JP2853088B2 - 複合容量を有するセラミックブロック - Google Patents

複合容量を有するセラミックブロック

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JP2853088B2
JP2853088B2 JP63086063A JP8606388A JP2853088B2 JP 2853088 B2 JP2853088 B2 JP 2853088B2 JP 63086063 A JP63086063 A JP 63086063A JP 8606388 A JP8606388 A JP 8606388A JP 2853088 B2 JP2853088 B2 JP 2853088B2
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Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> この発明は多層セラミック絶縁体基板に積層コンデン
サ電子部品を内蔵した複合容量を有するセラミックブロ
ックに関するものである。
<従来の技術とその課題> 従来、複合容量を有する積層コンデンサ11は第4図に
示すように、相対向端面に内部電極12a、12bを交互に導
出させた積層容量を複数個並設させて一体に構成された
ものが知られている。
同図において、13a、13bは前記内部電極12a、12bとそ
の導出端面で導電接続されるように設けられた外部電極
である。
しかしながら、このような従来のものは積層コンデン
サと積層コンデンサが形成されている間が同材料の誘電
体で形成されているため、浮遊電流が流れ、一定の電気
特性が得られないという欠点もあった。
<課題を解決するための手段> この発明は、上記した従来の種々の欠点に鑑みてなさ
れたものであって、貫通孔または凹部を有する低温焼結
セラミック基板と、貫通孔または凹部を有しない低温焼
結セラミック基板とが積層されて多層低温焼結セラミッ
ク基板が形成され、該多層低温焼結セラミック基板内で
あって前記貫通孔または凹部で形成され外部から遮蔽さ
れた空間内に該多層低温焼結セラミック基板よりも誘電
率の高い材料を誘電体としたチップ型の積層コンデンサ
が収納されており、該積層コンデンサは多層低温焼結セ
ラミック基板の層間に設けられた導体で適宜配線されて
いることを特徴とする複合容量を有するセラミックブロ
ックを提供するものである。
<作用> この発明のセラミックブロックは積層コンデンサと多
層低温焼結材料からなるセラミック絶縁体物をco−fire
することでできる複合容量を有する多層セラミックブロ
ックであるから、積層コンデンサと積層コンデンサの間
にこれら積層コンデンサの誘電体よりも誘電率の低い絶
縁体があるため、浮遊電流が流れることがなく、一定の
電気特性を得ることができるのである。
<実施例> 以下、この発明の一実施例を示す図面に基づいて説明
する。
第1図はこの発明の一実施例に係る複合容量を有する
セラミックブロックの等価回路図であり、第2図はその
概略断面図である。
第2図から明らかなように貫通孔1を有する低温焼結
セラミック基板2と貫通孔を有しない低温焼結セラミッ
ク基板3とが積層されて多層低温焼結セラミック基板6
が形成されており、該多層低温焼結セラミック基板内で
あって各低温焼結セラミック基板の貫通孔の組合せで形
成される空間内にチップ形の積層コンデンサ4が収納さ
れている。そして該積層コンデンサ4は多層低温焼結セ
ラミック基板6の層間に設けられた導体5で適宜配線さ
れて第1図に示すような回路を構成している。この場
合、積層コンデンサを収納する空間を貫通孔の代りに各
低温焼結セラミック基板に適宜設けた凹部で形成するよ
うにしてもよい。
上述のような複合容量を有するセラミックブロックの
構成の一例を第3図を参照して説明する。
非酸化性雰囲気中で低温焼結可能なセラミックのグリ
ーンシートA、B、CのうちのグリーンシートBに図示
のように収納する積層コンデンサの形状、寸法に適合し
た貫通孔1を予め幾つかあけておき、そして非還元性の
積層コンデンサ4を予めチップ部品として完成させてお
いたものを前記貫通孔1によって形成される空間内に挿
入し、また銅からなる導電ペーストをグリーンシートC
の層間の所定の個所に導体5として付与したのち、各グ
リーンシートA、B、Cを圧着し、非酸化性雰囲気中で
低温焼成すると、第2図に示した電子部品内蔵多層低温
焼結セラミック基板が得られるのである。また積層コン
デンサの内部電極としてはパラジウム電極あるいは銅電
極を用いている。
なお、グリーンシートA、Bは第2図の低温焼結セラ
ミック基板2に相当し、グリーンシートCは低温焼結セ
ラミック基板3に相当する。
この発明において上記グリーンシートA〜Cとして
は、例えば「エレクトロニク・セラミクス」'85、3月
号、18〜19頁に開示されているようなAl2O3、CaO、Si
O2、MgO、B2O3と微量添加物からなるセラミック粉末と
バインダーとを混合してドクターブレード法によってシ
ート上にされたようなものが利用できる。そのようなグ
リーンシートは、例えば窒素等の非酸化性雰囲気中で焼
成しても特性劣化がなく、しかも例えば900〜1000℃程
度の比較的低温で焼成することができる。
また、上記した積層コンデンサ4としては、例えば、 特公昭56−46641号公報、特公昭57−42588号公報、
特公昭57−49515号公報等に開示されているようなチ
タン酸バリウム系の非還元性誘電体セラミック組成物、
あるいは特公昭57−37081号公報、特公昭57−39001
号公報等に開示されされているようなジルコン酸カルシ
ウムを主体とする非還元性誘電体セラミック組成物を用
いた、例えば積層タイプのセラミックコンデンサが利用
できる。なお、積層コンデンサに用いられる上記例示し
た誘電体セラミックの誘電率は、上記例示した低温焼結
セラミック基板の誘電率よりも高いものである。
そのようなセラミック積層コンデンサの製法の一例が
上記〜の公報中に開示されている。このようなコン
デンサを用いれば、グリーンシート中に収納して非酸化
性雰囲気中で焼成しても特性劣化を生じることがない。
<発明の効果> 以上述べたように、この発明の積層コンデンサを多層
低温焼結セラミック基板内の空間に収納した構造の複合
容量を有するセラミックブロックであるため、積層コン
デンサと積層コンデンサが形成されている間にこれら積
層コンデンサの誘電体よりも誘電率の低い絶縁体がある
ため、浮遊電流が流れることがなく、一定の電気特性を
得ることができるという利点を有するのである。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の複合容量を有するセラミックブロッ
クの等価回路図、第2図は同じく概略斜視図、第3図は
この発明のセラミックブロックの構成を示す説明図、第
4図は従来の複合容量を有する積層コンデンサの斜視図
である。 1……貫通孔 2……貫通孔を有する低温焼結セラミック基板 3……貫通孔を有しない低温焼結セラミック基板 4……積層コンデンサ 5……導体 6……多層低温焼結セラミック基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−164517(JP,A) 実開 昭57−14429(JP,U)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】貫通孔または凹部を有する低温焼結セラミ
    ック基板と、貫通孔または凹部を有しない低温焼結セラ
    ミック基板とが積層されて多層低温焼結セラミック基板
    が形成され、該多層低温焼結セラミック基板内であって
    前記貫通孔または凹部で形成され外部から遮蔽された空
    間内に該多層低温焼結セラミック基板よりも誘電率の高
    い材料を誘電体としたチップ型の積層コンデンサが収納
    されており、該積層コンデンサは多層低温焼結セラミッ
    ク基板の層間に設けられた導体で適宜配線されているこ
    とを特徴とする複合容量を有するセラミックブロック。
  2. 【請求項2】積層コンデンサの外部電極として、多層低
    温焼結セラミック基板の電極材料またはその合金と同じ
    ものを用いる請求項(1)記載の複合容量を有するセラ
    ミックブロック。
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