JPS61245502A - 薄膜サ−ミスタ - Google Patents
薄膜サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPS61245502A JPS61245502A JP8672485A JP8672485A JPS61245502A JP S61245502 A JPS61245502 A JP S61245502A JP 8672485 A JP8672485 A JP 8672485A JP 8672485 A JP8672485 A JP 8672485A JP S61245502 A JPS61245502 A JP S61245502A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- thin film
- sensitive resistor
- film
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は熱応答性の速い薄膜サーミスタに関するもので
ある。
ある。
従来の技術
２ページ
薄膜サーミスタは例えば、長井、他ナショナルテクニカ
ルレポート（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｒｅｐｏｒｔ） Ｖｏｌ、 ２６ （１９８０） Ｐ、
４０３に示されているように、平板状絶縁性基板の一方
の表面に感温抵抗体膜と一対の電極膜とを形成して構成
される。
ルレポート（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ
Ｒｅｐｏｒｔ） Ｖｏｌ、 ２６ （１９８０） Ｐ、
４０３に示されているように、平板状絶縁性基板の一方
の表面に感温抵抗体膜と一対の電極膜とを形成して構成
される。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このよう々従来の薄膜サーミスタは、熱応答性
が遅いという問題があった。これは下記の理由によるも
のである。
が遅いという問題があった。これは下記の理由によるも
のである。
例えば、室温に保たれた薄膜サーミスタを手早く高温に
保たれたオーブン中に移しだ時、サーミスタ温度は時間
の経過とともに」−昇する。この時の熱応答性はサーミ
スタの熱容量に大きく依存し、熱容量が大きく々ると熱
応答性は遅くなる。従来の薄膜サーミスタは平板状絶縁
基板の」二に感温抵抗体膜と電極膜とを形成して構成さ
れるので、薄膜サーミスタの熱容量はほぼ平板状絶縁性
基板により支配される。感温抵抗体膜と電極膜は数μｍ
−数１０μｍの厚さで形成されるが、平板状絶縁３
。
保たれたオーブン中に移しだ時、サーミスタ温度は時間
の経過とともに」−昇する。この時の熱応答性はサーミ
スタの熱容量に大きく依存し、熱容量が大きく々ると熱
応答性は遅くなる。従来の薄膜サーミスタは平板状絶縁
基板の」二に感温抵抗体膜と電極膜とを形成して構成さ
れるので、薄膜サーミスタの熱容量はほぼ平板状絶縁性
基板により支配される。感温抵抗体膜と電極膜は数μｍ
−数１０μｍの厚さで形成されるが、平板状絶縁３
。
性基板Ｈ０，３〜１． Ｏｖｎｌｎの厚さのものが用い
られる。
られる。
従って、感温抵抗体膜と電極膜との熱容量は小さくても
平板状絶縁基板の熱容量が大きいので従来の薄膜サーミ
スタの熱応答性は遅かった。
平板状絶縁基板の熱容量が大きいので従来の薄膜サーミ
スタの熱応答性は遅かった。
問題点を解決するだめの手段
本発明けかかる従来の問題を解消するもので感温抵抗体
膜と電極膜とからなる感温部の熱容量を小さくすること
により、熱応答性の速い薄膜サーミスタを提供すること
を目的とする。
膜と電極膜とからなる感温部の熱容量を小さくすること
により、熱応答性の速い薄膜サーミスタを提供すること
を目的とする。
問題点を解決するだめに本発明の薄膜サーミスタは、電
極を兼ねた平板状金属基板と、前記平板状金属基板の一
方の表面に形成された感温抵抗体膜と、前記感温抵抗体
膜上に形成された電極膜とからなる構成としている。
極を兼ねた平板状金属基板と、前記平板状金属基板の一
方の表面に形成された感温抵抗体膜と、前記感温抵抗体
膜上に形成された電極膜とからなる構成としている。
作 用
本発明は上記した構成によって、電極を兼ねた平板状金
属基板の熱容量が、従来の薄膜サーミスタの基板に用い
られているアルミナで代表される平板状絶縁基板のそれ
よりも著しく小さくなり、かつ、抵抗値の低いものが得
られる（感温抵抗体膜をはさんで電極が設けられている
ため）ので熱応答性を著しく速くすることができる。
属基板の熱容量が、従来の薄膜サーミスタの基板に用い
られているアルミナで代表される平板状絶縁基板のそれ
よりも著しく小さくなり、かつ、抵抗値の低いものが得
られる（感温抵抗体膜をはさんで電極が設けられている
ため）ので熱応答性を著しく速くすることができる。
実施例
以下、本発明の実施例を添付図面にもとづいて説明する
。
。
第１図は本発明の薄膜サーミスタの一実施例を示す断面
図である。図において、１は電極を兼ねた平板状金属板
で、この平板状金属基板１の一方の表面に感温部となる
感温抵抗体膜２が形成され、さらに感温抵抗体膜２の表
面に片方の電極となる電極膜３が形成されている。この
感温抵抗体膜２は鉄、ニッケノへコバルト、マンガンな
どの複合酸化物、炭化ケイ素、ゲルマニウムなどが用い
られ、これらをスパック法により数μｍレベルの薄い膜
厚で形成される。特に、耐熱性、密着性の点から炭化ケ
イ素による薄膜がよい。電極膜３は金−白金、銀−パラ
ジウム、白金、パラジウム、金などのペーストを高温で
焼成し、数μｍ〜数１０μｍレベルの厚膜を形成したも
のや、クロム−金、クロム−銅、アルミニウムなどを真
空蒸着法など５ベーノ により１μｍ以下の薄膜を形成したものが適用される。
図である。図において、１は電極を兼ねた平板状金属板
で、この平板状金属基板１の一方の表面に感温部となる
感温抵抗体膜２が形成され、さらに感温抵抗体膜２の表
面に片方の電極となる電極膜３が形成されている。この
感温抵抗体膜２は鉄、ニッケノへコバルト、マンガンな
どの複合酸化物、炭化ケイ素、ゲルマニウムなどが用い
