部端子金具３の内部に、厚さ方向の両
面に開口する貫通孔４のまわりに一対の電極５，
６を有する円環状の磁器コンデンサ７を、電極６
が底部１に対接するようにして半田付け固定する
と共に、電極５には磁器コンデンサ７の貫通孔４
内を通つて外部端子金具３内を軸方向に貫通する
貫通導体８のヘツダ部８ａを、半田９によつて接
続固定し、更に外部端子金具３の内部の前記磁器
コンデンサ７のまわりに、絶縁樹脂１０，１１を
充填した構造となつていた。
この従来の貫通形コンデンサは、リード線を持
たず、芯線となる貫通導体８も短小化されている
ため、ラジアルタイプのコンデンサ等に比較し
て、周波数特性における共振点が高く、しかも外
部端子金具３によつて全体がシールドされている
こともあつて、総体的にノイズ減衰特性が良好で
あり、例えば多極ピンコネクタのピンに結合する
ノイズフイルタ素子等として使用されている。
たず、芯線となる貫通導体８も短小化されている
ため、ラジアルタイプのコンデンサ等に比較し
て、周波数特性における共振点が高く、しかも外
部端子金具３によつて全体がシールドされている
こともあつて、総体的にノイズ減衰特性が良好で
あり、例えば多極ピンコネクタのピンに結合する
ノイズフイルタ素子等として使用されている。
しかしながら、従来のこの種の電子部品は、磁
器コンデンサ７がチタン酸バリウムや酸化チタン
等の誘電体磁器で成る単層タイプとなつているた
め、誘電体の誘電率の増大に限界があり、取得容
量を増大させるには、磁器コンデンサ７の電極対
向面積を大きくするか、誘電体磁器層を薄しなけ
ればならず、小型で機械的強度が大きくしかも取
得容量の大きな貫通形コンデンサを実現すること
ができなかつた。このため、貫通形コンデンサ内
蔵コネクタ等の小型化、ノイズ減衰特性の向上に
限界を生じていた。
器コンデンサ７がチタン酸バリウムや酸化チタン
等の誘電体磁器で成る単層タイプとなつているた
め、誘電体の誘電率の増大に限界があり、取得容
量を増大させるには、磁器コンデンサ７の電極対
向面積を大きくするか、誘電体磁器層を薄しなけ
ればならず、小型で機械的強度が大きくしかも取
得容量の大きな貫通形コンデンサを実現すること
ができなかつた。このため、貫通形コンデンサ内
蔵コネクタ等の小型化、ノイズ減衰特性の向上に
限界を生じていた。
そこで、本考案は、小型かつ薄型で取得容量が
従来の２倍以上と非常に大きく、貫通形コンデン
サ内蔵コネクタ等の小型化及びノイズ減衰特性の
向上を図るのに好適な電子部品を提供することを
目的とする。
従来の２倍以上と非常に大きく、貫通形コンデン
サ内蔵コネクタ等の小型化及びノイズ減衰特性の
向上を図るのに好適な電子部品を提供することを
目的とする。
上記目的を達成するため、本考案に係る電子部
品は、貫通孔を有して平板状に形成されかつ外周
面に還元層を露出させた還元再酸化形半導体磁器
を備え、該半導体磁器の少なくとも一面の再酸化
層と前記外周面の還元層の上にそれぞれ電極を設
けたことを特徴とする。
品は、貫通孔を有して平板状に形成されかつ外周
面に還元層を露出させた還元再酸化形半導体磁器
を備え、該半導体磁器の少なくとも一面の再酸化
層と前記外周面の還元層の上にそれぞれ電極を設
けたことを特徴とする。
還元再酸化形半導体磁器コンデンサは、通常の
誘電体磁器コンデンサよりも著しく大きな容量が
取得できる。従来、還元再酸化形半導体磁器コン
デンサは、例えば第１図に例示した通常の誘電体
磁器コンデンサと同様、平板状半導体磁器の厚み
方向の両面に電極を形成した構造となつている。
各電極の下には再酸化層があり、この再酸化層を
利用して容量を取得する。従つて、従来の還元再
酸化形半導体磁器コンデンサは、第６図に示すよ
うな等価回路として表現される。第６図におい
て、C1は上面側の再酸化層による容量、C2は下
面側の再酸化層による容量、D1及びD2は電極と
再酸化層との間の整流性接触によるダイオードを
示している。この等価回路図に示すように、従来
の還元再酸化形半導体磁器コンデンサの場合、電
極間で得られる容量C0は上下の再酸化層による
容量C1，C2の直列接続となるから、C1＝C2とす
ると、電極間容量C0は、 C0＝C1／２ となる。
誘電体磁器コンデンサよりも著しく大きな容量が
取得できる。従来、還元再酸化形半導体磁器コン
デンサは、例えば第１図に例示した通常の誘電体
磁器コンデンサと同様、平板状半導体磁器の厚み
方向の両面に電極を形成した構造となつている。
