JPS603111A - 円柱形コンデンサの製造方法 - Google Patents
円柱形コンデンサの製造方法Info
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- JPS603111A JPS603111A JP11160083A JP11160083A JPS603111A JP S603111 A JPS603111 A JP S603111A JP 11160083 A JP11160083 A JP 11160083A JP 11160083 A JP11160083 A JP 11160083A JP S603111 A JPS603111 A JP S603111A
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- Japan
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- cylindrical
- capacitor
- electrode
- semiconductor
- porcelain
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- Pending
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子機器の主要構成部品の一つであるコンデ
ンサに関するものである。
ンサに関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来のセラミックコンデンサは、コンテ′ンッ゛材料を
予め円板のチップ、あるいは円筒形等に成形して、セラ
ミック表面に電極を付与することによシコンデンサとし
ている。電子機器の小形化、高性能化の指向の中で、回
路の主要構成部品の一つであるコンデンサもこうした指
向に対応して、小形化、集積化、自動組立による量産性
の向上を強く指向しており、既にこうした指向に対応す
るものとして、円筒形およびチップコンデンサ等が市場
に出ておシ、その特徴として同一形状で各種静電容量が
得ら九ること、あるいは自動挿入可能であることが挙け
られる。しかし−万、円筒形コンデンサでは、静電容量
は敵方ＰＦが最大であって、円板形コンデンサでのそれ
の数十万ＰＦに遠く及ばないため、数十万ＰＦ〜数ＰＦ
までの広い容量範囲のシリーズ化はなされておらす、円
筒形コンデンサの上記の特徴にもかかわらず、円板形コ
ンデンサ ゛との広範な代替を困難なものとしている。
予め円板のチップ、あるいは円筒形等に成形して、セラ
ミック表面に電極を付与することによシコンデンサとし
ている。電子機器の小形化、高性能化の指向の中で、回
路の主要構成部品の一つであるコンデンサもこうした指
向に対応して、小形化、集積化、自動組立による量産性
の向上を強く指向しており、既にこうした指向に対応す
るものとして、円筒形およびチップコンデンサ等が市場
に出ておシ、その特徴として同一形状で各種静電容量が
得ら九ること、あるいは自動挿入可能であることが挙け
られる。しかし−万、円筒形コンデンサでは、静電容量
は敵方ＰＦが最大であって、円板形コンデンサでのそれ
の数十万ＰＦに遠く及ばないため、数十万ＰＦ〜数ＰＦ
までの広い容量範囲のシリーズ化はなされておらす、円
筒形コンデンサの上記の特徴にもかかわらず、円板形コ
ンデンサ ゛との広範な代替を困難なものとしている。
また円筒形磁器の両端に電極キャップを挿入する時に、
円筒形磁器素子は機械的強度が弱いため、円筒形磁器素
子と電極キャップとの両者の間に精密な寸法ｙ＊度を要
求され、更に電極を形成する際に円筒形磁器素子の内壁
に電極を付与するときに電極の塗シムラが発生し易く、
これらの原因によって量産性、特性にも問題があった。
円筒形磁器素子は機械的強度が弱いため、円筒形磁器素
子と電極キャップとの両者の間に精密な寸法ｙ＊度を要
求され、更に電極を形成する際に円筒形磁器素子の内壁
に電極を付与するときに電極の塗シムラが発生し易く、
これらの原因によって量産性、特性にも問題があった。
まだ単一のコンデンサで高容量を得ることの出来る積層
チップコンデンサは、〃みヲ３０μ７ｎ〜６０μηＺの
シートにし、しかも焼成前に電極を付与する必要がある
ため、Ａｇに比べ比較的融点の高いＰｔ、Ｐｄ等の高価
