JPS61235725A - 流量センサ - Google Patents

流量センサ

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Publication number
JPS61235725A
JPS61235725A JP60076928A JP7692885A JPS61235725A JP S61235725 A JPS61235725 A JP S61235725A JP 60076928 A JP60076928 A JP 60076928A JP 7692885 A JP7692885 A JP 7692885A JP S61235725 A JPS61235725 A JP S61235725A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
film
sensitive resistor
temperature sensing
thermistor element
Prior art date
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Pending
Application number
JP60076928A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Nagai
彪 長井
Yutaka Fukuda
福田 裕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60076928A priority Critical patent/JPS61235725A/ja
Publication of JPS61235725A publication Critical patent/JPS61235725A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は熱式気体流量センサに関するものである。この
種流量センサは燃焼器などで用いられる。
従来の技術 熱式流量センサとして感温抵抗体が多く用いられている
。感温抵抗体に電流を流し、感温抵抗体の温度を上昇さ
せておく。感温抵抗体の周囲の媒体、例えば空気の流速
が変化すると、感温抵抗体からの放熱量も変化するので
、流速に対応して感湿抵抗体の温度が変化する。従って
、感温抵抗体の温度を検出することにより流速が求めら
れる。
感温抵抗体としてpt薄膜、複合金属酸化物などが用い
られている。
発明が解決しようとする問題点 pt薄膜感温抵抗体は、通常、アルミナなどの基板上に
Pt薄膜を形成して構成されるので、熱容量が太きす。
このため熱応答性が遅りという問題があった。
また、空気などの媒体の温度変化を補償するために、温
度補償用感温抵抗体が用いられる。温度補償用感温抵抗
体と流速検出用感温抵抗体の抵抗温度特性は、同一であ
ると、!:か望ましい。すなわち、抵抗温度特性が極め
て類似した感温抵抗体が2個必要とされる。しかし、p
t薄膜感温抵抗体の抵抗温度特性、特に抵抗温度係数の
ばらつきは、大きい(±(2〜5)%程度)ので、抵抗
温度特性の極めて類似したものを2個準備することが困
難であった。
なお、複合金属酸化物感温抵抗体でもpt薄膜感混抵抗
体と同様のことが言える。
本発明の熱式流量センサば、これら問題点を解決するも
のである。
問題点を解決するための手段 本発明の流量センサは、平板状絶縁性基板の一方の表面
に、電極膜と感温抵抗体膜とから成るサーミスタ素子を
2個並列に相互に接近して形成し、前記2個のサーミス
タ素子のうちの1個のサーミスタ素子の感温抵抗体膜の
形成された部分の前記基板が除去されたサーミスタ素子
(サーミスタ素子A)は流速検出用として作用する。サ
ーミスタ素子Aの感温抵抗体の形成された部分の平板状
絶縁性基板は除去されているので、発熱部の熱容量は極
めて小さい。従って、熱応答は速くなる。
他の丈−ミスタ素子(サーミスタ素子B)は平板状絶縁
性基板の上に形成される。サーミスタ素子Bけ温度補償
用として作用する。サーミスタ素子Bは平板状絶縁性基
板上に形成おれているので、発熱部の熱容量は大きい。
従って熱応答性は遅いが、空気などの媒体の湯切変動は
ゆっくりしているので、サーミスタ素子Bの熱応答性は
遅くてもよい。サーミスタ素子Aとサーミスタ素子Bの
それぞれの感温抵抗体膜はスパッタリング、真空蒸着法
などにより形成される。この種形成法によるとサーミス
タ素子Aとサーミスタ素子Bを相互に接近して形成する
ことは容易であり、また両者の抵抗温度特性は極めて類
似している。従って、抵抗温度特性の極めて類似したも
のを容易に、2個準備できる。
実施例 平板状絶縁性基板として石英基板1を用い、この石英基
板1の一方の表面に電極膜21.22.2aを形成し、