各電極の下には再酸化層があり、この再酸化層を
利用して容量を取得する。従つて、従来の還元再
酸化形半導体磁器コンデンサは、第６図に示すよ
うな等価回路として表現される。第６図におい
て、C1は上面側の再酸化層による容量、C2は下
面側の再酸化層による容量、D1及びD2は電極と
再酸化層との間の整流性接触によるダイオードを
示している。この等価回路図に示すように、従来
の還元再酸化形半導体磁器コンデンサの場合、電
極間で得られる容量C0は上下の再酸化層による
容量C1，C2の直列接続となるから、C1＝C2とす
ると、電極間容量C0は、 C0＝C1／２ となる。
これに対して、本考案では、半導体磁器の少な
くとも一面の再酸化層と、半導体磁器の外周面の
還元層の上にそれぞれ電極を形成してあるので、
電極間容量は、半導体磁器の一面にある再酸化層
の容量である。この容量をC1とすると、電極間
容量C0は、 C0＝C1 となる。従つて、同一の電極面積で、従来の２倍
以上の容量を取得できる。半導体磁器の他の他面
側の再酸化層にも電極を設け、両面側の電極を導
通させると、約４倍の容量を取得できる。本考案
においては、半導体磁器に貫通孔が設けられてい
るので、この貫通孔を通して両面側の電極を導通
させることは容易である。従つて、本考案によれ
ば、従来の４倍以上の容量を有する還元再酸化形
半導体磁器コンデンサを容易に実現できる。
くとも一面の再酸化層と、半導体磁器の外周面の
還元層の上にそれぞれ電極を形成してあるので、
電極間容量は、半導体磁器の一面にある再酸化層
の容量である。この容量をC1とすると、電極間
容量C0は、 C0＝C1 となる。従つて、同一の電極面積で、従来の２倍
以上の容量を取得できる。半導体磁器の他の他面
側の再酸化層にも電極を設け、両面側の電極を導
通させると、約４倍の容量を取得できる。本考案
においては、半導体磁器に貫通孔が設けられてい
るので、この貫通孔を通して両面側の電極を導通
させることは容易である。従つて、本考案によれ
ば、従来の４倍以上の容量を有する還元再酸化形
半導体磁器コンデンサを容易に実現できる。
更に、本考案では、半導体磁器に貫通孔が設け
られているので、この貫通孔を利用して貫通形コ
ンデンサを得ることができる。
られているので、この貫通孔を利用して貫通形コ
ンデンサを得ることができる。
以下実施例たる添付図面を参照し、本考案の内
容を具体的に説明する。第２図は本考案に係る電
子部品の平面図、第３図は同じくその正面断面図
である。図において、１２は還元再酸化形の半導
体磁器である。半導体磁器１２はこの実施例で
は、軸芯部に貫通孔１３を有する円板状に形成
し、その厚さ方向の両面及び前記貫通孔１３の内
面に電極１４を設けると共に、その外周面に前記
電極１４との間に環状のギヤツプＧ１を隔てて対
向する他の電極１５を設けた構造となつている。
前記電極１４のある半導体磁器１２の両面及び貫
通孔１３の内面は、薄い再酸化層１２ａとなつて
いるが、電極１５のある外周面は再酸化層１２ａ
を排除して還元された半導体磁器１２を面出し
し、この還元層１２ｂの表面に電極１５を設けた
構造となつている。
容を具体的に説明する。第２図は本考案に係る電
子部品の平面図、第３図は同じくその正面断面図
である。図において、１２は還元再酸化形の半導
体磁器である。半導体磁器１２はこの実施例で
は、軸芯部に貫通孔１３を有する円板状に形成
し、その厚さ方向の両面及び前記貫通孔１３の内
面に電極１４を設けると共に、その外周面に前記
電極１４との間に環状のギヤツプＧ１を隔てて対
向する他の電極１５を設けた構造となつている。
前記電極１４のある半導体磁器１２の両面及び貫
通孔１３の内面は、薄い再酸化層１２ａとなつて
いるが、電極１５のある外周面は再酸化層１２ａ
を排除して還元された半導体磁器１２を面出し
し、この還元層１２ｂの表面に電極１５を設けた
構造となつている。
前記電極１５は、オーム性電極であつても、非
オーム性電極であつてもよい。電極１５をオーム
性電極とした場合には、第４図Ａに示すように、
還元層１２ｂの抵抗Ｒ１に対して再酸化層１２ａ
による容量Ｃ１を直列に接続した等価回路とな
る。一方、非オーム性電極とした場合には、第４
図Ｂに示すように、電極１５と半導体磁器１２と
の間の整流性によるダイオードＤ１を前記抵抗Ｒ
１及び容量Ｃ１に対して直列に接続した等価回路
となり、方向性が生じる。
オーム性電極であつてもよい。電極１５をオーム
性電極とした場合には、第４図Ａに示すように、