な金属を電極材料に用いて、誘電体シートと交互に積み
重ねて、約１３００’Ｃ前後の温度で焼成しておシ、ま
だ薄い誘電体層にして、しかも積層回数を多くしないと
高い静電容量を得ることが出来ず、従って高価になるこ
とは不可避であった。
チップコンデンサは、〃みヲ３０μ７ｎ〜６０μηＺの
シートにし、しかも焼成前に電極を付与する必要がある
ため、Ａｇに比べ比較的融点の高いＰｔ、Ｐｄ等の高価
な金属を電極材料に用いて、誘電体シートと交互に積み
重ねて、約１３００’Ｃ前後の温度で焼成しておシ、ま
だ薄い誘電体層にして、しかも積層回数を多くしないと
高い静電容量を得ることが出来ず、従って高価になるこ
とは不可避であった。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、小形で高容
量から低容量までの広い容量域をカバーすることができ
、さらには従来の円筒形および積層チップコンデンサに
比べはるかに量産も容易で、かつＰｔ、Ｐｄ等に比べ安
価な金属を電極材料に用いることができることから安価
にコンデンサを製造できる円柱形コンデンサの製造方法
を提供することを目的とする。
量から低容量までの広い容量域をカバーすることができ
、さらには従来の円筒形および積層チップコンデンサに
比べはるかに量産も容易で、かつＰｔ、Ｐｄ等に比べ安
価な金属を電極材料に用いることができることから安価
にコンデンサを製造できる円柱形コンデンサの製造方法
を提供することを目的とする。
発明の構成
上記目的を達成するため、本発明の円柱形コンデンサの
製造方法は、表面再酸化形半導体コンデンサ材料を円柱
形に成形し、空気中で１次焼成し、還元雰囲気中で２次
焼成した後、空気中で３次焼成を施す一連の処理を行っ
て表面再酸化形半導体磁器を得、この表面再酸化形半導
体磁器表面の所定箇所に一対の電極を形成し、電極焼料
を施す構成である。
製造方法は、表面再酸化形半導体コンデンサ材料を円柱
形に成形し、空気中で１次焼成し、還元雰囲気中で２次
焼成した後、空気中で３次焼成を施す一連の処理を行っ
て表面再酸化形半導体磁器を得、この表面再酸化形半導
体磁器表面の所定箇所に一対の電極を形成し、電極焼料
を施す構成である。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について、図面に基づいて説明す
る。本発明の一実施例として、電極材料にＡｇを用いた
場合を第１図に示す。第１図にしいて、（１）は半導体
、（２）は半導体（１）の表向を覆う誘電体層、（３）
は誘電体層（２）の表面に形成された電極である。試料
の調製工程としては、工業用原料のＢａＣＯ３，ＴｉＯ
２、ＭｎＯ２およびＮｄ２Ｏ３粉末を用い、０．９１Ｂ
ａＴｉＯａ ＋〇、０９Ｎｄ２／３ＴｉＯａ ＋０．０
０３ Ｍｎ０２（ｍｏｆ％〕の組成になる様に配合し、
この粉末を湿式混合、乾燥、１１５０°Ｃの温度で仮焼
踵ＢａＴｉ０ａ −Ｎｄ２／３ＴｉＯａ −Ｍ１１０２
系仮焼粉末を得た。次いでこの仮焼原料粉末を粉砕した
後、ＰＶＡ （ポリビニルアルコール）水密液をバイン
ダーとして添加、混合し、３２メツシユパスに整粒し、
この整粒粉末を１ ｔｏｎ／ｃｎ！の圧力で円柱形に成
形（ｉｊ！径２．４鰭、長さ７，４ｖｒｍ ） Ｌ、こ
れらの成形体を空気中にて１３００’Ｃの温度で２時間
１次焼成した後に、９０％Ｎ２−１０％Ｈ２の還元雰囲
気中で１１００°Ｃの温度で２時間２次焼成を行って、
直径１８１７Ｌ１１、長さ５．５間の円柱形半導体磁器
を得た。そしてこれらの試料を、下記第１表に示す再酸
化温度及び保持時間で酸化した。
る。本発明の一実施例として、電極材料にＡｇを用いた
場合を第１図に示す。第１図にしいて、（１）は半導体
、（２）は半導体（１）の表向を覆う誘電体層、（３）
は誘電体層（２）の表面に形成された電極である。試料
の調製工程としては、工業用原料のＢａＣＯ３，ＴｉＯ
２、ＭｎＯ２およびＮｄ２Ｏ３粉末を用い、０．９１Ｂ
ａＴｉＯａ ＋〇、０９Ｎｄ２／３ＴｉＯａ ＋０．０
０３ Ｍｎ０２（ｍｏｆ％〕の組成になる様に配合し、
この粉末を湿式混合、乾燥、１１５０°Ｃの温度で仮焼
踵ＢａＴｉ０ａ −Ｎｄ２／３ＴｉＯａ −Ｍ１１０２
系仮焼粉末を得た。次いでこの仮焼原料粉末を粉砕した
後、ＰＶＡ （ポリビニルアルコール）水密液をバイン
ダーとして添加、混合し、３２メツシユパスに整粒し、