さらに感温抵抗体膜31.32を形成した。電極膜21
.22.23として薄膜電極膜、例えばCr、Ni−C
rをアンダコートしたAu。
Ag、 Cu薄膜あるいは厚膜電極膜、例えばAg。
Ag−Pd、 Au、 Au−Pt%Pt厚膜などが用
いられる。感温抵抗体膜31.32としてPt、 Si
C。
Fθ・N1・Coなどの複合金属酸化物などのス、<ツ
タ膜、真空蒸着膜などが用いられる。電極膜21.22
と感温抵抗体膜31によりサーミスタ素子Aが構成され
る。電極膜22.23と感温抵抗体膜32によりサーミ
スタ素子Bが構成される。石英基板1は一辺の長さが数
1以下の矩形状のものを用いた。サーミスタ素子Aとサ
ーミスタ素子Bどは、数mm以内で相互に接近して形成
された。
石英基板1上にサーミスタ素子A、Bを形成したのち、
サーミスタ素子Aの感温抵抗体膜31の形成された部分
の石英基板10を化学的に腐食して除去した。サーミス
タ素子Aの感温抵抗体膜31(発熱部)の熱容量は、小
さいので、熱応答は速い。静止空気中でSiC膜感温抵
抗体31に、一定電力を印加したときのSiC膜感温抵
抗体31の温度変化の経過時間依存性を、従来の白金感
温抵抗体のそれと比較して第2図に示す。従来の白金感
温抵抗体の90チ熱応答時間は、約11秒であるが、本
発明のサーミスタ素子Aの90cf、熱応答時間は約4
秒であった。
また、感温抵抗体31.32をSiC膜で構成したとき
、サーミスタ素子A、Bの両者の抵抗温度特性、特に抵
抗温度係数は±1悌以内で一致していた。従って、サー
ミスタ素子Bは温度補償用としても有用であった。
平板状絶縁性基板1は石英またはシリコンが適している
。これらの材料は、7ツ酸などにより容易に化学的に腐
食されるからである。
また、感温抵抗体膜31.32けSiC膜が適している
。SiC膜は化学的にも熱的にも安定性に優れるのみな
らず機械的強度も大きいからである。
発明の効果 本発明によれば次に示す効果が得られる。
(1)  サーミスタ素子Aの感温抵抗体膜の形成され
た部分の平板状絶縁性基板は除去されているので、熱応
答の速い感温抵抗体が得られる。
(2)サーミスタ素子A、Bの抵抗温度特性は極めて類
似しているので、空気などの媒体の温度補償が容易であ
る。
(3)電極膜、感温抵抗体膜とも印刷技術、スパッタ技
術、真空蒸着技術などを利用して形成できるので、量産
性に優れ、また安価である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の流量センサの斜視図、第2
図は同然応答を示す特性図である。 1・・・・・・平板状絶縁性基板、10・・・・・・感
温抵抗体膜31の形成された部分の平板状絶縁性基板、
21.22.23・・・・・・電極膜、31.32・・
・・・・感温抵抗体膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 B16.サーミスタ赤芥B

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)平板状絶縁性基板の一方の表面に、電極膜と感温
    抵抗体膜とから成るサーミスタ素子を2個並列に相互に
    接近して形成し、前記2個のサーミスタ素子のうちの1
    個のサーミスタ素子の感温抵抗体膜の形成された部分の
    前記平板状絶縁性基板を除去した流量センサ。
  2. (2)平板状絶縁性基板が石英またはシリコンから成る
    特許請求の範囲第1項記載の流量センサ。
  3. (3)感温抵抗体膜が炭化硅素膜から成る特許請求の範
    囲第2項記載の流量センサ。
JP60076928A 1985-04-11 1985-04-11 流量センサ Pending JPS61235725A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63217251A (ja) * 1987-03-05 1988-09-09 アトランティック・リッチフィールド・カンパニー 液体組成物の蒸気圧を決定する方法とそれに使用する装置
EP0696725A1 (en) 1994-08-12 1996-02-14 Tokyo Gas Co., Ltd. Thermal micro flow sensor and production method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS601525A (ja) * 1983-06-20 1985-01-07 Nippon Soken Inc 半導体式流量検出装置

Patent Citations (1)

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