られ、これらをスパック法により数μｍレベルの薄い膜
厚で形成される。特に、耐熱性、密着性の点から炭化ケ
イ素による薄膜がよい。電極膜３は金−白金、銀−パラ
ジウム、白金、パラジウム、金などのペーストを高温で
焼成し、数μｍ〜数１０μｍレベルの厚膜を形成したも
のや、クロム−金、クロム−銅、アルミニウムなどを真
空蒸着法など５ベーノ により１μｍ以下の薄膜を形成したものが適用される。
さらに、平板状金属基板１は、チタン、タンタル、モリ
ブデン、タングステン、白金、鉄−クロム、鉄−ニッケ
ル−コバルトの群から選択された１種で構成されること
が望捷しい。この理由は前述の金属または合金の熱膨張
係数と感温抵抗体膜２の熱膨張係数が類似の値をもっこ
とにあり、これによって、ヒートショック下での剥離現
象を防止することができる。
ブデン、タングステン、白金、鉄−クロム、鉄−ニッケ
ル−コバルトの群から選択された１種で構成されること
が望捷しい。この理由は前述の金属または合金の熱膨張
係数と感温抵抗体膜２の熱膨張係数が類似の値をもっこ
とにあり、これによって、ヒートショック下での剥離現
象を防止することができる。
」−記構成において、チタンよりなる平板状金属基板１
の厚さを約５０μｍ１炭化ケイ素よりなる感温抵抗体膜
２の厚さを約２μｍ、クロム−金よりなる電極膜３の厚
さを約０．５μｍとしたとき、熱時定数が５秒以下であ
った。他方、従来の薄膜サーミスタ（アルミナよりなる
絶縁基板の厚さが約０、５ ｍｍ ｓ感温抵抗体膜と電
極膜の厚さは前述と同じ）の熱時定数は約１５秒であっ
た。この理由は、平板状金属基材１の熱容量が、従来の
基材に比べ、著しく小さくなったことにある。なお、熱
時定数は平板状金属基板１の厚さにより影響を受けるが
、６ペーノ 厚さが１００μｍ以下であれば７秒以下の熱時定数が得
られ、優れた熱応答性を実現できる。
の厚さを約５０μｍ１炭化ケイ素よりなる感温抵抗体膜
２の厚さを約２μｍ、クロム−金よりなる電極膜３の厚
さを約０．５μｍとしたとき、熱時定数が５秒以下であ
った。他方、従来の薄膜サーミスタ（アルミナよりなる
絶縁基板の厚さが約０、５ ｍｍ ｓ感温抵抗体膜と電
極膜の厚さは前述と同じ）の熱時定数は約１５秒であっ
た。この理由は、平板状金属基材１の熱容量が、従来の
基材に比べ、著しく小さくなったことにある。なお、熱
時定数は平板状金属基板１の厚さにより影響を受けるが
、６ペーノ 厚さが１００μｍ以下であれば７秒以下の熱時定数が得
られ、優れた熱応答性を実現できる。
なお、平板状金属基板１の厚さは、前述の熱時定数、基
板としての強度の両者から、１０〜１００μｍの範囲で
あることが望ましい。
板としての強度の両者から、１０〜１００μｍの範囲で
あることが望ましい。
また、本発明は、感温部である感温抵抗体膜２が両電極
（平板状金属基板１と電極膜３）に、はさまれた構成で
あるので、数Ωレベルの低い抵抗値が得られる。したが
って、この感温抵抗体膜２を自己発熱させ、雰囲気温度
との差を常に一定に保つようにし、雰囲気温度変化を消
費電力変化で検出する方法（温度差法）が適用可能であ
り、この方法によると前述よりもさらに速い熱応答性を
得ることができる。
（平板状金属基板１と電極膜３）に、はさまれた構成で
あるので、数Ωレベルの低い抵抗値が得られる。したが
って、この感温抵抗体膜２を自己発熱させ、雰囲気温度
との差を常に一定に保つようにし、雰囲気温度変化を消
費電力変化で検出する方法（温度差法）が適用可能であ
り、この方法によると前述よりもさらに速い熱応答性を
得ることができる。
さらに、本発明では平板状金属基材が一方の電極をも兼
ねているのでリード線のとり出しが容易になるという効
果を有する。
ねているのでリード線のとり出しが容易になるという効
果を有する。
発明の効果
以上のように本発明の薄膜サーミスタによれば次の効果
が得られる。
が得られる。
７・、−／
（１）熱容量を小さくしているので優れた熱応答性を得
ることができる。
ることができる。
（２）感温抵抗体膜をはさんで電極を設けているので低
い抵抗値が得られ、感温抵抗体膜の自己発熱が容易にで
きる。
い抵抗値が得られ、感温抵抗体膜の自己発熱が容易にで
きる。
（３）平板状金属基材が一方の電極を兼ねているので別
に電極を設ける必要がなく、かつ溶接性が向」ニジ、リ
ード線のとり出しが容易である。
に電極を設ける必要がなく、かつ溶接性が向」ニジ、リ
ード線のとり出しが容易である。
（４） さらに、速い熱応答性が得られることから、
温度センサの他に気体などの流量センサとして利用でき
る。
温度センサの他に気体などの流量センサとして利用でき
る。
図は本発明の一実施例を示す薄膜サーミスタの断面図で
ある。 １・・・・・・平板状金属基材、２・・・・・・感温抵
抗体膜、３・・・・・・電極膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−−平板Ａ鈴嘱基柱 ？−−−爪ｌ抵坑イ本膜 ３− 霞極膜
ある。 １・・・・・・平板状金属基材、２・・・・・・感温抵
抗体膜、３・・・・・・電極膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−−平板Ａ鈴嘱基柱 ？−−−爪ｌ抵坑イ本膜 ３− 霞極膜
Claims (3)
- （１）電極を兼ねた平板状金属基板と、前記平板状金属
基板の一方の表面に形成された感温抵抗体膜と、前記感
温抵抗体膜の上に形成された電極膜とからなる薄膜サー
ミスタ。 - （２）平板状金属基板がチタン、タンタル、モリブデン
、タングステン、白金、鉄−クロム合金、鉄−ニッケル
−コバルト合金の群から選択された１種から構成された
特許請求の範囲第１項記載の薄膜サーミスタ。 - （３）感温抵抗体膜は、炭化ケイ素から構成された特許
請求の範囲第１項記載の薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8672485A JPS61245502A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8672485A JPS61245502A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 薄膜サ−ミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61245502A true JPS61245502A (ja) | 1986-10-31 |