この整粒粉末を１ ｔｏｎ／ｃｎ！の圧力で円柱形に成
形（ｉｊ！径２．４鰭、長さ７，４ｖｒｍ ） Ｌ、こ
れらの成形体を空気中にて１３００’Ｃの温度で２時間
１次焼成した後に、９０％Ｎ２−１０％Ｈ２の還元雰囲
気中で１１００°Ｃの温度で２時間２次焼成を行って、
直径１８１７Ｌ１１、長さ５．５間の円柱形半導体磁器
を得た。そしてこれらの試料を、下記第１表に示す再酸
化温度及び保持時間で酸化した。
第 １ 表
上記第１表に示す柚々の条件で空気中で３次焼成を行い
、表面再酸化処理を施して、磁器表面に誘電体層（２）
を設けた円柱形表面再酸化形半導体磁器を得た。この磁
器に、第１図に示す様に、互いにＱ８Ｎｉｎの間隔を設
けて、それぞれの而「ｔが約０．１５ｃｕｔである一対
のＡｇ電極を付与し、これを８００℃の温度で電極焼付
を行ってコンデンサ素子を作製した。
、表面再酸化処理を施して、磁器表面に誘電体層（２）
を設けた円柱形表面再酸化形半導体磁器を得た。この磁
器に、第１図に示す様に、互いにＱ８Ｎｉｎの間隔を設
けて、それぞれの而「ｔが約０．１５ｃｕｔである一対
のＡｇ電極を付与し、これを８００℃の温度で電極焼付
を行ってコンデンサ素子を作製した。
なお、従来例として、第２図に示す構造の本実施例で用
いた円柱形素子と同一・形状を有する粒界絶縁形半導体
円筒形磁器素子を用いた。この場合、外径１．８朋、内
径１２鼎、長さ５，５嬬で、容量を算出するに有効な電
極長さ１０は３．Ｏｍｍであった。第２図において、（
５）は半導体セラミックスである。
いた円柱形素子と同一・形状を有する粒界絶縁形半導体
円筒形磁器素子を用いた。この場合、外径１．８朋、内
径１２鼎、長さ５，５嬬で、容量を算出するに有効な電
極長さ１０は３．Ｏｍｍであった。第２図において、（
５）は半導体セラミックスである。
下記第２表に上記第１表に示す種々の再酸化条件で３次
焼成した円柱形コンデンサの諸特性値を示す。この諸特
性値において、容量及びｔａｎδ（誘電損失）は、周波
数ＩＫＨｚ、室温２０°Ｃ，昇岸破壊電圧は直流を印加
した時５ｍＡのリーク電流が流れた電位での値である。
焼成した円柱形コンデンサの諸特性値を示す。この諸特
性値において、容量及びｔａｎδ（誘電損失）は、周波
数ＩＫＨｚ、室温２０°Ｃ，昇岸破壊電圧は直流を印加
した時５ｍＡのリーク電流が流れた電位での値である。
下記第３表は上記従来例の円筒形磁気素子と本実施例の
円柱形コンデンサとの容量を比較したもので、試料Ｎｏ
、 ８及び賜、９が従来例である。
円柱形コンデンサとの容量を比較したもので、試料Ｎｏ
、 ８及び賜、９が従来例である。
第２表
第 ３ 表
第３図〜第５図は電極（３）の形状の変形例を示してお
シ、このように、電極（３）は任意の形状を採用できる
。
シ、このように、電極（３）は任意の形状を採用できる
。
このように、従来の円筒形コンデンサに比べ、高容量の
コンテ゛ンサを得ることが出来、更に３次焼成（再酸化
）条件、拐料の誘電率および電極面積を調節することに
よシ、従来の円筒形コンデンサに比べよシ高い容量から
低い容量までの広い容量域のコンデンサを得ることがで
きる。また円柱形構造をとることによシ構造が非常に簡
単に々るため、電極付与が容易であシ、かつ機械的強度
も従来の円筒形に比べ優れておシ、従って量産性、緒特
性が向上する。また積層ヂップコンデンツ°に対比する
と、焼成前に電極を付与する必要がないため、Ｐｔ、Ｐ
ｄ等に比べ融点の低いＡｇ等の安価な金属を電極材料と
して用いることができ、コスト対応力に優れている。こ
れらのことから、従来例に比べ容量域が広く、時代の指
向に充分対応できるコンデンサを安価に提供できる。
コンテ゛ンサを得ることが出来、更に３次焼成（再酸化
）条件、拐料の誘電率および電極面積を調節することに
よシ、従来の円筒形コンデンサに比べよシ高い容量から
低い容量までの広い容量域のコンデンサを得ることがで
きる。また円柱形構造をとることによシ構造が非常に簡
単に々るため、電極付与が容易であシ、かつ機械的強度
も従来の円筒形に比べ優れておシ、従って量産性、緒特
性が向上する。また積層ヂップコンデンツ°に対比する
と、焼成前に電極を付与する必要がないため、Ｐｔ、Ｐ
ｄ等に比べ融点の低いＡｇ等の安価な金属を電極材料と
して用いることができ、コスト対応力に優れている。こ
れらのことから、従来例に比べ容量域が広く、時代の指
向に充分対応できるコンデンサを安価に提供できる。