還元層１２ｂの抵抗Ｒ１に対して再酸化層１２ａ
による容量Ｃ１を直列に接続した等価回路とな
る。一方、非オーム性電極とした場合には、第４
図Ｂに示すように、電極１５と半導体磁器１２と
の間の整流性によるダイオードＤ１を前記抵抗Ｒ
１及び容量Ｃ１に対して直列に接続した等価回路
となり、方向性が生じる。
また、再酸化層１２ａを薄くして行くと、第４
図Ｃに示すように、電極１４と半導体磁器１２と
の間の整流性接触によるダイオードＤ２を、容量
Ｃ１に並列に接続した回路構成となる。
図Ｃに示すように、電極１４と半導体磁器１２と
の間の整流性接触によるダイオードＤ２を、容量
Ｃ１に並列に接続した回路構成となる。
上述のような構造であると、電極の対向重なり
面積で容量を取出す従来のものと異なつて、電極
１３を設けた再酸化層１２ａの延面積が容量取得
に寄与することとなるので、非常に大きな容量を
取出すことができる。特に実施例に示すように、
半導体磁器１２の外周面を除く全面に再酸化層１
２ａを設け、この再酸化層１２ａ上に電極１４を
設けた構造の場合には、半導体磁器１２の全表面
積の90％以上を容量取得に寄与させることができ
る。しかも、貫通孔１３を有するので、この貫通
孔１３に貫通導体を貫通させて貫通形のコンデン
サとして使用することができる。このため、小型
でありながら取得容量が従来の４倍以上もあり、
貫通形コンデンサ内蔵多極ピンコネクタ等の小型
化、ノイズ減衰特性の向上等を図るのに好適な電
子部品が得られる。
面積で容量を取出す従来のものと異なつて、電極
１３を設けた再酸化層１２ａの延面積が容量取得
に寄与することとなるので、非常に大きな容量を
取出すことができる。特に実施例に示すように、
半導体磁器１２の外周面を除く全面に再酸化層１
２ａを設け、この再酸化層１２ａ上に電極１４を
設けた構造の場合には、半導体磁器１２の全表面
積の90％以上を容量取得に寄与させることができ
る。しかも、貫通孔１３を有するので、この貫通
孔１３に貫通導体を貫通させて貫通形のコンデン
サとして使用することができる。このため、小型
でありながら取得容量が従来の４倍以上もあり、
貫通形コンデンサ内蔵多極ピンコネクタ等の小型
化、ノイズ減衰特性の向上等を図るのに好適な電
子部品が得られる。
第５図は貫通形コンデンサとした本考案に係る
電子部品の具体的な実施例を示している。この実
施例では、半導体磁器１２の貫通孔１３内に貫通
導体１６を貫通させ、この貫通導体１６を前記電
極１４に半田付け等の手段で接続固定すると共
に、これを半導体磁器１２の外形形状に合せて内
径を円形にした金属ケース１７内に収納し、電極
１５を金属ケース１７の内面に半田付け等の手段
で固着した構造となつている。金属ケース１７の
底部と電極１４との間には両者を電気的に絶縁す
る絶縁シート１８を介在させてある。この絶縁シ
ート１８は耐熱性のある絶縁材料、例えばテフロ
ン等によつて構成する。この実施例に示す貫通形
コンデンサは、半導体磁器１２を金属ケース１７
の内部に内蔵させてあるので、第４図Ｂ，Ｃに示
すような方向性のある半導体磁器１２を使用した
場合でも、金属ケース１７がシヤーシとなるの
で、実用上、方向性の不具合を生じない。
電子部品の具体的な実施例を示している。この実
施例では、半導体磁器１２の貫通孔１３内に貫通
導体１６を貫通させ、この貫通導体１６を前記電
極１４に半田付け等の手段で接続固定すると共
に、これを半導体磁器１２の外形形状に合せて内
径を円形にした金属ケース１７内に収納し、電極
１５を金属ケース１７の内面に半田付け等の手段
で固着した構造となつている。金属ケース１７の
底部と電極１４との間には両者を電気的に絶縁す
る絶縁シート１８を介在させてある。この絶縁シ
ート１８は耐熱性のある絶縁材料、例えばテフロ
ン等によつて構成する。この実施例に示す貫通形
コンデンサは、半導体磁器１２を金属ケース１７
の内部に内蔵させてあるので、第４図Ｂ，Ｃに示
すような方向性のある半導体磁器１２を使用した
場合でも、金属ケース１７がシヤーシとなるの
で、実用上、方向性の不具合を生じない。
以上述べたように、本考案に係る電子部品は、
貫通孔を有して平板状に形成されかつ外周面に還
元層を露出させた還元再酸化形半導体磁器を備
え、該半導体磁器の少なくとも一面の再酸化層と
前記外周面の還元層の上にそれぞれ電極を設けた
ことを特徴とするから、小型かつ薄型で取得容量
が従来の２倍以上と非常に大きく、貫通形コンデ