Family
ID=13894812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8672485A Pending JPS61245502A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-23 | 薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61245502A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63310101A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Nok Corp | 薄膜サ−ミスタの製造法 |
| WO2011024724A1 (ja) | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ及びその製造方法 |
| WO2012114874A1 (ja) | 2011-02-24 | 2012-08-30 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の実装構造 |
| WO2012114857A1 (ja) | 2011-02-24 | 2012-08-30 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の実装構造 |
| WO2013073324A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | 株式会社村田製作所 | サーミスタおよびその製造方法 |
| JP2022539054A (ja) * | 2019-07-05 | 2022-09-07 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト | Ｎｔｃ薄膜サーミスタ及びｎｔｃ薄膜サーミスタの製造方法 |
-
1985
- 1985-04-23 JP JP8672485A patent/JPS61245502A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63310101A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-19 | Nok Corp | 薄膜サ−ミスタの製造法 |
| US8514050B1 (en) | 2009-08-28 | 2013-08-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor and method for manufacturing the same |
| WO2011024724A1 (ja) | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ及びその製造方法 |
| CN102483978A (zh) * | 2009-08-28 | 2012-05-30 | 株式会社村田制作所 | 热敏电阻及其制造方法 |
| JP5375963B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2013-12-25 | 株式会社村田製作所 | サーミスタ及びその製造方法 |
| US8598975B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-12-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thermistor and method for manufacturing the same |
| WO2012114874A1 (ja) | 2011-02-24 | 2012-08-30 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の実装構造 |
| WO2012114857A1 (ja) | 2011-02-24 | 2012-08-30 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の実装構造 |
| JP5664760B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2015-02-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の実装構造 |
| US9153762B2 (en) | 2011-02-24 | 2015-10-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component package structure |
| US9184362B2 (en) | 2011-02-24 | 2015-11-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic-component mounting structure |
| WO2013073324A1 (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | 株式会社村田製作所 | サーミスタおよびその製造方法 |
| JP2022539054A (ja) * | 2019-07-05 | 2022-09-07 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト | Ｎｔｃ薄膜サーミスタ及びｎｔｃ薄膜サーミスタの製造方法 |
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