なお上記実施例においては、電極材料としてＡｇを用い
たが、Ｎｉ等の他の金属を電極材料に用いても良く、ま
たＴＥ極影形成方法しては、例えば、Ｎｉペースト等の
塗布、スパッタリング、蒸着等の神々方法を採用するこ
とができる。丑だ表面再酸化半専体材料として、上記実
施例ではＢａ１’ １０３−Ｎｄｚ。
たが、Ｎｉ等の他の金属を電極材料に用いても良く、ま
たＴＥ極影形成方法しては、例えば、Ｎｉペースト等の
塗布、スパッタリング、蒸着等の神々方法を採用するこ
とができる。丑だ表面再酸化半専体材料として、上記実
施例ではＢａ１’ １０３−Ｎｄｚ。
Ｔｉ０３−ＭｎＯ２系材料を用いたが、コンデンサの用
途に応じて他の組成の材料を適宜選択して使用すがら低
い容量１で確保できるコンデンサを安価に製造でき、ま
たエコ゛（内置産性にも優れ、その工業的利用価イ］１
１は極めて大である。
途に応じて他の組成の材料を適宜選択して使用すがら低
い容量１で確保できるコンデンサを安価に製造でき、ま
たエコ゛（内置産性にも優れ、その工業的利用価イ］１
１は極めて大である。
第１図は本発明の一実施例における表面可酸化形半導体
円柱コンデンサの１）Ｉｒ面図、第２図は従来例として
の粒界絶縁形半専体円筒形コンデンサの断面図、第３図
〜第５図はそれぞれ電極の変形例を示し、仏）は正面図
、（Ｂ）は側面図である。 （１）・・・半導体、（２）・・・誘電体層、（３）・
・・電極代理人 森 本 髭 弘 第１図 第３１ 第４ 第５ （Ａ） 第２図 ９ 閾 ＣＢ） 図 ＣＢ） 図 ＣＢ） 第１頁の続き ０発 明 者 佐藤紀哉 門真市大字門真１００６番地松下電 器産業株式会社内 ０発 明 者 松尾嘉浩 門真市大字門真１００６番地松下電 器産業株式会社内 −招一
円柱コンデンサの１）Ｉｒ面図、第２図は従来例として
の粒界絶縁形半専体円筒形コンデンサの断面図、第３図
〜第５図はそれぞれ電極の変形例を示し、仏）は正面図
、（Ｂ）は側面図である。 （１）・・・半導体、（２）・・・誘電体層、（３）・
・・電極代理人 森 本 髭 弘 第１図 第３１ 第４ 第５ （Ａ） 第２図 ９ 閾 ＣＢ） 図 ＣＢ） 図 ＣＢ） 第１頁の続き ０発 明 者 佐藤紀哉 門真市大字門真１００６番地松下電 器産業株式会社内 ０発 明 者 松尾嘉浩 門真市大字門真１００６番地松下電 器産業株式会社内 −招一
Claims (1)
- １、 表面再酸化形半導体コンデンザ拐料を円柱形に成
形し、空気中で１次焼成し、還元雰囲気中で２次焼成し
た後、空気中で３次焼成を施す一連の処理を行って表面
再酸化形半導体磁器を得、この表面可酸化形半導体磁器
表面の所定箇所に一列の電極を形成し、電極焼付を施す
円柱形コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11160083A JPS603111A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 円柱形コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11160083A JPS603111A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 円柱形コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603111A true JPS603111A (ja) | 1985-01-09 |
Family
ID=14565461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11160083A Pending JPS603111A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 円柱形コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603111A (ja) |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP11160083A patent/JPS603111A/ja active Pending
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