ンサ内蔵コネクタ等の小型化及びノイズ減衰特性
の向上を図るのに好適な電子部品を提供すること
ができる。
貫通孔を有して平板状に形成されかつ外周面に還
元層を露出させた還元再酸化形半導体磁器を備
え、該半導体磁器の少なくとも一面の再酸化層と
前記外周面の還元層の上にそれぞれ電極を設けた
ことを特徴とするから、小型かつ薄型で取得容量
が従来の２倍以上と非常に大きく、貫通形コンデ
ンサ内蔵コネクタ等の小型化及びノイズ減衰特性
の向上を図るのに好適な電子部品を提供すること
ができる。
第１図は従来の貫通形コンデンサの正面断面
図、第２図は本考案に係る電子部品の平面図、第
３図は同じくその正面断面図、第４図Ａ，Ｂ，Ｃ
は別々の実施例における各等価回路図、第５図は
本考案に係る電子部品の更に別の実施例における
正面断面図、第６図は従来の還元再酸化形半導体
磁器コンデンサの等価回路図である。 １２……半導体磁器、１３……貫通孔、１４，
１５……電極。
図、第２図は本考案に係る電子部品の平面図、第
３図は同じくその正面断面図、第４図Ａ，Ｂ，Ｃ
は別々の実施例における各等価回路図、第５図は
本考案に係る電子部品の更に別の実施例における
正面断面図、第６図は従来の還元再酸化形半導体
磁器コンデンサの等価回路図である。 １２……半導体磁器、１３……貫通孔、１４，
１５……電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 貫通孔を有して平板状に形成されかつ外周面
に還元層を露出させた還元再酸化形半導体磁器
を備え、該半導体磁器の少なくとも一面の再酸
化層と前記外周面の還元層の上にそれぞれ電極
を設けたことを特徴とする電子部品。 (2) 前記再酸化層上に設けた電極は、整流性電極
であることを特徴とする実用新案登録請求の範
囲第１項に記載の電子部品。 (3) 前記還元層上に設けた前記電極は、オーム性
電極であることを特徴とする実用新案登録請求
の範囲第１項または第２項に記載の電子部品。 (4) 前記貫通孔は、前記再酸化層上に設けた前記
電極に導通接続される貫通導体を貫通させたこ
とを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１
項、第２項または第３項に記載の電子部品。 (5) 前記還元層上に設けた前記電極は、前記半導
体磁器を収納する金属ケースに導通接続させた
ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１
項、第２項、第３項または第４項に記載の電子
部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18539081U JPS5889927U (ja) | 1981-12-12 | 1981-12-12 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18539081U JPS5889927U (ja) | 1981-12-12 | 1981-12-12 | 電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889927U JPS5889927U (ja) | 1983-06-17 |
| JPH0115163Y2 true JPH0115163Y2 (ja) | 1989-05-08 |
Family
ID=29986394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18539081U Granted JPS5889927U (ja) | 1981-12-12 | 1981-12-12 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5889927U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6240423Y2 (ja) * | 1981-03-31 | 1987-10-16 |
-
1981
- 1981-12-12 JP JP18539081U patent/JPS5889927U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5889927U (ja) | 1983-06-17 |
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